JP2007193146A - 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク - Google Patents
階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007193146A JP2007193146A JP2006011800A JP2006011800A JP2007193146A JP 2007193146 A JP2007193146 A JP 2007193146A JP 2006011800 A JP2006011800 A JP 2006011800A JP 2006011800 A JP2006011800 A JP 2006011800A JP 2007193146 A JP2007193146 A JP 2007193146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- correction
- photomask
- defect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【解決手段】透明基板上に所望のパターンを有し、パターンを形成する膜が、露光光を透過しない遮光膜と、露光光を所望の透過率で透過する半透明膜とからなり、遮光膜が少なくとも存在する遮光領域、半透明膜が存在する半透明領域、および遮光膜と半透明膜のいずれも存在しない透過領域、とが混在する階調をもつフォトマスクの半透明領域の欠陥修正方法において、露光機の解像限界以下の修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターンを半透明領域の欠陥部に形成し、欠陥部修正後の修正箇所の透過光量が、欠陥が無い正常な半透明領域の透過光量に等しくなるようにすることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
また、上記の特許文献には、このために用いる露光機の解像限界以下の微小スリットよりなる遮光パターンを有するフォトマスク(以下、スリットマスクと称する。)、および、露光光に対して透過光量を変化させた階調をもつフォトマスク(以下、階調マスクあるいはグレートーンマスクとも称する。)とが説明されている。スリットマスクのスリットは、解像限界以下のサイズであるため、それ自身はレジスト上に結像せずに、周囲の非開口部領域も含めたエリアに、サイズに応じた露光光を透過する。このため、スリットマスクは、スリットが形成された領域と、その周囲を含めたエリアに、あたかも半透明膜があるかのように機能するマスクである。
しかしながら、このスリットは解像限界以下である必要があるため、当然のことながら、マスクの本体パターンよりも小さな寸法に仕上げる必要があり、マスク製造に対して大きな負荷となってしまうという問題があった。
さらに、広い領域を半透明にするためには、多くのスリットを配置する必要があるため、パターンデータ容量が増え、パターン形成工程や、パターンの欠陥検査工程に対する負荷の増大という問題も生じ、製造・検査時間の増大、マスク製造コストの上昇につながってしまうという問題があった。
白欠陥の修正方法としては、一般に、レーザCVD技術やガスアシストFIB成膜技術を用い、不透明膜を欠陥部に成膜堆積させて修正する方法が普及している。
特許文献5に示されるように、修正装置の性能を考慮し、転写性能を見ながらの修正技術は、ハーフトーン型位相シフトマスクの修正において一般的であるものの、この方法では、転写像の寸法は制御できても半透明領域に対応する被転写基板上のレジスト残膜量は制御できないという問題があった。
すなわち、マスク製造において、スリットマスクのように多数の微小スリットを大型マスクの全面に配置する必要が無く、製造が比較的容易で製造コスト的に有利な半透明膜を有する階調マスクは、半透明膜の欠陥修正が困難であるという問題があった。
半透明膜を用いて半透明領域を作製した階調をもつフォトマスクは、製造が比較的容易で製造コスト的に有利であるという利点に加えて、本発明の修正方法では、欠陥部のみを修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターンで修正するので、高品質の階調をもつフォトマスクを低コストで得ることが可能となる。
本発明の階調をもつフォトマスクの半透明領域の欠陥修正方法を用いることにより、半導体素子や画像表示素子のフォトリソグラフィ工程数を効率的に減らすことができ、低コストの半導体素子や画像表示素子が実現できる。
図1〜図6は、本発明の階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法の実施形態を示す欠陥部周辺の模式図であり、それぞれの図の上側に平面図、下側に欠陥部および修正された欠陥部の断面図を示してある。図7は、本発明の修正された欠陥部分の別な実施形態を示す平面模式図である。図8、図9は、本発明の修正方法を行なう前の欠陥部を有する階調をもつフォトマスクの例を示す模式図である。
本発明の修正方法の適用対象とする階調をもつフォトマスクは、透明基板上に所望のパターンを有し、パターンを形成する膜が、実質的に露光光を透過しない遮光膜と、露光光を所望の透過率で透過する半透明膜とからなり、前記遮光膜が少なくとも存在する遮光領域、前記半透明膜が存在する半透明領域、および前記遮光膜と前記半透明膜のいずれも存在しない透過領域、とが混在する階調をもつフォトマスクである。
図8に示すように、本発明の階調をもつフォトマスクの修正方法が適用されるフォトマスクの透明基板81としては、通常、フォトマスクに用いられる光学研磨されたソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラスやアルミノホウ珪酸ガラスなどの低膨張ガラス、合成石英ガラス、蛍石、フッ化カルシウムなどを用いることができ、露光光が短波長の場合には合成石英ガラスが好ましい。
前述のように、階調をもつフォトマスクの遮光領域にある欠陥部の修正には、従来の欠陥修正方法を用いることができる。以下では、本発明の階調をもつフォトマスクの半透明領域にある欠陥部の修正方法の実施形態について、欠陥部が白欠陥の場合と黒欠陥の場合に分けて説明する。
本発明の半透明領域の白欠陥の修正方法は、欠陥部に、フォトマスクを用いる露光機の解像限界以下の修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターンを形成し、欠陥部修正後の修正箇所の透過光量が、欠陥が無い正常な半透明領域の透過光量に等しくなるようにするものである。
