JPH04315150A - 位相シフトリソグラフィーマスク作製方法 - Google Patents
位相シフトリソグラフィーマスク作製方法Info
- Publication number
- JPH04315150A JPH04315150A JP3344091A JP34409191A JPH04315150A JP H04315150 A JPH04315150 A JP H04315150A JP 3344091 A JP3344091 A JP 3344091A JP 34409191 A JP34409191 A JP 34409191A JP H04315150 A JPH04315150 A JP H04315150A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- material layer
- light
- shielding material
- grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229910017903 NH3F Inorganic materials 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等の作
製に用いられる、光リソグラフィー技術に関し、特に光
リソグラフィー技術を用いてそのような回路を作製する
ための、リソグラフィーマスクの作製手法に関する。こ
れらのマスクは、特に倍率が１ではない光システムに用
いられる場合、”レティクル”とも呼ばれる。
製に用いられる、光リソグラフィー技術に関し、特に光
リソグラフィー技術を用いてそのような回路を作製する
ための、リソグラフィーマスクの作製手法に関する。こ
れらのマスクは、特に倍率が１ではない光システムに用
いられる場合、”レティクル”とも呼ばれる。
【０００２】
【従来の技術】Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ）
Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ， ｐｐ．５７−
６０（３．３．１−３．３．４）（１９８９年１２月）
に掲載の、”Ｎｅｗ Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔｉｎｇ
Ｍａｓｋ ｗｉｔｈＳｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ Ｐｈａ
ｓｅ Ｓｈｉｆｔｅｒｓ ｆｏｒ ａ Ｑｕａｒｔｅｒ
Ｍｉｃｒｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”において、
Ａ．Ｎｉｔａｙａｍａらは、マスクが光リソグラフィー
システムで使用される際に、（空隙の）解像度、つまり
マスクの解像性を改善するために、孤立した空隙を形成
して位相シフト部とする、位相シフト部を有するマスク
の利用を示している。
ｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ）
Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ， ｐｐ．５７−
６０（３．３．１−３．３．４）（１９８９年１２月）
に掲載の、”Ｎｅｗ Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔｉｎｇ
Ｍａｓｋ ｗｉｔｈＳｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ Ｐｈａ
ｓｅ Ｓｈｉｆｔｅｒｓ ｆｏｒ ａ Ｑｕａｒｔｅｒ
Ｍｉｃｒｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”において、
Ａ．Ｎｉｔａｙａｍａらは、マスクが光リソグラフィー
システムで使用される際に、（空隙の）解像度、つまり
マスクの解像性を改善するために、孤立した空隙を形成
して位相シフト部とする、位相シフト部を有するマスク
の利用を示している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前掲のＡ．Ｎｉｔａｙ
ａｍａらによって示されたマスク構造は、ウェットエッ
チングに耐性のあるＰＭＭＡ位相シフト層の下の、遮光
クロム層の（横方向）ウェットエッチング段階を含み、
ＰＭＭＡ層の下のクロム層をエッチングし、位相シフト
マスクを形成する。しかし、エッチングされるクロムの
量と、そのエッジの位置決め制御が難しい。必要な解像
性を有するマスクを得るためには、遮光クロム層のエッ
ジの位置は精密に制御されねばならない。
ａｍａらによって示されたマスク構造は、ウェットエッ
チングに耐性のあるＰＭＭＡ位相シフト層の下の、遮光
クロム層の（横方向）ウェットエッチング段階を含み、
ＰＭＭＡ層の下のクロム層をエッチングし、位相シフト
マスクを形成する。しかし、エッチングされるクロムの
量と、そのエッジの位置決め制御が難しい。必要な解像
性を有するマスクを得るためには、遮光クロム層のエッ
ジの位置は精密に制御されねばならない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、位相シフトマ
スクデバイスの作製のための、セルフアライメントリソ
グラフィー技術に関し、以下の段階を有する：（ａ）遮
光材料層の全厚に達し、透明材料層ほぼ全表面に配置さ
れ、透明材料層の厚さ方向の少なくとも一部分に達する
ような溝を形成し、（ｂ）遮光材料層及び溝の全表面に
レジスト層を形成し、（ｃ）レジスト層をパターニング
し、溝内の任意の位置に境界エッジを有するパターニン
