JPH02211451A - 露光マスク，露光マスクの製造方法及びこれを用いた露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は、半導体製造ｆ、Ｒｊｃ係り、特に、リソグ
ラフィのマスク製作に関する。

（従来の技術） 半導体集積回路は、高集積化、微細化の一途を辿ってい
る。その要素技術として、リソグラフィ技術は加工の要
として特に重要である。例えば、光源に対しては、　Ｇ
ＩＩ、　　ｉ＠、エキシマレーザ−ＸＩＩ等の採用が検
討され、レジストに対しては、新レジストの開発やＲＥ
Ｌの様な新レジスト処理が検討され％Ｓｌウェハ上に対
しては、５ＲＦＰ。

ＣＥＬ　　ｉｍａｇｅ　ｒｅｖｅｒｓｅ法等が検討され
てきた。しかし、マスク製作技術に対しては、充分な検
討がされていなかりたが、最近、この技術として例えば
１９８８年秋季応物学会４ａ−に−７，８（ｐ４９７）
において位相シフト法というも■が提案された。

この位相シフト法２用いたフォトリソグラフィのマスク
製造工程を第７図に示す。石英マスク基板ＣｒｔＯ１か
ら成るマスク＠３２を１００ＯＡ＠［堆積し、レジスト
３３をパターニングする。（第７図（ａ））次に、パタ
ーニングされたレジスト３３により、エツチング液また
は反応性イオンエツチング薔こよりマスク層３２′Ｐエ
ツチングする。（第７図（ｂ））次に照射光の位相を１
８０＠シフトさせるシフト３４を例えばレジストにより
形成する。この時、ライン＆スペース部では１つおきに
開口部をシフタ３４で覆う。また、孤立スペース部はそ
れ単独では解像しない補助パターン３５を開口部の両側
に開口し、その上をシフタ３４でおおう。（第７図（Ｃ
））この様なマスクと用いて露光すると、第８図に示す
様に各開口部２通りた破線で示した光強度分布がそれぞ
れ位相力几ｓｏ”反転しているため、マスク＠３２の下
の部分での光強度が極めて低下し、トータルでみると、
第８図の実線の様な光強度分布が実現され、従来のマス
ク製造時に比べて半分近い寸法までの解像が可能となる
。

しかしながら、この様な位相シフト法を用いたフォトリ
ソグラフィのマスク製造工程においては。

以下に示す様な問題点がありた。ａｌ（こライン＆スペ
ース部では開口部の１つおきにシフタ３４を配置し、孤
立スペース部には補助パターン３５ｆこよりマスクＩｌ
ｌ　３２　％加工し、その上にシフタ３４を配置するた
゛め、マスクパターンのＥＢデータ及びシフタリソグラ
フィデータに複雑で大量なデータ処理が必要となる。第
２に補助パターン３５の加工のために、マスクで最小寸
法より更に微細な加工が必要となる。第３に、補助パタ
ーン３５を通りた光が充分にキャンセルされないでレジ
ストパターンが歪んでしまう、第４１こその他のパター
ンとして孤立ライン部、孤立ｉｓ７！ａｎｄ　部等にお
いて、同じ解像状態を得ることができない。

（発明が堺決しようとする課題） 以上の様に、従来の位相シフト法を用いたフォトリソグ
ラフィのマスク製造工程においては、マスクパターンの
ＥＢデータ及びシフタ加エデータ普こついて複雑で大量
なデータ処理を必要とすること、マスク上で最小寸法よ
り更に微細な加工が必要となること、孤立スペース部で
はレジストパターンが歪むこと及び全てのパターンにお
いて同じ解像状態ヲうろことが困難なこと、という問題
がありた。

本発明は、この様な課題を解決する露光マスク、露光マ
スクの製造方法及びこれを用いた露光方法ど提供するこ
とを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明は、上記事情に鑑みて為されたもので。

