JP6960741B2 - 位相シフトマスクの欠陥修正方法 - Google Patents

Description

本発明は、主にフラットパネルディスプレイ装置の製造に用られる位相シフトマスクに生じた欠陥を修正する方法、欠陥の修正がなされたフォトマスクに関する。

位相シフトマスク（ＰＳＭ）は、位相シフト効果により解像度を向上させたフォトマスクである。位相シフトマスクに用いられる位相シフト膜は、通常、透過率が１〜１０［％］程度でかつ位相を反転（ないしシフト）させる効果を持つ半透過膜である。

一般に、透明なガラス基板上に遮光膜のパターンのみが形成されたいわゆるバイナリマスクの場合、レーザーザッピングにより欠陥を含む領域を局所的に整形除去（トリミング）したり、光ＣＶＤ法などにより遮光膜が整形除去された箇所やパターンの欠損部（以下、パターンの欠損部を白欠陥と呼ぶ場合がある）に局所的に遮光膜を堆積したりする技術が確立されており、比較的高い位置精度で欠陥の大きさや種類に応じた修正が可能であった。

特許文献１には、遮光パターン、位相シフターパターンを有する位相シフトフォトマスクの欠陥修正法において、遮光層及び位相シフト層を所定の位置にパターニング形成した後、位相シフターパターンの欠落部分にレーザー光を用いた光ＣＶＤ法によって選択的にＳｉＯ_２ 膜を堆積させることを特徴とする位相シフトフォトマスクの欠陥修正法が開示されている。特許文献２には、グレートーンマスクの欠陥修正方法が開示されている。

特開２００９−０２０３１２ 特開２００８−２１６３４６ 特開２０１４−０７４８２７

しかし、フラットパネルディスプレイ装置に適用される位相シフトマスクは、透過率と位相シフト量という２つのパラメーターを膜厚で制御するという点において特殊な膜であり、本来的に代替の利かない膜である。本願発明者らの実験では、図１０（Ａ）のフォトマスクの光学反射像に示すような２．０μｍ幅のラインパターンの断線欠陥（２．０μｍ×４．０μｍ）を修正するために、光ＣＶＤ法により同一サイズの遮光膜を堆積させたところ、図１０（Ｂ）に示すような露光後のＳＥＭ像に示すように、修正した部分での線幅が局所的に細くなり、正常な修正ができなかった。遮光膜を位相シフト膜に代えた別の実験では、さらに線幅が細くなった。これは位相シフト膜の修正が極めて困難であることを示している。

すなわち、レーザーザッピングにより正確に欠陥箇所を整形除去できたとしても、その場所に、位相差と透過率が周囲の膜と全く同一の光学特性を持つ位相シフト膜を、正確な位置精度で堆積することは極めて困難であった。

この理由は、主に位相シフト膜と欠陥修正膜の堆積方法の違いに起因するものである。すなわち、位相差は膜厚で制御されるものであるが、位相シフト膜と欠陥修正膜とでは堆積方法が異なり、厳密には組成も異なるため膜厚を同一にしても位相差は必ずしも同一にならないからである。

そして、光学特性の異なる膜をパターンの欠損部に堆積させた場合、周囲の位相シフト膜と欠陥部分に形成した堆積膜との間で光の干渉効果の違いが生じ、転写露光で形成されたパターンにパターン形成不良が生じやすかった。

上記課題を鑑み、本発明は、欠陥の大きさと種別に応じて最適な欠陥修正方法を提供することを主たる目的とする。

本発明にかかる第１の位相シフトマスクの欠陥修正方法は、透明基板上に位相シフト膜で形成された欠損部を含むパターンを具備するフォトマスク基板に対して、欠損部の位置及びサイズを測定するステップＳ１と、前記位相シフト膜上の前記欠損部のサイズが１．０μｍ×１．０μｍ以上であるか否かを判定するステップＳ２と、前記判定結果がＮＯである場合、前記欠損部の上に前記欠損部を埋める遮光膜を堆積させるステップＰ１とを含むことを特徴とする。

