JP2007248988A - グレートーンマスクの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 212
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- -1 oxynitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【解決手段】基板21上に遮光膜22が形成されたマスクブランクス20上の遮光部及び透光部上に第1のレジストパターン24を形成し、該レジストパターンをマスクとして露出した遮光膜をエッチングし半透光部領域の基板を露出させる工程と、残存した第1のレジストパターンを除去し、基板上の全面に半透光膜23を成膜して半透光部を形成する工程と、遮光部領域及び半透光部領域に対応する領域に第2のレジストパターン25を形成し、該レジストパターンをマスクとして露出した半透光膜及び遮光膜をエッチングして透光部及び遮光部を形成する工程とを有し、少なくとも、半透光部領域と隣接する透光部領域上に形成する第1のレジストパターンの一部又は全部を透光部側に設計値よりも微小量小さく形成する。
【選択図】図1
Description
この方法は、遮光部と透光部と半透光部(グレートーン部)を有するフォトマスク(以下、グレートーンマスクという)を用いることにより、使用するマスク枚数を低減するというものである。
ガラス基板1上に、ゲート電極用金属膜が形成され、フォトマスクを用いたフォトリソプロセスによりゲート電極2が形成される。その後、ゲート絶縁膜3、第1半導体膜4(a−Si)、第2半導体膜5(N+a−Si)、ソースドレイン用金属膜6、及びポジ型フォトレジスト膜7が形成される(図22(1))。次に、遮光部11と透光部12と半透光部13を有するグレートーンマスク10を用いて、ポジ型フォトレジスト膜7を露光し、現像することにより、TFTチャネル部及びソースドレイン形成領域と、データライン形成領域を覆い、かつチャネル部形成領域がソースドレイン形成領域よりも薄くなるように第1レジストパターン7aが形成される(図22(2))。次に、第1レジストパターン7aをマスクとして、ソースドレイン金属膜6及び第2、第1半導体膜5,4をエッチングする(図22(3))。次に、チャネル部形成領域の薄いレジスト膜を酸素によるアッシングにより除去し、第2レジストパターン7bを形成する(図23(1))。しかる後、第2レジストパターン7bをマスクとして、ソースドレイン用金属膜6がエッチングされ、ソース/ドレイン6a、6bが形成され、次いで第2半導体膜5をエッチングし(図23(2))、最後に残存した第2レジストパターン7bを剥離する(図23(3))。
まず、透明基板21上に、遮光層22aと反射防止層22bとからなる遮光膜22が形成されたマスクブランクスを準備し(同図(a))、このマスクブランクスス上にレジスト膜を形成する。次に、レジスト膜に所定のパターン描画を行って、現像することにより、マスクブランクス上の遮光部形成領域及び透光部形成領域の上にレジストパターン24を形成する(同図(b))。次に、該レジストパターン24をマスクとして、露出した遮光膜22をエッチングすることにより、半透光部形成領域の透明基板21を露出させる(同図(c))。
前記工程で残存したレジストパターン24を除去し(同図(d))、得られた基板上の全面に半透光膜23を成膜する。これにより、透明基板21が露出した領域に半透光膜23を成膜した半透光部を形成する(同図(e))。
まず、透明基板21上に、半透光膜23及び遮光層22aと反射防止層22bとからなる遮光膜22が順次形成されたマスクブランクスを準備する(同図(a))。このマスクブランクスス上にレジスト膜を形成し、所定のパターン描画を行って、現像することにより、マスクブランクス上の遮光部形成領域及び半透光部形成領域の上にレジストパターン26を形成する(同図(b))。次に、該レジストパターン26をマスクとして、露出した遮光膜22をエッチングすることにより、透光部形成領域の半透光膜23を露出させる(同図(c))。
前記工程で残存したレジストパターン26を除去し(同図(d))、得られた遮光膜パターン22aをマスクとして、露出した半透光膜23をエッチングすることにより、透光部形成領域の透明基板21を露出させ、透光部を形成する(同図(e))。
まず、図16の製造工程と同様に、透明基板21上に半透光膜23及び遮光層22aと反射防止層22bとからなる遮光膜22が順次形成されたマスクブランクスを準備し(同図(a)、このマスクブランクスス上にレジスト膜を形成し、所定のパターン描画を行って、現像することにより、マスクブランクス上の遮光部形成領域及び半透光部形成領域の上にレジストパターン26を形成する(同図(b))。次に、該レジストパターン26をマスクとして、露出した遮光膜22をエッチングすることにより、透光部形成領域の半透光膜23を露出させる(同図(c))。
前記工程で残存したレジストパターン26を除去し(同図(d))、得られた遮光膜パターン22aをマスクとして、露出した半透光膜23をエッチングすることにより、透光部形成領域の透明基板21を露出させ、透光部を形成する(同図(e))。
すなわち、パターン描画工程を2回行うため、1回目の描画パターンと2回目の描画パターンとの位置ずれが生じないように、通常は、1回目のパターン描画時に、デバイスパターンの他に、描画位置合わせ用のアライメントマークを同時に形成し、このアライメントマークを用いて位置合わせを行い2回目のパターン描画を行っている。理論的には、これで描画パターンの位置ずれは起こらない筈であるが、実際にはアライメントマークの検出精度等が影響して描画パターンの位置ずれを完全になくすことは非常に困難である。
