KR101140054B1 - 다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 및 패턴 전사 방법 - Google Patents

다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 및 패턴 전사 방법 Download PDF

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Abstract

피전사체 상의 레지스트막에 2개 이상의 서로 다른 레지스트 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 다계조 포토마스크로서, 차광부, 투광부 및 반투광부가 형성된 전사 패턴을 갖는다. 차광부는 투명 기판 상에 차광막이 형성되어 이루어진다. 투광부는 투명 기판이 노출되어 형성된다. 반투광부는, 투명 기판 상에 형성된 반투광막에 의해 이루어지는 정상부와, 투명 기판 상에 형성된 수정막에 의해 이루어지는 수정부를 갖는다. 투광부와 수정부의 i선 내지 g선의 파장광에 대한 위상차는 80도 이하이다.

Description

다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 및 패턴 전사 방법{MULTI-GRAY SCALE PHOTOMASK, MANUFACTURING METHOD AND PATTERN TRANSFER METHOD THEREOF}
본 발명은, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display : 이하, LCD라고 부름)의 제조 등에 이용되는 다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 및 패턴 전사 방법에 관한 것으로, 특히 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 제조에 이용되는 박막 트랜지스터의 제조에 바람직하게 사용되는 다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 및 패턴 전사 방법에 관한 것이다.
LCD의 분야에서, 박막 트랜지스터 액정 표시 장치(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display : 이하, TFT-LCD라고 부름)는, CRT(음극선관)와 비교하여, 박형으로 하기 쉽고 소비 전력이 낮다고 하는 이점을 가지므로, 현재 상품화가 급속히 진행되고 있다. TFT-LCD는, 매트릭스 형상으로 배열된 각 화소에 TFT가 배열된 구조의 TFT 기판과, 각 화소에 대응하여, 레드, 그린, 및 블루의 화소 패턴이 배열된 컬러 필터가 액정층의 개재 하에 서로 겹쳐진 개략 구조를 갖는다. TFT-LCD에서는, 제조 공정수가 많고, 종래는 TFT 기판만이라도 5～6매의 포토마스크를 이용하여 제조되었다. 이와 같은 상황 하에, 액정 표시 장치에 이용되는 박막 트랜지스터(TFT)의 제조에서는, 마스크의 사용 매수를 감소시켜, 효율적으로 제조하기 위해, 소위 다계조 포토마스크(멀티톤 마스크)를 사용하는 것이 알려져 있다.
이 다계조 포토마스크란, 투명 기판 상에, 차광부, 투광부, 및 반투광부가 형성된 전사 패턴을 갖고, 그 포토마스크를 사용하여 패턴을 피전사체에 전사할 때, 그 전사 패턴에 의해 투과하는 노광광량을 제어함으로써, 피전사체 상의 레지스트막에, 2개 이상의 서로 다른 레지스트 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 형성하기 위한 것이다.
일본 특허 공개 제2004-309515호 공보(특허 문헌 1)에는, 노광기의 해상 한계 이하의 미세한 차광 패턴에 의해, 이 영역을 투과하는 광의 투과량을 저감하고, 포토레지스트의 막 두께를 선택적으로 바꾸는 것을 목적으로 하는 그레이톤 마스크가 개시되어 있다. 그리고, 그레이톤부에 흑 결함이 발생한 경우에, 그 흑 결함을, 상기 그레이톤부가 정상의 그레이톤부와 동등한 그레이톤 효과가 얻어지도록 하는 막 두께로 되도록, 에칭에 의해 막 두께를 저감시키는 것이 기재되어 있다. 또한, 그레이톤부에 백 결함이 발생한 경우에는, 상기 그레이톤부가 정상의 그레이톤부와 동등한 그레이톤 효과가 얻어지도록 하는 반투과성 수정막을 FIB(Focused Ion Beam : 집속 이온 빔)에 의해 형성하는 것이 기재되어 있다.
또한, 일본 특허 공개 제2002-131888호 공보(특허 문헌 2)에는, 포토마스크의 백 결함 개소에, 헬륨 가스를 캐리어 가스로 하고, 크롬(Cr)을 원료 가스로 하여 레이저 CVD법에 의해 막을 형성하는 방법이 기재되어 있다.
전술한 TFT 제조 등에 이용되는 다계조 포토마스크에서도, 그 제조 공정에서, 반투광막으로 이루어지는 반투광부에 결함이 생기는 것은 완전히는 피할 수 없다. 예를 들면, 포토마스크 블랭크 제조 과정에서, 기판 상에 막을 형성할 때에 생기는 결함이나, 포토리소그래피를 이용한 마스크 제조 공정에서, 이물의 부착이나, 레지스트의 핀홀 등, 다양한 이유로, 결락 결함(백 결함) 또는 잉여 결함(흑 결함)이 생길 수 있다. 여기서는, 막 패턴의 잉여나 차광막 성분의 부착, 또는 이물에 의해, 투과율이 소정보다 낮아지는 결함을 흑 결함, 막 패턴의 부족에 의해 투과율이 소정보다 높아지는 결함을 백 결함이라고 칭한다.
특허 문헌 1에 기재된 미세 차광 패턴을 이용한 그레이톤부에 수정을 실시하는 경우, 노광기의 해상 한계 이하의 차광 패턴이 바림된 결과, 실제로는 어떠한 투과율로 되어 피전사체 상의 레지스트를 노광할지의 산정을 행하고, 그것과 동등한 그레이톤 효과를 가져오도록, 흑 결함이 생긴 부분을 감막하는 것이 필요하게 된다. 이 산정은 매우 곤란하며, 투과율 조정이 적절하게 행해지지 않으면, 이차적인 흑 결함, 백 결함이 발생하게 된다. 또한, 감막한 부분의 투과광과, 정상적인 미세 차광 패턴의 투과광은, 엄밀하는 위상이 서로 다르기 때문에, 광의 간섭에 의한 투과광의 증감이 생겨, 실효적인 투과율의 산정은 점점 더 복잡하게 된다. 또한, 그레이톤부의 백 결함을 수정하는 경우, FIB법에 의한 성막에는, 소재의 제약이 있고, 예를 들면, 파이린 등을 사용하여 FIB에 의해 형성한 탄소계의 박막은, 정상 부분의 막과는 상이한 소재이므로, 정상적인 미세 패턴 부분의 투과광과 위상차가 발생하게 된다.
또한, 특허 문헌 2에 개시된 레이저 CVD법에 의한 결함 수정은, Cr을 원료 가스로 하여 막을 형성하기 때문에, Cr 차광막의 결함 수정에는 문제는 없지만, 반투광부에 다른 소재에 의한 반투광막을 이용한 다계조 포토마스크에, 그대로 적용하면, 설령 반투광막과 동일한 투과율의 Cr 수정막을 이용하여도, 수정부와 정상부(결함이 없는 정상적인 반투광부)의 경계나, 수정부와 투광부의 경계에서, 위상차에 의한 간섭 때문에 투과율 저하가 생긴, 부적절한 수정 마스크로 될 가능성이 있다. 이와 같은 수정 마스크를 이용하면, 반투광부에 요구되는 투과율 허용 범위를 만족시킬 수 없어, 마스크 유저에게 문제점이 생길 우려가 있다. 이 경우, 예를 들면 TFT의 채널부에서, 소스, 드레인간의 단락(쇼트)이 발생하여, 액정 표시 장치의 오동작을 발생시킨다고 하는 심각한 문제로 되는 경우도 있다.