第１０発明は、リソグラフィ光を遮る裸身こ設けられた
マスク層と、このマスク層に隣接して設けられた第１０
透過領域と、この第１０透過領域に隣接し前記第１０透
過領域を透過するりソグラフィ光に対して位相が１８０
０シフトする様に設けられた第２の透過領域とを具備し
たことを特徴とする露光マスクを提供する。

また、第２の発明は、リソグラフィ光が透過するマスク
基板上全面番こりソグラフィ光を遮るマスクＩＩ’）形
成する工程と、このマスク層上に第１０膜を形成する工
程と、この第１０膜から前記マスク基板に達する迄、エ
ツチングする工程と、この後、第２の膜を堆積し異方性
エツチングを用いて段差＠壁部曇こ前記第２の膜と自己
整合して残置する工程と、この残置させた第２の膜をマ
スクとして前記マスク基板を第２の膜下のマスク基板に
対してリソグラフィ光の位相が１８０°シフト　する閑
さ迄エツチングする工程と、前記第１１２）＠及び前記
側壁部に残置させた前記第２の膜を除去する工程とを具
備したことを特徴とする露光マスクの製造方法を提供す
る。

また、第３の発明は、リソグラフィ光が透過するマスク
基板上全面にこのマスク基板に対してリソグラフィ光の
位相が１８０°シフトする厚さの第１ｏ膜を形成する工
程と、この第１０膜上にリソグラフィ光？遮るマスクｌ
ｌを形成する工程と、このマスク層上憂こ第２の膜を形
成する工程と、第２の膜から前記第１０頃ｔこ達する迄
エツチングし、する工程と、この後、第３の膜？堆積し
異方性エツチングを用いて段差側壁部に前記第３の１漠
を自己整合して残置する工程と、この残置させた第３の
嘆２マスク゛として前記マスク基板に達する迄エツチン
グする工程と、前記第２の膜及び前記側壁部に残置させ
た前記第３０膜を除去する工程とを具備したことを特徴
とする露光マスクの製造方法を提供する。

また１ｇ４の発明は、リソグラフィ光を遮る様に設けら
れたマスク層と、このマスク層に接してリソグラフィを
収束させる凸レンズ形状を有する様に設けられた透過領
域とを具備したことと特徴とするｍｙｔ、マスクを提供
する。

また、第５の発明は、リソグラフィ光が透過するマスク
基板上全面にリソグラフィ光を遮る遮光部としてマスク
１脅２形成する工程と、このマスク層をパターニングす
る工程と、この後、絶ＲｇＸを堆積し等方性エツチング
を用いて、段差部の前記絶縁模を迅速にエツチングし、
更に前記マスク基板が凸レンズ形状となる迄前記絶縁膜
及び前記マスク基板とエツチングする工程とと具備した
ことを特徴とする露光マスクの製造方法を提供する。

また、第６の発明は、以上の露光マスクを用いたことを
特徴とする露光方法を提供する。

（作用） この様に、第１０発明では、リソグラフィ光を遮る為の
マスク層に隣接する様に形成された第１０透過領域に対
して、更にその内側の第２の透過領域はリソグラフィ光
Ｏ位相が１８００シフトする様に設けられている。従り
て、第１０透過領域及び第２の透過領域を透過するリソ
グラフィ光は、第１０透過領域真下で光強度分布が極め
て低下し、トータルでみるとシャープなものが得られる
。しかも、このシャープな光強度分布は、ライン＆スペ
ース部、孤立スペース部いずれの場合も同じ解像状態で
得られる。また、補助パターンを必要としないので補助
パターンを通りた光が充分にキャンセルされないでレジ
ストパターンが歪んでしまうこともない、また、孤立ラ
イン部、孤立１ｓｌａｎｄ部等においても同じ解像状態
が得られる。

