JPH04269750A

JPH04269750A - 離隔特徴をフォトレジスト層に印刷する方法

Info

Publication number: JPH04269750A
Application number: JP3334529A
Authority: JP
Inventors: Joseph G Garofalo; ジョセフ　ジェラルド　ガロファロ; Jr Robert L Kostelak; ロバート　ルイス　コステラック　ジュニア; Sheila Vaidya; シャイラ　ヴァイデャ
Original assignee: American Telephone and Telegraph Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1990-12-05
Filing date: 1991-11-25
Publication date: 1992-09-25
Also published as: EP0489540A2; EP0489540A3; US5358827A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の形成
、特に、これらの半導体集積回路をリソグラフィで形成
するマスクに関する。これらのマスクは、特に、１とは
異なる倍率を持つ光学システムで使用されるときに「レ
チクル」とも呼ばれる。

【０００２】

【従来の技術】図１は、半導体ウエ−ハ（基板）のよう
なウエ−ハ１００の中に特徴（ｆｅａｔｕｒｅ）を線描
する一般的な光学リソグラフィ形成システム２００を示
す。特に、水銀ランプのような光源１０６からの放射光
は、半透明のスクリ−ン１０５の開孔、光学的な平行レ
ンズ１０４、マスク即ちレチクル１０３及び光収束用の
レンズ１０２を伝ぱんする。

【０００３】レチクル１０３からの放射光は、レンズ１
０２によって、ウエ−ハ１００自体の頂の主面、普通は
、ウエ−ハ１００の頂面の種々の層に配置されたフォト
レジスト層１０１にレンズ１０２により収束される。従って、レチクル１０３のパタ−ン、即ち、その透明及
び半透明の部分のパタ−ンは、フォトレジスト層１０１
に収束される。

【０００４】このフォトレジストが、正であるかまたは
負であるかにより、現像処理、一般的には、湿式現像液
での現像を受けると、フォトレジストの材料は、放射光
が入射される領域において除去されるか、または、残る
。かくして、マスクのパタ−ンは、フォトレジストに転
写（プリント）される。湿式エッチングまたは乾式プラ
ズマエッチングのような、その後のエッチング処理によ
り、ウエ−ハの上面とフォトレジスト層の下面との間に
配置された基板、または、材料層（図示せず）または基
板とそれらの材料層との両方の被選択部分が除去される
。

【０００５】この基板または材料層の部分は、かくして
、フォトレジストが現像処理により除去される領域の下
に存在するウエ−ハ１００の上面から除去されるが、フ
ォトレジストが残っている下の領域からは除去されない
。かくして、マスク１０３のパタ−ンは、所望により、
例えば、半導体集積回路の構成技術においてウエ−ハ１
００の上に存在する材料層に転写される。

【０００６】これらの回路の形成の場合、ウエ−ハ１個
当たりトランジタのような多くの素子を有することが望
ましい。従って、例えば、一つの金属化レベルと他の金
属化レベルとの間に電気接続を形成するためには、金属
化の縞のサイズ、即ち、その幅Ｗ、或いは、金属で充填
されるべき絶縁層内の離隔孔の大きさのようなトランジ
スタまたは、他の特徴のサイズをできるだけ小さくする
ことが望ましい。

【０００７】かくして、フォトレジスト層１０１上にＷ
に等しい幅を持つ対応離隔特徴を印刷することが望まれ
る場合、マスク（レチクル）１０３に配置されたＣに等
しい幅を持つ特徴が存在しなければならない。幾何光学
によれば、幅Ｃのこの特徴が、半透明層の単純な孔であ
る場合に、比Ｗ／Ｃ＝ｍが成り立つ。ここでｍ＝Ｌ２／
Ｌ１、即ち、対物距離により割算された映像距離であり
、ｍは側方倍率として知られている。

【０００８】回折効果が重要となるときには、しかし、
映像の縁は、ぼやけて、その鋭さを失う。かくして、フ
ォトレジスト層１０１に収束されるときのマスクの特徴
のいわゆる分解能は劣化する。

