JP2002107913A - グレートーンマスクにおけるグレートーン部の欠陥修正方法 - Google Patents
グレートーンマスクにおけるグレートーン部の欠陥修正方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の修正方法では実際上修正困難であるグ
レートーン部における欠陥を容易に修正するための修正
方法を提供する。 【解決手段】 例えば、白欠陥を含む領域に修正膜８を
形成した後、正常パターンと同等のグレートーン効果を
奏する形状及び／又は配列にて前記修正膜８を部分的に
除去して、正常パターン３ａ、３ｂとは幅や位置が異な
る修正パターン３ａ’、３ｂ’を形成する。
レートーン部における欠陥を容易に修正するための修正
方法を提供する。 【解決手段】 例えば、白欠陥を含む領域に修正膜８を
形成した後、正常パターンと同等のグレートーン効果を
奏する形状及び／又は配列にて前記修正膜８を部分的に
除去して、正常パターン３ａ、３ｂとは幅や位置が異な
る修正パターン３ａ’、３ｂ’を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、グレートーンマス
クにおけるグレートーン部の欠陥修正方法等に関する。
クにおけるグレートーン部の欠陥修正方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大型ＬＣＤ用マスクの分野におい
て、グレートーンマスクを用いてマスク枚数を削減する
試みがなされている（月刊ＦＰＤ Intelligence，1999
年5月）。ここで、グレートーンマスクは、図８（１）
に示すように、遮光部１と、透過部２と、グレートーン
部３とを有する。グレートーン部３は、グレートーンマ
スクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界以下の遮
光パターン３ａを形成した領域であって、この領域を透
過する光の透過量を低減しこの領域による照射量を低減
してフォトレジストの膜厚を選択的に変えることを目的
として形成される。遮光部１と遮光パターン３ａはとも
にＣｒやクロム化合物等の同じ材料からなる同じ厚さの
膜から通常形成されている。グレートーンマスクを使用
する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界は、ステッパ方式の
露光機で約３μｍ、ミラープロジェクション方式の露光
機で約４μｍである。このため、例えば、図８（１）で
グレートーン部における透過部３ｂのスペース幅を３μ
ｍ未満、露光機の解像限界以下の遮光パターン３ａのラ
イン幅を３μｍ未満とする。上記大型ＬＣＤ用露光機で
露光した場合、グレートーン部３を通過した露光光は全
体として露光量が足りなくなるため、このグレートーン
部３を介して露光したポジ型フォトレジストは膜厚が薄
くなるだけで基板上に残る。つまり、レジストは露光量
の違いによって通常の遮光部１に対応する部分とグレー
トーン部３に対応する部分で現像液に対する溶解性に差
ができるため、現像後のレジスト形状は、図８（２）に
示すように、通常の遮光部１に対応する部分１’が例え
ば約１．３μｍ、グレートーン部３に対応する部分３’
が例えば約０．３μｍ、透過部２に対応する部分はレジ
ストのない部分２’となる。そして、レジストのない部
分２’で被加工基板の第１のエッチングを行い、グレー
トーン部３に対応する薄い部分３’のレジストをアッシ
ング等によって除去しこの部分で第２のエッチングを行
うことによって、１枚のマスクで従来のマスク２枚分の
工程を行い、マスク枚数を削減する。
て、グレートーンマスクを用いてマスク枚数を削減する
試みがなされている（月刊ＦＰＤ Intelligence，1999
年5月）。ここで、グレートーンマスクは、図８（１）
に示すように、遮光部１と、透過部２と、グレートーン
部３とを有する。グレートーン部３は、グレートーンマ
スクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界以下の遮
光パターン３ａを形成した領域であって、この領域を透
過する光の透過量を低減しこの領域による照射量を低減
してフォトレジストの膜厚を選択的に変えることを目的
として形成される。遮光部１と遮光パターン３ａはとも
にＣｒやクロム化合物等の同じ材料からなる同じ厚さの
膜から通常形成されている。グレートーンマスクを使用
する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界は、ステッパ方式の
露光機で約３μｍ、ミラープロジェクション方式の露光
機で約４μｍである。このため、例えば、図８（１）で
グレートーン部における透過部３ｂのスペース幅を３μ
ｍ未満、露光機の解像限界以下の遮光パターン３ａのラ
イン幅を３μｍ未満とする。上記大型ＬＣＤ用露光機で
露光した場合、グレートーン部３を通過した露光光は全
体として露光量が足りなくなるため、このグレートーン
部３を介して露光したポジ型フォトレジストは膜厚が薄
くなるだけで基板上に残る。つまり、レジストは露光量
の違いによって通常の遮光部１に対応する部分とグレー
トーン部３に対応する部分で現像液に対する溶解性に差
ができるため、現像後のレジスト形状は、図８（２）に
示すように、通常の遮光部１に対応する部分１’が例え
ば約１．３μｍ、グレートーン部３に対応する部分３’
が例えば約０．３μｍ、透過部２に対応する部分はレジ
ストのない部分２’となる。そして、レジストのない部
分２’で被加工基板の第１のエッチングを行い、グレー
トーン部３に対応する薄い部分３’のレジストをアッシ
ング等によって除去しこの部分で第２のエッチングを行
うことによって、１枚のマスクで従来のマスク２枚分の
工程を行い、マスク枚数を削減する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したグレートーン
マスクにおけるグレートーン部の欠陥修正は、欠陥部分
を正常パターンと同じ形状すなわち元の形状と同じ形状
に復元することを追求していた。従来の修正方法につい
て具体的に説明する。図１０（１）は、グレートーン部
３における遮光パターン３ａが、欠陥のない正常な微細
ライン＆スペースパターン（ライン幅３μｍ未満、スペ
ース幅３μｍ未満）で構成された状態を示す。図１０
（２）は、グレートーン部３における遮光パターン３ａ
の一部が欠落した状態を示す。図１０（３）は、従来の
修正方法を示す。従来は、正常な遮光パターン３ａと同
一幅で修正を行おうとしても、正常な遮光パターン３ａ
のライン幅が１μｍ前後と微小であるため、レーザＣＶ
Ｄ装置における修正可能な幅（例えば２μｍ）で修正膜
４を形成すると修正部分のライン幅が３μｍ程度に太っ
てしまい、正常パターンと同等のグレートーン効果が得
られないという問題があった。しかもこの場合、修正膜
４を形成する位置の位置合わせ操作は煩雑で膨大な時間
を費やしていた。ここで、ライン幅が太った部分をレー
ザリペア装置で除去することは一見容易に思われるが、
位置合わせがずれた場合は隣接する遮光パターン３ａを
部分的に除去してしまう恐れがあり、しかもこのような
レーザリペア装置における位置合わせ操作や修正するパ