本発明にかかる第２の位相シフトマスクの欠陥修正方法は、透明基板上に位相シフト膜で形成された欠損部を含むパターンを具備するフォトマスク基板に対して、欠損部の位置及びサイズを測定するステップＳ１と、前記位相シフト膜上の前記欠損部のサイズが１．０μｍ×１．０μｍ以上であるか否かを判定するステップＳ２と、前記ステップＳ２の判定結果がＹＥＳである場合、更に、断線しているか否かを判定するステップＳ３と、前記ステップＳ３の判定結果がＮＯ（すなわち非断線）である場合、
前記欠損部に隣接する位相シフト膜のパターンエッジ部とオーバーラップさせながら矩形状に遮光膜を堆積させるステップＰ２−１と、
前記欠損部における非断線側のパターンエッジ部を残置させつつ他方の欠損部のみを含むように、前記欠損部の周囲の遮光膜を矩形状に整形除去するステップＰ２−２と、を含み、
前記ステップＰ２−２においてオーバーラップさせる第１のオーバーラップ幅Ｏ（Ｏ１、Ｏ２）の大きさを１．０μｍ以下とすることを特徴とする。

本発明に係る第３の位相シフトマスクの欠陥修正方法は、透明基板上に位相シフト膜で形成された欠損部を含むパターンを具備するフォトマスク基板に対して、欠損部の位置及びサイズを測定するステップＳ１と、前記位相シフト膜上の欠陥サイズが１．０μｍ×１．０μｍ以上であるか否かを判定するステップＳ２と、前記ステップＳ２の判定結果がＹＥＳである場合、更に、断線しているか否かを判定するステップＳ３と、前記ステップＳ３の判定結果がＹＥＳ（すなわち断線）である場合、
前記欠損部を含み、前記欠損部に隣接する単層位相シフト膜のエッジ部とオーバーラップさせながら前記欠損部を全て覆う領域Ｔに遮光膜を堆積させるステップＰ３−１と、
前記パターンの幅が修正前のパターンの幅よりも０．１μｍ±０．１μｍの誤差Δｔで前記遮光膜を整形除去するステップＰ３−２と、
を含み、
前記ステップＰ３−１においてオーバーラップさせる第２のオーバーラップ幅Ｏ（Ｏ３、Ｏ４）の大きさを１．０μｍ以下とすることを特徴とする。

上述の第１〜第３の位相シフトマスクは、主に透明基板上に直接位相シフト膜のパターンが形成されているフォトマスクを前提としたが、透明基板上に遮光膜のパターンが形成され、その遮光膜のパターン上の、特にパターンエッジ部などに位相シフト膜が堆積されている「エッジ強調型位相シフトマスク」（特許文献３）に対しても本発明の欠陥修正方法は適用可能である。

本発明によれば、欠陥修正が本来的に困難とされる位相シフトマスクに対しても欠陥修正が可能となる。

第１の実施形態による位相シフトマスクの欠陥修正方法の手順を示すフロー図。 第１の実施形態によるピンホール欠陥が形成された様子を示す位相シフトマスクの平面図及び断面図 第１の実施形態によるピンホール欠陥の修正が完了した様子を示す位相シフトマスクの平面図及び断面図 第１の実施形態による非断線欠陥が形成された様子を示す位相シフトマスクの平面図及び拡大平面図 第１の実施形態による非断線欠陥の修正が完了した様子を示す位相シフトマスクの平面図及び拡大平面図 第１の実施形態による断線欠陥が形成された様子を示す位相シフトマスクの平面図及び拡大平面図 第１の実施形態による断線欠陥の修正が完了した様子を示す位相シフトマスクの拡大平面図 第１の実施形態による欠陥の修正が完了した様子を示す位相シフトマスクの光学反射像及び露光後のパターン（ピンホール欠陥：Ａ，Ｂ、非断線欠陥Ｃ，Ｄ） 第１の実施形態による断線欠陥の修正が完了した様子を示す位相シフトマスクの光学反射像（オーバーラップ不十分の場合：Ａ、オーバーラップ過多の場合：Ｂ） 従来方法により断線欠陥を修正した場合の位相シフトマスクの光学反射像及び露光後のパターン