【０００９】インタ−ナショナル　　エレクトロン　　
デバイズ　　ミ−テイング（ＩＥＤＭ）テクニカル　　
ダイジェスト（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　　Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ　　Ｄｅｖｉｃｅ　　Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥ
ＤＭ）　　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　　Ｄｉｇｅｓｔ）、頁
５７〜６０（３．３．１〜３．３．４）（１９８９年１
２月）で発表された「ニュウ　　フェイズ　　シフテイ
ング　　マスク　　ウイズ　　セルフ　　アラインドフ
ェイズ　　シフタ−ズ　　フォ−　　ア　　クオ−タ−
　　ミクロン　　リソグラフィ（Ｎｅｗ　　Ｐｈａｓｅ
　　Ｓｉｆｔｉｎｇ　　Ｍａｓｋ　　ｗｉｔｈ　　Ｓｅ
ｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ　　Ｐｈａｓｅ　　Ｓｉｆｔｅｒ
ｓ　　ｆｏｒ　　ａ　　Ｑｕａｒｔｅｒ　　Ｍｉｃｒｏ
ｎ　　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）」なる題名の論文で、
Ａ．ニタヤマ氏他が、フォトレジスト層１０１に収束さ
れたときに、改良される分解能、即ち、マスクの特徴の
映像の鋭さの改良を達成するために離隔孔の透明な位相
シフト部分としてこれらの特徴を持つマスクの使用を教
示している。

【００１０】特に、これらのマスクは、適当にパタ−ン
化された透明な光位相シフト層、即ち、マスクの半透明
部分の縁から所定距離のところに位置づけられた縁を持
つ層を有していた。これらの光位相シフト層のおのおの
はλ／２（ｎ−１）（ここで、λは、光源１０６（図１
）からの放射光の波長であり、ｎは光位相シフト層の屈
折率である）に等しい厚さｔを有していた。

【００１１】かくして、これらの層は放射光の場合に、
πラジアンの位相シフト（遅れ）を生じさせた。一般的
には、一層に相対的に他層により導入される位相シフト
φは、それぞれの厚さｔ１とｔ２及びこれらの層のそれ
ぞれの屈折率ｎ１とｎ２に依存し、即ち、φ＝２（ｎ２
ｔ２−ｎ１ｔ１）／λとなり、これにより、φ＝π、ｎ
１＝１、ｔ１＝ｔ２＝ｔの場合、ｔ＝λ／２（ｎ２−１
）ということが言える。

【００１２】回折の原理により、マスク内のこれらの位
相シフト層の存在で、所望の改良された分解能が、主張
されたように、発生される。これらのマスクは「位相シ
フト」マスクと呼ばれる。

【００１３】ウエ−ハ１００に配置されたレジスト層内
における離隔孔を印刷するためにＡ．ニタヤマ氏他によ
り教示されたマスクは、半透明の層内に、例えば、Ａの
幅の離隔孔を有し、位相シフト層は、この半透明層に配
置されている。この位相シフト層は、Ｂに等しい距離だ
けこの半透明層の周囲に突き出ている。かくして、位相
シフト層は、半透明層内の孔の周囲に沿い距離Ｂだけそ
の孔の中に伸びている。

【００１４】こうして、穴の残りの、非位相シフト部分
の幅Ｃは、Ａ−２Ｂに等しい。ニタヤマ氏他は、さらに
、この幅Ｃ＝Ａ−２ＢがＷ／ｍ（Ｗとｍは上記のように
定義される）に等しくされるべきであるということを教
示している。即ち、ニタヤマ氏他は、さらに、Ｃ＝Ｗ／
ｍ、Ｃｍ／Ｗ＝１を教示している。一般的には、ｍ＝１
／５であるので、ニタヤマ氏他は、かくして、さらに、
一般的にＣ＝５Ｗであるということを教示している。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】このニタヤマ氏他の教
示によっては、位相シフトマスクの使用から望まれるだ
けの大きな分解能の改善は、もしあったにしても、得ら
れない。従って、離隔開孔の分解能を更に改善させる位
相シフトマスクの新しい教示を得ることが望ましい。

【００１６】

【課題を解決するための手段】改良になる分解能をもつ
位相シフトマスクは、Ｃｍ／Ｗ＝１という従来の教示か
ら離れることにより、即ち、Ｃｍ／Ｗを１よりもかなり
大きくすることによって、得られる。即ち、Ｃｍ／Ｗは
、少なくとも１．２または１．３、好都合には少なくと
も１．５、なるべくなら、１．６ないし２．０以上の範
囲にあるようにすべきである。

【００１７】さらに、本発明は、位相シフトマスクが、
半透明の層の開口と、この開口内に配置された位相シフ
ト材料の離隔島の層とを有し、この離隔島の層の幅Ｃが
上記の基準を満足する状態をも含む。かくして、符号Ｃ
は、位相シフト材料がこの開口の周囲から内方に伸びる
かまたはこの開孔の中心から外方に伸びるかにかかわら
ず、半透明の層内の開口における位相シフト材料の任意
の縁を示す。