グされたレジスト層を形成し、遮光材料層の表面の一部
を露光し、（ｄ）表面の一部分の下の遮光材料層の全厚
をエッチングし、それによって透明材料層（１２）のエ
ッジはエッチングによって影響を受けないことを特徴と
する位相シフトマスク作製手法。
スクデバイスの作製のための、セルフアライメントリソ
グラフィー技術に関し、以下の段階を有する：（ａ）遮
光材料層の全厚に達し、透明材料層ほぼ全表面に配置さ
れ、透明材料層の厚さ方向の少なくとも一部分に達する
ような溝を形成し、（ｂ）遮光材料層及び溝の全表面に
レジスト層を形成し、（ｃ）レジスト層をパターニング
し、溝内の任意の位置に境界エッジを有するパターニン
グされたレジスト層を形成し、遮光材料層の表面の一部
を露光し、（ｄ）表面の一部分の下の遮光材料層の全厚
をエッチングし、それによって透明材料層（１２）のエ
ッジはエッチングによって影響を受けないことを特徴と
する位相シフトマスク作製手法。
【０００５】このようにして、遮光材料層のパターニン
グ中に、全てのエッジ端面がパターニングされるような
２段階溝構造が得られる。一方、第２材料層の必要とさ
れる（正確な）セルフアライメントのために、単に溝内
のある場所にそのエッジが配置されることだけが要求さ
れるため、段階（ｃ）でのレジスト層のパターニングで
は、必要な誤差マージンがとれ、比較的大きなアライメ
ント誤差を許容することができる。
グ中に、全てのエッジ端面がパターニングされるような
２段階溝構造が得られる。一方、第２材料層の必要とさ
れる（正確な）セルフアライメントのために、単に溝内
のある場所にそのエッジが配置されることだけが要求さ
れるため、段階（ｃ）でのレジスト層のパターニングで
は、必要な誤差マージンがとれ、比較的大きなアライメ
ント誤差を許容することができる。
【０００６】透明材料層は、透明基板と同じ組成、ある
いは異なった化学組成を有する、別の透明フィルムを用
いることができる。あるいは、基板表面へのエッチング
レートが十分に制御される場合には、そのような透明フ
ィルムの必要はない。
いは異なった化学組成を有する、別の透明フィルムを用
いることができる。あるいは、基板表面へのエッチング
レートが十分に制御される場合には、そのような透明フ
ィルムの必要はない。
【０００７】
【実施例】図１に、図４に示される位相シフトリソグラ
フィーマスク５００を作製する際の、初期段階を示す。 明確にするために、マスク５００のパターンは空隙を仮
定しているが、以下に述べられるように本発明に関して
他の、例えば直線群状等にすることも可能である。層１
４は電子ビームレジスト層で、０．５μｍ厚均一のポリ
ブチルスルフォンであり、制限された領域２５が電子ビ
ームによって照射される。領域２５は、レジストを”ポ
ジ”とするのに十分な、つまり現像液で処理される際に
領域２５のレジストが溶けるのに十分な電子ビーム量で
照射される。このレジスト層１４は、０．１μｍ厚均一
のクロムからなる遮光材料層１３の表面に堆積されてい
る。遮光材料層１３がクロムのような導電性の場合、上
記の電子照射時に接地することができる利点がある。
フィーマスク５００を作製する際の、初期段階を示す。 明確にするために、マスク５００のパターンは空隙を仮
定しているが、以下に述べられるように本発明に関して
他の、例えば直線群状等にすることも可能である。層１
４は電子ビームレジスト層で、０．５μｍ厚均一のポリ
ブチルスルフォンであり、制限された領域２５が電子ビ
ームによって照射される。領域２５は、レジストを”ポ
ジ”とするのに十分な、つまり現像液で処理される際に
領域２５のレジストが溶けるのに十分な電子ビーム量で
照射される。このレジスト層１４は、０．１μｍ厚均一
のクロムからなる遮光材料層１３の表面に堆積されてい
る。遮光材料層１３がクロムのような導電性の場合、上
記の電子照射時に接地することができる利点がある。
【０００８】最終的に必要なマスクパターンが孤立した
正方形空隙である場合、領域２５は正方形環溝となり、
必要な形状が線状（あるいは正方形ではなく平行線群）
である場合には、領域２５は一対（あるいは群、図示せ
ず）の平行な溝となる。
正方形空隙である場合、領域２５は正方形環溝となり、
必要な形状が線状（あるいは正方形ではなく平行線群）
である場合には、領域２５は一対（あるいは群、図示せ
ず）の平行な溝となる。
【０００９】層１２（図１）が必要とされる位相シフト
層となる。通常熱分解法（ＣＶＤ）によって堆積された
酸化シリコン層あるいはガラス層が用いられ、その屈折
率は約１．５であり、アモルファス石英基板１１上の表
面に堆積されている。従って、この透明材料層１２の必
要な厚さλ／２（ｎ−１）は、λ／２（１．５−１）に
より、ほぼ光の波長に等しくなる。
層となる。通常熱分解法（ＣＶＤ）によって堆積された
酸化シリコン層あるいはガラス層が用いられ、その屈折
率は約１．５であり、アモルファス石英基板１１上の表
面に堆積されている。従って、この透明材料層１２の必
要な厚さλ／２（ｎ−１）は、λ／２（１．５−１）に
より、ほぼ光の波長に等しくなる。
【００１０】標準的なレジスト現像技術によるレジスト
層１４の現像後、領域２５のレジスト層全てに、空隙（
溝）が形成される、つまりレジスト層がパターニングさ
れる。このパターニングされたレジスト層をエッチング
に対する防護層として用いることにより、クロム製の遮
光材料層１３及び透明材料層１２は、等方性あるいは異
方性エッチングされる。その後、パターニングされたレ
ジスト層１４は除去される。このようして、図２のよう
に、層１２及び１３の、初期のレジスト層１４の初期の
領域２５の下の領域に達する溝２６が形成される。これ
らの溝２６は、その溝が位相シフトとして必要とされな
い限り、基板１１の光学的に意味を持つ厚さに達するこ
