JP2009109859A - 階調マスクの欠陥修正方法 - Google Patents

Abstract

【課題】階調マスクにおける、ライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する方法を提供する。
【解決手段】ライン状のハーフトーン膜パターン内の第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部を含みかつ該ライン状のハーフトーン膜パターンのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成し、更に第２の欠陥部に対して、露光光を遮光する遮光膜からなりかつ転写しない線幅のラインパターンを複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が透明領域である場合には、最も外側のラインパターンが透明領域と接するようにして配して、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設する配設処理ステップを行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、透明基板の一面に転写時の露光光を遮光する遮光膜と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域と、遮光領域はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域とを、設けた階調マスクにおける、白欠陥部の修正方法に関する。

近年、フラットパネル表示装置の普及はめざましく、液晶表示装置においてもその薄型化、大型化、高い品質化が求められている。
このような中、液晶表示装置の表示パネル（以下、液晶表示パネルと言う）作製に用いられるマスク（以下、液晶用フォトマスクと言う）においても、大型化が求められている。
これらのマスクとしては、従来から、ＴＦＴ回路の形成用あるいはカラーフィルタ形成用として、透明基板の一面に転写時の露光光を実質的に遮光する遮光膜からなる、複数の図形パターンにて絵柄部全体を形成しているバイナリーマスクが用いられているが、最近では、透明基板の一面に転写時の露光光を遮光する遮光膜と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域と、遮光膜はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域とを、設けた階調マスクを用い、液晶表示パネルの作製の工程短縮を図ることも、特開２００７−１８８０６９号公報（特許文献１）に、開示されるように、行われている。
特開２００７−１８８０６９号公報

バイナリーマスクの作製は、通常、透明基板の一面全体に転写時の露光光を実質的に遮光する遮光膜を配した基材（ブランクスとも言う）の遮光膜上に全面に感光性のレジストを塗布した後、レーザ描画装置により選択的に露光描画を行い、この後、該レジストを現像処理してレジストパターンを遮光膜上に形成し、該レジストパターンを耐エッチング層として、遮光膜を選択的にエッチングして、レジスト除去、洗浄処理等のプロセス処理を経て、検査、修正を行うが、大サイズの場合、描画に３日間、プロセス処理、検査、修正に４日間程度かかることがある。
階調マスクの作製の場合は、例えば、このようにして、作製されたバイナリーマスク構造のマスクに対して、更に、その図形パターンが形成された側の面に所望の透過率を有するハーフトーン膜を成膜し、同様に、感光性のレジストを塗布、露光描画、現像処理、エッチング、レジスト除去、洗浄処理等のプロセス処理を経て、検査、修正を行う。

このような、階調マスクにおいては、特に、ライン状のハーフトーン膜で断線（欠陥）になった場合、該断線部に、遮光膜からなるラインパターンをスリット状に配したスリットパターンを設けて、その部分の透過率を、断線がない場合の透過率に合わせる、透過率調整を行い、修正としていた。
即ち、例えばハーフトーン膜の転写時の露光光に対する透過率を５０％とした場合、遮光膜からなるスリットパターンの断線部の領域における透過率を５０％としていた。
しかしながら、大型の液晶用フォトマスクにおいては、等倍にて転写の露光を行うが、図５（a)に示すように、透過率をハーフトーン膜２０の透過率に合わせて透過率調整して修正しても、転写した際、その転写像は、図５（ｂ）に示すように、修正部２７に対応する箇所が細ってしまうことがあり、転写性の面で問題となっていた。

上記のように、液晶表示装置の大型化、高品質化が求められている中、これに対応するための大型の液晶用フォトマスクとして、液晶表示パネルの作製の工程短縮を図ることができる階調マスクが用いられるようになってきたが、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する場合、効率的で、且つ、転写性の良い欠陥修正方法が求められていた。
本発明はこれに対応するもので、階調マスクにおける、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法で、効率的で、且つ、転写性の良い欠陥修正方法を提供しようとするものである。