【００１８】

【実施例】明確化のためにのみ、どの図も同一の尺度で
描かれてはいない。ほぼ同一である異なる図における特
徴は、同一の参照数字により示されている。図２は、正
方形の離隔開口を持つ位相シフト用のマスク３００の平
面図を示す。このマスク３００は、領域１３の所が半透
明で、幅Ｂを持つ正方形リングの領域１２と、幅Ｃを持
つ正方形の領域１１の両方の所が透明である。かくして
、領域１１と１２は、マスク３００における位相シフト
用正方形の離隔開口を形成している。

【００１９】好都合にも、領域１１と１２を通る光の通
路は互いに異なり、従って、領域１１と１２を伝ぱんす
る放射光は、相対的な位相シフトφを受け、従って、マ
スク３００は、「位相シフト」と呼ばれる。好都合にも
、この位相シフトは、φラジアンに等しい。本発明によ
りＣとＡがＷ（図１）に関して適当に選択されると、こ
の位相シフト層によりマスク３００の分解能が改善され
、即ち、フォトレジスト層１０１（図１）に形成された
離隔孔に対応する回折パタ−ンの縁の鋭さが改善される
。この鋭さ、即ち、「良さの指数」の有用な度合いは、
このフォトレジスト層１０１への、この回折パタ−ンの
規格化された光強度プロフィ−ルの勾配の大きさであり
、この勾配は、パワ−半値点で評価される。

【００２１】従って、「最適値」なる用語は、この勾配
の大きさが最大である状態を言うために使用される。こ
の良さの指数は、放射光に対しフォトレジスト層１０１
（図１）の露出時間のような処理パラメ−タの変動の範
囲にとって重要である。

【００２２】本明細書で使用されている「規格化光強度
」なる用語は、Ｉ（ｘ）／Ｉ０を意味する。ここでＩ（
ｘ）は、フォトレジスト層１０１（図１）の表面に沿う
デカルト座標がＸである点における光強度であり、Ｉ０
は、（フォトレジスト層１０１上の回折パタ−ンの中心
において）光強度が最大である位置におけるフォトレジ
スト層１０１上の回折パタ−ンの強度である。かくして
、「最適値」なる用語は、ｄＩ（ｘ´）／ｄｘ´Ｉ０の
大きさが最大で、ｘ´がパワ−半値点、即ち、光強度が
Ｉ０／２に等しい点ｘ´におけるｘ座標である状態を意
味する。

【００２３】ｍＡ／Ｗの種々の選択の場合の光強度のプ
ロフィ−ルＩ（ｘ）は、フォトレジスト層１０１の表面
に沿う回折パタ−ンの実験的な測定によるか、または、
電磁理論によって予想されるこれらの回折パタ−ンの計
算により得ることができる。

【００２４】次に図３を見ると、３本の曲線３１、３２
、３３は、場合φ＝π及びマスクに当たる放射光の非コ
ヒ−レンス係数が０．３のとき、三つの場合、即ち、Ａ
＝２．００Ｗ／ｍ、Ａ＝２．５０Ｗ／ｍ、Ａ＝３．００
Ｗ／ｍの場合に、Ｗの関数としての（マスク３００（図
２）においてＢについて選択される）Ｂの最適値を示す
。また、「最適値」なる用語は、規格化された勾配ｄＩ
（ｘ´）／ｄｘ´Ｉ０の大きさの最大値を意味する。

【００２５】曲線３１、３２、３３を規格化して異なる
波長λとレンズ１０２（図１）の開口数（ＮＡ）のため
に曲線３１、３２、３３を役立たせるように、図３の横
座標の単位は、λ／（ＮＡ）に関するように選択され、
縦座標の単位は、λ／（ＮＡ）ｍに関するように選択さ
れる。

【００２６】例えば、Ｗ（ＮＡ）／λ＝０．５０かつＡ
＝２．５０Ｗ／ｍであることが望まれる場合、ｍＢ（Ｎ
Ａ）／λが約０．２２５に（少なくともほぼ）等しくな
るようにＢを選択すべきであるということが、曲線３２
の観察により分かる。