(構成1)遮光部、透光部及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクの製造方法であって、透明基板上に遮光膜が形成されたマスクブランクスを準備する工程と、前記マスクブランクス上に前記遮光部形成領域及び透光部形成領域の上に第1のレジストパターンを形成し、該第1のレジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜をエッチングすることにより、前記半透光部形成領域の透明基板を露出させる工程と、前記工程で残存した第1のレジストパターンを除去し、得られた基板上の全面に半透光膜を成膜することにより、半透光部を形成する工程と、前記遮光部形成領域及び半透光部形成領域に対応する領域に第2のレジストパターンを形成し、該第2のレジストパターンをマスクとして、露出した半透光膜及び遮光膜をエッチングすることにより、透光部及び遮光部を形成する工程とを有し、少なくとも、半透光部形成領域と隣接する透光部形成領域上に形成する前記第1のレジストパターンの一部又は全部を、透光部側に設計値よりも微小量小さく形成することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法である。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1によるグレートーンマスクの製造工程を示す模式的断面図である。
本実施の形態によれば図1(h)に示すようなグレートーンマスク30が出来上がる。このグレートーンマスク30は、遮光部(ベタ黒で示すA領域)は遮光膜22(遮光膜パターン22a)とその上の半透光膜23(半透光膜パターン23a)で形成され、半透光部(灰色で示すB領域)は透明基板21上の半透光膜23(半透光膜パターン23a)で形成され、透光部(白色で示すC領域)は露出した透明基板21で形成されている。
上記マスクブランクス20は、透明基板21上に遮光膜22を形成することで得られるが、その成膜方法は、蒸着法、スパッタ法、CVD(化学的気相成長)法など、膜種に適した方法を適宜選択すればよい。
描画後、現像することにより、マスクブランクス上の遮光部形成領域及び透光部形成領域の上に第1のレジストパターン24を形成する(同図(b))。ここで、半透光部形成領域と隣接する透光部形成領域上に形成されたレジストパターン24aは、透光部側に設計値よりも微小量小さく形成されている。また、遮光部形成領域と隣接する透光部形成領域上に形成されたレジストパターン24bは、透光部側に設計値よりも微小量小さく形成されている。
前記工程で残存したレジストパターン24を除去し(同図(d))、得られた基板上の全面に半透光膜23を成膜する。これにより、透明基板21が露出した領域に半透光膜23を成膜した半透光部を形成する(同図(e))。半透光膜23の材質としては、薄膜で、例えば露光光のi線(365nm)に対し、透光部の透過率を100%とした場合に透過率20%〜60%程度の半透過性が得られるものが好ましく、例えばCr化合物(Crの酸化物、窒化物、酸窒化物、フッ化物など)、MoSi、Si,W,Al等が挙げられる。Si,W,Al等は、その膜厚によって高い遮光性も得られ、或いは半透過性も得られる材質である。半透光膜23の成膜方法については、前述の遮光膜22の場合と同様、蒸着法、スパッタ法、CVD(化学的気相成長)法など、膜種に適した方法を適宜選択すればよい。また、半透光膜23の膜厚に関しては、特に制約はないが、所望の半透光性が得られるように最適化された膜厚で形成すればよい。尚、透過率、エッチング特性、遮光膜パターン上への成膜特性、膜応力、膜厚分布等を考慮した場合、通常30〜250Åの範囲とするのが適当である。また、半透光膜の透過率は上記の範囲に限定される必要は全くない。半透光部の透過性をどの程度に設定するかはマスクの使用目的に応じた設計上の問題である。半透光膜23の透過率は、膜厚と組成(例えば窒素含有量)により調整することが出来る。
なお、図2、図3中の例えばQで示した範囲における理想的には透光部となるべき部分に残った半透光膜は、サイドエッチングのコントロールにより除去することも可能である。
図4は本発明の実施の形態2によるグレートーンマスクの製造工程を示す模式的断面図である。
本実施の形態によれば図4(h)に示すようなグレートーンマスク50が出来上がる。このグレートーンマスク50は、遮光部(ベタ黒で示すA領域)は半透光膜23(半透光膜パターン23a)とその上の遮光膜22(遮光膜パターン22a)で形成され、半透光部(灰色で示すB領域)は透明基板21上の半透光膜23(半透光膜パターン23a)で形成され、透光部(白色で示すC領域)は露出した透明基板21で形成されている。
次に、該レジストパターン26をマスクとして、露出した遮光膜22をエッチングすることにより、透光部形成領域の半透光膜23を露出させる(同図(c))。
前記工程で残存したレジストパターン26を除去し(同図(d))、得られた遮光膜パターン22aをマスクとして、露出した半透光膜23をエッチングすることにより、透光部形成領域の透明基板21を露出させ、透光部を形成する(同図(e))。
描画後、現像することにより、マスクブランクス上の遮光部形成領域及び透光部形成領域の上に第2のレジストパターン27を形成する(同図(f))。ここで、半透光部形成領域と隣接する透光部形成領域上に形成されたレジストパターン27aは、透光部側に設計値よりも微小量小さく形成されている。
次いで、該レジストパターン27をマスクとして、露出した半透光部形成領域の半透光膜23上の遮光膜22をエッチング等により除去することにより、半透光部及び遮光部を形成する(同図(g))。そして、該工程で残存したレジストパターン27を除去することにより、同図(h)に示すようなグレートーンマスクが出来上がる。