한편, 다계조 포토마스크를 이용하여, 피전사체에 패턴을 전사할 때에 이용되는 노광기는, 예를 들면 액정 표시 장치 제조용 마스크인 경우, i선 내지 g선(365～436㎚) 정도의 파장 영역을 이용하는 것이 일반적이다. 이들 노광에는, 반도체 장치 제조용의 것보다 일반적으로 면적이 큰 노광이 필요하기 때문에, 광량을 확보하기 위해 단일 파장은 이용하지 않고, 파장 영역을 가진 노광광을 이용하는 것이 유리하다. 따라서, 다계조 포토마스크의 사양을 결정할 때에는, 노광광이 갖는 노광 파장 영역 및 그 강도 분포를 감안하여, 소정의 노광광을 적용하였을 때에 원하는 투과율이 얻어지도록, 반투광부를 설계할 필요가 있다.
상기한 바와 같은 반투광막으로 형성한 반투광부에 생긴 결함 부위에 수정막을 형성하는 경우, 형성하는 수정막은, 상기 반투광막의 광 투과율을 감안하여 적절하게 설계하지 않으면, 수정막 부분에, 결과적으로 흑 결함이나 백 결함이라고 하는 문제점이 생긴다. 또한, 전술한 바와 같이, 설령 반투광막과 동등한 투과율의 수정막을 이용하여도, 수정부와 정상부의 경계나, 수정부와 투광부의 경계에서, 위상차가 있으면 간섭에 의한 투과율 저하가 생길 수 있다. 한편, 노광기의 노광광은, 대부분의 경우, 개개의 장치에서 반드시 일정한 것은 아니다. 예를 들면, i선 내지 g선에 걸치는 파장 영역의 노광광을 갖고 있어도, i선의 강도가 가장 큰 노광기, g선의 강도가 가장 큰 노광기 등이 존재할 수 있다. 또한, 노광기의 광원의 파장 특성은, 경시 변화하기 때문에, 실제로 노광할 때의 노광광의 파장 특성을 고려하여, 반투광막 및 수정막의 광 투과 특성을 설계하지 않으면, 정밀도가 좋은 그레이톤 마스크를 생산하는 것은 어렵다.
본 발명은, 반투광막에 의해 이루어지는 반투광부에 발생한 결함이 바람직하게 수정된 다계조 포토마스크를 제공하는 것을 제1 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 이와 같은 다계조 포토마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 제2 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 다계조 포토마스크를 이용한 패턴 전사 방법을 제공하는 것을 제3 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 이하의 구성을 갖는다.
<구성 1>
투명 기판 상에 형성된 적어도 반투광막과 차광막이 각각 패턴 가공됨으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부가 형성된 전사 패턴을 갖고, 그 전사 패턴에 의해 투과하는 노광광량을 제어함으로써, 피전사체 상의 레지스트막에, 2개 이상의 서로 다른 레지스트 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 다계조 포토마스크로서, 상기 차광부는, 상기 투명 기판 상에 적어도 상기 차광막이 형성되어 이루어지고, 상기 투광부는, 상기 투명 기판이 노출되어 형성되고, 상기 반투광부는, 상기 투명 기판 상에 형성된 반투광막에 의해 이루어지는 정상부와, 상기 투명 기판 상에 형성된 수정막에 의해 이루어지는 수정부를 갖고, 상기 투광부와 상기 수정부의, i선(파장 365㎚) 내지 g선(파장 436㎚)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차가, 80도 이하인 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크.
<구성 2>
또한, 상기 정상부와 상기 수정부의, i선(파장 365㎚) 내지 g선(파장 436㎚)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차가, 80도 이하인 것을 특징으로 하는 구성 1에 기재된 다계조 포토마스크.
<구성 3>
투명 기판 상에 형성된 적어도 반투광막과 차광막이 각각 패턴 가공됨으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부가 형성된 전사 패턴을 갖고, 그 전사 패턴에 의해 투과하는 노광광량을 제어함으로써, 피전사체 상의 레지스트막에, 2개 이상의 서로 다른 레지스트 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 다계조 포토마스크로서, 상기 차광부는, 상기 투명 기판 상에 적어도 상기 차광막이 형성되어 이루어지고, 상기 투광부는, 상기 투명 기판이 노출되어 형성되고, 상기 반투광부는, 상기 투명 기판 상에 형성된 반투광막에 의해 이루어지는 정상부와, 상기 투명 기판 상에 형성된 수정막에 의해 이루어지는 수정부를 갖고, 상기 정상부와 상기 투광부, 상기 정상부와 상기 수정부, 상기 투광부와 상기 수정부의, i선(파장 365㎚) 내지 g선(파장 436㎚)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차가, 모두 80도 이하인 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크.
<구성 4>
상기 반투광막은, 몰리브덴 실리사이드 화합물을 함유하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 3 중 어느 한 항에 기재된 다계조 포토마스크.
<구성 5>
상기 수정막은, 몰리브덴과 규소를 함유하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 다계조 포토마스크.
<구성 6>
상기 차광부는, 상기 투명 기판 상에 적어도 상기 반투광막과 상기 차광막이, 이 순서대로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 다계조 포토마스크.
<구성 7>
상기 다계조 포토마스크는 박막 트랜지스터 제조용의 포토마스크이며, 상기 차광부는, 상기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인에 대응하는 부분을 포함하고, 상기 반투광부는, 상기 박막 트랜지스터의 채널에 대응하는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 다계조 포토마스크.
<구성 8>
구성 1 내지 7 중 어느 한 항에 기재된 다계조 포토마스크를 이용하여, 노광기에 의해 상기 전사 패턴을 피전사체 상에 전사하는 것을 특징으로 하는 패턴 전사 방법.
<구성 9>
투명 기판 상에 형성된 적어도 반투광막과 차광막이 각각 패턴 가공됨으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부가 형성된 전사 패턴을 갖고, 그 전사 패턴에 의해 투과하는 노광광량을 제어함으로써, 피전사체 상의 레지스트막에, 2개 이상의 서로 다른 레지스트 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 다계조 포토마스크의 제조 방법으로서, 상기 투명 기판 상에 적어도 반투광막과 차광막이 형성된 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과, 포토리소그래피법에 의해, 상기 반투광막과 상기 차광막을 각각 패턴 가공함으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부를 갖는 전사 패턴을 형성하는 패터닝 공정과, 형성된 상기 전사 패턴에 생긴 결함을 수정하는 수정 공정을 갖고, 상기 수정 공정에서는, 상기 반투광막의 결락부, 또는, 상기 반투광막 또는 상기 차광막을 제거한 제거부에, 수정막을 형성하여 수정부로 이루어지고, 상기 투광부와 상기 수정부의, i선(파장 365㎚) 내지 g선(파장 436㎚)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차를, 80도 이하로 하는 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크의 제조 방법.
<구성 10>
또한, 상기 정상부와 상기 수정부의, i선(파장 365㎚) 내지 g선(파장 436㎚)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차를, 80도 이하로 하는 것을 특징으로 하는 구성 9에 기재된 다계조 포토마스크의 제조 방법.
<구성 11>
투명 기판 상에 형성된 적어도 반투광막과 차광막이 각각 패턴 가공됨으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부가 형성된 전사 패턴을 갖고, 그 전사 패턴에 의해 투과하는 노광광량을 제어함으로써, 피전사체 상의 레지스트막에, 2개 이상의 서로 다른 레지스트 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 다계조 포토마스크의 제조 방법으로서, 상기 투명 기판 상에 적어도 반투광막과 차광막이 형성된 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과, 포토리소그래피법에 의해, 상기 반투광막과 상기 차광막을 각각 패턴 가공함으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부를 갖는 전사 패턴을 형성하는 패터닝 공정과, 형성된 상기 전사 패턴에 생긴 결함을 수정하는 수정 공정을 갖고, 상기 수정 공정에서는, 상기 반투광막의 결락부, 또는, 상기 반투광막 또는 상기 차광막을 제거한 제거부에, 수정막을 형성하여 수정부로 이루어지고, 상기 정상부와 상기 투광부, 상기 정상부와 상기 수정부, 상기 투광부와 상기 수정부의, i선(파장 365㎚) 내지 g선(파장 436㎚)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차를, 모두 80도 이하로 하는 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크의 제조 방법.