【００２７】次に図４で、３本の曲線４１、４２、４３
は、三つの場合、即ち、Ａ＝２．００Ｗ／ｍ、Ａ＝２．
５０Ｗ／ｍ，Ａ＝３．００Ｗ／ｍのそれぞれの場合に（
図３に従う）Ｂの前述の選択から生じる、Ｗの関数とし
てのｍＣ／Ｗの値を示す。ｍＣ／Ｗ＝ｍＡ／Ｗ−２ｍＢ
／Ｗであるので、これらの曲線４１、４２、４３は、曲
線３１、３２、３３のそれぞれにより完全に決定される
。

【００２８】また、図４における縦座標の単位は、（Ｎ
Ａ）／λに関するように選択されているが、横座標の単
位は、次元のない純粋な数である。かくして、例えば、
Ｗ（ＮＡ）／λ＝０．５００のとき、上の三つの場合、
即ち、Ａが再び２．００Ｗ／ｍ、２．５０Ｗ／ｍ、３．
００Ｗ／ｍのそれぞれに等しくなるように選択される場
合、ｍＣ／Ｗが１．４０、１．６０、１．７２にほぼ等
しくなるということが曲線４１、４２、４３から分かる
。

【００２９】次に図５で、３本の曲線５１、５２、５３
は、Ｂ＝０（即ち、位相シフトが生じない）の状態に対
立する曲線３１、３２、３３（図３）に従うＢの選択に
より、三つの場合、即ち、Ａ＝２．００Ｗ／ｍ、Ａ２．
５０Ｗ／ｍ、Ａ＝３．００Ｗ／ｍにおけるパワ−半値点
において規格化された勾配の改良のパ−セント（即ち、
その勾配の増大値のパ−セント）を示す。

【００３０】なお、図５の曲線は、Ｗ（ＮＡ）／λが約
０．６よりも大きいすべての場合には、あるにしても殆
どの改良が行われないということ、即ち、Ｗが十分大き
くなるに従って位相シフト特性を持つマスクの必要が存
在しなくなるという考慮から期待されるべき結果を示す
。実際、図３から分かるように、Ｗ（ＮＡ）／λが約０
．６より大きく増大すると、Ｂの値はならされ、従って
、Ｂ／Ａの値は（Ａ／Ｗの値が一定の場合）曲線３１、
３２、３３の各々で０となる。

【００３１】一方、Ｗ（ＮＡ）／λが０．６より大きく
なる場合、Ｂの値は、ならされ、従って、Ｂ／Ａの値は
、曲線３１、３２の各々で０になり、Ｗ（ＮＡ）λ／が
約０．４より小さくなるが、図５の曲線５１、５２、５
３は、何等かの連続した改善を示す可能性がある。しか
し、ピ−ク強度の絶対値Ｉ０は、即ち、フォトレジスト
層１０１（図１）の回折パタ−ンの中心の光強度は、今
日のフォトレジスト材料の感度及びこの今日のフォトレ
ジスト材料で得られるスル−プットの点で望ましい値よ
りも下になる。いずれにしても、Ｗ（ＮＡ）／λが何ら
かのしきい値よりも大きくなるように選択されることが
望ましいことがすべての場合に分かる。

【００３３】なお、規格化された勾配の増大のパ−セン
トの代わりに、勾配の増大のパ−セントのような他の良
さの指数を使用することができる。これらの場合、３１
、３２、３３に似た曲線は、フォトレジスト層（図１）
における回折パタ−ンの計算結果、または、この回折パ
タ−ンの測定結果を使用して得ることができる。

【００３４】規格化された勾配の増大のパ−セントの代
わりに、勾配の増大のパ−セントを使用することは、処
理パラメ−タ範囲よりもむしろレジスト層１０１の露光
時間の減少、即ち、より迅速なスル−プットがより重要
な場合、望ましいかもしれない。いずれにしても、Ｂ、
従って、Ｃ／Ｗの値は、良さの指数の上記の可能な選択
により強く影響されることはない。

【００３５】マスク３００を構成するために、図６は、
側断面図９で示したマスク５００の例示的な部分の作成
のための例の初期の段階を示す。明確化のために、別の
言い方をしなければ、マスク５００のこの部分に望まれ
る特徴は、離隔開口であり、従って、所望のマスク３０
０（図２）であると仮定するが、他の特徴も以下にさら
に述べるように作ることができる。

【００３６】層１４は、電子ビ−ムレジスト層、一般的
には、Ｃに等しい所定の所望の側方度をもつ有限の領域
１５内において電子ビ−ムを照射された、約０．５μｍ
の一様な厚さを有するポリブチルスルホンである。この
領域１５は、一般的には、以下にさらに詳しく述べるよ
うに、上から見たときには正方形である。