図7は本発明の実施の形態3によるグレートーンマスクの製造工程を示す模式的断面図である。
本実施の形態によれば図7(h)に示すようなグレートーンマスク50が出来上がる。このグレートーンマスク50は、遮光部(ベタ黒で示すA領域)は半透光膜23(半透光膜パターン23a)とその上の遮光膜22(遮光膜パターン22a)で形成され、半透光部(灰色で示すB領域)は透明基板21上の半透光膜23(半透光膜パターン23a)で形成され、透光部(白色で示すC領域)は露出した透明基板21で形成されている。
次に、該レジストパターン26をマスクとして、露出した遮光膜22をエッチングすることにより、透光部形成領域の半透光膜23を露出させる(同図(c))。前記工程で残存したレジストパターン26を除去し(同図(d))、得られた遮光膜パターン22aをマスクとして、露出した半透光膜23をエッチングすることにより、透光部形成領域の透明基板21を露出させ、透光部を形成する(同図(e))。
描画後、現像することにより、第2のレジストパターン27を形成する(同図(f))。ここで、図中のRの範囲に示すように、半透光部形成領域に挟まれる透光部にはレジストパターン27は形成されていない。
次いで、該レジストパターン27をマスクとして、露出した半透光部形成領域の半透光膜23上の遮光膜22をエッチング等により除去することにより、半透光部及び遮光部を形成する(同図(g))。そして、該工程で残存したレジストパターン27を除去することにより、同図(h)に示すようなグレートーンマスク50が出来上がる。
図10は本発明の実施の形態4によるグレートーンマスクの製造工程を示す模式的断面図である。
本実施の形態によれば図10(h)に示すようなグレートーンマスク50が出来上がる。このグレートーンマスク50は、遮光部(ベタ黒で示すA領域)と半透光部(灰色で示すB領域)と透光部(白色で示すC領域)で形成される。
次に、該レジストパターン26をマスクとして、露出した遮光膜22をエッチングすることにより、透光部形成領域の半透光膜23を露出させる(同図(c))。前記工程で残存したレジストパターン26を除去し(同図(d))、得られた遮光膜パターン22aをマスクとして、露出した半透光膜23をエッチングすることにより、透光部形成領域の透明基板21を露出させ、透光部を形成する(同図(e))。
描画後、現像することにより、少なくとも遮光部形成領域に対応する領域にはレジストパターン27を形成する(同図(f))。ここで、透光部形成領域と隣接する遮光部形成領域上に形成されたレジストパターン27bは、透光部側に設計値よりも微小量大きく形成されている。
次いで、該レジストパターン27をマスクとして、露出した半透光部形成領域の半透光膜23上の遮光膜22をエッチング等により除去することにより、半透光部及び遮光部を形成する(同図(g))。該工程で残存したレジストパターン27を除去することにより、同図(h)に示すようなグレートーンマスク50が出来上がる。
21 透明基板
22 遮光膜
23 半透光膜
24,26 第1のレジストパターン
25,27 第2のレジストパターン
30、50 グレートーンマスク
Claims (5)
- 遮光部、透光部及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクの製造方法であって、
透明基板上に遮光膜が形成されたマスクブランクスを準備する工程と、
前記マスクブランクス上に前記遮光部形成領域及び透光部形成領域の上に第1のレジストパターンを形成し、該第1のレジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜をエッチングすることにより、前記半透光部形成領域の透明基板を露出させる工程と、
前記工程で残存した第1のレジストパターンを除去し、得られた基板上の全面に半透光膜を成膜することにより、半透光部を形成する工程と、
前記遮光部形成領域及び半透光部形成領域に対応する領域に第2のレジストパターンを形成し、該第2のレジストパターンをマスクとして、露出した半透光膜及び遮光膜をエッチングすることにより、透光部及び遮光部を形成する工程と、
を有し、
少なくとも、半透光部形成領域と隣接する透光部形成領域上に形成する前記第1のレジストパターンの一部又は全部を、透光部側に設計値よりも微小量小さく形成することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。 - 遮光部、透光部及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクの製造方法であって、
透明基板上に遮光膜が形成されたマスクブランクスを準備する工程と、
前記マスクブランクス上に前記遮光部形成領域及び透光部形成領域の上に第1のレジストパターンを形成し、該第1のレジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜をエッチングすることにより、前記半透光部形成領域の透明基板を露出させる工程と、
前記工程で残存した第1のレジストパターンを除去し、得られた基板上の全面に半透光膜を成膜することにより、半透光部を形成する工程と、
前記遮光部形成領域及び半透光部形成領域に対応する領域に第2のレジストパターンを形成し、該第2のレジストパターンをマスクとして、露出した半透光膜及び遮光膜をエッチングすることにより、透光部及び遮光部を形成する工程と、
を有し、
少なくとも、遮光部形成領域と隣接する透光部形成領域上に形成する前記第1のレジストパターンの一部又は全部を、透光部側に設計値よりも微小量小さく形成することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。 - 遮光部、透光部及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクの製造方法であって、