図1は、本発明の第1の実施形態を説明する欠陥部周辺の部分模式図であり、図1(a)は、修正前の欠陥部の平面図と断面図であり、半透明領域13に白欠陥部14が存在する。
図1(b)は、本発明の欠陥修正方法による修正後の部分模式図で、白欠陥部14に修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン17を形成して白欠陥部を修正し、欠陥修正された階調をもつフォトマスクを得る。
修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン17は、クロムなどの遮光膜をレーザCVD技術を用いてパターン状に成膜したり、あるいはカーボンなどの半透明膜をガスアシストFIB成膜技術を用いてパターン状に成膜することにより形成することができる。
図2は、本発明の第2の実施形態を説明する欠陥部周辺の部分模式図であり、図2(a)は、修正前の欠陥部の平面図と断面図であり、半透明領域23に白欠陥部24が存在する。
本発明の欠陥修正方法により、図2(b)に示すように、白欠陥部24周辺の半透明膜をレーザ光もしくは集束イオンビームにより除去して白欠陥部を整形し、整形した白欠陥部25とする。
次に、図2(c)に示すように、整形した白欠陥部25に、修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン27を形成して白欠陥部を修正し、欠陥修正された階調をもつフォトマスクを得る。
修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン27は、クロムなどの遮光膜をレーザCVD技術を用いてパターン状に成膜したり、あるいはカーボンなどの半透明膜をガスアシストFIB成膜技術を用いてパターン状に成膜することにより形成することができる。
図3は、本発明の第3の実施形態を説明する欠陥部周辺の部分模式図であり、図3(a)は、修正前の欠陥部の平面図と断面図であり、半透明領域33に白欠陥部34が存在する。
本発明の欠陥修正方法により、図3(b)に示すように、白欠陥部34周辺の半透明膜をレーザ光もしくは集束イオンビームにより除去して白欠陥部を整形し、整形した白欠陥部35とする。
次に、整形した白欠陥部35に、遮光膜または半透明膜36を成膜する(図3(c))。
次いで、上記の成膜した遮光膜または半透明膜36をレーザ光もしくは集束イオンビームでパターンエッチングし、修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン37を形成し(図3(d))、欠陥修正された階調をもつフォトマスクを得る。
遮光膜もしくは半透明膜36は、クロムなどの遮光膜をレーザCVD技術を用い、整形した白欠陥部形状に合わせて成膜したり、あるいはカーボンなどの半透明膜をガスアシストFIB成膜技術を用いて整形した白欠陥部形状に合わせて成膜することにより形成することができる。
次に、欠陥部が黒欠陥の場合について説明する。本発明の半透明領域の黒欠陥の修正方法は、上記の白欠陥と同じく、欠陥部に、フォトマスクを用いる露光機の解像限界以下の修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターンを形成し、欠陥部修正後の修正箇所の透過光量が、欠陥が無い正常な半透明領域の透過光量に等しくなるようにするものである。
図4は、本発明の第4の実施形態を説明する欠陥部周辺の部分模式図であり、図4(a)は、修正前の欠陥部の平面図と断面図であり、半透明領域43に黒欠陥部44が存在する。
図4(b)は、本発明の欠陥修正方法による修正後の部分模式図で、黒欠陥部44をレーザ光もしくは集束イオンビームでパターンエッチングし、修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン47を形成し、欠陥修正された階調をもつフォトマスクを得る。
図5は、本発明の第5の実施形態を説明する欠陥部周辺の部分模式図であり、図5(a)は、修正前の欠陥部の平面図と断面図であり、半透明領域53に黒欠陥部54が存在する。
次に、図5(b)に示すように、本発明の欠陥修正方法により、黒欠陥部54および黒欠陥部54周辺の半透明膜をレーザ光もしくは集束イオンビームにより除去して整形した白欠陥部55を形成する。
次に、図5(c)に示すように、上記の整形した白欠陥部55に修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン57を成膜形成し、欠陥修正された階調をもつフォトマスクを得る。修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン57は、クロムなどの遮光膜をレーザCVD技術を用いてパターン状に成膜したり、あるいはカーボンなどの半透明膜をガスアシストFIB成膜技術を用いてパターン状に成膜することにより形成することができる。
図6は、本発明の第6の実施形態を説明する欠陥部周辺の部分模式図であり、図6(a)は、修正前の欠陥部の平面図と断面図であり、半透明領域63に黒欠陥部64が存在する。
本発明の欠陥修正方法により、図6(b)に示すように、黒欠陥部64および黒欠陥部64周辺の半透明膜をレーザ光もしくは集束イオンビームにより除去して整形した白欠陥部65を形成する。
次に、整形した白欠陥部65に、遮光膜または半透明膜66を成膜する(図6(c))。
次いで、上記の成膜した遮光膜または半透明膜66をレーザ光もしくは集束イオンビームでパターンエッチングし、修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン67を形成し(図6(d))、欠陥修正された階調をもつフォトマスクを得る。
遮光膜もしくは半透明膜66は、クロムなどの遮光膜をレーザCVD技術を用い、整形した白欠陥部形状に合わせて成膜したり、あるいはカーボンなどの半透明膜をガスアシストFIB成膜技術を用いて整形した白欠陥部形状に合わせて成膜することにより形成することができる。
また、欠陥部の修正に半透明膜パターンを用いた場合には、修正用の半透明膜の透過率も変えられるので、スリット幅もしくはドット幅の余裕度が広がり、遮光膜パターンで修正するよりも透過率をよりよく制御することが可能となる。
光学研磨された330×450mmの合成石英基板上にクロムよりなる遮光膜が約100nm成膜されているフォトマスクブランク上に、市販のフォトレジスト(東京応化工業社製ip−3500)を約380nm塗布し、120度に加熱されたホットプレートで15分ベークした後、フォトマスク用レーザ描画装置マイクロニック社製LRS11000−TFT3で、所望の遮光膜パターンを描画した。ここで描画したパターンは、最終的に完全に遮光するためのパターンである。