【００３７】電子照射ド−ス量は、レジストを「正」に
するに十分与えられ、即ち、従来技術で公知のように、
現像溶液で処理されるとき領域１５のレジストは十分に
溶解される。この層１４は、半透明の層１３、一般的に
は、約０．１μｍの一様な厚さを有するクロムの主面に
付着されている。層１３が、クロムのように導電性の場
合、好都合にも、この層は、上記の電子照射中には接地
される。

【００３８】製造されるマスクの最終の所望の特徴が正
方形の離隔開口の場合、領域１５は、正方形リングのト
レンチを形成し、この最終的な所望の特徴が円形の開口
の場合、領域１５は円形リングのトレンチを形成する。いずれの場合にも、トレンチは垂直壁を有している。か
くして、上から見たとき、領域１５は、一般的には、正
方形リングまたは円形リングとして現れる。一群の線空
間が望まれる場合、領域１５は、それぞれ、一群の平行
な細長い矩形として現れるべきである。

【００３９】層１２（図６）は、水晶基板１１、一般的
には、アモルファス水晶基板の主面に付着された、約１
．５の屈折率を有する化学蒸着（ＣＶＤ）の二酸化珪素
またはスパンオン硝子層である。かくして、この層１２
の厚さλ／２（ｎ−１）は、ほぼλ／２（１．５−１）
＝λ、即ち、放射光の波長に等しい。

【００４０】光源１０６（図１）が多くの異なる（望ま
しくない）波長を放射する場合、適当なフィルタをシス
テム２００に挿入して、ほぼ単色放射光を保証し、従っ
て、従来公知のように、フォトレジスト層１０１で色収
差を減少させることができる。

【００４１】従来技術で公知のように、レジスト層１４
の現像の後、開口（トレンチ）１６が領域２５のすべて
の場所に形成される。即ち、このレジスト層は、「パタ
−ン化される」。このパタ−ン化されたレジスト層を、
従来公知のようにエッチングに対する保護マスクとして
使用して、クロム層１３とスパンオン（ｓｐｕｎ　　ｏ
ｎ）硝子層１２は等方性のエッチングまたは異方性のエ
ッチングのいずれかを受ける。

【００４２】次に、このパタ−ン化されたレジスト層は
、除去される（図３）。こうして、図７に示すように、
元のレジスト層１４の元の領域１５の下に存在する領域
内の層１２と１３を貫通するトレンチ１６が形成される
。このトレンチ１６は、好都合にも、全然基板１１を貫
通しない。

【００４３】例えば、クロム層１３をエッチングするた
めには、セリュウム、アンモニュウム窒化物のようなエ
ッチング剤での湿式エッチングを使用することができ、
そして、スパンオン硝子層１２をエッチングするが、水
晶基板１１はエッチングしないようにするためには、３
：５０の体積比で１０：１ＨＦと４０％ＮＨ３Ｆの混合
物を使用することができる。

【００４４】レジスト層１４は、次に、除去されて、新
しいレジスト層２４（図７）が、形成されるマスク５０
０（図８）の上面全体に付着される。この新しいレジス
ト層２４は、領域２５において電子ビ−ムの照射を受け
る。この電子ビ−ムの照射は、領域２５の境界縁、即ち
、レジストの領域２４と２５との間の境界が、一定の所
定所望の距離Ｂだけどこででも下に存在するクロム層１
３の縁に重なるように、前の電子照射と注意深く一致さ
せるべきである。

【００４５】好都合にも、この領域２５は、かくして、
所望の距離Ｂだけ開口１６を越えて側方のどこにも伸び
る。領域２５のレジストは、次に、標準的な現像処理を
使用して除去され、一方、領域２４のレジストは残る。次に、セリウムアンモニウム窒化物のようなエッチング
剤が与えられてクロム層１３の露出部分を除去するが、
スパンオン硝子層１２は除去しない。かくして、クロム
層１３における側方度Ａ＝Ｃ＋２Ｂよりもスパンオン硝
子層１２におけるより小さな側方度Ｃを有する最終開口
１７（図９）を有するマスク５００が得られる。