また、第２の発明における露光マスクの製造工程では、
マスク開口部においてリソグラフィ光を遮る光のマスク
層に隣接する様に形成された第１０透過層の側壁に残置
させた＠とマスクにして、異方性エツチングを用いてマ
スク基板擾こ所定の深さの溝を設けることにより第２の
透過１ｉｉを形成している。従りて、第１０発明と同様
ｆこトータルでみるとシャープな光強度分布が得られる
。しかも従来例で示した様なシフタあるいは、補助パタ
ーン３必要としないため、マスクパターン（ＤＥ　８７
’−タ及びリソグラフィデータに複雑で大量なデータ処
理を必要としない、また、補助パターンを必要としない
ため、補助パターン加工のためのマスク上で最小寸法よ
り更に微細な加工がいらない。

また、補助パターン２通りた光が充分畜こキャンセルさ
れないでレジストパターンが歪んでしまうこともない、
ｔた、孤立ライ１ン部、孤立ｉ　ｓ　ｌ　ａｎｄ部等に
おいて、同じ解像状態が得られる。

また％第３の発明ｌこおける露光マスクの製造工程では
、所定の厚さの第１０膜上に形成されたマスク開口部暑
こおいてリソグラフィ光を為のマスク層に接する様に設
けられた第１０透過層の側壁に残置させた第３のマスク
ｌこして、異方性エツチングを用いてマスク基板に達す
るまで第１０膜を除去し第２の透蓮層と形成している。

従りて第２の発明と同様にトータルでみるとシャープな
光強度分布が得られる。しかも、従来例で示した様なシ
フタあるいは、補助パターン２必要としないため、マス
クパターンＩＺ）ＥＢデータ及びリソグラフィデータ番
こ複雑で大量なデータ処理を必要としない。

また、補助パターンを必要としないため、補助パターン
加工のためのマスク上で最小寸法より更に微細な加工が
いらない。また、補助パターン２通また光が充分にキャ
ンセルされないでレジストパターンが歪んでしまうこと
もない。また、孤立ライン部、孤立１ｓｌａｎｄ　部等
において、同じ解像状態が得られる。

また、第４の発明では、リソグラフィ光を収束させる凸
レンズ形状を有する様に透過領域が得られている。従っ
て、ウェハ上で光が収束し、シャープな光強度分布が得
られている。しかも、このシャープな光強度分布は、ラ
イン＆スペース部、孤立スペース部いずれの場合も同じ
解像状態で得られる。また、補助パターンを必要としな
いので、補助パターン２通りた光が充分畳こキャンセル
さｎないでレジスト歪んでしまうこともない、また孤立
ライン部、孤立Ｌ　ｓ　Ｌ　ａｎｄ部等においても同じ
解像状態が得られる。

また％第５０発明番こおける露光マスクの製造工程では
、マス、り開口部においてマスク基板が凸レンズ形状に
なる様に、マスク開口部に堆積された絶縁膜及びマスク
基板を等方性エツチングを用いてエツチングしている。

従りて、ウェハ上で光力上収束しシャープな光強度分布
が得られている。しかも、従来例で示した様なシフタあ
るいは、補助パターンヲ必要としないため、マスクパタ
ーンのＥＢデータ及びリソグラフィデータに複雑で大量
なデータ処理を必要としない。また、補助／ｆターンを
必保としないため、補助パターン加工■ためのマスク上
で最小寸法より更に微細な加工がいらない、また、補助
パターンを通りた光が充分にキャンセルされないでレジ
スト／くターンが歪んでしまうこともない。また、孤立
ライン部、孤立１ｓｌａｎｄ部等において同じ解像状態
が得られる。

また、第６の発明では、第１または第４の発明による１
１１！光マスクを用いてウェハを露光することにより、
第１ｔたは第４の発明による作用の項で述べた効果が得
られる。