<구성 12>
상기 반투광막의 재질로서, 몰리브덴 실리사이드 화합물을 함유하는 재료를 이용하는 것을 특징으로 하는 구성 9 내지 11 중 어느 한 항에 기재된 다계조 포토마스크의 제조 방법.
<구성 13>
상기 수정막은, 레이저 CVD법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 구성 9 내지 12 중 어느 한 항에 기재된 다계조 포토마스크의 제조 방법.
<구성 14>
상기 수정막은, 몰리브덴을 함유하는 원료와 규소를 함유하는 원료를 각각 이용한 레이저 CVD법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 구성 12에 기재된 다계조 포토마스크의 제조 방법.
다음으로 본 발명에 따른 효과에 대해서 설명한다.
인접하는 투광부와 수정부의 경계에서, 위상차에 의한 투과율 저하를 억지할 수 있어, 포토마스크를 사용하여 피전사체 상에 얻어지는 레지스트 패턴이 원하는 양호한 형상으로 된다. 물론, TFT 액정 표시 장치를 제조하는 경우에는, 채널부의 단락에 의한 동작 불량 등의 문제점도 억지할 수 있다.
또한, 반투광부에 발생한 결함이 바람직하게 수정된 다계조 포토마스크를 얻을 수 있다.
또한, 상기한 바와 같이 반투광부에 발생한 결함이 바람직하게 수정된 다계조 포토마스크를 이용하여, 피전사체에의 패턴 전사를 행함으로써, TFT-LCD 등의 전자 디바이스에 생기는 불량을 억지하여, 높은 수율과 안정된 디바이스의 생산성을 실현할 수 있다.
도 1은 다계조 포토마스크를 이용한 패턴 전사 방법을 설명하기 위한 단면도.
도 2의 (a)~(h)는 다계조 포토마스크의 제조 공정의 일례를 도시하는 단면도.
도 3의 (A)~(E)는 전형적인 TFT 패턴을 전사 패턴으로서 갖는 다계조 포토마스크의 평면도.
도 4는 반투광막의 재료와 그 투과율에 대한 위상 시프트량의 관계를 도시하는 도면.
도 5는 레이저 CVD법에 의해 형성된 Cr막의 투과율의 i선 내지 g선 파장 의존성을 도시하는 도면.
도 6은 MoSi 반투광막의 투과율의 i선 내지 g선 파장 의존성을 도시하는 도면.
도 7은 FIB에 의해 형성된 카본막의 투과율의 i선 내지 g선 파장 의존성을 도시하는 도면.
이하, 본 발명의 몇 가지의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다.
도 1은, 다계조 포토마스크를 이용한 패턴 전사 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 도 1에 도시한 다계조 포토마스크(10)는, 예를 들면 액정 표시 장치(LCD)의 박막 트랜지스터(TFT) 등의 전자 디바이스를 제조하기 위해 이용되는 것이며, 도 1에 도시한 피전사체(20) 상에, 2개 이상의 막 두께가 단계적 또는 연속적으로 상이한 레지스트 패턴(23)을 형성하는 것이다. 또한, 도 1 중에서 참조 부호 22A, 22B는, 피전사체(20)에서 기판(21) 상에 적층된 막을 나타낸다.
상기 다계조 포토마스크(10)는, 차광부, 투광부 외에, 1종류의 반투광부를 갖는 3계조 마스크의 예를 나타내고 있고, 구체적으로는, 그 포토마스크(10)의 사용 시에 노광광을 차광(투과율이 대략 0％)시키는 차광부(11)와, 투명 기판(14)의 표면이 노출된 노광광을 투과시키는 투광부(12)와, 투광부의 노광광 투과율을 100％로 하였을 때 투과율을 20～80％, 바람직하게는, 20～60％ 정도로 저감시키는 반투광부(13)를 갖고 구성된다. 차광부(11)는, 글래스 기판 등의 투명 기판(14) 상에, 광 반투과성의 반투광막(16)과 차광성의 차광막(15)이 이 순서대로 형성되어 구성되어 있다. 또한, 반투광부(13)는, 투명 기판(14) 상에 상기 반투광막(16)이 형성되어 구성되어 있고, 투광부(12)보다 노광광(예를 들면, i선 내지 g선)의 투과율이 낮게 설정되어 있다.
상기 반투광막(16)으로서는, 크롬 화합물, 몰리브덴 실리사이드 화합물, Si, W, Al 등을 들 수 있다. 이 중, 크롬 화합물에는, 산화 크롬(CrOx), 질화 크롬(CrNx), 산질화 크롬(CrOxN), 불화 크롬(CrFx)이나, 이들에 탄소나 수소를 함유하는 것이 있다. 또한, 몰리브덴 실리사이드 화합물로서는, MoSix 외에, MoSi의 질화물, 산화물, 산화 질화물, 탄화물 등을 사용할 수 있다. 반투광막(16)은, 특히 바람직하게는, 몰리브덴 실리사이드 화합물을 함유하는 막 소재로 이루어진다. 몰리브덴 실리사이드 화합물을 함유하는 막 소재는, 차광막에 유리하게 이용되는 크롬계 재료와의 사이에 에칭 선택성이 있어, 후술하는 제조 방법에서, 한쪽의 막을 에칭하는 에칭 매체에 대해, 다른 쪽의 막에 내성이 있기 때문에, 에칭 가공상, 매우 우수한 소재이다. 또한, 반투광막은 적층하여도 된다.
또한, 상기 차광막(15)으로서는, Cr, Si, W, Al 등을 들 수 있다. 바람직하게는, Cr을 주성분으로 하는 재료이다. 보다 바람직하게는, 표면에 반사 방지층으로서, Cr의 산화물이나 질화물 등의, Cr계 화합물의 층을 가짐으로써, 전사 패턴의 묘화 시의 정밀도를 향상시켜, 마스크 사용 시의 불필요한 반사 미광의 발생을 억지할 수 있다. 차광막은, 단독으로, 또는 반투광막과의 적층에 의해 광학 농도 3.0 이상의 차광성을 갖는 것이 바람직하다.
전술한 다계조 포토마스크(10)를 사용하였을 때에, 차광부(11)에서는 노광광이 실질적으로 투과하지 않고, 투광부(12)에서는 노광광이 투과되고, 반투광부(13)에서는 노광광이 저감된다. 이 때문에, 피전사체(20) 상에 형성한 레지스트막(포지티브형 포토레지스트막)은, 전사 후, 현상을 거쳤을 때 차광부(11)에 대응하는 부분에서 막 두께가 두꺼워지고, 반투광부(13)에 대응하는 부분에서 막 두께가 얇아지고, 투광부(12)에 대응하는 부분에서는 잔막이 실질적으로 생기지 않는 레지스트 패턴(23)을 형성한다(도 1을 참조). 이 레지스트 패턴(23)에서, 반투광부(13)에 대응하는 부분에서 막 두께가 얇아지는 효과를 여기서는 그레이톤 효과라고 한다. 또한, 네가티브형 포토레지스트를 이용한 경우에는, 차광부와 투광부에 대응하는 레지스트 막 두께가 역전되는 것을 고려한 설계를 행할 필요가 있지만, 이와 같은 경우에도, 본 발명의 효과는 충분히 얻어진다.
그리고, 도 1에 도시한 레지스트 패턴(23)의 막이 없는 부분에서, 피전사체(20)에서의 예를 들면 막(22A 및 22B)에 제1 에칭을 실시하고, 레지스트 패턴(23)의 막이 얇은 부분을 애싱 등에 의해 제거하고, 이 부분에서, 피전사체(20)에서의 예를 들면 막(22B)에 제2 에칭을 실시한다. 이와 같이 하여, 1매의 다계조 포토마스크(10)(3계조 마스크)를 이용하여 종래의 포토마스크 2매분의 공정이 실시되게 되어, 마스크 매수가 삭감된다.