ターン形状に合ったスリット形状に可変する操作は煩雑
で膨大な時間を費やしていた。黒欠陥（ブリッジ（ショ
ート）、突起、スポットなど）の修正の場合も同様で、
正常パターンと同じ形状に復元しようとすると、レーザ
ＣＶＤ装置における位置合わせ操作や、修正する各欠陥
サイズに合わせてスリットを可変する操作は煩雑で膨大
な時間を費やしていた。上述したように、グレートーン
部の修正は、煩雑で膨大な時間を要するため、実際上は
困難であった。
マスクにおけるグレートーン部の欠陥修正は、欠陥部分
を正常パターンと同じ形状すなわち元の形状と同じ形状
に復元することを追求していた。従来の修正方法につい
て具体的に説明する。図１０（１）は、グレートーン部
３における遮光パターン３ａが、欠陥のない正常な微細
ライン＆スペースパターン（ライン幅３μｍ未満、スペ
ース幅３μｍ未満）で構成された状態を示す。図１０
（２）は、グレートーン部３における遮光パターン３ａ
の一部が欠落した状態を示す。図１０（３）は、従来の
修正方法を示す。従来は、正常な遮光パターン３ａと同
一幅で修正を行おうとしても、正常な遮光パターン３ａ
のライン幅が１μｍ前後と微小であるため、レーザＣＶ
Ｄ装置における修正可能な幅（例えば２μｍ）で修正膜
４を形成すると修正部分のライン幅が３μｍ程度に太っ
てしまい、正常パターンと同等のグレートーン効果が得
られないという問題があった。しかもこの場合、修正膜
４を形成する位置の位置合わせ操作は煩雑で膨大な時間
を費やしていた。ここで、ライン幅が太った部分をレー
ザリペア装置で除去することは一見容易に思われるが、
位置合わせがずれた場合は隣接する遮光パターン３ａを
部分的に除去してしまう恐れがあり、しかもこのような
レーザリペア装置における位置合わせ操作や修正するパ
ターン形状に合ったスリット形状に可変する操作は煩雑
で膨大な時間を費やしていた。黒欠陥（ブリッジ（ショ
ート）、突起、スポットなど）の修正の場合も同様で、
正常パターンと同じ形状に復元しようとすると、レーザ
ＣＶＤ装置における位置合わせ操作や、修正する各欠陥
サイズに合わせてスリットを可変する操作は煩雑で膨大
な時間を費やしていた。上述したように、グレートーン
部の修正は、煩雑で膨大な時間を要するため、実際上は
困難であった。
【０００４】本発明は、従来の修正方法では実際上修正
困難であるグレートーン部における欠陥を容易に修正す
るための修正方法の提供を目的とする。
困難であるグレートーン部における欠陥を容易に修正す
るための修正方法の提供を目的とする。
【０００５】
【０００６】本発明は以下の構成を有する。
【０００７】（構成１） 遮光部と、透過部と、グレー
トーンマスクを使用する露光機の解像限界以下の遮光パ
ターンを形成した領域であってこの領域を透過する光の
透過量を低減してフォトレジストの膜厚を選択的に変え
ることを目的とするグレートーン部とを有するグレート
ーンマスクにおけるグレートーン部の欠陥修正方法であ
って、欠陥部分を正常パターンと同じ形状に復元せず
に、正常パターンと同等のグレートーン効果が得られる
ような修正パターンを形成することを特徴とする欠陥修
正方法。
トーンマスクを使用する露光機の解像限界以下の遮光パ
ターンを形成した領域であってこの領域を透過する光の
透過量を低減してフォトレジストの膜厚を選択的に変え
ることを目的とするグレートーン部とを有するグレート
ーンマスクにおけるグレートーン部の欠陥修正方法であ
って、欠陥部分を正常パターンと同じ形状に復元せず
に、正常パターンと同等のグレートーン効果が得られる
ような修正パターンを形成することを特徴とする欠陥修
正方法。
【０００８】（構成２） 正常パターンと同等のグレー
トーン効果を奏する形状及び／又は配列にて黒欠陥を含
む部分の膜を除去して、正常パターンとは異なる修正パ
ターンを形成することを特徴とする構成１に記載の黒欠
陥修正方法。
トーン効果を奏する形状及び／又は配列にて黒欠陥を含
む部分の膜を除去して、正常パターンとは異なる修正パ
ターンを形成することを特徴とする構成１に記載の黒欠
陥修正方法。
【０００９】（構成３） 正常パターンと同等のグレー
トーン効果を奏する形状及び／又は配列にて修正膜を形
成して、正常パターンとは異なる修正パターンを形成す
ることを特徴とする構成１に記載の白欠陥修正方法。
トーン効果を奏する形状及び／又は配列にて修正膜を形
成して、正常パターンとは異なる修正パターンを形成す
ることを特徴とする構成１に記載の白欠陥修正方法。
【００１０】（構成４） 白欠陥を含む領域に修正膜を
形成した後、正常パターンと同等のグレートーン効果を
奏する形状及び／又は配列にて前記修正膜を部分的に除
去して、正常パターンとは異なる修正パターンを形成す
ることを特徴とする構成１に記載の白欠陥修正方法。
形成した後、正常パターンと同等のグレートーン効果を
奏する形状及び／又は配列にて前記修正膜を部分的に除
去して、正常パターンとは異なる修正パターンを形成す
ることを特徴とする構成１に記載の白欠陥修正方法。
【００１１】（構成５） 修正膜を形成するレーザＣＶ
Ｄ装置におけるスリット形状、又は膜を除去するレーザ
リペア装置におけるスリット形状を、グレートーン効果
を奏するスリット形状にあらかじめ固定して、修正を行
うことを特徴とする構成２〜４のいずれかに記載の欠陥
修正方法。
Ｄ装置におけるスリット形状、又は膜を除去するレーザ
リペア装置におけるスリット形状を、グレートーン効果
を奏するスリット形状にあらかじめ固定して、修正を行
うことを特徴とする構成２〜４のいずれかに記載の欠陥
修正方法。
【００１２】（構成６） 少なくとも白欠陥部分に、膜
を透過する光の透過量を制御しうる半透過膜を形成する
ことを特徴とする欠陥修正方法。
を透過する光の透過量を制御しうる半透過膜を形成する
ことを特徴とする欠陥修正方法。
【００１３】（構成７） 少なくとも欠陥周辺のパター
ンを除去した後、上記構成２〜６のいずれかに記載の修
正を行うことを特徴とする欠陥修正方法。
ンを除去した後、上記構成２〜６のいずれかに記載の修
正を行うことを特徴とする欠陥修正方法。
【００１４】（構成８） グレートーンマスクがＬＣＤ
用マスクであることを特徴とする構成１〜７のいずれか
に記載の欠陥修正方法。
用マスクであることを特徴とする構成１〜７のいずれか
に記載の欠陥修正方法。
【００１５】
【作用】構成１によれば、正常パターンと同等のグレー
トーン効果が得られるような修正パターンを形成するこ
とによって、正常パターンと同じ形状に復元しなくて
も、正常パターンと同等のグレートーン効果が得られ
る。正常パターンと同等のグレートーン効果が得られる
ような修正パターンにおいては、修正パターン形状は、
正常パターンと同じ形状に復元する場合に比べそれ程厳
しく要求されない。また、構成１では、正常パターンと
同じ形状に復元しないので、正常パターンと同じ形状に
復元する手間がなく、そのための位置合わせ操作やスリ
ット可変操作などの煩雑さがない。これらのことから、
短時間での修正が可能となる。
トーン効果が得られるような修正パターンを形成するこ
とによって、正常パターンと同じ形状に復元しなくて
も、正常パターンと同等のグレートーン効果が得られ
る。正常パターンと同等のグレートーン効果が得られる