透明基板上に半透光膜及び遮光膜が順次形成されたマスクブランクスを準備する工程と、
前記マスクブランクス上に形成した第1のレジストパターンを用い、透光部形成領域上の遮光膜及び半透光膜をエッチングする工程と、
前記工程で得られた基板上に形成した第2のレジストパターンを用い、半透光部形成領域の半透光膜上の遮光膜を除去する工程と、
を有し、
少なくとも、半透光部形成領域と隣接する透光部上に形成する前記第2のレジストパターンの一部又は全部を、透光部側に設計値よりも微小量小さく形成することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。 - 遮光部、透光部及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクの製造方法であって、
透明基板上に半透光膜及び遮光膜が順次形成されたマスクブランクスを準備する工程と、
前記マスクブランクス上に形成した第1のレジストパターンを用い、透光部形成領域上の遮光膜及び半透光膜をエッチングする工程と、
前記工程で得られた基板上に形成した第2のレジストパターンを用い、半透光部形成領域の半透光膜上の遮光膜を除去する工程と、
を有し、
少なくとも、透光部と隣接する遮光部上に形成する前記第2のレジストパターンの一部又は全部を、透光部側に設計値よりも微小量大きく形成することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。 - 遮光部、透光部及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクの製造方法であって、
透明基板上に半透光膜及び遮光膜が順次形成されたマスクブランクスを準備する工程と、
前記マスクブランクス上に形成した第1のレジストパターンを用い、透光部形成領域上の遮光膜及び半透光膜をエッチングする工程と、
前記工程で得られた基板上に形成した第2のレジストパターンを用い、半透光部形成領域の半透光膜上の遮光膜を除去する工程と、
を有し、
少なくとも、半透光部形成領域に挟まれる透光部上に、前記第2のレジストパターンを形成しないことを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006074595A JP4968709B2 (ja) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | グレートーンマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006074595A JP4968709B2 (ja) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | グレートーンマスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007248988A true JP2007248988A (ja) | 2007-09-27 |
JP4968709B2 JP4968709B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=38593329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006074595A Active JP4968709B2 (ja) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | グレートーンマスクの製造方法 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP4968709B2 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007249198A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Hoya Corp | 4階調フォトマスクの製造方法、及びフォトマスクブランク |
JP2009086383A (ja) * | 2007-09-29 | 2009-04-23 | Hoya Corp | グレートーンマスク、パターン転写方法、及びグレートーンマスクブランク |
JP2009086380A (ja) * | 2007-09-29 | 2009-04-23 | Hoya Corp | グレートーンマスクブランク、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 |
JP2009086381A (ja) * | 2007-09-29 | 2009-04-23 | Hoya Corp | グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 |
JP2009128558A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Hoya Corp | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 |
JP2009204934A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Hoya Corp | 5階調フォトマスクの製造方法及び5階調フォトマスク、並びにパターン転写方法 |