전술한 다계조 포토마스크(10)는, 투명 기판 상에 형성된 적어도 반투광막과 차광막이 각각 패턴 가공됨으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부가 형성된 전사 패턴을 갖고, 그 전사 패턴에 의해 투과하는 노광광량을 제어함으로써, 피전사체 상의 레지스트막에, 2개 이상의 서로 다른 레지스트 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 형성하기 위한 것이다. 이 다계조 포토마스크(10)에서, 상기 차광부는, 상기 투명 기판 상에 적어도 상기 차광막이 형성되어 이루어지고, 상기 투광부는, 상기 투명 기판이 노출되어 형성되고, 상기 반투광부는, 상기 투명 기판 상에 형성된 반투광막에 의해 이루어지는 정상부와, 상기 투명 기판 상에 형성된 수정막에 의해 이루어지는 수정부를 갖는다. 또한, 상기 투광부와 상기 수정부의, i선(파장 365㎚) 내지 g선(파장 436㎚)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차가, 80도 이하로 설정되어 있다.
다계조 포토마스크의 제조 방법에 의해서는, 투명 기판 상의 반투광막과 차광막의 순서는 어느 것이 위라도 상관없다. 다계조 포토마스크의 제조 방법에 대해서는 후에 상세하게 설명한다.
전술한 도 1에 도시한 바와 같은, 투광부, 차광부 외에, 1종류의 반투광부를 갖는 3계조 마스크뿐만 아니라, 상이한 노광광 투과율을 갖는 2개의 반투광부를 갖는 4계조의 마스크, 혹은 그 이상의 계조수를 갖는 마스크로 하여도, 본 발명은 바람직하게 실시될 수 있다.
전술한 다계조 포토마스크(10)는 TFT 제조에 바람직하게 적용되는 것이며, 차광부는, TFT의 소스 및 드레인에 대응하는 부분을 포함하고, 반투광부는, TFT의 채널에 대응하는 부분을 포함한다.
도 3은, 전형적인 TFT 패턴을 전사 패턴으로서 갖는 다계조 포토마스크의 평면도이다. 도 1과 동등한 개소에는 동일 부호를 붙이고 있다. 도시한 바와 같은 패턴을 갖는 포토마스크의 경우에, 본 발명은 현저한 효과를 발휘한다.
예를 들면 도 1의 단면도에 도시된 바와 같이, 다계조 포토마스크는 투광부, 차광부, 반투광부, 차광부, 투광부의 순으로 배열된 부분을 갖는 것이 바람직하다. 또는, 도 3과 같은 패턴의 경우는, 한 방향(예를 들면 도 3의 (A) 중의 파선 방향을 참조)으로 투광부, 차광부, 반투광부, 차광부, 반투광부, 차광부, 투광부의 순으로 배열된 부분을 갖는 것이 바람직하다. 도 1 및 도 3 중 어느 것에서도, 차광부와 반투광부, 차광부와 투광부, 반투광부와 투광부가, 각각 인접 부분을 갖고 있다.
상기 반투광부의 노광광 투과율은, 반투광막의 막 소재와 막 두께에 의해 결정된다. 또한, 반투광부의 노광광 위상차(여기서는 투명 기판을 투과하는 광의 위상에 대한 위상 어긋남을 말함)도, 막 소재와 막 두께에 의해 결정된다. 따라서, 다계조 포토마스크는, 그 용도와, 그것이 사용되어 제조되는 디바이스(예를 들면 TFT-LCD)의 제조 마진에 의해, 반투광부에 어떠한 막 소재로 어떠한 막 두께를 갖게 할지를 결정할 수 있다. 이 결정 프로세스에서는, 투과율과 위상차의 쌍방을 고려해야만 한다. 투과율을 단독의 막으로서 고려하여도, 이 반투광막에 의해 형성된 반투광부가 다른 부분(투광부나, 수정막에 의해 수정된 반투광부(즉 수정부))과의 인접 부분에서, 생기는 위상차 때문에 간섭이 생겨, 국소적으로 실제의 투과광량이 감소되는 것을 고려하지 않으면, 원하는 정밀한 패턴 전사는 행할 수 없다. 실제로는, 인접부에서의 위상차가 소정 범위보다 크면, 인접부에서, 양 사이드의 투과광이 상쇄되어, 암선이 생기게 된다.
여기서, 도 3의 (A)에 도시한 전사 패턴에서의 반투광막(16)으로 형성된 채널부에 상당하는 부분(대략 U자형의 패턴)에 흑 결함, 또는 백 결함이 생긴 것으로 한다. 흑 결함은, 예를 들면, 반투광막 상에 잉여의 차광막이 잔류한 경우, 백 결함은, 사용한 포지티브 레지스트에 핀홀이 생겨, 반투광막에 결락이 생긴 경우 등이다.
흑 결함의 경우에는, 흑 결함이 생긴 부분을, 레이저 또는 FIB 조사하여, 그 에너지로 제거하고, 제거한 부분에 새롭게 수정막을 형성할 수 있다. 예를 들면, 채널부에 생긴 흑 결함은, 그 채널부 전체의 반투광막을 제거하고, 채널부 전체에 수정막(30)을 형성하여도 된다(도 3의 (B) 참조). 또는, 채널부에 생긴 흑 결함이 작은 것이면, 흑 결함 부분만을 제거하고, 제거한 부분의 형상에 맞춰서 수정막(30)을 형성하여도 된다(도 3의 (C) 참조).
한편, 백 결함의 경우도 마찬가지로, 백 결함 부분을 포함하는 채널부 전체의 반투광막을 제거하고, 채널부 전체에 수정막을 형성하여도 되고, 또는 백 결함의 부분이나 백 결함의 주변의 부분의 반투광막을 제거하여 형상을 정돈한 부분에, 그 형상에 맞춰서 수정막을 형성하여도 된다.
전술한 도 3의 (B)의 경우에는, 수정막(30)을 형성하여 수정한 부분(수정부)과 투광부(12)가 인접하고 있다. 모두 광을 투과하므로, 양자를 투과하는 광의 위상이 크게 상이하면, 그 부분에서 투과광끼리가 상쇄되어, 도 3의 (B) 중의 태선(31)으로 나타낸 바와 같은 암선이 있는 것처럼 작용하게 된다. 따라서, 이와 같은 포토마스크를 사용하여 피전사체 상의 레지스트막에 노광을 행하면, 그 부분에서 레지스트막에의 노광량 부족이 생겨, 의도하지 않은 레지스트 패턴 형상 불량이 생긴다. 예를 들면, TFT의 채널부에서는, 상기 암선의 부분은, 소스와 드레인을 단락시키게 되는 문제점도 생길 수 있다.
따라서, 여기서는, 수정부와 투광부 사이의 위상차가 소정보다 작아지도록 하는 수정막을 이용해야만 한다. 여기서의 위상차란, 이 포토마스크를 노광할 때에 이용하는 노광광 파장에 대한 위상차이며, 예를 들면, i선 내지 g선의 파장광에 관한 것이다. i선 내지 g선의 영역 내의 어느 파장에서도, 위상차가 소정 내인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 위상차에 의해 생기는 저하된 투과광량에 의해 생기는 암선부의 최소의 투과율이, 정상부의 반투광부보다 작아지지 않으면 된다. 이 경우, 반투광부의 패턴의 크기가 투광부측에 설계값보다도, 암선부의 선폭분 커지는 것과 등가이지만, 최종적인 TFT의 동작 불량 등의 문제점은 생기지 않는 범위이다. 이와 같은 위상차란, 80도 이하, 보다 바람직하게는 70도 이하이다. 이와 같이, 수정부와 투광부 사이의, i선 내지 g선의 파장광에 대한 위상차가 80도 이하로 되도록 하는 수정막(33)을 이용하여 수정을 행함으로써, 수정부와 투광부의 인접부에서의 암선부가 실질적으로 차광부의 기능을 하게 되는 문제점을 억지할 수 있다(도 3의 (D) 참조).