ような修正パターンにおいては、修正パターン形状は、
正常パターンと同じ形状に復元する場合に比べそれ程厳
しく要求されない。また、構成１では、正常パターンと
同じ形状に復元しないので、正常パターンと同じ形状に
復元する手間がなく、そのための位置合わせ操作やスリ
ット可変操作などの煩雑さがない。これらのことから、
短時間での修正が可能となる。
【００１６】構成２によれば、正常パターンと同等のグ
レートーン効果を奏する形状及び／又は配列にて黒欠陥
を含む部分の膜を除去して、正常パターンとは異なる修
正パターンを形成することによって、黒欠陥部分を全て
除去して正常パターンと同じ形状に復元する従来の場合
に必要であった、レーザリペア装置における位置合わせ
操作や、修正する各欠陥サイズに合わせてスリットを可
変する操作などの煩雑で膨大な時間を要する操作が不要
となる。
レートーン効果を奏する形状及び／又は配列にて黒欠陥
を含む部分の膜を除去して、正常パターンとは異なる修
正パターンを形成することによって、黒欠陥部分を全て
除去して正常パターンと同じ形状に復元する従来の場合
に必要であった、レーザリペア装置における位置合わせ
操作や、修正する各欠陥サイズに合わせてスリットを可
変する操作などの煩雑で膨大な時間を要する操作が不要
となる。
【００１７】構成３によれば、正常パターンと同等のグ
レートーン効果を奏する形状及び／又は配列にて修正膜
を形成して、正常パターンとは異なる修正パターンを形
成することによって、白欠陥部分を全て埋めて正常パタ
ーンと同じ形状に復元する従来の場合に必要であった、
レーザＣＶＤ装置における位置合わせ操作や、修正する
各欠陥サイズに合わせてスリットを可変する操作などの
煩雑で膨大な時間を要する操作が不要となる。
レートーン効果を奏する形状及び／又は配列にて修正膜
を形成して、正常パターンとは異なる修正パターンを形
成することによって、白欠陥部分を全て埋めて正常パタ
ーンと同じ形状に復元する従来の場合に必要であった、
レーザＣＶＤ装置における位置合わせ操作や、修正する
各欠陥サイズに合わせてスリットを可変する操作などの
煩雑で膨大な時間を要する操作が不要となる。
【００１８】構成４によれば、白欠陥を含む領域に修正
膜を形成した後、正常パターンと同等のグレートーン効
果を奏する形状及び／又は配列にて前記修正膜を部分的
に除去して、正常パターンとは異なる修正パターンを形
成することによって、構成３比べ、作業が簡単で時間も
かからない。
膜を形成した後、正常パターンと同等のグレートーン効
果を奏する形状及び／又は配列にて前記修正膜を部分的
に除去して、正常パターンとは異なる修正パターンを形
成することによって、構成３比べ、作業が簡単で時間も
かからない。
【００１９】構成５によれば、スリット形状をあらかじ
め固定することによってスリットを可変する操作が不要
になる。
め固定することによってスリットを可変する操作が不要
になる。
【００２０】構成６によれば、透過率を制御した修正膜
を形成するので、露光機の解像限界以下の微細パターン
を形成する必要がない。
を形成するので、露光機の解像限界以下の微細パターン
を形成する必要がない。
【００２１】構成７によれば、例えば、グレートーン部
におけるパターン欠落が生じた遮光パターンの残り部分
を除去することによって、パターン欠落が生じた遮光パ
ターンの残り部分との位置合わせが不要となり、また、
パターンを除去した領域を含めた欠陥領域全体に修正パ
ターンを均一に形成できるので、より均一なグレートー
ン効果が得られる。
におけるパターン欠落が生じた遮光パターンの残り部分
を除去することによって、パターン欠落が生じた遮光パ
ターンの残り部分との位置合わせが不要となり、また、
パターンを除去した領域を含めた欠陥領域全体に修正パ
ターンを均一に形成できるので、より均一なグレートー
ン効果が得られる。
【００２２】構成８によれば、通常の半導体用グレート
ーンマスクでは半透過膜を使用しており露光機の解像限
界以下の微細パターンを形成する例はないが、仮に露光
機の解像限界以下の微細パターンを形成した半導体用グ
レートーンマスクがあったと仮定した場合、マスクのサ
イズが小さいのである程度手間や時間がかかっても従来
の修正方法で対応することが可能であるが、ＬＣＤ用グ
レートーンマスクの場合、サイズが大きくその分欠陥箇
所も多いので従来の修正方法では工程負担が極めて大き
く実際上修正は困難であり、したがって、本発明の修正
方法はＬＣＤ用グレートーンマスクを実用化する上で必
要不可欠である。
ーンマスクでは半透過膜を使用しており露光機の解像限
界以下の微細パターンを形成する例はないが、仮に露光
機の解像限界以下の微細パターンを形成した半導体用グ
レートーンマスクがあったと仮定した場合、マスクのサ
イズが小さいのである程度手間や時間がかかっても従来
の修正方法で対応することが可能であるが、ＬＣＤ用グ
レートーンマスクの場合、サイズが大きくその分欠陥箇
所も多いので従来の修正方法では工程負担が極めて大き
く実際上修正は困難であり、したがって、本発明の修正
方法はＬＣＤ用グレートーンマスクを実用化する上で必
要不可欠である。
【００２３】なお、上記構成において、正常パターンと
同等のグレートーン効果が得られるような修正パターン
は、正常パターンの透過率に対し、±１５％以内である
ことが好ましく、±１０％以内であることがより好まし
い。
同等のグレートーン効果が得られるような修正パターン
は、正常パターンの透過率に対し、±１５％以内である
ことが好ましく、±１０％以内であることがより好まし
い。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明にかかるグレートーンマス
クのグレートーン部の欠陥修正方法としては、以下の４
つの方法等が挙げられる。
クのグレートーン部の欠陥修正方法としては、以下の４
つの方法等が挙げられる。
【００２５】実施の形態１ 黒欠陥のスポット修正 実施の形態１では、グレートーン部における黒欠陥部分
（ブリッジ（ショート）、突起など）を全て除去して正
常パターンと同じ形状に復元するのではなく、正常パタ
ーンと同等のグレートーン効果を奏する形状及び／又は
配列にて黒欠陥を含む部分の膜をレーザリペア装置等に
より部分的に除去して、正常パターンとは異なる修正パ
ターンであって正常パターンと同等のグレートーン効果
が得られるような修正パターンを形成する。例えば、図
１（１）に示すようにグレートーン部３にブリッジ（シ
ョート）５が発生した場合、図１（２）に示すようにレ
ーザショット等で黒欠陥を含む部分の膜をスポット的に
等間隔で部分的に除去して（開口６を形成して）、正常
パターンと同等のグレートーン効果が得られるような修
正パターンを形成する。また、図２（１）に示すように
グレートーン部３に突起７が発生した場合、図２（２）
に示すようにレーザショット等で黒欠陥を含む部分の膜
をスポット的に等間隔で部分的に除去して（開口６を形
成して）、正常パターンと同等のグレートーン効果が得
られるような修正パターンを形成する。これらの場合、
「黒欠陥を含む部分の膜」には遮光パターン３ａや遮光
部１も含まれ、遮光パターン３ａや遮光部１の一部も除
去される。つまり、遮光パターン３ａや遮光部１のエッ