とはない。
層１４の現像後、領域２５のレジスト層全てに、空隙（
溝）が形成される、つまりレジスト層がパターニングさ
れる。このパターニングされたレジスト層をエッチング
に対する防護層として用いることにより、クロム製の遮
光材料層１３及び透明材料層１２は、等方性あるいは異
方性エッチングされる。その後、パターニングされたレ
ジスト層１４は除去される。このようして、図２のよう
に、層１２及び１３の、初期のレジスト層１４の初期の
領域２５の下の領域に達する溝２６が形成される。これ
らの溝２６は、その溝が位相シフトとして必要とされな
い限り、基板１１の光学的に意味を持つ厚さに達するこ
とはない。
【００１１】例えば、遮光材料層１３をエッチングする
ためには、セリウムアンモニウムナイトレートのような
ウェットエッチャントを用いることができ、石英基板１
１でなくガラス製の透明材料層１２をエッチングするた
めには、１０：１のＨＦ及び４０％ＮＨ３Ｆの体積比３
：５０の混合液を用いることができる。上記からわかる
ように、正方形環、あるいは平行な長方形の対（あるい
は群）の溝２６が形成される。
ためには、セリウムアンモニウムナイトレートのような
ウェットエッチャントを用いることができ、石英基板１
１でなくガラス製の透明材料層１２をエッチングするた
めには、１０：１のＨＦ及び４０％ＮＨ３Ｆの体積比３
：５０の混合液を用いることができる。上記からわかる
ように、正方形環、あるいは平行な長方形の対（あるい
は群）の溝２６が形成される。
【００１２】レジスト層１４は除去され、新しいポジレ
ジスト層２４（図３）が、作製されるマスク５００（図
４）の全表面に堆積される。臨界的ではないアライメン
トによって、新しいレジスト層２４の領域２７に電子ビ
ームが照射され、この領域が現像液によって融解される
ようにする。この領域２７は島状部２３および２２を完
全に包含し、溝２６（図２）の一部を包含するが、層１
２及び１３の残りの（周囲の）領域を含むことはない。
ジスト層２４（図３）が、作製されるマスク５００（図
４）の全表面に堆積される。臨界的ではないアライメン
トによって、新しいレジスト層２４の領域２７に電子ビ
ームが照射され、この領域が現像液によって融解される
ようにする。この領域２７は島状部２３および２２を完
全に包含し、溝２６（図２）の一部を包含するが、層１
２及び１３の残りの（周囲の）領域を含むことはない。
【００１３】レジスト層（図３）の領域２４と２７の間
の境界面は、それらが空隙（溝）２６（図２）内の、ど
こか（任意の）場所に配置されている限り、正確なアラ
イメントを必要とはしない。このように正確なアライメ
ントを必要とされないことから、”セルフアライン”と
言う言葉が用いられ、つまり、レジスト層の領域２４及
び２７の間の境界面が溝２６（図２）内の任意の場所に
配置されるだけで、島状層２２が、層１２及び１３の残
りの周囲の領域のエッジに対して、自動的に正確にアラ
イメントされる。また、レジスト層の領域２４及び２７
の間の境界面は、レジスト層１４（図１）のパターニン
グに用いた電子ビームに対する、レジスト層２４（図３
）のパターニングに用いた電子ビームのアライメントに
よって決まる。島状層２２のエッジが第２のリソグラフ
ィーレベルとなり、層１２の残りの周囲のエッジが第１
リソグラフィーレベルとなり、２つのレベルが自動的に
アライメントされる。
の境界面は、それらが空隙（溝）２６（図２）内の、ど
こか（任意の）場所に配置されている限り、正確なアラ
イメントを必要とはしない。このように正確なアライメ
ントを必要とされないことから、”セルフアライン”と
言う言葉が用いられ、つまり、レジスト層の領域２４及
び２７の間の境界面が溝２６（図２）内の任意の場所に
配置されるだけで、島状層２２が、層１２及び１３の残
りの周囲の領域のエッジに対して、自動的に正確にアラ
イメントされる。また、レジスト層の領域２４及び２７
の間の境界面は、レジスト層１４（図１）のパターニン
グに用いた電子ビームに対する、レジスト層２４（図３
）のパターニングに用いた電子ビームのアライメントに
よって決まる。島状層２２のエッジが第２のリソグラフ
ィーレベルとなり、層１２の残りの周囲のエッジが第１
リソグラフィーレベルとなり、２つのレベルが自動的に
アライメントされる。
【００１４】レジスト層２４は現像（パターニング）さ
れ、レジスト層の領域２７が除去される。レジストの残
りの領域２４をエッチングに対する防護マスクとして用
い、クロムの島状部の遮光材料１３が異なってエッチン
グされ、島状層２２はそのままで残存する。このように
して、必要なマスク５００（図４）が、幅Ｃの透明な位
相シフト材料からなる正方形島状部２２を有する、全幅
Ａの正方形状空隙として形成される。あるいは、幅Ｃの
長方形の中央位相シフト部２２を有する、全幅Ａの長方
形空隙として、全空隙２８が形成される。
れ、レジスト層の領域２７が除去される。レジストの残
りの領域２４をエッチングに対する防護マスクとして用
い、クロムの島状部の遮光材料１３が異なってエッチン
グされ、島状層２２はそのままで残存する。このように
して、必要なマスク５００（図４）が、幅Ｃの透明な位
相シフト材料からなる正方形島状部２２を有する、全幅
Ａの正方形状空隙として形成される。あるいは、幅Ｃの
長方形の中央位相シフト部２２を有する、全幅Ａの長方
形空隙として、全空隙２８が形成される。
【００１５】図５に、本発明による他の実施例によって
作製された位相シフトマスク６００を示す。このマスク
６００はマスク５００と同様の方法によって作製され、
マスク６００作製では、ポジレジスト層２４（図３）が
ネガレジスト層によって置き換えられている点だけが異
なる。従って、クロム製の遮光材料層１３のパターンは