또한, 전술한 도 3의 (C)에 도시한 바와 같이, 반투광부의 일부에 생긴 결함에 대해, 국소적으로 수정막을 형성하는 경우에는, 반투광부의 수정부와 반투광부의 정상부가 인접하게 된다. 여기서도, 양자의 투과하는 광의 위상차가 지나치게 크면, 양자의 투과광이 상쇄되어 투과광량이 국소적으로 저하되어, 이 부분에 도 3의 (C) 중의 태선(32)으로 나타낸 바와 같은 암선부가 실질적으로 차광부로서 기능하면, 상기에서 설명한 것과 마찬가지의 문제점이 생길 수 있다.
따라서, 수정부와 정상부(정상적인 반투광부(13)) 사이의, i선 내지 g선의 파장광에 대한 위상차에 대해서도, 80도 이하, 보다 바람직하게는 70도 이하로 되도록, 수정막과 반투광막의 선택을 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 수정부와 정상부 사이의, i선 내지 g선의 파장광에 대한 위상차가 80도 이하로 되도록 하는 수정막(33)을 이용하여 수정을 행함으로써, 수정부와 정상부의 인접부에서의 암선이 생기는 것을 억지할 수 있다(도 3의 (E) 참조).
따라서, 결과적으로 특히 바람직하고, 적합하게 수정된 다계조 포토마스크는, 이하의 것이다.
즉, 투명 기판 상에 형성된 적어도 반투광막과 차광막이 각각 패턴 가공됨으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부가 형성된 전사 패턴을 갖고, 그 전사 패턴에 의해 투과하는 노광광량을 제어함으로써, 피전사체 상의 레지스트막에, 2개 이상의 서로 다른 레지스트 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 다계조 포토마스크로서, 상기 차광부는, 상기 투명 기판 상에 적어도 상기 차광막이 형성되어 이루어지고, 상기 투광부는, 상기 투명 기판이 노출되어 형성되고, 상기 반투광부는, 상기 투명 기판 상에 형성된 반투광막에 의해 이루어지는 정상부와, 상기 투명 기판 상에 형성된 수정막에 의해 이루어지는 수정부를 갖고, 상기 정상부와 상기 투광부, 상기 정상부와 상기 수정부, 상기 투광부와 상기 수정부의, i선(파장 365㎚) 내지 g선(파장 436㎚)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차가, 모두 80도 이하, 보다 바람직하게는 70도 이하인 다계조 포토마스크이다.
또한, 사용하는 막 소재와 막 두께에 의해, 투명 기판에 대해 다양한 위상차를 갖는 막이 존재한다. 예를 들면, 투명 기판에 대해, 플러스측에 위상차를 갖는 막도 있고, 한편, 마이너스측에 위상차를 갖는 막도 있다. 따라서, 플러스측에 위상차를 갖는 막과, 마이너스측에 위상차를 갖는 막이 인접하면, 양자의 위상차는, 어느 쪽의 막의 투명 기판에 대한 위상차보다도 커진다. 따라서, 막 소재의 선택 시에는, 위상차가 생기는 방향에도 유의가 필요하다.
여기서, 도 4에, 반투광막의 재료와 그 투과율에 대한 위상 시프트량의 관계에 대해서 예시한다.
종축은 투명 기판에 대한, i선의 위상 시프트량, 횡축은 투과율이다. 투과율이 낮은 것일수록 막 두께가 크다. 막 두께가 클수록, 위상 시프트량도 크다. 여기서, 예를 들면, 반투광막(정상부)으로서, MoSi막을 이용하였을 때, 투과율 25～80％의 범위에서, 투명 기판에 대한 위상 시프트량이 +(플러스) 20도 미만으로 되어 있다. 이와 같은 MoSi막을 이용한 반투광부는, 투명 기판과의 위상차가 작아, 바람직한 것이다.
한편, 이 MoSi 반투광막에 결함이 생겨, 그 부분을 FIB에 의해, 파이린 가스를 이용하여 형성하는 카본막에 의해 수정한다. 이 때, 형성되는 수정막은 도시한 바와 같이 투과율에 대해 위상 시프트량이 크게 변동되어 있어, 예를 들면, 투과율 30％로 하였을 때에, 투명 기판에 대한 위상차가 80도를 넘게 된다. 본 발명자의 검토에 따르면, 이 위상차이면, 투광부와의 경계, 및 정상부와의 경계에서 암선이 생기기 쉽고, 도 3의 (B)의 수정 방법에서, 또는 투과율에 따라서는, 도 3의 (B)와 (C) 중 어느 쪽의 수정 방법에서도, 상기한 문제점이 생기기 쉬운 마스크 패턴으로 되는 것이 발견되었다.
또한, 레이저 CVD법을 이용하여 형성한 Cr 수정막에 대한 위상 시프트량은, 도 4에 도시한 바와 같이, 상기의 FIB 카본막보다도 위상 시프트량이 플러스측으로 커서, 도 3의 (B)의 수정 방법에 이용하였을 때, 또는 도 3의 (B)와 (C) 중 어느 쪽의 수정 방법에 이용하였을 때에도, 상기 문제점이 생기기 쉬운 마스크 패턴으로 된다.
따라서, 도 4에 도시한 MoSi계의 막을 이용하여 수정하면, 적어도 20～80％의 투과율 범위에서, 투광부에 대한 위상차가 20도 이하로, 수정부와 투광부의 경계에 암선이 생기는 일은 없다. 때문에, 상기 포토마스크를 사용하여, 레지스트막 상에 노광하여, 레지스트 패턴을 형성할 때에, 양호한 형상의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 요컨대, 수정막은, 몰리브덴과 규소를 함유하는 재료로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 반투광막(정상부)으로서 MoSi막을 이용할 수 있으므로, 수정막에 MoSi계막을 이용한 경우, 정상부와 수정부의 경계에서도 위상차는, 70도 이하(실제로는, 20도 이하로 됨)로 되어, 전술한 도 3의 (C)와 같은 국소적인 수정을 행하여도, 정상부와 수정부 사이의 위상차가 문제로 되는 일은 없다.
또한, 전술한 바와 같이 반투광부에 발생한 결함이 바람직하게 수정된 다계조 포토마스크를 이용하여, 전술한 도 1에 도시한 바와 같이, 피전사체에의 패턴 전사를 행함으로써, TFT-LCD 등의 전자 디바이스에 생기는 불량을 억지하여, 높은 수율과 안정된 디바이스의 생산성을 실현할 수 있다.
다음으로, 다계조 포토마스크의 제조 방법에 대해서 설명한다.
제조 대상으로 되는 다계조 포토마스크는, 투명 기판 상에 형성된 적어도 반투광막과 차광막이 각각 패턴 가공됨으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부가 형성된 전사 패턴을 갖고, 그 전사 패턴에 의해 투과하는 노광광량을 제어함으로써, 피전사체 상의 레지스트막에, 2개 이상의 서로 다른 레지스트 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 형성하기 위한 것이다. 이 다계조 포토마스크의 제조 방법은, 상기 투명 기판 상에 적어도 반투광막과 차광막이 형성된 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과, 포토리소그래피법에 의해, 상기 반투광막과 상기 차광막을 각각 패턴 가공함으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부를 갖는 전사 패턴을 형성하는 패터닝 공정과, 형성된 상기 전사 패턴에 생긴 결함을 수정하는 수정 공정을 갖는다. 상기 수정 공정에서는, 상기 반투광막의 결락부, 또는, 상기 반투광막 또는 상기 차광막을 제거한 제거부에, 수정막을 형성하여 수정부로 이룬다. 또한, 상기 투광부와 상기 수정부의, i선(파장 365㎚) 내지 g선(파장 436㎚)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차를 80도 이하로 한다.