ジにレーザリペア装置におけるスリットを正確に位置合
わせする必要はない。また、スポット的に膜の除去を開
始する位置は厳密に要求されない（アバウトでよい）の
でレーザリペア装置における位置合わせも簡単になる。
実施の形態１では、グレートーン効果を奏するスリット
形状、ステージの送りピッチ（間隔）にあらかじめ固定
して修正を行うことが好ましい。スリット形状をあらか
じめ固定することによってスリットを可変する操作が不
要になる。ステージの送りピッチをあらかじめ固定する
ことによって２つ目以降の位置合わせが不要になる。ス
リット形状及びステージの送りピッチをあらかじめ固定
してマスク上の上記と同種の欠陥の全てを修正すること
がさらに好ましい。なお、本発明では、スリット形状や
ステージの送りピッチを変更して修正を行うこともでき
るが操作は複雑になる。グレートーン部にスポット欠陥
が発生した場合も、上記と同じあらかじめ固定されたス
リット形状で修正することもできる。
（ブリッジ（ショート）、突起など）を全て除去して正
常パターンと同じ形状に復元するのではなく、正常パタ
ーンと同等のグレートーン効果を奏する形状及び／又は
配列にて黒欠陥を含む部分の膜をレーザリペア装置等に
より部分的に除去して、正常パターンとは異なる修正パ
ターンであって正常パターンと同等のグレートーン効果
が得られるような修正パターンを形成する。例えば、図
１（１）に示すようにグレートーン部３にブリッジ（シ
ョート）５が発生した場合、図１（２）に示すようにレ
ーザショット等で黒欠陥を含む部分の膜をスポット的に
等間隔で部分的に除去して（開口６を形成して）、正常
パターンと同等のグレートーン効果が得られるような修
正パターンを形成する。また、図２（１）に示すように
グレートーン部３に突起７が発生した場合、図２（２）
に示すようにレーザショット等で黒欠陥を含む部分の膜
をスポット的に等間隔で部分的に除去して（開口６を形
成して）、正常パターンと同等のグレートーン効果が得
られるような修正パターンを形成する。これらの場合、
「黒欠陥を含む部分の膜」には遮光パターン３ａや遮光
部１も含まれ、遮光パターン３ａや遮光部１の一部も除
去される。つまり、遮光パターン３ａや遮光部１のエッ
ジにレーザリペア装置におけるスリットを正確に位置合
わせする必要はない。また、スポット的に膜の除去を開
始する位置は厳密に要求されない（アバウトでよい）の
でレーザリペア装置における位置合わせも簡単になる。
実施の形態１では、グレートーン効果を奏するスリット
形状、ステージの送りピッチ（間隔）にあらかじめ固定
して修正を行うことが好ましい。スリット形状をあらか
じめ固定することによってスリットを可変する操作が不
要になる。ステージの送りピッチをあらかじめ固定する
ことによって２つ目以降の位置合わせが不要になる。ス
リット形状及びステージの送りピッチをあらかじめ固定
してマスク上の上記と同種の欠陥の全てを修正すること
がさらに好ましい。なお、本発明では、スリット形状や
ステージの送りピッチを変更して修正を行うこともでき
るが操作は複雑になる。グレートーン部にスポット欠陥
が発生した場合も、上記と同じあらかじめ固定されたス
リット形状で修正することもできる。
【００２６】実施の形態２ 白欠陥のスポット修正 実施の形態２では、グレートーン部における白欠陥部分
（断線、パターン欠落など）を全て埋めて（欠陥部分に
同じパターンを形成して）正常パターンと同じ形状に復
元するのではなく、レーザＣＶＤ修正装置等により部分
的にクロム系の薄膜等を形成していき、正常パターンと
は異なる修正パターンであって正常パターンと同等のグ
レートーン効果が得られるような修正パターンを形成す
る。例えば、図３（１）に示すようにグレートーン部３
における遮光パターン３ａに断線が発生した場合、図３
（２）に示すように断線部分にスポット的に修正膜４を
形成して、断線のない正常パターンと同等のグレートー
ン効果が得られるようにする（態様２−１）。この場
合、修正膜４の上下に生じたスペースからの透過量との
釣り合いをとるために、遮光パターン３ａのライン幅よ
りも修正膜４のサイズを若干大きめとするとよい。ま
た、図４（１）に示すようにグレートーン部３における
遮光パターン３ａにパターン欠落が発生した場合、図４
（２）に示すように欠陥部周辺のパターンを必要に応じ
て除去した後、図４（３）に示すようにレーザＣＶＤ装
置等により成膜可能な最小サイズにてスポット的に修正
膜４を配置形成し、正常パターンと同等のグレートーン
効果を奏するような修正膜パターンを形成する（態様２
−２）これらの場合、スポット的に形成する修正膜４の
形状や位置は厳密に要求されない（アバウトでよい）の
で、レーザＣＶＤ装置における位置合わせ操作やスリッ
ト可変操作は簡単になる。実施の形態２では、グレート
ーン効果を奏する成膜サイズ（スリット形状）、成膜間
隔（ステージの送りピッチ）にあらかじめ固定して修正
を行うことが好ましい。スリット形状をあらかじめ固定
することによってスリットを可変する操作が不要にな
る。ステージの送りピッチをあらかじめ固定することに
よって２つ目以降の位置合わせが不要になる。スリット
形状及びステージの送りピッチをあらかじめ固定してマ
スク上の上記と同種の欠陥の全てを修正することがさら
に好ましい。グレートーン部における遮光パターン３ａ
に欠け（凹部）が発生した場合も、上記と同じあらかじ
め固定された成膜サイズで修正することもできる。な
お、通常の遮光部１の凹欠陥９については、従来と同様
の方法で修正可能である。
（断線、パターン欠落など）を全て埋めて（欠陥部分に
同じパターンを形成して）正常パターンと同じ形状に復
元するのではなく、レーザＣＶＤ修正装置等により部分
的にクロム系の薄膜等を形成していき、正常パターンと
は異なる修正パターンであって正常パターンと同等のグ
レートーン効果が得られるような修正パターンを形成す
る。例えば、図３（１）に示すようにグレートーン部３
における遮光パターン３ａに断線が発生した場合、図３
（２）に示すように断線部分にスポット的に修正膜４を
形成して、断線のない正常パターンと同等のグレートー
ン効果が得られるようにする（態様２−１）。この場
合、修正膜４の上下に生じたスペースからの透過量との
釣り合いをとるために、遮光パターン３ａのライン幅よ
りも修正膜４のサイズを若干大きめとするとよい。ま
た、図４（１）に示すようにグレートーン部３における
遮光パターン３ａにパターン欠落が発生した場合、図４
（２）に示すように欠陥部周辺のパターンを必要に応じ
て除去した後、図４（３）に示すようにレーザＣＶＤ装
置等により成膜可能な最小サイズにてスポット的に修正
膜４を配置形成し、正常パターンと同等のグレートーン
効果を奏するような修正膜パターンを形成する（態様２
−２）これらの場合、スポット的に形成する修正膜４の
形状や位置は厳密に要求されない（アバウトでよい）の
で、レーザＣＶＤ装置における位置合わせ操作やスリッ
ト可変操作は簡単になる。実施の形態２では、グレート
ーン効果を奏する成膜サイズ（スリット形状）、成膜間
隔（ステージの送りピッチ）にあらかじめ固定して修正
を行うことが好ましい。スリット形状をあらかじめ固定
することによってスリットを可変する操作が不要にな