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は、いずれも本発明の要旨の認定において限定的な解釈を与えるものではない。また、同一又は同種の部材については同じ参照符号を付して、説明を省略することがある。

（第１の実施形態）−本発明の基本的な考え方（単層ＰＳＭの修正）−
図１は、本発明の第１の実施形態の位相シフトマスクの欠陥修正の手順を示すフロー図である。本発明における欠陥修正は、特に明示しない場合は、白欠陥の修正を指す。ただし、説明を簡単にするため、位相シフトマスクは、透明基板上に単層の位相シフト膜のパターンが形成されたものを想定して説明し、多層構造の複雑な位相シフト膜については第２の実施形態で説明する。

１．ピンホール欠陥の修正について（第１の修正方法）
ピンホール欠陥を修正する場合、先ず、対象とするフォトマスク基板を検査機にかけ、欠損部の位置及びサイズを測定する（ステップＳ１）。次に、前記位相シフト膜上の前記欠損部のサイズが１．０μｍ×１．０μｍ以上であるか否かを判定する（ステップＳ２）。その判定結果がＮＯ（すなわち欠損部のサイズが所定値以下である場合、処理１（Ｐ１）として、欠損部の上に、光ＣＶＤ法などの、位置を特定して成膜可能な手段により、前記欠損部を埋めるようにほぼ同サイズの遮光膜を堆積させる。

ここでステップＳ２の判定結果がＮＯとなるのは、位相シフト膜で形成されたパターン上に形成された欠損部が、いわゆるピンホール欠陥と呼ばれる微小な白欠陥である場合であることを意味する。この場合、本来的に露光への影響は軽微であるため、欠陥を含む周囲をレーザーザッピング処理により整形除去（トリミング）すると却って光学特性に悪影響がでることになる。それゆえ、トリミングは行わず、そのまま欠損部に遮光膜を堆積するステップＰ１を実行し、その後、必要に応じて成膜残渣の除去のみを行う。その結果、位相シフト膜で形成されたパターン上に形成された微小な白欠陥が膜厚の大きい遮光膜で覆われることになるが、このサイズであれば干渉効果による影響が殆どなく、位相シフト膜の欠損部を遮光膜で代替して埋め込んでも露光への影響は殆ど生じない。

成膜残渣の除去はピンホール欠陥の修正においては不要である。しかし、後述するように、「エッジにかかる欠陥」においては、周囲のエッジに合わせたトリミングの工程が必要となる。

ここで使用する遮光膜としては、光学濃度３．０以上であればよく、一例として、クロム膜が好適であるがこれに限定されるものではなく、光学濃度の条件を満たすものであれば他の材料でもよい。また、欠損部を含む領域に局所的に成膜する遮光膜を選定する場合、その後のレーザーザッピング処理で蒸散される際、残渣が残りにくい材料を適宜選択することが好ましい。

なお、「露光への影響は殆ど生じない」とは、露光光の波長やターゲットとする線幅の前提の上で議論されるべきものであるが、本発明では、基本的には、ｇ線、ｈ線、ｉ線（波長３６５[ｎｍ]〜４３６[ｎｍ]の紫外光）の混合光或いは単色光からなる露光光を前提として、２μｍ〜３μｍ程度の最小線幅のパターンを形成することを前提としている。この前提において、サイズが１．０μｍ×１．０μｍ以下のピンホール欠陥は解像限界を超えるため、「露光への影響は殆ど生じない」といえる。このことは、後述する第２及び第３の位相シフトマスクの欠陥修正方法を含めて本願発明に共通する前提事項である。

なお、欠損部に成膜残渣（位相シフト膜の膜のこり）が独立した点状の欠陥として確認された場合には、成膜残渣をレーザーザッピング処理などの既知の方法で整形除去することが好ましい。

図２（Ａ）は、合成石英ガラス等の透明基板１１上に位相シフト膜１２のパターンが形成された様子を示す拡大平面図である。位相シフト膜は、透過率が典型的な値としては１〜１０［％］程度でかつ位相を反転ないしシフトさせる効果を持つ半透過膜であり、パターンは典型的なライン・アンド・スペースのパターンを示している。ただし、実際のパターンは、必ずしもこのようなパターンとはならず、また、ライン・アンド・スペースのパターンに限られるものでもない。そして、位相シフト膜１２のパターン上に、１．０μｍ×１．０μｍ以下のピンホール欠陥ｄ１が存在する。