マスク５００に対してマスク６００では、ある使用例で
必要とされるように反対（相補的なもの）となる。
作製された位相シフトマスク６００を示す。このマスク
６００はマスク５００と同様の方法によって作製され、
マスク６００作製では、ポジレジスト層２４（図３）が
ネガレジスト層によって置き換えられている点だけが異
なる。従って、クロム製の遮光材料層１３のパターンは
マスク５００に対してマスク６００では、ある使用例で
必要とされるように反対（相補的なもの）となる。
【００１６】本発明は、特定の実施例によって説明され
ているが、本発明の包含範囲を逸脱することなく種々の
変形が成し得る。クロムの代わりに、ケイ化モリブデン
のような他の遮光材料を用いることができる。さらに、
層１２をパターニングされる独立の層とする代わりに、
基板１１の最上面に対するエッチングの深さの均一性が
、プラスマイナス５パーセント以内に制御される場合に
は、同様のパターンで基板１１自身の最上部をエッチン
グする手法も、本発明の範囲内で可能であると考えられ
る。このようにすれば、層１２が独立した層である必要
性は全くない。また、回折の原理に従えば、層１２の厚
さが、π以外の位相シフトに対応しても良い。さらに、
空隙２６の形状は正方形環である必要はなく、円状環あ
るいは他の環状であっても良い。
ているが、本発明の包含範囲を逸脱することなく種々の
変形が成し得る。クロムの代わりに、ケイ化モリブデン
のような他の遮光材料を用いることができる。さらに、
層１２をパターニングされる独立の層とする代わりに、
基板１１の最上面に対するエッチングの深さの均一性が
、プラスマイナス５パーセント以内に制御される場合に
は、同様のパターンで基板１１自身の最上部をエッチン
グする手法も、本発明の範囲内で可能であると考えられ
る。このようにすれば、層１２が独立した層である必要
性は全くない。また、回折の原理に従えば、層１２の厚
さが、π以外の位相シフトに対応しても良い。さらに、
空隙２６の形状は正方形環である必要はなく、円状環あ
るいは他の環状であっても良い。
【００１７】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明では、位相
シフトマスクデバイスの作製手法に関し、遮光材料層の
パターニング中に、全てのエッジ端面がパターニングさ
れるような２段階溝構造を得て、正確なセルフアライメ
ントのために、単に溝内のある場所にそのエッジが配置
されることだけが要求されるため、レジスト層のパター
ニングでは、必要な誤差マージンがとれ、比較的大きな
アライメント誤差を許容することができるような、位相
シフトマスクデバイスを作製することができる。
シフトマスクデバイスの作製手法に関し、遮光材料層の
パターニング中に、全てのエッジ端面がパターニングさ
れるような２段階溝構造を得て、正確なセルフアライメ
ントのために、単に溝内のある場所にそのエッジが配置
されることだけが要求されるため、レジスト層のパター
ニングでは、必要な誤差マージンがとれ、比較的大きな
アライメント誤差を許容することができるような、位相
シフトマスクデバイスを作製することができる。
【図１】本発明の実施例によって、位相シフトマスクを
作製する際の第１の段階における断面図。
作製する際の第１の段階における断面図。
【図２】本発明の実施例によって、位相シフトマスクを
作製する際の第２の段階における断面図。
作製する際の第２の段階における断面図。
【図３】本発明の実施例によって、位相シフトマスクを
作製する際の第３の段階における断面図。
作製する際の第３の段階における断面図。
【図４】本発明の実施例によって、位相シフトマスクを
作製する際の第４の段階における断面図。
作製する際の第４の段階における断面図。
【図５】本発明の他の実施例によって、位相シフトマス
クを作製する際の、種々の段階における断面図。
クを作製する際の、種々の段階における断面図。
１１ 基板
１２ 透明材料層
１３ 遮光材料層
１４ レジスト層
２２〜２３ 島状層
２４ 領域（レジスト層）
２５ 領域（レジスト層）
２６ 溝
２７ 領域
２８ 空隙
５００ 位相シフトマスク
６００ 位相シフトマスク
Claims (2)
- 【請求項１】 （ａ）透明材料層（１２）の表面に配
置される遮光材料層（１３）の全厚に達し、前記透明材
料層の厚さ方向の少なくとも一部分に達するような溝（
２６）を形成するステップと、（ｂ）遮光材料層（１３
）及び溝（２６）の全表面にレジスト層（２４、２７）
を形成するステップと、（ｃ）レジスト層をパターニン
グし、溝内の任意の位置に境界エッジを有するパターニ
ングされたレジスト層を形成し、遮光材料層（１３）の
表面の一部を露光するステップと、（ｄ）前記表面の一
部分の下の遮光材料層（１３）の全厚をエッチングする
ステップとからなり、それによって透明材料層（１２）
のエッジはエッチングによって影響を受けないことを特
徴とする位相シフトリソグラフィーマスク作製方法。 - 【請求項２】 透明材料層とは化学組成が異なった基
板（１１）上に、透明材料層（１２）が配置されること
を特徴とする請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US622687 | 1990-12-05 | ||