る。ステージの送りピッチをあらかじめ固定することに
よって２つ目以降の位置合わせが不要になる。スリット
形状及びステージの送りピッチをあらかじめ固定してマ
スク上の上記と同種の欠陥の全てを修正することがさら
に好ましい。グレートーン部における遮光パターン３ａ
に欠け（凹部）が発生した場合も、上記と同じあらかじ
め固定された成膜サイズで修正することもできる。な
お、通常の遮光部１の凹欠陥９については、従来と同様
の方法で修正可能である。
【００２７】実施の形態３ 実施の形態３では白欠陥修正の他の態様を示す。例え
ば、図５（１）に示すように、グレートーン部３（ライ
ン幅３μｍ未満、スペース幅３μｍ未満）における遮光
パターン３ａにパターン欠落が発生した場合、パターン
欠落が生じた遮光パターン３ａの残りの部分を必要に応
じて除去し（図５（２））、パターン欠落が生じた領域
全体に修正膜８を形成し（図５（３））、この形成した
修正膜８に、レーザリペア装置等によってスリット状に
等間隔でスペース３ｂ’を形成して、正常パターンと同
等のグレートーン効果が得られるような修正パターンを
形成する（図５（４））。この場合、修正エリアによっ
て、ライン＆スペースの本数は任意に変わる。レーザリ
ペア装置におけるスリット幅を最小サイズ（例えば１μ
ｍ）に設定した場合、遮光パターン３ａ’のエッジはギ
ザキザになる。スリット幅を１．２〜１．５μｍに設定
した場合、遮光パターン３ａ’のエッジは直線になる。
レーザリペア装置におけるスリット幅は１．０〜１．５
μｍに設定することが好ましい。なお、正常パターンと
同じ本数に修正した場合、一見正常パターンと同じであ
るように見えるが、遮光パターン３ａ’のライン幅及び
スペース３ｂ’の幅やそれらの位置が異なるので正常パ
ターンと同じではない。本数が多い場合や少ない場合
は、明らかに正常パターンと同じ修正パターンではな
い。実施の形態３では、グレートーン効果を奏するスリ
ット形状（スペース形状）、ステージの送りピッチにあ
らかじめ固定して修正を行うことが好ましい。スリット
形状をあらかじめ固定することによってスリットを可変
する操作が不要になる。ステージの送りピッチをあらか
じめ固定することによって２つ目以降の位置合わせが不
要になる。この方法は最も好ましい修正方法の一つであ
る。なぜなら、最小加工スリット幅（したがってスペー
ス３ｂ’の幅）はそれほど小さくすることはできない
が、ステージの送りピッチをかなり小さくできる（０．
１μｍ単位で設定可能）ため、例えば遮光パターン３
ａ’のライン幅を小さくしかつラインの本数を多くする
等により、露光機の解像限界以下の遮光パターンと同等
の透過率レベルのパターンを作成し、正常パターンと同
等のグレートーン効果が得られるよう修正することがで
きるからである。また、上記態様２−２の修正方法と比
べ、作業が簡単で時間もかからない。さらに、修正膜８
を形成する位置の位置精度は厳密に要求されないので、
修正膜８の形成が容易である。実施の形態３では、スリ
ット形状及びステージの送りピッチをあらかじめ固定し
てマスク上の上記と同種の欠陥の全てを修正することが
さらに好ましい。なお、通常の遮光部１の凹欠陥９につ
いては、従来と同様の方法で修正可能である。
ば、図５（１）に示すように、グレートーン部３（ライ
ン幅３μｍ未満、スペース幅３μｍ未満）における遮光
パターン３ａにパターン欠落が発生した場合、パターン
欠落が生じた遮光パターン３ａの残りの部分を必要に応
じて除去し（図５（２））、パターン欠落が生じた領域
全体に修正膜８を形成し（図５（３））、この形成した
修正膜８に、レーザリペア装置等によってスリット状に
等間隔でスペース３ｂ’を形成して、正常パターンと同
等のグレートーン効果が得られるような修正パターンを
形成する（図５（４））。この場合、修正エリアによっ
て、ライン＆スペースの本数は任意に変わる。レーザリ
ペア装置におけるスリット幅を最小サイズ（例えば１μ
ｍ）に設定した場合、遮光パターン３ａ’のエッジはギ
ザキザになる。スリット幅を１．２〜１．５μｍに設定
した場合、遮光パターン３ａ’のエッジは直線になる。
レーザリペア装置におけるスリット幅は１．０〜１．５
μｍに設定することが好ましい。なお、正常パターンと
同じ本数に修正した場合、一見正常パターンと同じであ
るように見えるが、遮光パターン３ａ’のライン幅及び
スペース３ｂ’の幅やそれらの位置が異なるので正常パ
ターンと同じではない。本数が多い場合や少ない場合
は、明らかに正常パターンと同じ修正パターンではな
い。実施の形態３では、グレートーン効果を奏するスリ
ット形状（スペース形状）、ステージの送りピッチにあ
らかじめ固定して修正を行うことが好ましい。スリット
形状をあらかじめ固定することによってスリットを可変
する操作が不要になる。ステージの送りピッチをあらか
じめ固定することによって２つ目以降の位置合わせが不
要になる。この方法は最も好ましい修正方法の一つであ
る。なぜなら、最小加工スリット幅（したがってスペー
ス３ｂ’の幅）はそれほど小さくすることはできない
が、ステージの送りピッチをかなり小さくできる（０．
１μｍ単位で設定可能）ため、例えば遮光パターン３
ａ’のライン幅を小さくしかつラインの本数を多くする
等により、露光機の解像限界以下の遮光パターンと同等
の透過率レベルのパターンを作成し、正常パターンと同
等のグレートーン効果が得られるよう修正することがで
きるからである。また、上記態様２−２の修正方法と比
べ、作業が簡単で時間もかからない。さらに、修正膜８
を形成する位置の位置精度は厳密に要求されないので、
修正膜８の形成が容易である。実施の形態３では、スリ
ット形状及びステージの送りピッチをあらかじめ固定し
てマスク上の上記と同種の欠陥の全てを修正することが
さらに好ましい。なお、通常の遮光部１の凹欠陥９につ
いては、従来と同様の方法で修正可能である。
【００２８】実施の形態４ 実施の形態４では、例えば図６に示すように、グレート
ーン部３に欠陥が生じた場合グレートーン部３における
遮光パターンを全て除去した後、グレートーン部３の領
域全体に半透過膜（ハーフトーン膜）１０を形成し、こ
の半透過膜１０の透過率を膜材料及び膜厚によって制御
して、正常パターンと同等のグレートーン効果が得られ
るようにするものである（態様４−１）。また、図７に
示すように、遮光パターン３ａのパターン欠落が生じた
領域に半透過膜１０を形成し、この半透過膜１０によっ
て、正常パターンと同等のグレートーン効果が得られる
ようにするものである（態様４−２）。実施の形態４で
は、欠陥の生じたグレートーン部のパターンの一部又は
全部を残した状態で、グレートーン部の領域全体又は一
部に半透過膜を形成し、正常パターンと同等のグレート
ーン効果が得られるようにすることも可能である（態様
４−３）。なお、半透過膜１０の材料としては、モリブ
デン、タングステン、カーボン等が挙げられ、耐薬品性
や付着強度等を考慮すると、クロムを含む材料等が好ま
しい。
ーン部３に欠陥が生じた場合グレートーン部３における
遮光パターンを全て除去した後、グレートーン部３の領
域全体に半透過膜（ハーフトーン膜）１０を形成し、こ
の半透過膜１０の透過率を膜材料及び膜厚によって制御
して、正常パターンと同等のグレートーン効果が得られ