本発明の階調マスクの欠陥修正方法は、透明基板の一面に転写時の露光光を遮光する遮光膜と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域と、遮光膜はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域とを、設けた階調マスクにおける、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法であって、（ａ）前記ライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を第１の欠陥部として、該第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部を含み、且つ、該ライン状のハーフトーン膜パターンのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成する、整形処理ステップと、（ｂ）前記第２の欠陥部に対して、前記露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、前記第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が透明領域である場合には、最も外側のラインパターンが、透明領域と接するようにして配して、また、前記第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が遮光領域である場合には、最も外側のラインパターンが、遮光領域との境部と間隔があくようにして配して、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設する、スリット状パターン配設処理ステップとを、行うもので、且つ、スリット状パターン配設処理ステップにおいては、前記スリット状パターンを配した前記整形された矩形部領域の前記露光光に対する透過率を、前記ハーフトーン膜の前記露光光に対する透過率に合わせて設定していることを特徴とするものである。
そして上記の階調マスクの欠陥修正方法であって、前記スリット状パターン配設処理ステップは、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、レーザ光を走査して照射し、照射領域に前記ラインパターンを配設するものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかの階調マスクの欠陥修正方法であって、前記ラインパターンとなる遮光膜は、クロムを主成分とするものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの階調マスクの欠陥修正方法であって、前記整形処理ステップは、レーザ光もしくは集束イオンビームにより、前記ハーフトーン膜を除去するものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの階調マスクの欠陥修正方法であって、前記階調マスクが、液晶表示パネル作製用のフォトマスクであることを特徴とするものである。
尚、ここでの、「露光光を遮光する」とは、転写プロセス上での作用の面で露光光を実質的に遮光する状態を意味し、転写プロセス上での作用の面で遮光率１００％（透過率０％）の場合と同等である。
また、「転写時の露光光に対して半透過性」とは、転写プロセス上での作用の面で、実質的に、転写時の露光光に対して透過性を有し、且つ、遮光性を有することを意味する。 即ち、遮光性１００％（透過率０％）ではない、転写プロセス上での作用の面で透過性を有する膜もこれに入る。

（作用）
本発明の階調マスクの欠陥修正方法は、このような構成にしていることにより、階調マスクにおける、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法で、効率的で、且つ、転写性の良い欠陥修正方法の提供を可能としている。
具体的には、（ａ）前記ライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を第１の欠陥部として、該第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部を含み、且つ、該ライン状のハーフトーン膜パターンのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成する、整形処理ステップと、（ｂ）前記第２の欠陥部に対して、前記露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、前記第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が透明領域である場合には、最も外側のラインパターンが、透明領域と接するようにして配して、また、前記第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が遮光領域である場合には、最も外側のラインパターンが、遮光領域との境部と間隔があくようにして配して、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設する、スリット状パターン配設処理ステップとを、行うもので、且つ、スリット状パターン配設処理ステップにおいては、前記スリット状パターンを配した前記整形された矩形部領域の前記露光光に対する透過率を、前記ハーフトーン膜の前記露光光に対する透過率に合わせて設定していることにより、これを達成している。
通常は、スリット状パターン配設処理ステップにおいては、前記スリット状パターンを配した前記整形された矩形部領域の前記露光光に対する透過率を、前記ハーフトーン膜の前記露光光に対する透過率と同等になるようにパターンが設計される。
詳しくは、整形処理ステップを行うことにより、矩形のサイズを所望の１ないし複数のサイズで行うことができ、異なるサイズの欠陥部（第１の欠陥部のこと）についても同じサイズの矩形のサイズとすることができ、スリット状パターン配設処理ステップを矩形のサイズ毎に同じ条件で行うことができる。
また、このようなスリット状パターン配設ステップを行うことにより、第２の欠陥部における修正を、その領域における露光光に対しての透過率をハーフトーン膜の透過率に合わせており、これにより、転写後、露光、現像された感光性物質は正常部（非修正部）と同等の膜厚が得られ、且つ、線幅、転写形状も良くすることができる。
線幅、転写形状については欠陥が発生しなかった場合に存在するはずであったハーフトーンパターンの境界部を修正パターン（修正膜あるいは隙間）で形成することにより、光強度プロファイルが前記ハーフトーンパターンと同等となる。
特に、スリット状パターン配設処理ステップは、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、レーザ光を走査して照射し、照射領域に前記ラインパターンを配設するものである、請求項２の発明の形態とすることにより、効率的で再現性の良いものとできる。
尚、レーザ光の走査は、通常、レーザ光をポリゴンミラーを回転して用いる光学系で行われ、矩形のサイズが決まれば、この矩形領域に合わせて、自動で制御して、スリット状パターンを配設することも可能である。
また、ラインパターンとなる遮光膜は、クロムを主成分とするものが、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、生成できるものとして挙げられる。
また、整形処理ステップとしては、レーザ光もしくは集束イオンビームにより、前記ハーフトーン膜を除去する形態が挙げられる。
このようなフォトマスクとしては、具体的には、大型化、高品質化が要求される液晶表示パネル作製用のフォトマスクが好適なものとして挙げられる。