도 2는, 다계조 포토마스크의 제조 공정의 일례를 도시하는 단면도이다.
사용하는 포토마스크 블랭크(1)는, 투명 기판(14) 상에, 예를 들면 MoSi를 함유하는 재료로 이루어지는 반투광막(16)과 차광막(15)이 이 순서대로 형성되어 있다. 또한, 차광막(15)은, 예를 들면 Cr을 주성분으로 하는 차광층(15a)과, Cr의 산화물 등을 함유하는 반사 방지층(15b)의 적층 구성이다(도 2의 (a) 참조).
우선, 이 포토마스크 블랭크(1) 상에, 레지스트를 도포하여 레지스트막(17)을 형성한다(도 2의 (b) 참조). 상기 레지스트로서는 포지티브형 포토레지스트를 사용한다.
그리고, 첫번째의 묘화를 행한다. 묘화에는 레이저광을 이용한다. 레지스트막(17)에 대해, 소정의 디바이스 패턴(예를 들면 차광부에 대응하는 영역에 레지스트 패턴을 형성하는 패턴)을 묘화하고, 묘화 후에 현상을 행함으로써, 차광부의 영역에 대응하는 레지스트 패턴(17a)을 형성한다(도 2의 (c) 참조).
다음으로, 상기 레지스트 패턴(17a)을 마스크로 하여 노출된 투광부 및 반투광부 영역 상의 차광막(15)을 공지의 에천트를 이용하여 에칭을 행한다(도 2의 (d) 참조). 여기서는 에칭으로서 웨트 에칭을 이용하였다. 또한, Cr계 차광막의 에칭에 대해 MoSi 반투광막은 내성을 갖는다. 여기서 잔존하는 레지스트 패턴은 제거한다(도 2의 (e) 참조).
다음으로, 기판 전체면에 상기와 동일한 레지스트막을 형성하고, 두번째의 묘화를 행한다. 두번째의 묘화에서는, 적어도 반투광부 영역 상에 레지스트 패턴이 형성되도록 하는(도면에서는 차광부 및 반투광부 영역 상에 레지스트 패턴이 형성되도록 하는) 소정의 패턴을 묘화한다. 묘화 후, 현상을 행함으로써, 적어도 반투광부에 대응하는 영역 상에 레지스트 패턴(18a)을 형성한다(도 2의 (f) 참조).
다음으로, 상기 레지스트 패턴(18a)을 마스크로 하여, 노출된 투광부 영역 상의 반투광막(16)을 에칭하여, 투명 기판(14)을 노출시켜 투광부를 형성한다(도 2의 (g) 참조). 그리고, 잔존하는 레지스트 패턴을 제거함으로써, 투명 기판(14) 상에, 반투광막(16)과 차광막(15)의 적층막으로 이루어지는 차광부(11), 투명 기판(14)이 노출되는 투광부(12), 및 반투광막(16)에 의해 이루어지는 반투광부(13)를 갖는 전사 패턴이 형성된 다계조 포토마스크(3계조 마스크)(10)가 완성된다(도 2의 (h) 참조).
또한, 이하의 제조 방법에 의해 다계조 포토마스크를 제조하는 것도 가능하다.
(1) 투명 기판 상에 반투광막, 및 차광막이 이 순서대로 적층된 포토마스크 블랭크를 준비하고, 그 포토마스크 블랭크 상에, 차광부 및 반투광부에 대응하는 영역의 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 노출된 차광막 및 반투광막을 에칭함으로써, 투광부를 형성한다. 다음으로, 적어도 차광부를 포함하는 영역에 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 노출된 차광막을 에칭함으로써, 반투광부 및 차광부를 형성한다. 이렇게 하여, 투명 기판 상에, 반투광막에 의해 이루어지는 반투광부, 반투광막과 차광막의 적층막에 의해 이루어지는 차광부, 투광부를 형성한 다계조 포토마스크를 얻을 수 있다.
(2) 투명 기판 상에 차광막이 형성된 포토마스크 블랭크를 준비하고, 그 포토마스크 블랭크 상에, 차광부에 대응하는 영역의 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 노출된 차광막을 에칭함으로써 차광막 패턴을 형성한다. 다음으로, 레지스트 패턴을 제거 후, 기판의 전체면에 반투광막을 성막한다. 그리고, 차광부 및 반투광부에 대응하는 영역에 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴을 마스크로 하여 노출된 반투광막을 에칭함으로써, 투광부 및 반투광부를 형성한다. 이렇게 하여, 투명 기판 상에, 반투광막에 의해 이루어지는 반투광부, 차광막과 반투광막의 적층막에 의해 이루어지는 차광부, 투광부를 형성한 다계조 포토마스크를 얻을 수 있다.
(3) 상기 (2)와 마찬가지로 투명 기판 상에 차광막이 형성된 포토마스크 블랭크 상에, 차광부 및 투광부에 대응하는 영역의 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 노출된 차광막을 에칭함으로써, 반투광부에 대응하는 영역의 투명 기판을 노출시킨다. 다음으로, 레지스트 패턴을 제거한 후, 기판의 전체면에 반투광막을 성막하고, 차광부 및 반투광부에 대응하는 영역에 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 노출된 반투광막(및 반투광막 및 차광막)을 에칭함으로써, 투광부 및 차광부, 및 반투광부를 형성할 수도 있다.
형성된 전사 패턴에 생긴 결함을 수정하는 수정 공정에서는, 반투광막의 결락부, 또는, 반투광막 또는 차광막을 제거한 제거부에, 수정막을 형성하여 수정부로 이룬다. 수정막의 형성에는, 레이저 CVD를 바람직하게 적용할 수 있다. 예를 들면, MoSi계의 수정막을 형성하는 경우, Mo 원료와 Si 원료를 도입한 혼합 가스 분위기 속에, 레이저 빔을 조사하여, MoSi 성분막을 형성할 수 있다.
Mo 원료로서는, 크롬헥사몰리브덴 Mo(CO)6, 육염화 몰리브덴 MoCl6 등을 이용할 수 있다. 또한, Si 원료로서는, 모노실란 SiH4, 사염화 규소 SiCl4, 테트라메틸실란 Si(CH3)4, 헥사메틸디실란 Si(CH3)3NSi(CH3)3 등을 사용할 수 있다.
반투광막(정상부)에 MoSi계(MoSix, MoSiN, MoSiON, MoSiC 등)의 막을 이용하고, 수정막에는, 레이저 CVD법에 의해 성막한 MoSi계(MoSix, MoSiC, MoSiOC, MoSiCl 등)의 막을 이용하는 것이 가장 바람직하다. 이 경우, 투광부와 수정부, 수정부와 정상부, 정상부와 투광부의, i선 내지 g선의 파장광에 대한 위상차를 모두 70도 이하로 할 수 있고, 막 두께와 조성의 선택을 행함으로써 더욱 작게(예를 들면 50도 이하, 보다 바람직하게는 30도 이하) 할 수 있다.
성막 시에는, 미리 특정한 Si 원료와 Mo 원료를 선택하고, 성막하였을 때의 레이저의 도즈량(막 두께와의 사이에 상관을 가짐)과 투과율의 관계를 미리 파악하고, 그 데이터에 기초하여 성막을 행하는 것이 바람직하다.