るようにするものである（態様４−１）。また、図７に
示すように、遮光パターン３ａのパターン欠落が生じた
領域に半透過膜１０を形成し、この半透過膜１０によっ
て、正常パターンと同等のグレートーン効果が得られる
ようにするものである（態様４−２）。実施の形態４で
は、欠陥の生じたグレートーン部のパターンの一部又は
全部を残した状態で、グレートーン部の領域全体又は一
部に半透過膜を形成し、正常パターンと同等のグレート
ーン効果が得られるようにすることも可能である（態様
４−３）。なお、半透過膜１０の材料としては、モリブ
デン、タングステン、カーボン等が挙げられ、耐薬品性
や付着強度等を考慮すると、クロムを含む材料等が好ま
しい。
【００２９】実施例 実施例では、上記実施の形態１〜４の修正を施したグレ
ートーンマスクにおけるグレートーン部について、大型
ＬＣＤ用露光機で露光テストを実施して、正常パターン
と同等のグレートーン効果（照射量低減効果）が得られ
ることを確認した。
ートーンマスクにおけるグレートーン部について、大型
ＬＣＤ用露光機で露光テストを実施して、正常パターン
と同等のグレートーン効果（照射量低減効果）が得られ
ることを確認した。
【００３０】なお、本発明は上述した実施の形態等に限
定されるものではない。例えば、グレートーン部におけ
る遮光パターン３ａは、図９に示すような点線タイプの
場合であっても本発明の適用が可能である。
定されるものではない。例えば、グレートーン部におけ
る遮光パターン３ａは、図９に示すような点線タイプの
場合であっても本発明の適用が可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の修正方法に
よれば、従来の修正方法では実際上修正困難であるグレ
ートーン部における欠陥を容易に修正できる。特に、本
発明の修正方法は、ＬＣＤ用グレートーンマスクを実用
化する上で必要不可欠である。
よれば、従来の修正方法では実際上修正困難であるグレ
ートーン部における欠陥を容易に修正できる。特に、本
発明の修正方法は、ＬＣＤ用グレートーンマスクを実用
化する上で必要不可欠である。
【図１】本発明の実施の形態１にかかるグレートーン部
における黒欠陥修正方法を説明するための部分平面図で
ある。
における黒欠陥修正方法を説明するための部分平面図で
ある。
【図２】本発明の実施の形態１にかかるグレートーン部
における他の黒欠陥修正方法を説明するための部分平面
図である。
における他の黒欠陥修正方法を説明するための部分平面
図である。
【図３】本発明の実施の形態２にかかるグレートーン部
における白欠陥修正方法を説明するための部分平面図で
ある。
における白欠陥修正方法を説明するための部分平面図で
ある。
【図４】本発明の実施の形態２にかかるグレートーン部
における他の白欠陥修正方法を説明するための部分平面
図である。
における他の白欠陥修正方法を説明するための部分平面
図である。
【図５】本発明の実施の形態３にかかるグレートーン部
における白欠陥修正方法を説明するための部分平面図で
ある。
における白欠陥修正方法を説明するための部分平面図で
ある。
【図６】本発明の実施の形態４にかかるグレートーン部
における白欠陥修正方法を説明するための部分平面図で
ある。
における白欠陥修正方法を説明するための部分平面図で
ある。
【図７】本発明の実施の形態４にかかるグレートーン部
における他の白欠陥修正方法を説明するための部分平面
図である。
における他の白欠陥修正方法を説明するための部分平面
図である。
【図８】グレートーンマスクを説明するための図であ
り、（１）は部分平面図、（２）は部分断面図である。
り、（１）は部分平面図、（２）は部分断面図である。
【図９】グレートーン部の他の態様を説明するための部
分平面図である。
分平面図である。
【図１０】従来のグレートーン部の修正方法を説明する
ための部分平面図である。
ための部分平面図である。
１ 遮光部 ２ 透過部 ３ グレートーン部 ３ａ 遮光パターン ３ｂ 透過部 ４ 修正膜 ５ ブリッジ（ショート） ６ 開口 ７ 突起 ８ 修正膜 ９ 凹欠陥 １０ 半透過膜
Claims (8)
- 【請求項１】 遮光部と、透過部と、グレートーンマス
クを使用する露光機の解像限界以下の遮光パターンを形
成した領域であってこの領域を透過する光の透過量を低
減してフォトレジストの膜厚を選択的に変えることを目
的とするグレートーン部とを有するグレートーンマスク
におけるグレートーン部の欠陥修正方法であって、 欠陥部分を正常パターンと同じ形状に復元せずに、正常
パターンと同等のグレートーン効果が得られるような修
正パターンを形成することを特徴とする欠陥修正方法。 - 【請求項２】 正常パターンと同等のグレートーン効果
を奏する形状及び／又は配列にて黒欠陥を含む部分の膜
を除去して、正常パターンとは異なる修正パターンを形
成することを特徴とする請求項１に記載の黒欠陥修正方
法。 - 【請求項３】 正常パターンと同等のグレートーン効果
を奏する形状及び／又は配列にて修正膜を形成して、正
常パターンとは異なる修正パターンを形成することを特
徴とする請求項１に記載の白欠陥修正方法。 - 【請求項４】 白欠陥を含む領域に修正膜を形成した
後、正常パターンと同等のグレートーン効果を奏する形
状及び／又は配列にて前記修正膜を部分的に除去して、
正常パターンとは異なる修正パターンを形成することを
特徴とする請求項１に記載の白欠陥修正方法。 - 【請求項５】 修正膜を形成するレーザＣＶＤ装置にお
けるスリット形状、又は膜を除去するレーザリペア装置
におけるスリット形状を、グレートーン効果を奏するス
リット形状にあらかじめ固定して、修正を行うことを特
徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の欠陥修正方
法。 - 【請求項６】 少なくとも白欠陥部分に、膜を透過する
光の透過量を制御しうる半透過膜を形成することを特徴
とする欠陥修正方法。 - 【請求項７】 少なくとも欠陥周辺のパターンを除去し
た後、上記請求項２〜６のいずれかに記載の修正を行う
ことを特徴とする欠陥修正方法。 - 【請求項８】 グレートーンマスクがＬＣＤ用マスクで
あることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の
欠陥修正方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000301507A JP3556591B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | グレートーンマスクにおけるグレートーン部の欠陥修正方法 |
| TW090124054A TW550683B (en) | 2000-09-29 | 2001-09-28 | Method for correcting defect in gray tone part in gray tone mask |