本発明は、上記のように、階調マスクにおける、ライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法で、効率的で、且つ、転写性の良い欠陥修正方法の提供を可能とした。

本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）〜図１（ｃ）は本発明の階調マスクの欠陥修正方法の実施の形態の第１の例の工程を示した修正箇所における概略平面図で、図１（ｄ）は修正箇所に対応する箇所の転写絵柄を示した平面図で、図２（ａ）〜図２（ｃ）は本発明の階調マスクの欠陥修正方法の実施の形態の第２の例の工程を示した修正箇所における概略平面図で、図２（ｄ）は修正箇所に対応する箇所の転写絵柄を示した平面図で、図３は階調マスクの特徴部の断面と転写の露光状態を示した断面図で、図４はラインパターンを形成するためのレーザ照射によるＣＶＤ方法を示した概略断面図である。
尚、図１におけるＡ１−Ａ２断面、図２におけるＢ１−Ｂ２断面は、それぞれ、図３におけるＣ１部、Ｃ２部に相当する。
図１〜図４中、１０は透明基板、１０Ａは透明領域、２０はハーフトーン膜（半透明膜とも言う）、２０Ａ、２０Ｂはハーフトーン領域（ハーフトーン膜パターンとも言う）、２５、２５ａは欠陥部（第１の欠陥部とも言う）、２６、２６ａは第２の欠陥部（整形部とも言う）、２７は修正部、２７ａはラインパターン、２７ｂは隙間部、３０は遮光膜、３０Ａは遮光領域、４０は階調マスク、５０は露光光、６０はベース基材、７０は感光性材料、８０は被転写基材、９０はＸ−Ｙステージ、９１は成膜用ガスを閉じ込める室、９２はレーザ光である。

はじめに、本発明の階調マスクの欠陥修正方法の実施の形態の第１の例を図に基づいて説明する。
第１の例の階調マスクの欠陥修正方法は、透明基板１０の一面に転写時の露光光（図３の５０に相当）を遮光する遮光膜（図３の３０に相当）と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜（図３の２０に相当）とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域（図３の３０Ａに相当）と、遮光膜はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域（ハーフトーン膜パターンとも言い、図３の２０Ａに相当）と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域（図３の１０Ａに相当）とを設けた、図３に示す階調マスク（図３の４０に相当）における、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン内の白欠陥からなる欠陥部２５を修正する、階調マスクの欠陥修正方法で、ここでは、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａのラインの両外側が透明領域１０Ａである場合についての、修正方法である。