그런데, 전술한 바와 같이, 다계조 포토마스크를 이용하여 피전사체에 패턴을 전사할 때에 이용되는 노광기는, 예를 들면 액정 표시 장치 제조용의 것인 경우, i선 내지 g선(365～436㎚) 정도의 파장 영역을 이용하는 것이 일반적이다. 또한 노광기의 분광 특성은, 대부분의 경우, 개개의 장치에서 반드시 일정한 것은 아니고, 예를 들면 i선 내지 g선에 걸치는 파장 영역의 노광광을 갖고 있어도, i선의 강도가 가장 큰 노광기, g선의 강도가 가장 큰 노광기 등이 존재한다. 따라서, 미리 예를 들면 i선에서의 투과율이 반투광막의 정상부와 수정부에서 동등하게 되도록 설정한 포토마스크이어도, 정상부와 수정부에서 투과율 파장 의존성이 서로 다른 막 재료를 사용한 것이면, g선이나 h선의 강도가 큰 노광기에 적용하면, 그 마스크의 정상부와 수정부는 반드시 동등한 투과율을 나타내는 것은 아니다. 이 때문에, 그 마스크에 의해 피전사체 상에 형성되는 전사 패턴은, 정상부와 수정부의 레지스트 잔막값이 서로 다른 것으로 되어, 이 레지스트 패턴을 이용하여 에칭할 때의 조건 설정이 곤란하게 된다.
여기서, 수정부와 정상부라고 하는 2개의 반투광부의 투과율 파장 의존성이 실질적으로 동등하다고 함은, 각각의 반투광부에 이용되는 막 구성에서, i선 내지 g선의 범위에서의, 투과율 파장 의존성의 변화 커브가 거의 평행한 것을 말한다. 예를 들면, i선 내지 g선의 범위에서의 투과율 변화를 직선으로 근사하였을 때, 이 직선의 기울기가 거의 동등한 것을 포함한다. 여기서, 직선의 기울기가 대략 동등하다고 함은, 상호의 기울기의 차이가, 5％/100㎚ 이내이며, 더욱 바람직하게는 2％/100㎚ 이내이다. 1％/100㎚이면 보다 바람직하다.
또한, 본 발명자의 검토에 따르면, 레이저 CVD법에 의해 형성된 수정막 중, Cr의 막에 의하면, 도 5에 도시한 바와 같이, i선 내지 g선의 파장 영역에서의 투과율 변화가 비교적 크다. 한편, 스퍼터 성막에 의한 MoSi 반투광막의 상이한 막 두께에서의 투과율 파장 의존성을 도 6에 도시한다. 만약, 이 MoSi 반투광막에 생긴 결함 부분에, Cr의 수정막을 레이저 CVD법에 의해 형성하면, 노광기의 분광 특성의 차이에 의한 투과율의 변동을 간과할 수 없다.
또한, FIB에 의해 형성된 카본막의 상이한 막 두께에서의 투과율의 i선 내지 g선 파장 의존성을 도 7에 도시한다. FIB에 의한 카본막은, i선 내지 g선에서의 파장 의존성이 MoSi막과 유사하고, i선 내지 g선에서의 투과율차가 6％ 이하, 또는 기울기가 8.5％ 이하이다. 그러나, 전술한 바와 같이(도 4), FIB에 의한 카본막은, MoSi막의 정상부와는 위상차가 상당히 다르기 때문에, 예를 들면 투과율 30％ 이하의 반투광부에는 적용하기 어렵다.
한편, 수정막에 MoSi계의 재료를 이용하고, 레이저 CVD법에 의해 성막하면, 반투광부(정상부)에 이용한 MoSi막과의 i선 내지 g선에서의 위상차를 70도 이하로 하고, 또한, i선 내지 g선에서의 투과율차도 6％ 이하로 할 수 있고, 또한, 투과율 파장 의존성에서도 실질상 동등한 값으로 할 수 있으므로, 양자는 실질적으로 근사한 광학 특성으로 된다. 이 때문에, 수정부는, 정상부와 거의 동등한 실효적인 하프톤 특성을 가질 수 있어, 다계조 포토마스크로서 유리하다.
또한, 전술한 다계조 포토마스크의 제조 방법에서, 상기 정상부와 상기 수정부의, i선 내지 g선의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차에 대해서도 80도 이하, 보다 바람직하게는 70도 이하로 하는 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는, 상기 정상부와 상기 투광부, 상기 정상부와 상기 수정부, 상기 투광부와 상기 수정부의, i선 내지 g선의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차를 모두 80도 이하, 보다 바람직하게는 70도 이하로 하는 것이다.
10 : 다계조 포토마스크
11 : 차광부
12 : 투광부
13 : 반투광부
14 : 투명 기판
15 : 차광막
16 : 반투광막
20 : 피전사체
21 : 기판
23 : 레지스트 패턴
30 : 수정막

Claims (16)

  1. 투명 기판 상에 형성된 적어도 반투광막과 차광막이 각각 패턴 가공됨으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부가 형성된 전사 패턴을 갖고, 그 전사 패턴에 의해 투과하는 노광 광량을 제어함으로써, 피전사체 상의 레지스트막에, 2개 이상의 서로 다른 레지스트 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 다계조 포토마스크로서,
    상기 차광부는, 상기 투명 기판 상에 적어도 상기 차광막이 형성되어 이루어지고,
    상기 투광부는, 상기 투명 기판이 노출되어 형성되고,
    상기 반투광부는, 상기 투명 기판 상에 형성된 반투광막에 의해 이루어지는 정상부(正常部)와, 상기 전사 패턴에 생긴 결함 부분에 형성된 수정막에 의해 이루어지는 수정부(修正部)를 갖고,
    상기 수정막은, 상기 투광부와 상기 수정부의, i선(파장 365㎚) 내지 g선(파장 436㎚)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차가, 80도 이하가 되고,
    상기 정상부와 상기 수정부의, i선(파장365nm) 내지 g선(파장436nm)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차가 80도 이하로 되도록 하는, 레이저 CVD법에 의해 형성된 수정막이며,
    또한, 상기 정상부와 상기 투광부의, i선(파장365nm) 내지 g선(파장436nm)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차가 80도 이하로 되는 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반투광부의 ｉ선(파장365nm) 내지 g선(파장436nm)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 투과율이 30% 이하인 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크.
  3. 투명 기판 상에 형성된 적어도 반투광막과 차광막이 각각 패턴 가공됨으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부가 형성된 전사 패턴을 갖고, 그 전사 패턴에 의해 투과하는 노광 광량을 제어함으로써, 피전사체 상의 레지스트막에, 2개 이상의 서로 다른 레지스트 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 다계조 포토마스크로서,
    상기 차광부는, 상기 투명 기판 상에 적어도 상기 차광막이 형성되어 이루어지고,
    상기 투광부는, 상기 투명 기판이 노출되어 형성되고,
    상기 반투광부는, 상기 투명 기판 상에 형성된 반투광막에 의해 이루어지는 정상부와, 상기 전사 패턴에 생긴 결함 부분에 형성된 수정막에 의해 이루어지는 수정부를 갖고,
    상기 수정막은 레이저 CVD법에 의해 형성된 수정막이며,
    상기 정상부와 상기 투광부, 상기 정상부와 상기 수정부, 상기 투광부와 상기 수정부의, i선(파장 365㎚) 내지 g선(파장 436㎚)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차가, 모두 30도 이하인 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정상부와 상기 수정부의 투과율 파장 의존성이, i선～g선의 파장 범위에서의 투과율 파장 의존성 변화 커브(curve)의 기울기의 차가, 100㎚ 부근에서 5% 이내인 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반투광막은, 몰리브덴 실리사이드 화합물을 함유하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수정막은, 몰리브덴과 규소를 함유하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차광부는, 상기 투명 기판 상에 적어도 상기 반투광막과 상기 차광막이, 이 순서대로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다계조 포토마스크는 박막 트랜지스터 제조용의 포토마스크이며, 상기 차광부는, 상기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인에 대응하는 부분을 포함하고, 상기 반투광부는, 상기 박막 트랜지스터의 채널에 대응하는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 다계조 포토마스크를 이용하여, 노광기에 의해 상기 전사 패턴을 피전사체 상에 전사하는 것을 특징으로 하는 패턴 전사 방법.
