KR102077904B1 - 위상 시프트 마스크의 결함 수정 방법 - Google Patents

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KR102077904B1
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타카시 사이토
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쿠미코 모리야마
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가부시키가이샤 에스케이 일렉트로닉스
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111610693B (zh) * 2019-02-26 2023-08-22 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 一种掩膜板的修复方法
JP7461220B2 (ja) 2020-05-25 2024-04-03 株式会社エスケーエレクトロニクス フォトマスクの修正方法
DE102020208980A1 (de) * 2020-07-17 2022-01-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reparieren eines Defekts einer lithographischen Maske

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05142756A (ja) * 1991-11-18 1993-06-11 Mitsubishi Electric Corp フオトマスクのパターン欠陥修正方法
JP2003121992A (ja) * 2001-10-15 2003-04-23 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスクの白欠陥修正方法
JP2003302747A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Mitsubishi Electric Corp 位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマスク及びパターン転写方法並びにウェハー
JP2008216346A (ja) 2007-02-28 2008-09-18 Hoya Corp グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク
JP2009020313A (ja) 2007-07-12 2009-01-29 Kyocera Mita Corp 画像形成装置および画像形成プログラム
JP2014074827A (ja) 2012-10-05 2014-04-24 Sk-Electronics Co Ltd エッジ強調型位相シフトマスクの製造方法及びエッジ強調型位相シフトマスク

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2862924B2 (ja) * 1989-12-26 1999-03-03 株式会社日立製作所 パターン形成方法及びマスク修正方法
JPH04165353A (ja) * 1990-10-30 1992-06-11 Oki Electric Ind Co Ltd ホトマスク修正方法
JPH05142758A (ja) * 1991-11-26 1993-06-11 Hitachi Ltd フオトマスクの欠陥修正方法
JP3249203B2 (ja) * 1992-11-13 2002-01-21 株式会社日立製作所 ホトマスクの製造方法
US5674647A (en) * 1992-11-21 1997-10-07 Ulvac Coating Corporation Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask
JP3354305B2 (ja) * 1993-09-24 2002-12-09 大日本印刷株式会社 位相シフトマスクおよび位相シフトマスクの欠陥修正方法
JP3312708B2 (ja) * 1994-09-16 2002-08-12 株式会社東芝 位相シフトマスクの欠陥修正方法
JPH0980741A (ja) * 1995-09-08 1997-03-28 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン位相シフトマスクの欠陥修正方法およびハーフトーン位相シフトマスク
JP3630929B2 (ja) * 1997-07-18 2005-03-23 Ｈｏｙａ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
JP3968209B2 (ja) * 2000-06-29 2007-08-29 株式会社東芝 フォトマスク欠陥転写特性評価方法、フォトマスク欠陥修正方法及び半導体装置の製造方法
KR20040022882A (ko) * 2002-09-10 2004-03-18 주식회사 하이닉스반도체 위상 반전 마스크의 리페어 방법
KR20060058467A (ko) * 2004-11-25 2006-05-30 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 결함 수정방법
JP5057866B2 (ja) * 2007-07-03 2012-10-24 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法
US8257887B2 (en) * 2007-08-10 2012-09-04 Sii Nanotechnology Inc. Photomask defect correcting method and device
JP5376791B2 (ja) * 2007-10-18 2013-12-25 株式会社エスケーエレクトロニクス 多階調フォトマスクの欠陥修正方法及び欠陥が修正された多階調フォトマスク
TWI440964B (zh) * 2009-01-27 2014-06-11 Hoya Corp 多調式光罩、多調式光罩之製造方法及圖案轉印方法
JP2012073553A (ja) * 2010-09-30 2012-04-12 Hoya Corp フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法、及びフォトマスク、並びにパターン転写方法
CN103777463A (zh) * 2012-10-25 2014-05-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种掩膜版修复方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05142756A (ja) * 1991-11-18 1993-06-11 Mitsubishi Electric Corp フオトマスクのパターン欠陥修正方法
JP2003121992A (ja) * 2001-10-15 2003-04-23 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスクの白欠陥修正方法
JP2003302747A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Mitsubishi Electric Corp 位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマスク及びパターン転写方法並びにウェハー
JP2008216346A (ja) 2007-02-28 2008-09-18 Hoya Corp グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク
JP2009020313A (ja) 2007-07-12 2009-01-29 Kyocera Mita Corp 画像形成装置および画像形成プログラム
JP2014074827A (ja) 2012-10-05 2014-04-24 Sk-Electronics Co Ltd エッジ強調型位相シフトマスクの製造方法及びエッジ強調型位相シフトマスク

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Publication number Publication date
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