| US07/622,687 US5153083A (en) | 1990-12-05 | 1990-12-05 | Method of making phase-shifting lithographic masks |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04315150A true JPH04315150A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=24495123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3344091A Pending JPH04315150A (ja) | 1990-12-05 | 1991-12-03 | 位相シフトリソグラフィーマスク作製方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5153083A (ja) |
| EP (1) | EP0489539A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04315150A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399444B1 (ko) * | 1995-06-30 | 2004-04-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 에지강조형위상반전마스크및그제조방법 |
| KR100668731B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2007-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 하프톤 마스크 및 그 제조방법 |
| JP2008282046A (ja) * | 2003-06-30 | 2008-11-20 | Hoya Corp | グレートーンマスク及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543252A (en) * | 1991-03-29 | 1996-08-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing exposure mask and the exposure mask |
| JPH04368947A (ja) * | 1991-06-18 | 1992-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクの作成方法 |
| US5370975A (en) * | 1992-01-31 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming resist pattern |
| US5308721A (en) * | 1992-06-29 | 1994-05-03 | At&T Bell Laboratories | Self-aligned method of making phase-shifting lithograhic masks having three or more phase-shifts |
| US5292623A (en) * | 1992-07-02 | 1994-03-08 | Motorola, Inc. | Method for forming integrated circuit devices using a phase shifting mask |
| US5308741A (en) * | 1992-07-31 | 1994-05-03 | Motorola, Inc. | Lithographic method using double exposure techniques, mask position shifting and light phase shifting |
| WO1994017449A1 (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-04 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission |
| US5411824A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-02 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging |
| US5418095A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-23 | Sematech, Inc. | Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process |
| US5376483A (en) * | 1993-10-07 | 1994-12-27 | Micron Semiconductor, Inc. | Method of making masks for phase shifting lithography |
| KR0151427B1 (ko) * | 1994-03-04 | 1999-02-18 | 문정환 | 위상 반전마스크 및 그의 제조방법 |
| US5487962A (en) * | 1994-05-11 | 1996-01-30 | Rolfson; J. Brett | Method of chromeless phase shift mask fabrication suitable for auto-cad layout |
| US5495959A (en) * | 1994-05-11 | 1996-03-05 | Micron Technology, Inc. | Method of making substractive rim phase shifting masks |