図２（Ｂ）は、図２（Ａ）をＸ−Ｘで切断した断面図である。位相シフト膜１２上に形成された直径Ｌ１のピンホール欠陥ｄ１は、透明基板１１に達していることが分かる。フォトマスクの検査機は光学的な手法により、欠陥の位置及びサイズを測定する。通常、単層の半透過膜を検査する場合は透過照明の結果を優先して判断する。反射照明で欠陥が確認されても透過照明で透過していなければ修正は不要である。そして、透過照明によってサイズが１．０μｍ×１．０μｍ以下のピンホール欠陥であると判断されると光ＣＶＤ法により遮光膜をこの部分にのみ局所的に堆積することで図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すような状態となり、欠陥修正は終了する。

位相シフト膜が形成されるべき箇所の一部に遮光膜が形成されたとしても、その大きさが露光機の解像限界以下の大きさであるから、露光後の影響は殆どなく、むしろ、そのままピンホール欠陥を放置した場合よりも欠陥がより修正される。

図８（Ａ）は、サイズが１．０μｍ×１．０μｍの白欠陥（ピンホール欠陥）を含む単層の位相シフトマスクの光学反射像を示し、図８（Ｂ）は、このマスクに上記の修正方法を適用した後の露光後のパターンを観察したＳＥＭ像を示している。トリミングを行わず、欠陥サイズと同等サイズの修正を遮光膜で行うことで、露光後のパターンはほぼ正常に修正できた。

２．非断線欠陥の修正について（第２の修正方法）
非断線欠陥を修正する場合、上記ステップＳ２の判定結果がＹＥＳ（サイズが１．０μｍ×１．０μｍ以上）である場合であって、さらに、断線しているか否かを判定するステップＳ３が必要となる。ここで、「断線」である「非断線」であるかの区別については、以下のような判定基準を設けることが現実的である。

図４（Ａ）は、ラインパターン上に位相シフト膜の欠損部ｄ２を有するパターンを示している。また、図４（Ｂ）は図４（Ａ）における一点鎖線で囲まれた欠損部ｄ２周辺の拡大図である。この欠損部ｄ２のサイズは１．０μｍ×１．０μｍを超えるが、パターン幅Ｌｏに対して欠損部近傍の最もパターンが細くなる部位におけるパターン幅Ｌｒが１μｍ以上残っているので、断線はしていないと判断する。

ステップＳ３の判定結果がＮＯ（すなわち非断線）である場合、欠損部ｄ２に隣接する位相シフト膜のパターンエッジ部とオーバーラップさせながら遮光膜を領域Ｔの範囲に堆積させる（ステップＰ２−１）。このとき、オーバーラップ幅Ｏ（Ｏ１，Ｏ２）の大きさを１．０μｍ以下とする。

次に、図５に示すように、欠損部における非断線側のパターンエッジ部を残置させつつ他方の欠損部のみを含むように、前記欠損部の周囲の遮光膜を矩形状に整形除去する（ステップＰ２−２）。このステップはトリミングと呼ばれ、図４（Ｂ）では、トリミングを行うべき領域Ｚを破線で図示している。図５（Ｂ）に示すように、残存部Ｒとして残しつつ、白欠陥の欠損部を含むように遮光膜を矩形状に整形除去することで欠陥修正は終了する。なお、当然ながら、トリミングの際に隣接するパターンを除去してしまわないようにすることが必要である。

このように、対象となるパターンが非断線欠陥を含むパターンである場合には、予め、「非断線」と「断線」とを区別するための基準を設けておく。上述の例では、欠損部以外のパターン幅Ｌｒ（パターンの端部から欠損部の端部までの距離）の大きさが１μｍ以下である場合には、たとえ非断線の部分が残っていても「断線」と判断して後述の「断線欠陥の修正」（第３の修正方法）を適用する。ここでのポイントは、パターン上に欠陥サイズが１．０μｍ×１．０μｍを超える欠損部があっても、パターンが少なくとも１μｍ以上のパターン幅は確保しているので、位相シフト膜のパターンの欠損部分を修復するために、透過率０の遮光膜が埋め込まれるという点にある。