| KR10-2001-0061012A KR100524109B1 (ko) | 2000-09-29 | 2001-09-29 | 그레이톤 마스크에 있어서의 그레이톤부의 결함 수정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000301507A JP3556591B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | グレートーンマスクにおけるグレートーン部の欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002107913A true JP2002107913A (ja) | 2002-04-10 |
| JP3556591B2 JP3556591B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=18783040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000301507A Expired - Lifetime JP3556591B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | グレートーンマスクにおけるグレートーン部の欠陥修正方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3556591B2 (ja) |
| KR (1) | KR100524109B1 (ja) |
| TW (1) | TW550683B (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003307501A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置、並びにフォトマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| JP2006201776A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-03 | Samsung Electronics Co Ltd | 光マスク、及びそれを用いた薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法 |
| JP2006350219A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Sii Nanotechnology Inc | グレートーンのパターン膜欠陥修正方法 |
| JP2007071888A (ja) * | 2006-11-24 | 2007-03-22 | Hoya Corp | フォトマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| JP2007171651A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク |
| JP2007193146A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク |
| US7264905B2 (en) | 2003-01-31 | 2007-09-04 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
| JP2008216346A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク |
| JP2010015000A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Sk Electronics:Kk | 多階調フォトマスク及びその修正方法 |
| JP2010014999A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Sk Electronics:Kk | 多階調フォトマスク及びその修正方法 |
| TWI393994B (zh) * | 2007-07-03 | 2013-04-21 | Hoya Corp | 灰階光罩之缺陷修正方法、灰階光罩之製造方法、灰階光罩以及圖案轉印方法 |
| US8601406B2 (en) | 2007-08-31 | 2013-12-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of creating photo mask layout, computer readable recording medium storing programmed instructions for executing the method, and mask imaging system |
| TWI422962B (zh) * | 2006-12-05 | 2014-01-11 | Hoya Corp | 灰階光罩之檢查方法、液晶裝置製造用灰階光罩之製造方法以及圖案轉印方法 |
| TWI467315B (zh) * | 2008-07-04 | 2015-01-01 | Sk Electronics Co Ltd | 多階光罩及其修正方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100936716B1 (ko) * | 2005-09-23 | 2010-01-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 하프톤 마스크의 반투과부 결함 수정 방법 및 이를 이용한리페어된 하프톤 마스크 |
| TWI388923B (zh) * | 2006-02-02 | 2013-03-11 | Hoya Corp | 灰階光罩的缺陷修正方法以及灰階光罩 |
| KR100831675B1 (ko) * | 2006-05-09 | 2008-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 베스트 포커스를 설정하기 위한 포토 마스크 및 이를이용한 베스트 포커스 설정방법 |
| JP4968464B2 (ja) * | 2006-07-05 | 2012-07-04 | 大日本印刷株式会社 | 階調をもつフォトマスクの欠陥部修正方法および修正箇所の評価方法 |
| JP5037231B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2012-09-26 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | ハーフトーンマスクの欠陥修正方法及び欠陥が修正されたハーフトーンマスク |
| JP5102912B2 (ja) * | 2007-03-31 | 2012-12-19 | Ｈｏｙａ株式会社 | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
| JP2009020312A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 |