以下、図１に基づいて、第１の例を説明する。
先ず、階調マスクを作製し、検査により、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａ内の白欠陥からなる欠陥部２５を抽出しておく。（図１（ａ））
階調マスクの作製は、例えば、公知のバイナリーマスクの作製方法により、ハーフトーン膜をまだ配していない、バイナリーマスクを作製し、作製されたバイナリーマスク構造のマスクに対して、更に、その遮光膜からなる遮光膜パターンが形成された側の面に所望の透過率を有するハーフトーン膜を成膜し、同様に、感光性のレジストを塗布、露光描画、現像処理、エッチング、レジスト除去、洗浄処理等のプロセス処理を経て、所定の検査を行う。
尚、バイナリーマスクの作製は、先にも述べたように、通常、透明基板の一面全体に転写時の露光光に対して透過率０％のクロム等の遮光膜を配した基材（ブランクスとも言う）の遮光膜上に全面に感光性のレジストを塗布した後、レーザ描画装置により選択的に露光描画を行い、この後、該レジストを現像処理してレジストパターンを遮光膜上に形成し、該レジストパターンを耐エッチング層として、遮光膜を選択的にエッチングして、レジスト除去、洗浄処理等のプロセス処理を経て、所望のバイナリーマスクを得る。
必要に応じて、検査、修正を行う。
透明基板１０としては、光学研磨されたソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス、合成石英、蛍石、フッ化カルシウムを用いることができ、露光光が短波長の場合には石英ガラスが好ましい。
遮光膜３０としては、クロム系膜、モリブデンシリサイド、タンタル、アルミニウム、珪素、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などが挙げられるが、クロムを主成分としたクロム系膜が、汎用で、コスト、品質面から好ましい。
クロム系膜は、通常、クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロムの中から選ばれる材料の単層膜が用いられるが、それらのクロム系材料の中でも、成膜が容易で汎用性の高いクロム膜、または膜応力の低減が容易な窒化クロム膜がより好ましい。
たとえば、クロムを遮光膜とした場合には、５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度の範囲の膜厚で用いられる。
ハーフトーン膜２０としては、成膜性等から、通常は、クロムが用いられる。
尚、ここでの階調マスクとしては、カラーフィルタのパターニング用に、あるいは、ＴＦＴの回路部のパターニング用に、等倍露光で適用される大型の液晶表示パネル作製用フォトマスクが挙げられるが、これらに限定はされない。

次いで、このようにして作製された階調マスクに対して、以下のように、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａ内の欠陥部を修正する。
ここでは、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａ内に存在する白欠陥からなる欠陥部２５を修正する場合を説明する。
先ず、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａ内の欠陥部２５を第１の欠陥部として、該第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部２５を含み、且つ、該ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部（整形部とも言う）２６を新たに形成する。（図１（ｂ））
ここでは、第２の白欠陥部２６を、ハーフトーン膜パターン２０Ａのライン方向のサイズに応じて、予め、決めた、所定のサイズにする。
次いで、第２の欠陥部２６に対して、転写時の露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、且つ、該ラインの幅方向両端においては、最も外側のラインパターンを、その外側の辺部が、ハーフトーン膜パターンのラインと外側が透過領域との境部に位置するようにして配し、複数のラインパターンからなるスリット状パターン２７を配設する。（図１（ｃ））
即ち、最も外側（両外側）のラインパターンが、透明領域と接するようにして配する。 ここでは、スリット状パターン２７を配した整形された矩形部領域の露光光に対する透過率は、ハーフトーン膜２０の露光光に対する透過率に合わせて設定される。
スリット状パターン２７の配設は、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）と呼ばれる手法にて、図４に示すように、レーザ光９２を照射し、照射領域にラインパターン２７ａを、所望の線幅、膜厚で、配設する。
図４に示すように、ラインパターン２７ａを形成する領域に近接して成膜用ガスを閉じ込める室９１の内に、原料となるガス（例えば、Ｃｒ（ＣＯ）₆ ）を閉じ込めた状態で、フォトマスクのラインパターン２７ａを形成する領域に、例えば、ＹＡＧレーザの第３高調波光（３５５ｎｍ）を照射して、照射した領域にクロムを堆積させる。
図４では明示されていないが、レーザ光９２は制御して走査されて照射される。
尚、液晶表示パネル作製用の大サイズのフォトマスクの転写の場合は、等倍露光にて転写が行われるが、このような等倍露光の場合、転写により解像されないラインパターンの線幅は、０．５μｍ〜１．５μｍ程度である。
上記のようにして、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａのラインの両外側が透明領域である場合については、修正が行われる。
尚、第１の例は、欠陥部を白欠陥としたが、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａ内に異物が固着している場合についても、第１の例の修正方法は適用できる。