【００４６】次に図１０で、マスク６００は、基板１１
、幅全体がＡである開口２６またはその中に他の特徴を
有するクロム層１３、及び開口２６内の幅Ｃの開口又は
この開口の中央に位置した他の特徴を有する位相シフト
層１２を有する。このマスク６００は、位相シフト層１
２を付着してパタ−ン化し、クロム層１３を付着してパ
タ−ン化し、次に位相シフト層１２を付着しパターン化
することによって製造することができる。

【００４７】位相シフト層１２は、スパンオン硝子また
は化学蒸着（ＣＶＤ）二酸化珪素から作ることができ、
基板１１は、アモルファス結晶とすることができる。屈
折率の点で、マスク６００は、マスク５００を補うもの
であるが、マスク６００については、Ｂの最適値は、曲
線３１、３２、３３（図３）から得られたものと同一で
あるので、Ｃ／Ｗの最適値は、同様に、曲線４１、４２
、４３（図４）から得られたものと同一である。

【００４８】本発明は特定の実施例について詳細に記載
されたが、種々の変形が本発明の範囲から逸脱せずに可
能である。例えば、モリブデンシリサイドのような他の
半透明の材料をクロムの代りに使用することができる。また、πラジアン以外の位相シフトを回折の原理にした
がって使用することができる。

【００４９】開口１６の形状は、正方形または円形であ
る必要はなく、他のどのような閉ル−プとすることもで
きる。かくして、開口２６の形状は正方形リングまたは
円形リングである必要はなく、細長いリングとすること
ができる。構成用の位相シフトマスクには、他の方法を
使用してもよい。さらに、別の層としての層１２は、基
板１２のエッチングの深さがその主面にわたって一様で
、一般的には、±５％内となるように基板１１のエッチ
ング速度を制御することができる場合には、不必要であ
る。この場合には、基板１１自体の上層（部分）は、層
１２として働く。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、離隔開口用の分解能を
増大させる位相シフトマスクが提供される。

【００５１】

【図面の簡単な説明】

【図１】フォトリソグラフィにより半導体集積回路を形
成する代表的なシステムの図である。

【図２】本発明の特定実施例による位相シフトマスクの
平面図である。

【図３】本発明の特定実施例を説明するに有用な一群の
曲線を示す。

【図４】本発明の特定実施例を説明するにまた有用な一
群の曲線を示す。

【図５】本発明の特定実施例の利点を示すに有用な一群
の曲線を示す。

【図６】本発明の実施に有用な位相シフトマスクの製造
方法における種々の段階の側断面図である。

【図７】本発明の実施に有用な位相シフトマスクの製造
方法における種々の段階の側断面図である。

【図８】本発明の実施に有用な位相シフトマスクの製造
方法における種々の段階の側断面図である。

【図９】本発明の実施に有用な位相シフトマスクの製造
方法における種々の段階の側断面図である。

【図１０】本発明の実施に有用なさらに他の位相シフト
マスクの側断面図である。

【符号の説明】

１１　　水晶基板１２、１３　　領域１４、２４　　レジスト層１６　　トレンチ２６　　開口１０１　　フォトレジスト層１０６　　光源２００　　システム３００　　位相シフトマスク５００　　マスク６００　　マスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　マスク（１０３）に配置された位相シ
フトマスクの離隔特徴から発する放射光をフォトレジス
ト層（１０１）に収束する側方倍率ｍを有する光収束シ
ステム（２００）を使用して、位相シフトマスクの離隔
特徴が、幅Ｃの中央部と周辺部とを有し、この周辺部は
、中央部により放射光に与えられる位相シフトとは異な
る位相シフトをそこを伝ぱんする放射光に与えて、幅Ｗ
を有する離隔特徴をフォトレジスト層（１０１）に印刷
する方法において、比ｍＣ／Ｗが少なくとも１．２に等
しいことを特徴とする離隔特徴をフォトレジスト層に印
刷する方法。
【請求項２】　　中央部及び周辺部の特徴が、放射光が
これらのそれぞれの中央部及び周辺部を伝ぱんする場合
に、πラジアンの相対的な位相シフトを受ける厚さと屈
折率とを有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】　　比ｍＣ／Ｗが少なくとも１．５に等し
いことをさらに特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】　　比ｍＣ／Ｗが少なくとも１．６に等し
いことをさらに特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項５】　　比ｍＣ／Ｗが少なくとも１．３に等し
いことをさらに特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】　　比ｍＣ／Ｗが少なくとも１．５に等し
いことをさらに特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】　　比ｍＣ／Ｗが少なくとも１．６に等し
いことをさらに特徴とする請求項１記載の方法。