| JP5037262B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2012-09-26 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | 多階調フォトマスクの欠陥修正方法及び欠陥が修正された多階調フォトマスク |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3053097B2 (ja) * | 1988-10-12 | 2000-06-19 | 株式会社日立製作所 | ホトマスクの欠陥検出方法及び装置 |
| JP3207974B2 (ja) * | 1993-07-08 | 2001-09-10 | レーザーテック株式会社 | フォトマスクの欠陥検査方法 |
| KR0161389B1 (ko) * | 1995-02-16 | 1999-01-15 | 윤종용 | 마스크 및 이를 사용한 패턴형성방법 |
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2000
- 2000-09-29 JP JP2000301507A patent/JP3556591B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
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Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003307501A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置、並びにフォトマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| US7585599B2 (en) | 2003-01-31 | 2009-09-08 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
| US7264905B2 (en) | 2003-01-31 | 2007-09-04 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
| US7771904B2 (en) | 2003-01-31 | 2010-08-10 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
| US7582397B2 (en) | 2003-01-31 | 2009-09-01 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
| JP2006201776A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-03 | Samsung Electronics Co Ltd | 光マスク、及びそれを用いた薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法 |
| JP2006350219A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Sii Nanotechnology Inc | グレートーンのパターン膜欠陥修正方法 |
| JP4559921B2 (ja) * | 2005-06-20 | 2010-10-13 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | グレートーンのパターン膜欠陥修正方法 |
| JP2007171651A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク |
| JP4736818B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2011-07-27 | 大日本印刷株式会社 | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク |
| JP2007193146A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク |
| JP4591928B2 (ja) * | 2006-11-24 | 2010-12-01 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| JP2007071888A (ja) * | 2006-11-24 | 2007-03-22 | Hoya Corp | フォトマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| TWI422962B (zh) * | 2006-12-05 | 2014-01-11 | Hoya Corp | 灰階光罩之檢查方法、液晶裝置製造用灰階光罩之製造方法以及圖案轉印方法 |
| JP2008216346A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク |
| KR101242328B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2013-03-12 | 한국 호야 전자 주식회사 | 그레이톤 마스크의 결함 수정 방법, 그레이톤 마스크의 제조 방법 및 그레이톤 마스크 |
| TWI408494B (zh) * | 2007-02-28 | 2013-09-11 | Hoya Corp | 灰階光罩之缺陷修正方法、灰階光罩之製法及灰階光罩 |
| TWI393994B (zh) * | 2007-07-03 | 2013-04-21 | Hoya Corp | 灰階光罩之缺陷修正方法、灰階光罩之製造方法、灰階光罩以及圖案轉印方法 |
| US8601406B2 (en) | 2007-08-31 | 2013-12-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of creating photo mask layout, computer readable recording medium storing programmed instructions for executing the method, and mask imaging system |
| JP2010015000A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Sk Electronics:Kk | 多階調フォトマスク及びその修正方法 |
| JP2010014999A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Sk Electronics:Kk | 多階調フォトマスク及びその修正方法 |
| TWI467315B (zh) * | 2008-07-04 | 2015-01-01 | Sk Electronics Co Ltd | 多階光罩及其修正方法 |
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