このようにして、修正された箇所を、図３に示すようにして、プロキシミティー露光法により、等倍で、ポジ型の感光性材料７０に転写した場合には、転写像は、図５（ｂ）に示すような線幅のくびれ７５や太りは発生せず、良好な転写性が得られる。
尚、簡単には、プロキシミティー露光法は、図３に示すように、階調マスク４０の遮光層３０、ハーフトーン膜２０を配設した膜面側の面と被転写基材８０の感光性材料７０を配設した側の面とを向き合うようにして、１００μｍ程度のギャップをあけて配した状態で、階調マスク４０の膜面側ではない裏面側から平行光に光学的に制御された露光光５０を照射するもので、階調マスク４０の膜面状態に対応して被転写基材８０の感光性材料７０が感光される。

次に、本発明の階調マスクの欠陥修正方法の実施の形態の第２の例を図に基づいて説明する。
第２の例の階調マスクの欠陥修正方法は、第１の例と同様、透明基板１０の一面に転写時の露光光（図３の５０に相当）を遮光する遮光膜（図３の３０に相当）と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜（図３の２０に相当）とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域（図３の３０Ａに相当）と、遮光膜はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域（ハーフトーン膜パターンとも言い、図３の２０Ａに相当）と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域（図３の１０Ａに相当）とを設けた、図３に示す階調マスク（図３の４０に相当）における、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン内の白欠陥からなる欠陥部２５ａを修正する、階調マスクの欠陥修正方法であるが、第２の例では、第１の例と異なり、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂのラインの両外側が遮光領域３０Ａである場合についての、修正方法である。

以下、図２に基づいて、第２の例を説明する。
第１の例と同様、作製された階調マスクに対して、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂ内の欠陥部２５ａを第１の欠陥部として、該第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部２５ａを含み、且つ、該ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部（整形部とも言う）２６ａを新たに形成する。（図２（ｂ））
ここでも、第２の白欠陥部２６ａを、ハーフトーン膜パターン２０Ｂのライン方向のサイズに応じて、予め、決めた、所定のサイズにする。
次いで、第２の欠陥部２６ａに対して、転写時の露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、且つ、該ラインの幅方向両端においては、最も外側のラインパターンを、その外側の辺部が、ハーフトーン膜パターンのラインと外側の遮光領域との境部と間隔があくようにして配し、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設する。（図２（ｃ））
即ち、最も外側のラインパターンが、遮光領域との境部と間隔があくようにして配する。
ここでも、スリット状パターンを配した整形された矩形部領域の露光光に対する透過率は、ハーフトーン膜２０の露光光に対する透過率に合わせて設定されている。
このようにして、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂのラインの両外側が遮光領域である場合について、修正が行われる。
尚、各処理、部材は第１の例と同様で、ここでは説明を省く。
また、第２の例も、欠陥部を白欠陥としたが、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂ内に異物が固着している場合についても、第２の例の修正方法は適用できる。

尚、ここでは、階調マスクとして、図３に示すように、遮光領域３０Ａは遮光膜３０上にハーフトーン膜２０を積層した構造のものを挙げているが、本発明の階調マスクの欠陥修正方法が適用できる階調マスクとしては、これに限定はされない。
例えば、遮光領域３０Ａが、ハーフトーン膜２０上に遮光膜３０を積層した構造や、遮光膜のみからなる場合にも適用できる。
また、矩形サイズとしては、通常、白欠陥（第１の欠陥部のこと）のサイズに応じてランク分けし、ランク毎に対応する矩形のサイズを決めておく。
この場合、同じランクの白欠陥（第１の欠陥部のこと）のサイズについては、同じサイズの矩形状の第２の白欠陥部を形成することとなり、異なるサイズの欠陥部（第１の欠陥部のこと）についても、同じ修正条件で処理でき、作業性の良いものにできる。