| US5414580A (en) * | 1994-05-13 | 1995-05-09 | International Business Machines Corporation | Magnetic storage system using thin film magnetic recording heads using phase-shifting mask |
| US5472814A (en) * | 1994-11-17 | 1995-12-05 | International Business Machines Corporation | Orthogonally separated phase shifted and unphase shifted mask patterns for image improvement |
| KR0147665B1 (ko) * | 1995-09-13 | 1998-10-01 | 김광호 | 변형조명방법, 이에 사용되는 반사경 및 그 제조방법 |
| KR0172790B1 (ko) * | 1995-09-18 | 1999-03-20 | 김영환 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| US6358820B1 (en) | 2000-04-17 | 2002-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor device |
| US6859997B1 (en) | 2000-09-19 | 2005-03-01 | Western Digital (Fremont), Inc. | Method for manufacturing a magnetic write element |
| US6485894B1 (en) | 2000-09-29 | 2002-11-26 | International Business Machines Corporation | Method to self-align a lithographic pattern to a workpiece |
| US6569580B2 (en) * | 2001-03-13 | 2003-05-27 | Diverging Technologies, Inc. | Binary and phase-shift photomasks |
| GB0122120D0 (en) * | 2001-09-13 | 2001-10-31 | Koninkl Philips Electronics Nv | Edge termination in MOS transistors |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02211451A (ja) * | 1989-02-13 | 1990-08-22 | Toshiba Corp | 露光マスク，露光マスクの製造方法及びこれを用いた露光方法 |
| JPH0378747A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-03 | Hitachi Ltd | マスク及びマスク製造方法 |
| JPH03209474A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Sony Corp | 位相シフトマスクの製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61173251A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクの製造方法 |
| US4906326A (en) * | 1988-03-25 | 1990-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask repair system |
| JP2710967B2 (ja) * | 1988-11-22 | 1998-02-10 | 株式会社日立製作所 | 集積回路装置の製造方法 |
| US5234780A (en) * | 1989-02-13 | 1993-08-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure mask, method of manufacturing the same, and exposure method using the same |
| EP0437376B1 (en) * | 1990-01-12 | 1997-03-19 | Sony Corporation | Phase shifting masks and methods of manufacture |
-
1990
- 1990-12-05 US US07/622,687 patent/US5153083A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-11-28 EP EP19910311012 patent/EP0489539A3/en not_active Withdrawn
- 1991-12-03 JP JP3344091A patent/JPH04315150A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02211451A (ja) * | 1989-02-13 | 1990-08-22 | Toshiba Corp | 露光マスク，露光マスクの製造方法及びこれを用いた露光方法 |
| JPH0378747A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-03 | Hitachi Ltd | マスク及びマスク製造方法 |