ただし、電極パターンなど、厳密にはラインパターンとは言えないため、「断線」か「非断線」かという区別が必ずしも適切でない場合もありうるが、欠損部と残存部の大きさから本修正方法が適用可能である。すなわち、欠陥サイズが１．０μｍ×１．０μｍを超える欠損部があって、パターンが１μｍ以上残置していれば本修正方法が適用できる。

図８（Ｃ）は、サイズが２．０μｍ×２．０μｍの白欠陥（非断線欠陥）を含む単層の位相シフトマスクの光学反射像を示し、図８（Ｂ）は、このマスクに上記の修正方法を適用した後の露光後のパターンを観察したＳＥＭ像を示している。欠損部を覆うように成膜し、欠損部の左側エッジだけをトリミングすることで、線幅は正常部と同等に修正できる。このように、位相シフト膜の非断線の欠陥については欠損部を遮光膜で代替しつつパターン幅が確保されている片側だけをトリミングすることで欠陥の修正が可能となる。修正したフォトマスクで露光したところ、厳密には２０ｎｍ程度の細りが確認されたが影響は軽微で実用上問題とならないレベルであった。

３．断線欠陥の修正について（第３の修正方法）
断線欠陥を修正する場合、上記ステップＳ２の判定結果がＹＥＳ（サイズが１．０μｍ×１．０μｍ以上）である場合であって、さらに、断線しているか否かを判定するステップＳ３が必要となる。ここで、「断線」である「非断線」であるか判定基準は上述のとおりである。

すなわち、物理的に断線している場合はもちろん、完全には断線していない場合でもパターン幅Ｌｏに対して欠損部以外のパターン幅Ｌｒが所定の基準値（例えば、１μｍ）よりも小さい場合には、「断線」と判断する。

図６（Ａ）は、ラインパターン上に位相シフト膜の欠損部ｄ３を有するパターンを示している。また、図６（Ｂ）は図６（Ａ）における一点鎖線で囲まれた欠損部ｄ３周辺の拡大図である。この欠損部ｄ３は１．０μｍ×１．０μｍを超えると共に断線している。すなわち、ステップＳ３の判定結果がＹＥＳ（すなわち断線）である。

このとき、図７（Ａ）に示すように、欠損部ｄ３を含み、欠損部に隣接する位相シフト膜のパターンエッジ部とオーバーラップさせながら前記欠損部を全て覆う領域Ｔに遮光膜を堆積させる（ステップＰ３−１）。遮光膜を堆積させる前にトリミングを行ってもよい。この時、同図に示すように、領域Ｔと欠損部の端部Ｅのオーバーラップの幅Ｏ（Ｏ３、Ｏ４）の大きさが、１．０μｍ以下であるように調整する。

次に、図７（Ｂ）に示すように、残存部Ｒとして残しつつ、遮光膜の両サイドのエッジ部を矩形状に整形除去することで欠陥修正は終了する。この時、パターン幅よりも幅Δｔだけ幅広に残すように除去する。断線欠陥のような広い面積の位相シフト膜の欠損部を遮光膜で置換しているため、このパターン幅の設計値との差Δｔの大きさは露光後の線幅に大きく影響する。

実験から求められた露光後のパターンの細り或いは太りが緩和されるために必要なこのパターン幅の設計値との差Δｔに許容される誤差は、０．１±０．１μｍ、すなわち、本来のパターンサイズとの差が０．０μｍ〜＋０．２μｍが最適であった。

図９（Ａ）は、サイズが２．０μｍ×４．０μｍの白欠陥（断線欠陥）を含む単層の位相シフトマスクの光学反射像を示している。この例では、オーバーラップが不十分であったため、隙間から漏れ光が発生し、パターン細りが発生してしまった。図９（Ｂ）は、サイズが２．０μｍ×４．０μｍの白欠陥（断線欠陥）を含む単層の位相シフトマスクにおいて、オーバーラップ幅Ｏ（Ｏ３、Ｏ４）の大きさを＋０．４μｍとした場合の光学反射像を示している。この場合、局所的な線幅の太りが発生してしまった。

従って、遮光膜成膜時に確実にオーバーラップさせること、遮光膜形成後に確実に線幅を所定の範囲に修正することが重要である。

４．欠陥修正の限界について
位相シフトマスクの欠陥を遮光膜で修正可能な欠陥は、大きさ又は欠陥の部位によって、限界がある。現行のレーザーザッピングの精度は０．１μｍ程度であり、線幅は２〜３μｍ程度を前提としているため、１０μｍ×１０μｍ以上の欠損部がある場合はＮＧと判断し、位相シフトマスクを再度作製する。

（第２の実施形態）−エッジ強調型位相シフトマスクへの応用−
透明基板上に遮光膜のパターンが設けられ、パターンエッジ部など線幅が細りやすい部位に位相シフト膜が堆積された２層構造の位相シフトマスク（本明細書では「エッジ強調型位相シフトマスク」という。）にも、本発明の修正方法は適用可能である。

１層目の遮光膜については、１層目の遮光膜のパターン形成が完了した時点では、通常のバイナリマスクと変わらないため、従来技術を適用して修正が可能である。
２層目の位相シフト膜形成時に生じた白欠陥については、第１の実施形態で説明した欠陥修正方法を適用することができる。

（その他の実施形態）
白欠陥の修正については第１及び第２の実施形態で説明してきたとおりであるが、異物や位相シフト膜の膜厚異常などが原因となって生じる「黒欠陥」の修正については、既知の除去方法、例えば、レーザーザッピングにより該当部位を除去することにより、人為的に「白欠陥」を形成した上で、その白欠陥の大きさや部位に応じて本願発明による白欠陥の修正方法を適用すればよい。白欠陥の大きさや部位の判断基準は本願発明で説明したものがそのまま妥当する。

本発明によれば、従来修正が困難であった位相シフトマスクの欠陥を修正することができるため、産業上の利用可能性は極めて大きい。

１１ 透明基板
１２ 位相シフト膜
ｄ１ ピンホール欠陥（１．０μｍ×１．０μｍ以下の白欠陥）
ｄ２ 非断線欠陥
ｄ３ 断線欠陥
Ｏ（Ｏ１〜Ｏ４） オーバーラップの幅
Δｔ パターン幅の設計値との差

Claims (6)