（実施例） 以下１本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

ｒｇ１図は１本発明の第１０実施例の位相シフト法を用
いた露光マスクＯ断面１強度分布及びマスク平面の関係
と示す図である。

リソグラフィ光が透過するマスク基板ｌ上【こは。

所定のパターンを得る為にリソグラフィ光２遮る様な１
対のマスクｒｉｉｉ２が形成されている。ここで、マス
ク基板１の材質としては石英、マスク層２の材質として
はクロムあるいはクロム酸化物が考えられる。この１対
■マスク層２の内聞に露出しているマスク基板１番こよ
り第１０透過領域３が形成されている。更沓こ、この第
１０透過−３の内聞にはエツチングｌこより溝が形成さ
れ、これが第２の透過領域４となりている。ここで、光
源の波長とλ２マスク基板１の屈折率９ｎとすると、第
１０透過領域３２透過するリソグラフィ光Ｉこ対して第
２の透過領域４を透過するリソグラフィ光の位相１１８
０”シフトさせた場合、この溝の深さはλ／２（ｎ−１
）となる。例えば、マスク基板１が石英、光源Ｐ１＠と
じた場合は、４００ＯＡ程度となる。

以上の様にして形成された露光マスクを用いてウェハ２
露光すると、第１図の破線に示す様に。

第１０透過領域３￥：透過するりソグラフィ元の光強度
分布とＷｃ２の透過領域４を透過するリソグラフィ光の
光強度分布とは位相が１８０”ずれている為、これらと
重ね合わせることにより形成される光強度分布は、第１
０透過領域３真下で極めて低下し、トータルでみると実
線に示す様ｆこシャープなものが得られる。よりて得ら
れる解像度は、従来の０．６μｍａ度が約半分の０．３
μｍ［変になる。

第２囚は、本発明の第１０実施例の位相シフト法を用い
たマスク製造方法ｅ工程順に断面図で示したものである
。

例えば、石英より成るマスク基板ｌＯ上に、例えば、ク
ロムあるいはクロム酸化物より成るマスク１脅２をスパ
ッタ法により厚さ１００ＯＡ程匿全面に堆積する。次に
５ｉ０１膜又は多結晶シリコン嘆５を厚さ１００ＯＡ程
度ＣＶＤ法を用いて全面に堆積する。ここで、５ｉＯ１
模の場合は１例えばＳ　ｉ　Ｈ，−Ｃｏｔ（Ｎｏ　）−
Ｈ１１脅ガス９００℃の雰囲気で、多結晶シリコン模の
場合は１例えば５ｉＨ４−Ｈ，混合ガス中９００℃の雰
囲気で堆積させる。

次にレジスト６￥：Ｉ！布し、ＥＢ描画等により所定の
形状にパターニングする。（第２図［ａ）　）次に、こ
のレジスト６により形成されたパターンをマスクにして
ＳｉＯ，＠５及びマスクｌ１ｉｔ２Ｅ反応性イオンエツ
チングにより除去し第１０透過領域３を形成する。次に
全面に多結晶シリコン模７と厚さ３００ＯＡ程度堆積す
る。（第２図（ｂ））次に、多結晶シリコン＠７をＣＦ
４−０１源合ガス２用いた反応性イオンエツチングの異
方性エツチング唾こより、マスク層２とＳｉＯ，模５■
側壁部にのみ多結晶シリコン＠７を残置させる。（第２
図（Ｃ）） 欠番こ側壁部に残置させた多結晶シリコン＠７とマスク
にして、マスク基板ＩＥｃＨＦｓ　　Ｏ＠混合ガスを用
いた反応性イオンエツチングの異方性エツチング憂こよ
り除去し第２の透過層４となる溝と形成する。更に、表
面処理のためＮＦ、Ｆ処理又は、化学ドライエツチング
処理Ｐ追加してもよい。また、この溝の深さは前述の如
く光源の波長ｅλ。

λ マスク基板１の屈折ＩＫｔｎとすると　／２（ｎ−□）
となる、（第２　ｔｇ　（ｄ）　） 次に、ＳｉＯ，＠５及び多結晶シリコン膜７を化学ドラ
イエツチング又は、エツチング液により除去する。（第
２［Ｆ］（ｅ）） 第３図は、本発明の第２の実施例の位相シフト法を用い
た露光マスクの断面図である。