図１（ａ）〜図１（ｃ）は本発明の階調マスクの欠陥修正方法の実施の形態の第１の例の工程を示した修正箇所における概略平面図で、図１（ｄ）は修正箇所に対応する箇所の転写絵柄を示した平面図である。 図２（ａ）〜図２（ｃ）は本発明の階調マスクの欠陥修正方法の実施の形態の第２の例の工程を示した修正箇所における概略平面図で、図２（ｄ）は修正箇所に対応する箇所の転写絵柄を示した平面図である。 階調マスクの特徴部の断面と転写の露光状態を示した断面図である。 ラインパターンを形成するためのレーザ照射によるＣＶＤ方法を示した概略断面図である。 図５（ａ）は従来の欠陥修正状態を示した平面図で、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す欠陥修正状態の欠陥修正部の転写像を示した平面図である。

符号の説明

１０ 透明基板
１０Ａ 透明領域
２０ ハーフトーン膜（半透明膜とも言う）
２０Ａ、２０Ｂ ハーフトーン領域（ハーフトーン膜パターンとも言う）
２５、２５ａ 欠陥部（第１の欠陥部とも言う）
２６、２６ａ 第２の欠陥部（整形部とも言う）
２７ 修正部
２７ａ、２７Ａ ラインパターン
２７ｂ、２７Ｂ 隙間部
３０ 遮光膜
３０Ａ 遮光領域
４０ 階調マスク
５０ 露光光
６０ ベース基材
７０ 感光性材料
７５ くびれ部
８０ 被転写基材
９０ Ｘ−Ｙステージ
９１ 成膜用ガスを閉じ込める室
９２ レーザ光

Claims (5)

1. 透明基板の一面に転写時の露光光を遮光する遮光膜と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域と、遮光膜はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域とを、設けた階調マスクにおける、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法であって、（ａ）前記ライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を第１の欠陥部として、該第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部を含み、且つ、該ライン状のハーフトーン膜パターンのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成する、整形処理ステップと、（ｂ）前記第２の欠陥部に対して、前記露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、前記第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が透明領域である場合には、最も外側のラインパターンが、透明領域と接するようにして配して、また、前記第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が遮光領域である場合には、最も外側のラインパターンが、遮光領域との境部と間隔があくようにして配して、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設する、スリット状パターン配設処理ステップとを、行うもので、且つ、スリット状パターン配設処理ステップにおいては、前記スリット状パターンを配した前記整形された矩形部領域の前記露光光に対する透過率を、前記ハーフトーン膜の前記露光光に対する透過率に合わせて設定していることを特徴とする階調マスクの欠陥修正方法。
2. 請求項１に記載の階調マスクの欠陥修正方法であって、前記スリット状パターン配設処理ステップは、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、レーザ光を走査して照射し、照射領域に前記ラインパターンを配設するものであることを特徴とする階調マスクの欠陥修正方法。
3. 請求項１ないし２のいずれか１項に記載の階調マスクの欠陥修正方法であって、前記ラインパターンとなる遮光膜は、クロムを主成分とするものであることを特徴とする階調マスクの欠陥修正方法。
4. 請求項１ないし３のいずれか１項に記載の階調マスクの欠陥修正方法であって、前記整形処理ステップは、レーザ光もしくは集束イオンビームにより、前記ハーフトーン膜を除去するものであることを特徴とする階調マスクの欠陥修正方法。
5. 請求項１ないし４のいずれか１項に記載の階調マスクの欠陥修正方法であって、前記階調マスクが、液晶表示パネル作製用のフォトマスクであることを特徴とする階調マスクの欠陥修正方法。

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