1. 透明基板上に位相シフト膜で形成された欠損部を含むパターンを具備するフォトマスク基板に対して、欠損部の位置及びサイズを測定するステップＳ１と、前記位相シフト膜上の前記欠損部のサイズが１．０μｍ×１．０μｍ以上であるか否かを判定するステップＳ２と、前記判定結果がＮＯである場合、前記欠損部の上に前記欠損部を埋める遮光膜を堆積させるステップＰ１とを含むことを特徴とする欠陥修正方法。
2. 透明基板上に位相シフト膜で形成された欠損部を含むパターンを具備するフォトマスク基板に対して、欠損部の位置及びサイズを測定するステップＳ１と、前記位相シフト膜上の前記欠損部のサイズが１．０μｍ×１．０μｍ以上であるか否かを判定するステップＳ２と、前記ステップＳ２の判定結果がＹＥＳである場合、更に、断線しているか否かを判定するステップＳ３と、前記ステップＳ３の判定結果がＮＯ（すなわち非断線）である場合、
   前記欠損部に隣接する位相シフト膜のパターンエッジ部とオーバーラップさせながら矩形状に遮光膜を堆積させるステップＰ２−１と、
   前記欠損部における非断線側のパターンエッジ部を残置させつつ他方の欠損部のみを含むように、前記欠損部の周囲の遮光膜を矩形状に整形除去するステップＰ２−２と、を含み、
   前記ステップＰ２−２においてオーバーラップさせる第１のオーバーラップ幅Ｏ（Ｏ１、Ｏ２）の大きさを１．０μｍ以下とすることを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正方法。
3. 透明基板上に位相シフト膜で形成された欠損部を含むパターンを具備するフォトマスク基板に対して、欠損部の位置及びサイズを測定するステップＳ１と、前記位相シフト膜上の欠陥サイズが１．０μｍ×１．０μｍ以上であるか否かを判定するステップＳ２と、前記ステップＳ２の判定結果がＹＥＳである場合、更に、断線しているか否かを判定するステップＳ３と、前記ステップＳ３の判定結果がＹＥＳ（すなわち断線）である場合、
   前記欠損部を含み、前記欠損部に隣接する単層位相シフト膜のエッジ部とオーバーラップさせながら前記欠損部を全て覆う領域Ｔに遮光膜を堆積させるステップＰ３−１と、
   前記パターンの幅が修正前のパターンの幅よりも０．１μｍ±０．１μｍの誤差Δｔで前記遮光膜を整形除去するステップＰ３−２と、
   を含み、
   前記ステップＰ３−１においてオーバーラップさせる第２のオーバーラップ幅Ｏ（Ｏ３、Ｏ４）の大きさを１．０μｍ以下とすることを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正方法。
4. 透明基板上に、遮光膜で形成されたパターンと位相シフト膜で形成された欠損部を含むパターンとを具備する２層構造のフォトマスク基板に対して、欠損部の位置及びサイズを測定するステップＳ１と、前記位相シフト膜上の前記欠損部のサイズが１．０μｍ×１．０μｍ以上であるか否かを判定するステップＳ２と、前記判定結果がＮＯである場合、前記欠損部の上に前記欠損部を埋める欠陥修正膜を堆積させるステップＰ１とを含むことを特徴とする欠陥修正方法。
5. 透明基板上に遮光膜で形成されたパターンと位相シフト膜で形成された欠損部を含むパターンとを具備する２層構造のフォトマスク基板に対して、欠損部の位置及びサイズを測定するステップＳ１と、前記位相シフト膜上の前記欠損部のサイズが１．０μｍ×１．０μｍ以上であるか否かを判定するステップＳ２と、前記ステップＳ２の判定結果がＹＥＳである場合、更に、断線しているか否かを判定するステップＳ３と、前記ステップＳ３の判定結果がＮＯ（すなわち非断線）である場合、
   前記欠損部に隣接する位相シフト膜のパターンエッジ部とオーバーラップさせながら矩形状に遮光膜を堆積させるステップＰ２−１と、
   前記欠損部における非断線側のパターンエッジ部を残置させつつ他方の欠損部のみを含むように、前記欠損部の周囲の遮光膜を矩形状に整形除去するステップＰ２−２と、を含み、
   前記ステップＰ２−２においてオーバーラップさせる第１のオーバーラップ幅Ｏ（Ｏ１、Ｏ２）の大きさを１．０μｍ以下とすることを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正方法。
6. 透明基板上に遮光膜で形成されたパターンと位相シフト膜で形成された欠損部を含むパターンとを具備する２層構造のフォトマスク基板に対して、欠損部の位置及びサイズを測定するステップＳ１と、前記位相シフト膜上の欠陥サイズが１．０μｍ×１．０μｍ以上であるか否かを判定するステップＳ２と、前記ステップＳ２の判定結果がＹＥＳである場合、更に、断線しているか否かを判定するステップＳ３と、前記ステップＳ３の判定結果がＹＥＳ（すなわち断線）である場合、
   前記欠損部の欠損部を含み、前記欠損部に隣接する単層位相シフト膜のエッジ部とオーバーラップさせながら前記欠損部を全て覆う領域Ｔに遮光膜を堆積させるステップＰ３−１と、
   前記パターンの幅が修正前のパターンの幅よりも０．１μｍ±０．１μｍの誤差Δｔで前記遮光膜を整形除去するステップＰ３−２と、
   を含み、
   前記ステップＰ３−１においてオーバーラップさせる第２のオーバーラップ幅Ｏ（Ｏ３、Ｏ４）の大きさを１．０μｍ以下とすることを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正方法。

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