  10. 투명 기판 상에 형성된 적어도 반투광막과 차광막이 각각 패턴 가공됨으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부가 형성된 전사 패턴을 갖고, 그 전사 패턴에 의해 투과하는 노광 광량을 제어함으로써, 피전사체 상의 레지스트막에, 2개 이상의 서로 다른 레지스트 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 다계조 포토마스크의 제조 방법으로서,
    상기 투명 기판 상에 적어도 반투광막과 차광막이 형성된 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,
    포토리소그래피법에 의해, 상기 반투광막과 상기 차광막을 각각 패턴 가공함으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부를 갖는 전사 패턴을 형성하는 패터닝 공정과,
    형성된 상기 전사 패턴에 생긴 결함을 수정하는 수정 공정을 갖고,
    상기 수정 공정에서는, 상기 반투광막의 결락부, 또는, 상기 반투광막 또는 상기 차광막을 제거한 제거부에, 레이저 CVD법에 의해 수정막을 형성하여 수정부로 함으로써,
    상기 투광부와 상기 수정부의, i선(파장 365㎚) 내지 g선(파장 436㎚)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차를, 80도 이하로 하고, 또한
    상기 반투광막이 형성된 정상부와 상기 수정부의, i선(파장365nm) 내지 g선(파장436nm)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차를 80도 이하로 함과 함께,
    상기 정상부와 상기 투광부의 ｉ선(파장365nm) 내지 g선(파장436nm)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차가 80도 이하인 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크의 제조 방법.
  11. 투명 기판 상에 형성된 적어도 반투광막과 차광막이 각각 패턴 가공됨으로써, 차광부, 투광부, 및 반투광부가 형성된 전사 패턴을 갖고, 그 전사 패턴에 의해 투과하는 노광 광량을 제어함으로써, 피전사체 상의 레지스트막에, 2개 이상의 서로 다른 레지스트 잔막값을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 다계조 포토마스크의 제조 방법으로서,
    상기 투명 기판 상에 적어도 반투광막과 차광막이 형성된 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,
    포토리소그래피법에 의해, 상기 반투광막과 상기 차광막을 각각 패턴 가공하는 것에 의해, 차광부, 투광부, 및 반투광부를 갖는 전사 패턴을 형성하는 패터닝 공정과,
    형성된 상기 전사 패턴에 생긴 결함을 수정하는 수정 공정을 갖고,
    상기 수정 공정에서는, 상기 반투광막의 결락부, 또는, 상기 반투광막 또는 상기 차광막을 제거한 제거부에, 레이저 CVD법에 의해 수정막을 형성하여 수정부로 함으로써,
    상기 반투광막이 형성된 정상부와 상기 투광부, 상기 정상부와 상기 수정부, 상기 투광부와 상기 수정부의, i선(파장 365㎚) 내지 g선(파장 436㎚)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 위상차를, 모두 30도 이하로 하는 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크의 제조 방법.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    상기 정상부와 상기 수정부의 투과율 파장 의존성이, i선～g선의 파장 범위에서의 투과율 파장 의존성 변화 커브(curve)의 기울기의 차가 100㎚ 부근에서 5％ 이내인 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크의 제조 방법.
  13. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    상기 반투광막의 재질로서, 몰리브덴 실리사이드 화합물을 함유하는 재료를 이용하는 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 수정막은, 몰리브덴을 함유하는 원료와 규소를 함유하는 원료를 각각 이용한 레이저 CVD법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크의 제조 방법.
  15. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    상기 반투광부의 ｉ선(파장365nm) 내지 g선(파장436nm)의 파장 영역에 걸치는 파장광에 대한 투과율이 30% 이하인 것을 특징으로 하는 다계조 포토마스크의 제조 방법.
  16. 삭제
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6266322B2 (ja) * 2013-11-22 2018-01-24 Hoya株式会社 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法
JP6235643B2 (ja) * 2016-03-25 2017-11-22 Hoya株式会社 パターン修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び修正膜形成装置
JP6557638B2 (ja) * 2016-07-06 2019-08-07 株式会社エスケーエレクトロニクス ハーフトーンマスクおよびハーフトーンマスクブランクス
JP6960741B2 (ja) * 2017-02-02 2021-11-05 株式会社エスケーエレクトロニクス 位相シフトマスクの欠陥修正方法
TWI659262B (zh) 2017-08-07 2019-05-11 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩之修正方法、光罩之製造方法、光罩及顯示裝置之製造方法
KR102254646B1 (ko) * 2018-07-30 2021-05-21 호야 가부시키가이샤 포토마스크 수정 방법, 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 및 표시 장치용 디바이스의 제조 방법
JP6741893B1 (ja) * 2020-03-04 2020-08-19 株式会社エスケーエレクトロニクス ハーフトーンマスクの欠陥修正方法、ハーフトーンマスクの製造方法及びハーフトーンマスク
JP7214815B2 (ja) * 2020-04-28 2023-01-30 株式会社エスケーエレクトロニクス フォトマスク及びその製造方法
JP7449187B2 (ja) 2020-07-20 2024-03-13 Hoya株式会社 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および、表示装置の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007249198A (ja) 2006-02-20 2007-09-27 Hoya Corp ４階調フォトマスクの製造方法、及びフォトマスクブランク
KR20090004687A (ko) * 2007-07-03 2009-01-12 호야 가부시키가이샤 그레이톤 마스크의 결함 수정 방법, 그레이톤 마스크의제조 방법 및 그레이톤 마스크와 패턴 전사 방법
KR20090006809A (ko) * 2007-07-12 2009-01-15 호야 가부시키가이샤 그레이톤 마스크의 결함 수정 방법, 그레이톤 마스크의제조 방법 및 그레이톤 마스크와 패턴 전사 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3630935B2 (ja) * 1997-08-18 2005-03-23 Ｈｏｙａ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法
JP2000181048A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Sharp Corp フォトマスクおよびその製造方法、並びにそれを用いた露光方法
JP4297693B2 (ja) * 2003-01-31 2009-07-15 株式会社ルネサステクノロジ フォトマスク、フォトマスクの製造方法、およびフォトマスクの製造装置
JP4294359B2 (ja) * 2003-04-08 2009-07-08 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスクの欠陥修正方法
JP4446395B2 (ja) * 2006-02-02 2010-04-07 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスクの欠陥修正方法、及びグレートーンマスク
JP2007292822A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Dainippon Printing Co Ltd 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法
JP4848932B2 (ja) * 2006-11-13 2011-12-28 大日本印刷株式会社 プロキシミティ露光用階調マスク
JP5036328B2 (ja) * 2007-01-24 2012-09-26 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスク及びパターン転写方法
JP5036349B2 (ja) * 2007-02-28 2012-09-26 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスクの欠陥修正方法及びグレートーンマスクの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007249198A (ja) 2006-02-20 2007-09-27 Hoya Corp ４階調フォトマスクの製造方法、及びフォトマスクブランク
KR20090004687A (ko) * 2007-07-03 2009-01-12 호야 가부시키가이샤 그레이톤 마스크의 결함 수정 방법, 그레이톤 마스크의제조 방법 및 그레이톤 마스크와 패턴 전사 방법
KR20090006809A (ko) * 2007-07-12 2009-01-15 호야 가부시키가이샤 그레이톤 마스크의 결함 수정 방법, 그레이톤 마스크의제조 방법 및 그레이톤 마스크와 패턴 전사 방법

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