次に、専用のデベロッパー(東京応化工業社製NMD3)で現像し、遮光膜用レジストパターンを得た。
続いて半透明膜パターンとなる像を再度レーザ描画装置マイクロニック社製LRS11000−TFT3で描画し、専用デベロッパー(東京応化社製NMD3)で現像し、半透明膜用レジストパターンを得た。なお、描画装置LRS11000は、アライメント描画機能を有しており、形成済みの遮光膜パターンに位置を合わせて、半透明膜パターンを形成した。
次に、整形した白欠陥部に、ガスアシストFIB成膜技術を用いて修正用カーボン膜をスリット状に0.8μm幅で堆積し、修正用遮光膜パターンを形成して白欠陥部を修正し、欠陥修正された階調をもつフォトマスクを得た。
この修正した階調をもつフォトマスクをLCD素子の製造に用いたところ、被転写基板上に欠陥の無いレジスト残膜厚の異なるパターンを形成することができた。
実施例1と同じ方法で階調をもつフォトマスクを製造し、欠陥検査を行なったところ、酸化クロムよりなる半透明膜パターンの半透明領域に大きさ2×2μm程度の不定形の白欠陥が検出された。
次に、整形した白欠陥部全面に、レーザCVD技術を用いて修正用クロム膜を堆積した。
次に、上記の修正用クロム膜をFIBで0.8μm□の矩形状ドットにパターンエッチングし、修正用遮光膜パターンを形成して白欠陥部を修正し、欠陥修正された階調をもつフォトマスクを得た。
この修正した階調をもつフォトマスクをLCD素子の製造に用いたところ、被転写基板
上に欠陥の無いレジスト残膜厚の異なるパターンを形成することができた。
実施例1と同じ方法で階調をもつフォトマスクを製造し、欠陥検査を行なったところ、半透明膜パターンの半透明領域に大きさ3×2μm程度の不定形の黒欠陥が検出された。
この修正した階調をもつフォトマスクは、被転写基板上に欠陥の無いレジスト残膜厚の異なるパターンを形成することができた。
実施例1と同じ方法で階調をもつフォトマスクを製造し、欠陥検査を行なったところ、酸化クロムよりなる半透明膜パターンの半透明領域に大きさ3×2μm程度の不定形の黒欠陥が検出された。
次に、上記の黒欠陥部および黒欠陥部周辺の半透明膜をレーザ光により除去して整形し、大きさ3×2μmの整形した白欠陥部とした。
次に、上記の白欠陥部全面に、レーザCVD技術を用いて修正用クロム膜を15nmの厚さに堆積して修正用半透明膜とした。
次に、上記のクロム膜よりなる修正用半透明膜をFIBで0.8μm□の矩形状ドットにパターンエッチングし、修正用半透明膜パターンを形成して白欠陥部を修正し、欠陥修正された階調をもつフォトマスクを得た。
この修正したフォトマスクをLCD素子の製造に用いたところ、実施例1と同様に、被転写基板上に欠陥の無いレジスト残膜厚の異なるパターンを形成することができた。
13、23、33、43、53、63 半透明領域
14、24、34 白欠陥部
17、27 修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン
25、35 整形した白欠陥部
36 成膜した遮光膜または半透明膜
37 修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン
44、54、64 黒欠陥部
47 修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン
55、65 整形した白欠陥部
57 修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン
66 成膜した遮光膜または半透明膜
67 修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン
73a、73b 半透明領域
77a、77b 修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターン
81、91 透明基板
82、92 遮光膜
83、93 半透明膜
82a、92a 遮光領域
83b、93b 半透明領域
84、94 白欠陥部
101、111 遮光部
103、113 スリット部
105 黒欠陥部(ブリッジ)
106 開口
114 修正膜
Claims (10)
- 透明基板上に所望のパターンを有し、前記パターンを形成する膜が、実質的に露光光を透過しない遮光膜と、前記露光光を所望の透過率で透過する半透明膜とからなり、前記透明基板上に、前記遮光膜が少なくとも存在する遮光領域、前記半透明膜が存在する半透明領域、および前記遮光膜と前記半透明膜のいずれも存在しない透過領域、とが混在する階調をもつフォトマスクの半透明領域の欠陥修正方法において、
前記フォトマスクを用いる露光機の解像限界以下の修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターンを前記半透明領域の欠陥部に形成し、該欠陥部修正後の修正箇所の透過光量が、欠陥が無い正常な半透明領域の透過光量に等しくなるようにすることを特徴とする階調をもつフォトマスクの半透明領域の欠陥修正方法。 - 前記欠陥部が白欠陥部であり、該白欠陥部に、レーザCVDまたは集束イオンビームを用いて前記修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターンを成膜形成することを特徴とする請求項1に記載の階調をもつフォトマスクの半透明領域の欠陥修正方法。
- 前記欠陥部が白欠陥部であり、該白欠陥部周辺の半透明膜をレーザ光もしくは集束イオンビームにより除去して白欠陥部を整形した後、該整形した白欠陥部に、レーザCVDまたは集束イオンビームを用いて前記修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターンを成膜形成することを特徴とする請求項1に記載の階調をもつフォトマスクの半透明領域の欠陥修正方法。
- 前記欠陥部が白欠陥部であり、該白欠陥部周辺の半透明膜をレーザ光もしくは集束イオンビームにより除去して白欠陥部を整形した後、該整形した白欠陥部に、遮光膜または半透明膜を成膜し、次に前記成膜した遮光膜または半透明膜をレーザ光もしくは集束イオンビームでパターンエッチングし、前記修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターンを形成することを特徴とする請求項1に記載の階調をもつフォトマスクの半透明領域の欠陥修正方法。
- 前記欠陥部が黒欠陥部であり、該黒欠陥部をレーザ光もしくは集束イオンビームでパターンエッチングし、前記欠陥部に前記修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターンを形成することを特徴とする請求項1に記載の階調をもつフォトマスクの半透明領域の欠陥修正方法。