| JPH03209474A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Sony Corp | 位相シフトマスクの製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399444B1 (ko) * | 1995-06-30 | 2004-04-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 에지강조형위상반전마스크및그제조방법 |
| KR100668731B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2007-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 하프톤 마스크 및 그 제조방법 |
| JP2008282046A (ja) * | 2003-06-30 | 2008-11-20 | Hoya Corp | グレートーンマスク及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| JP4729606B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2011-07-20 | Ｈｏｙａ株式会社 | グレートーンマスクの製造方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0489539A2 (en) | 1992-06-10 |
| US5153083A (en) | 1992-10-06 |
| EP0489539A3 (en) | 1992-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04315150A (ja) | 位相シフトリソグラフィーマスク作製方法 | |
| KR940002733B1 (ko) | 노광용 마스크와 그 노광용 마스크의 제조방법 | |
| US5348826A (en) | Reticle with structurally identical inverted phase-shifted features | |
| KR100230962B1 (ko) | 포토마스크를 사용한 패턴형성방법 | |
| JP3368947B2 (ja) | レティクル及びレティクル・ブランク | |
| US5244759A (en) | Single-alignment-level lithographic technique for achieving self-aligned features | |
| JPH04274238A (ja) | 位相シフトマスクの作製方法 | |
| US5300379A (en) | Method of fabrication of inverted phase-shifted reticle | |
| US5888678A (en) | Mask and simplified method of forming a mask integrating attenuating phase shifting mask patterns and binary mask patterns on the same mask substrate | |
| US5840447A (en) | Multi-phase photo mask using sub-wavelength structures | |
| JPH04269750A (ja) | 離隔特徴をフォトレジスト層に印刷する方法 | |
| JP2641362B2 (ja) | リソグラフィー方法および位相シフトマスクの作製方法 | |
| JP2002072442A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法、レジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| US5591549A (en) | Self aligning fabrication method for sub-resolution phase shift mask | |
| JP4091150B2 (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| KR20010002343U (ko) | 마스크 블랭크 | |
| KR0135149B1 (ko) | 위상반전 마스크의 제조방법 | |
| JPH03125150A (ja) | マスク及びマスク作製方法 | |
| US6737200B2 (en) | Method for aligning a contact or a line to adjacent phase-shifter on a mask | |
| US5747196A (en) | Method of fabricating a phase-shift photomask | |
| JP3222637B2 (ja) | 位相シフトマスク | |
| US6296987B1 (en) | Method for forming different patterns using one mask | |
| KR100790565B1 (ko) | 포토 마스크 | |
| JPH06180497A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP3333502B2 (ja) | 位相シフトマスク |