JP2009237315A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Hoya Corp | 多階調フォトマスクの製造方法及び多階調フォトマスク、並びにパターン転写方法 |
JP2010191310A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Hoya Corp | 多階調フォトマスクの製造方法、及び半導体トランジスタの製造方法 |
JP2010198042A (ja) * | 2006-02-20 | 2010-09-09 | Hoya Corp | 4階調フォトマスク、4階調フォトマスクの使用方法、液晶表示装置の製造方法、及び4階調フォトマスク製造用フォトマスクブランク |
JP2010204692A (ja) * | 2010-06-21 | 2010-09-16 | Hoya Corp | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
JP2010237704A (ja) * | 2010-06-21 | 2010-10-21 | Hoya Corp | 多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法 |
JP2010266877A (ja) * | 2010-06-21 | 2010-11-25 | Hoya Corp | 5階調フォトマスク及び5階調フォトマスクの製造方法 |
JP2011070227A (ja) * | 2010-12-27 | 2011-04-07 | Hoya Corp | 5階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法 |
JP2011209759A (ja) * | 2011-07-22 | 2011-10-20 | Hoya Corp | 5階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法 |
JP2015212720A (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-26 | Hoya株式会社 | 多階調フォトマスクの製造方法、多階調フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
JP2016118774A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-30 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04269750A (ja) * | 1990-12-05 | 1992-09-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 離隔特徴をフォトレジスト層に印刷する方法 |
JPH0864502A (ja) * | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Nittetsu Semiconductor Kk | 半導体装置製造用フォトマスク |
JP2005037933A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Hoya Corp | グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク |
JP2006030320A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法 |
-
2006
- 2006-03-17 JP JP2006074595A patent/JP4968709B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04269750A (ja) * | 1990-12-05 | 1992-09-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 離隔特徴をフォトレジスト層に印刷する方法 |
JPH0864502A (ja) * | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Nittetsu Semiconductor Kk | 半導体装置製造用フォトマスク |
JP2005037933A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Hoya Corp | グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク |
JP2006030320A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法 |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010198042A (ja) * | 2006-02-20 | 2010-09-09 | Hoya Corp | 4階調フォトマスク、4階調フォトマスクの使用方法、液晶表示装置の製造方法、及び4階調フォトマスク製造用フォトマスクブランク |
JP2007249198A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Hoya Corp | 4階調フォトマスクの製造方法、及びフォトマスクブランク |
JP4570632B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2010-10-27 | Hoya株式会社 | 4階調フォトマスクの製造方法、及びフォトマスクブランク加工品 |
JP4642140B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2011-03-02 | Hoya株式会社 | 4階調フォトマスク、4階調フォトマスクの使用方法、及び液晶表示装置の製造方法 |
TWI448816B (zh) * | 2007-09-29 | 2014-08-11 | Hoya Corp | 灰階光罩坯料之製造方法、灰階光罩之製造方法及灰階光罩、以及圖案轉印方法 |
JP2009086381A (ja) * | 2007-09-29 | 2009-04-23 | Hoya Corp | グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 |
TWI402611B (zh) * | 2007-09-29 | 2013-07-21 | Hoya Corp | 灰階光罩之製造方法及灰階光罩、以及圖案轉印方法 |
JP2009086380A (ja) * | 2007-09-29 | 2009-04-23 | Hoya Corp | グレートーンマスクブランク、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 |
JP2009086383A (ja) * | 2007-09-29 | 2009-04-23 | Hoya Corp | グレートーンマスク、パターン転写方法、及びグレートーンマスクブランク |
JP2009128558A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Hoya Corp | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 |
JP2009204934A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Hoya Corp | 5階調フォトマスクの製造方法及び5階調フォトマスク、並びにパターン転写方法 |
JP4714311B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2011-06-29 | Hoya株式会社 | 多階調フォトマスクの製造方法及び薄膜トランジスタ基板用パターン転写方法 |
JP2009237315A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Hoya Corp | 多階調フォトマスクの製造方法及び多階調フォトマスク、並びにパターン転写方法 |
JP4615032B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2011-01-19 | Hoya株式会社 | 多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法 |
JP2010191310A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Hoya Corp | 多階調フォトマスクの製造方法、及び半導体トランジスタの製造方法 |
JP2010266877A (ja) * | 2010-06-21 | 2010-11-25 | Hoya Corp | 5階調フォトマスク及び5階調フォトマスクの製造方法 |
JP4615066B2 (ja) * | 2010-06-21 | 2011-01-19 | Hoya株式会社 | 多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法 |
JP4714312B2 (ja) * | 2010-06-21 | 2011-06-29 | Hoya株式会社 | 多階調フォトマスク及び多階調フォトマスクの製造方法 |
JP2010237704A (ja) * | 2010-06-21 | 2010-10-21 | Hoya Corp | 多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法 |
JP2010204692A (ja) * | 2010-06-21 | 2010-09-16 | Hoya Corp | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
JP2011070227A (ja) * | 2010-12-27 | 2011-04-07 | Hoya Corp | 5階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法 |
JP2011209759A (ja) * | 2011-07-22 | 2011-10-20 | Hoya Corp | 5階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法 |
JP2015212720A (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-26 | Hoya株式会社 | 多階調フォトマスクの製造方法、多階調フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
JP2016118774A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-30 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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