- 前記欠陥部が黒欠陥部であり、該黒欠陥部および周辺の半透明膜をレーザ光もしくは集束イオンビームにより除去して整形した白欠陥部を形成した後、該整形した白欠陥部にレーザCVDまたは集束イオンビームを用いて前記修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターンを成膜形成することを特徴とする請求項1に記載の階調をもつフォトマスクの半透明領域の欠陥修正方法。
- 前記欠陥部が黒欠陥部であり、該黒欠陥部および周辺の半透明膜をレーザ光もしくは集束イオンビームにより除去して整形した白欠陥部を形成した後、該整形した白欠陥部に遮光膜または半透明膜を成膜し、次に前記成膜した遮光膜または半透明膜をレーザ光もしくは集束イオンビームでパターンエッチングし、前記修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターンを形成することを特徴とする請求項1に記載の階調をもつフォトマスクの半透明領域の欠陥修正方法。
- 前記修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターンが、スリット状もしくはドット状であることを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の階調をもつフォトマスクの半透明領域の欠陥修正方法。
- 前記階調をもつフォトマスクがLCD製造用のマスクであることを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の階調をもつフォトマスクの半透明領域の欠陥修正方法。
- 透明基板上に所望のパターンを有し、前記パターンを形成する膜が、実質的に露光光を透過しない遮光膜と、前記露光光を所望の透過率で透過する半透明膜とからなり、前記透明基板上に、前記遮光膜が少なくとも存在する遮光領域、前記半透明膜が存在する半透明領域、および前記遮光膜と前記半透明膜のいずれも存在しない透過領域、とが混在する階調をもつフォトマスクにおいて、
前記階調をもつフォトマスクは、欠陥修正された半透明領域を有し、該欠陥修正された半透明領域は、前記フォトマスクを用いる露光機の解像限界以下の修正用遮光膜パターンまたは修正用半透明膜パターンを有し、該欠陥修正された半透明領域の修正箇所の透過光量が、欠陥が無い正常な半透明領域の透過光量に等しいことを特徴とする階調をもつフォトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006011800A JP4736818B2 (ja) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006011800A JP4736818B2 (ja) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007193146A true JP2007193146A (ja) | 2007-08-02 |
JP4736818B2 JP4736818B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=38448884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006011800A Active JP4736818B2 (ja) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4736818B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008046623A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
JP2008058943A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-03-13 | Sk Electronics:Kk | ハーフトーンマスクの欠陥修正方法及び欠陥が修正されたハーフトーンマスク |
JP2008216346A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク |
JP2009014934A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 |
JP2009053627A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
JP2009109859A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスクの欠陥修正方法 |
JP2009133904A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスクの欠陥修正方法 |
JP2011238801A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクの製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07325387A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | ホトマスク及びその形成方法 |
JP2002107913A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Hoya Corp | グレートーンマスクにおけるグレートーン部の欠陥修正方法 |
JP2004233820A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Renesas Technology Corp | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、およびフォトマスクの製造装置 |
JP2004309826A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法 |
JP2004309327A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥検査方法 |
-
2006