リソグラフィ光が透過するマスク基板８上には。

リソグラフィ光の位相をシフトさせる位相シフタ９が形
成されている。更に、このシフタ９上には所定のパター
ンを得るためにはマスク層１０が形成されている。以上
の様に形成された露光マスクにおいて、露出した位相シ
フタ９の部分が第１０透過領域となり露出したマスク基
板８の部分が第２の透過領域となりている。また、　１
１源の波長２λ１位相シフタ９の屈折率）ｎとすると、
第１０透過領域である位相シフタ９と透過するリソグラ
フィ光に対して、第２の透過領域であるマスク基電８ビ
透過するリソグラフィ光の位相と１８０’シフトさせた
場合、この位相シフタ９の厚さはλ／２（ｎ−１）とな
る０例えば、マスク基板８が石英、位相シフタ９が５ｉ
Ｏ１［Ｔｈ光源をｉ；＠とした場合、４００ＯＡ程度と
なる。

以上の様にして形成された露光マスクと用いてウェハを
露光すると、第３図の破線に示す様ζこ、位相シフタ９
を透過するりソグラフィ光の光強度分布とマスク基板８
を透過するリソグラフィたの光強度分布とは位相が１８
０’ずれている為、これらと重ね合わせることにより形
成された光強度分布は、位相シフタ９真下で極めて低下
し、トータルでみると実線憂こ示す様にシャープなもの
が得られる。よりて解像度は、従来の０，６μｍ程度の
ものが約半分の０．３μｍ程度になる。

第４図は１本発明の第２の実施例の位相シフト法を用い
たマスク製造方法を工程順に断面図で示したものである
。

例えば、石英より成るマスク基板１０の上に位相シフタ
１１を堆積する。この位相シフタ１１の厚さは、光源の
波長とλ１位相シフタ１１の屈折率？ｎとすると、位相
を１８０°回転させる為暑こはλ／２（ｎ−１）となる
。例えば光源をｌ線とすると、シフタ材が５ｉＯｔ膜の
場合は４０００Ａ程度、レジスト膜の場合は２９００Ａ
程度の厚さになる。

次に、クロムあるいはクロム酸化物より成るマスク層１
２を１００ＯＡ程度堆積する。次に、多結晶シリコン膜
又は室窟液相成長５ｉＯ１膜又はプラダ７ＣＶＤＳｉＯ
ｔｌ［１３Ｅ堆積し、更にレジスト１４を塗布した後、
ＥＢ描画等によりパターニングする。（＠４因（ａ）） 次（こ、レジスト１４により形成されたパターン２マス
クにして３ｔＯ１＠ｘ３及びマスク層１２を反応性イオ
ンエツチング等により除去する。欠番こ全面に多結晶シ
リコン膜１５を厚さ３０００Ａ程度堆積する。（第４図
（ｂ）） 次に、多結晶シリコン嗅１５とＣＦ４−０１混合ガスを
用いた反応性イオンエツチングの異方性エツチングをこ
よりマスク層１２と３ｉｏ、膜１３の側壁部にのみ多結
晶シリコン模１５を残置させる。

（第４図（Ｃ）） 欠番こ、側壁部瘉こ残置させた多結晶シリコン膜１５を
マスクにして１位相シフタ１１をＣＨＦ５　　Ｏｘ混合
ガスを用いた反応性イオンエツチングの異方性エツチン
グにより除去しマスク基板１０を露出させる。（第４図
（ｄ）） 欠番こ、５ｉＯ１膜１３及び多結晶シリコン＠１５を化
学ドライエνチングにより除去し、位相シフタ１１を露
出させる。以上により、露出させた位相シフタ１１及び
マスク基板ｌＯから成るマスク開口部が完成する。上記
において、Ｓｔｏ、膜１３及び多結晶シリコン膜１５ζ
こついては、必ずしもそれに限定されるものではなく、
側壁残しができる材質Ｑものであればよい。（第４図（
ｅ））上記第１．第２の実施例では、に源’ｔｉ１１ｓ
とした場合について示したが、本発明は必ずしもそれに
限定されるものではなく、光源がＧ線、エキシマレーザ
Ｘ線等の場合にも同様に適用可能である。

ただし、この場（＃＠５Ｑ深さあるいは位相シフタｌｉ
Ｏ厚さは、光源０８１類番こより異なる。

第５図は、本発明■第３の実施例の露光マスクの断面図
である。

リソグラフィ光が透過するマスク基板１６上ζこは所定
のパターンを得るためにリソグラフィ光を遮る様な１対
のマスク＠１７が形成されている。

このマスクｒｆ！Ｊ１７の内側に露出しているマスク基
板１６は、ウェハ上でマスク基板会収束させる様に凸レ
ンズ形状ビしている。

以上の様ｌこ形成されたマスク？用いてウェハを露光す
ると、マスク上から照射されたリソグラフィ光は１図の
矢印で示す様にマスク開口部の凸レンズ形状のマスク基
板１６の領域で集光され、マスク＃１７に隣接する部分
の光強度分布は極めて低下する。よりて第５図の点線に
示す様に従来の凸レンズ形状でないマスク基＠１６によ
る光強度分布に比べ第５図の実線で示す様なシャープな
光強度分布が実現され従来法より利かい寸法まで解像が
可能となる。

第６図は１本発明の第３の実施例のマスク製造方法を工
程順に断面図で示したものである。

例えば石英より成るマスク基板１Ｂの上に、例えばクロ
ムあるいはクロム酸化物より成るマスク層１９を全面に
１００ＯＡ程度堆積する。次にマスク材１４上多こレジ
スト２０を全面に塗布した投。

ＥＢ描画等によりバターニングする。（第６ｔｆｌｔ＆
））次にレジスト２０により形成されたパターンをマス
クにして、マスクｒａ１９￥−反応性イオンエツチング
により除去する。次にマスク基板１８２ＣＨＦｓ−Ｏｘ
混合ガスを用いた反応性イオンエツチングの異方性エツ
チングにより除去し、深さ１０００Ａ程度の溝２１と形
成する０次に、全全面プラダ７ＣＶＤＳｉＯ，［２２を
堆積する。（１ｇ６図（ｂ））次に、ＮＨ，Ｆ等のエツ
チング液によりエツチングすると、溝２１の側面のプラ
ズマＣＶＤ酸化模のぜい弱な所（第６図（ｂ）に点線Ａ
で示す）からエツチングが進み、溝２１の段差部が主に
エツチングされ、溝２１の中央部及びｐ＋壁上部にプラ
ズマＣＶＤ５ｔＯｔ模２２が残置さレル。（第６図（Ｃ
））欠番こ、引き続いてエツチングを続行するとマスり
基板１８も弧状にエツチングされると共に＃１１２１の
中央部及びＩｇＭ壁上部に残置させたプラズマＣＶＤ５
ｉＯ１第２２もエツチングされ、マスク開口部に凸レン
ズ形状のマスク基板１８が自己整合的Ｅこ形成され、マ
スクが完成する（第６■（ｄ））〔発明の効果〕 以上述べた様に、本発明に依れば、シャープな光強度分
布は、ライン＆スペース部、孤立スペース部いずれ■場
合も同じ解像状態で得られる。また、補助パターン２必
要としないので補助パターンと通りた光が充分にキャン
セルされないでレジストパターンが歪んでしまうことも
ない。また、孤立ライン部、孤立１ｓｌａｎｄ部等にお
いても同じ解像状態が得られる。

また、シフタあるいは、補助パターンビ必要としないた
め、マスクパターンのＥＢデータ及びリソグラフィデー
タに複雑で大量な処理データビ必安としない、また、補
助パターンを必要としないため、補助パターン加工の為
、マスク上で最小寸法より更に微測な加工がいらない。

【図面の簡単な説明】

第１因は、本発明の第１０実施例の露光マスクを説明す
るの１第２図は、本発明の第１０実施例の露光マスクの
製造工程と示す断面図、第３因は。 本発明の第２の実施例の露光マスクの断面■、第４図は
１本発明の第２０実施例の露光マスクの製造工程を示す
断面図、第５図は、本発明の第３の実施例の露光マスク
の断面色、第６Ｇは、本発明の第３の実施例の露光マス
クの製造工程を示す断面図、第７１及び第８因は、従来
例２示す断面色である。 ■暑こおいて。 １・・・マスク基板、２・・・マスク層、３・・・第１
０透過領域、４・・・第２の透過領域％　５・・・５ｉ
Ｏ１暎、６・・・レジスト、７・・・多結晶シリコン膜
、８・・・マスク基板１．９・・・位相シフタ。１０・
・・マスク基板％１１・・・位相シフタ、１２・・・マ
スクｆｉｌ、１３・・・Ｓｉｏ、＠、１４・・・レジス
ト、１５・・・多結晶シリコン嗅、１６・・・マスク基
板、１７・・・マスク１．１ｓ°・・マスク基板、１９
・・・マスクＦｉｉｉ、２０・・・レジスト、、２１・
・・溝。 ２２・・・５ｉＯ１［ｋ　３１・・・マスク基板、３２
・・・マスクｆｉｌ、３３・・・レジスト、３４・・・
シフタ、３５・・・補助パターン。 φｃｙ＞。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）リソグラフィ光を遮る様に設けられたマスク層と
   、このマスク層に隣接して設けられた第１の透過領域と
   、この第１０透過領域に隣接し前記第１の透過領域を透
   過するリソグラフィ光に対して位相が１８０°シフトす
   る様に設けられた第２の透過領域とを具備したことを特
   徴とする露光マスク（２）リソグラフィ光が透過するマ
   スク基板上全面にリソグラフィ光を遮るマスク層を形成
   する工程と、このマスク層上に第１の膜を形成する工程
   と、この第１の膜から前記マスク基板に達する迄、エッ
   チングする工程と、この後、第２の膜を堆積し異方性エ
   ッチングを用いて段差側壁部に前記第２の膜を自己整合
   して残置する工程と、この残置させた第２の膜をマスク
   として前記マスク基板を第２の膜下のマスク基板に対し
   てリソグラフィ光の位相が１８０°シフトする深さ迄エ
   ッチングする工程と、前記第１の膜及び前記側壁部に残
   置させた前記第２の膜を除去する工程とを具備したこと
   を特徴とする露光マスクの製造方法。 （３）リソグラフィ光が透過するマスク基板上全面にこ
   のマスク基板に対してリソグラフィ光の位相が１８０°
   シフトする厚さの第１の膜を形成する工程と、この第１
   の膜上にリソグラフィ光を遮るマスク層を形成する工程
   と、このマスク層上に第２の模を形成する工程と第２０
   模から前記第１の膜に達する迄エッチング曲る工程と、
   この後、第３の膜を堆積し異方性エッチングを用いて段
   差側壁部に前記第３の膜を自己整合して残置する工程と
   、この残置させた第３膜をマスクとして前記マスク基板
   に達する迄エッチングする工程と、前記第２の膜及び前
   記側壁部に残置させた前記第３の膜を除去する工程とを
   具備したことを特徴とする露光マスクの製造方法。 （４）リソグラフィ光を遮る様に設けられたマスク層と
   、このマスク層に接してリソグラフィ光を収束させる凸
   レンズ形状を有する様に設けられた透過領域とを具備し
   たことを特徴とする露光マスク。 （５）リソグラフィ光が透過するマスク基板上全面にリ
   ソグラフィ光を遮る遮光部としてマスク層を形成する工
   程と、このマスク層をパターニングする工程と、この後
   、絶縁模を堆積し等方性エッチングを用いて、段差部の
   前記絶縁膜を迅速にエッチングし、更に前記マスク基板
   が凸レンズ形状となる迄前記絶縁膜と共に前記マスク基
   板をエッチングする工程とを具備したことを特徴とする
   露光マスクの製造方法。 （６）請求項１または請求項４記載の露光マスクを用い
   たことを特徴とする露光方法。