- 2006-01-20 JP JP2006011800A patent/JP4736818B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07325387A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | ホトマスク及びその形成方法 |
JP2002107913A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Hoya Corp | グレートーンマスクにおけるグレートーン部の欠陥修正方法 |
JP2004233820A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Renesas Technology Corp | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、およびフォトマスクの製造装置 |
JP2004309826A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法 |
JP2004309327A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥検査方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008046623A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
JP2008058943A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-03-13 | Sk Electronics:Kk | ハーフトーンマスクの欠陥修正方法及び欠陥が修正されたハーフトーンマスク |
JP2008216346A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク |
JP2009014934A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 |
JP2009053627A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
JP2009109859A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスクの欠陥修正方法 |
JP2009133904A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスクの欠陥修正方法 |
JP2011238801A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4736818B2 (ja) | 2011-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4393290B2 (ja) | グレートーンマスクの製造方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
KR100609678B1 (ko) | 그레이톤 마스크 및 그 제조방법 | |
JP4729606B2 (ja) | グレートーンマスクの製造方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
KR100960746B1 (ko) | 그레이 톤 마스크의 제조 방법 | |
US8124301B2 (en) | Gradated photomask and its fabrication process | |
JP5555789B2 (ja) | フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 | |
JP4968709B2 (ja) | グレートーンマスクの製造方法 | |
JP4736818B2 (ja) | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク | |
JP4587837B2 (ja) | グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク | |
KR100961570B1 (ko) | 마스크 블랭크 및 포토마스크 | |
JP4752495B2 (ja) | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法 | |
KR101140054B1 (ko) | 다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 및 패턴 전사 방법 | |
JP2008180897A (ja) | グレートーンマスク及びパターン転写方法 | |
JP5196098B2 (ja) | 階調をもつフォトマスクおよびその製造方法 | |
JP4468093B2 (ja) | 階調フォトマスクの製造方法 | |
JP2006030319A (ja) | グレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法 | |
JP2007279710A (ja) | パターン形成方法及びグレートーンマスクの製造方法 | |
JP2005010814A (ja) | グレートーンマスク及びその製造方法 | |
JP2007292822A (ja) | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法 | |
JP4797729B2 (ja) | 階調をもつフォトマスクの半透明領域の欠陥修正方法 | |
JP2009237491A (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 | |
JP4834206B2 (ja) | グレートーンマスクの製造方法及び被処理体の製造方法 | |
KR20090104741A (ko) | 포토마스크의 결함 수정 방법 및 포토마스크와 그 제조 방법과, 패턴 전사 방법 | |
JP2003121979A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101006 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110418 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4736818 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |