JP5045394B2 - 階調マスクの欠陥修正方法 - Google Patents
階調マスクの欠陥修正方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5045394B2 JP5045394B2 JP2007307732A JP2007307732A JP5045394B2 JP 5045394 B2 JP5045394 B2 JP 5045394B2 JP 2007307732 A JP2007307732 A JP 2007307732A JP 2007307732 A JP2007307732 A JP 2007307732A JP 5045394 B2 JP5045394 B2 JP 5045394B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- line
- defect
- film
- shaped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
本発明は、透明基板の一面に転写時の露光光を遮光する遮光膜と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域と、遮光領域はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域とを、設けた階調マスクにおける、欠陥修正方法に関する。
近年、フラットパネル表示装置の普及はめざましく、液晶表示装置においてもその薄型化、大型化、高い品質化が求められている。
このような中、液晶表示装置の表示パネル（以下、液晶表示パネルと言う）作製に用いられるマスク（以下、液晶用フォトマスクと言う）においても、大型化が求められている。
これらのマスクとしては、従来から、ＴＦＴ回路の形成用あるいはカラーフィルタ形成用として、透明基板の一面に転写時の露光光を実質的に遮光する遮光膜からなる、複数の図形パターンにて絵柄部全体を形成しているバイナリーマスクが用いられているが、最近では、透明基板の一面に転写時の露光光を遮光する遮光膜と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域と、遮光膜はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域とを、設けた階調マスクを用い、液晶表示パネルの作製の工程短縮を図ることも、特開２００７−１８８０６９号公報（特許文献１）に、開示されるように、行われている。
特開２００７−１８８０６９号公報
このような中、液晶表示装置の表示パネル（以下、液晶表示パネルと言う）作製に用いられるマスク（以下、液晶用フォトマスクと言う）においても、大型化が求められている。
これらのマスクとしては、従来から、ＴＦＴ回路の形成用あるいはカラーフィルタ形成用として、透明基板の一面に転写時の露光光を実質的に遮光する遮光膜からなる、複数の図形パターンにて絵柄部全体を形成しているバイナリーマスクが用いられているが、最近では、透明基板の一面に転写時の露光光を遮光する遮光膜と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域と、遮光膜はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域とを、設けた階調マスクを用い、液晶表示パネルの作製の工程短縮を図ることも、特開２００７−１８８０６９号公報（特許文献１）に、開示されるように、行われている。
バイナリーマスクの作製は、通常、透明基板の一面全体に転写時の露光光を実質的に遮光する遮光膜を配した基材（ブランクスとも言う）の遮光膜上に全面に感光性のレジストを塗布した後、レーザ描画装置により選択的に露光描画を行い、この後、該レジストを現像処理してレジストパターンを遮光膜上に形成し、該レジストパターンを耐エッチング層として、遮光膜を選択的にエッチングして、レジスト除去、洗浄処理等のプロセス処理を経て、検査、修正を行うが、大サイズの場合、描画に３日間、プロセス処理、検査、修正に４日間程度かかることがある。
階調マスクの作製の場合は、例えば、このようにして、作製されたバイナリーマスク構造のマスクに対して、更に、その図形パターンが形成された側の面に所望の透過率を有するハーフトーン膜を成膜し、同様に、感光性のレジストを塗布、露光描画、現像処理、エッチング、レジスト除去、洗浄処理等のプロセス処理を経て、検査、修正を行う。
階調マスクの作製の場合は、例えば、このようにして、作製されたバイナリーマスク構造のマスクに対して、更に、その図形パターンが形成された側の面に所望の透過率を有するハーフトーン膜を成膜し、同様に、感光性のレジストを塗布、露光描画、現像処理、エッチング、レジスト除去、洗浄処理等のプロセス処理を経て、検査、修正を行う。
このような、階調マスクにおいては、特に、ライン状のハーフトーン膜で断線（欠陥）になった場合、該断線部に、遮光膜からなるラインパターンをスリット状に配したスリットパターンを設けて、その部分の透過率を、断線がない場合の透過率に合わせる、透過率調整を行い、修正としていた。
大型の液晶用フォトマスクにおいては、等倍にて転写の露光を行うが、例えば、図６（a)に示すように、修正した領域の透過率をハーフトーン膜２０の透過率に合わせて透過率調整して修正する。
即ち、例えばハーフトーン膜の転写時の露光光に対する透過率を５０％とした場合、遮光膜からなるスリットパターンの断線部の領域における透過率を５０％としていた。
このような各ラインパターン２７Ａの配設は、従来、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）と呼ばれる手法にて、レーザ光を走査して照射し、照射領域に、所望の線幅、膜厚で、配設するものであった。
しかし、この従来の方法では、ラインパターン２７Ａや隙間２７Ｂが、効率的に、均一に形成できないという問題があった。
さらに、転写した際、その転写像は、図６（ｂ）に示すように、修正部２７に対応する箇所が細ってしまうことがあり、転写性の面で問題となっていた。
大型の液晶用フォトマスクにおいては、等倍にて転写の露光を行うが、例えば、図６（a)に示すように、修正した領域の透過率をハーフトーン膜２０の透過率に合わせて透過率調整して修正する。
即ち、例えばハーフトーン膜の転写時の露光光に対する透過率を５０％とした場合、遮光膜からなるスリットパターンの断線部の領域における透過率を５０％としていた。
このような各ラインパターン２７Ａの配設は、従来、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）と呼ばれる手法にて、レーザ光を走査して照射し、照射領域に、所望の線幅、膜厚で、配設するものであった。
しかし、この従来の方法では、ラインパターン２７Ａや隙間２７Ｂが、効率的に、均一に形成できないという問題があった。
さらに、転写した際、その転写像は、図６（ｂ）に示すように、修正部２７に対応する箇所が細ってしまうことがあり、転写性の面で問題となっていた。
上記のように、液晶表示装置の大型化、高品質化が求められている中、これに対応するための大型の液晶用フォトマスクとして、液晶表示パネルの作製の工程短縮を図ることができる階調マスクが用いられるようになってきたが、ハーフトーン領域を形成するハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する場合、修正を効率的にでき、且つ、均一にできる欠陥修正方法が求められていた。
更に、修正箇所が所望の形状に転写できる転写性の良い欠陥修正方法が求められていた。
本発明はこれに対応するもので、階調マスクにおける、ハーフトーン領域を形成するハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法で、効率的に、且つ、均一に修正できる欠陥修正方法を提供しようとするものである。
更には、転写性の良い欠陥修正方法を提供しようとするものである。
更に、修正箇所が所望の形状に転写できる転写性の良い欠陥修正方法が求められていた。
本発明はこれに対応するもので、階調マスクにおける、ハーフトーン領域を形成するハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法で、効率的に、且つ、均一に修正できる欠陥修正方法を提供しようとするものである。
更には、転写性の良い欠陥修正方法を提供しようとするものである。
本発明の階調マスクの欠陥修正方法は、透明基板の一面に転写時の露光光を遮光する遮光膜と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域と、遮光膜はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域とを、設けた液晶表示パネル作製用の階調マスクにおける、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法であって、（ａ）前記ライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を第１の欠陥部として、該第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部を含み、且つ、該ライン状のハーフトーン膜パターンのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成する、整形処理ステップと、（ｂ）前記第２の欠陥部に対して、前記露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、前記第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が透明領域である場合には、最も外側のラインパターンが、透明領域と接するようにして配して、また、前記第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が遮光領域である場合には、最も外側のラインパターンが、遮光領域との境部と間隔があくようにして配して、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設し、且つ、前記スリット状パターンを配した前記整形された矩形部領域の前記露光光に対する透過率を、前記ハーフトーン膜の前記露光光に対する透過率に合わせる、スリット状パターン配設処理ステップとを、行うものであり、前記スリット状パターン配設処理ステップは、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、レーザ光を照射し、照射領域に前記ラインパターンを配設するもので、該レーザ光の照射は、前記矩形状の第２の欠陥部に配設するライン状パターンの絵柄に対応した絵柄の開口を有するアパーチャを介して、スリット状パターン配設領域を一括にて、照射するものであることを特徴とするものである。
そして、上記いずれかの階調マスクの欠陥修正方法であって、前記ラインパターンとなる遮光膜は、クロムを主成分とするものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかの階調マスクの欠陥修正方法であって、前記整形処理ステップは、レーザ光もしくは集束イオンビームにより、前記ハーフトーン膜を除去するものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれか１項に記載の階調マスクの欠陥修正方法であって、前記階調マスクが、液晶表示パネル作製用のフォトマスクであることを特徴とするものである。
尚、ここでの、「露光光を遮光する」とは、転写プロセス上での作用の面で露光光を実質的に遮光する状態を意味し、転写プロセス上での作用の面で遮光率１００％（透過率０％）の場合と同等である。
また、「転写時の露光光に対して半透過性」とは、転写プロセス上での作用の面で、実質的に、転写時の露光光に対して透過性を有し、且つ、遮光性を有することを意味する。 また、ここでの、「ハーフトーン膜パターンの領域内」とは、領域の最外側も含むものとする。
そして、上記いずれかの階調マスクの欠陥修正方法であって、前記ラインパターンとなる遮光膜は、クロムを主成分とするものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかの階調マスクの欠陥修正方法であって、前記整形処理ステップは、レーザ光もしくは集束イオンビームにより、前記ハーフトーン膜を除去するものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれか１項に記載の階調マスクの欠陥修正方法であって、前記階調マスクが、液晶表示パネル作製用のフォトマスクであることを特徴とするものである。
尚、ここでの、「露光光を遮光する」とは、転写プロセス上での作用の面で露光光を実質的に遮光する状態を意味し、転写プロセス上での作用の面で遮光率１００％（透過率０％）の場合と同等である。
また、「転写時の露光光に対して半透過性」とは、転写プロセス上での作用の面で、実質的に、転写時の露光光に対して透過性を有し、且つ、遮光性を有することを意味する。 また、ここでの、「ハーフトーン膜パターンの領域内」とは、領域の最外側も含むものとする。
（作用）
本発明の階調マスクの欠陥修正方法は、このような構成にしていることにより、ハーフトーン領域を形成するハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法で、効率的に、且つ、均一に修正できる欠陥修正方法の提供を可能としている。 具体的には、ライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を第１の欠陥部として、該第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部を含み、且つ、該ライン状のハーフトーン膜パターンのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成する、整形処理ステップと、（ｂ）前記第２の欠陥部に対して、前記露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、前記第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が透明領域である場合には、最も外側のラインパターンが、透明領域と接するようにして配して、また、前記第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が遮光領域である場合には、最も外側のラインパターンが、遮光領域との境部と間隔があくようにして配して、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設し、且つ、前記スリット状パターンを配した前記整形された矩形部領域の前記露光光に対する透過率を、前記ハーフトーン膜の前記露光光に対する透過率に合わせる、スリット状パターン配設処理ステップとを、行うものであり、前記スリット状パターン配設処理ステップは、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、レーザ光を照射し、照射領域に前記ラインパターンを配設するもので、該レーザ光の照射は、前記矩形状の第２の欠陥部に配設するライン状パターンの絵柄に対応した絵柄の開口を有するアパーチャを介して、スリット状パターン配設領域を一括にて、照射するものであることにより、これを達成している。
特に、スリット状パターン配設処理ステップは、レーザＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶ
ａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、レーザ光を照射し、照射領域に前記ラインパ
ターンを配設するものであり、該レーザ光の照射が、前記矩形状の第２の欠陥部に形成するライン状パターンの絵柄に対応した絵柄のマスクを介して、一括にて、照射されるものであることにより、効率的に、均一性良く、スリット状パターンを配設でき、これにより、効率的に、均一性良く、欠陥修正できるにものとしている。
また、ハーフトーン領域を形成するハーフトーン膜パターンが、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターンで、整形処理ステップが、該ライン状のハーフトーン膜パターンのラインの幅で該ラインにその辺部が沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成するものであり、スリット状パターン配設処理ステップは、スリット状パターンの各ラインパターンを、該ライン状のハーフトーン膜パターンのラインの方向に沿うように隙間を開けて並列にして配し、且つ、第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が透明領域である場合には、最も外側のラインパターンが、透明領域と接するようにして配して、また、第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が遮光領域である場合には、最も外側のラインパターンが、遮光領域との境部と間隔があくようにして配し、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設するものであることにより、第２の欠陥部について、転写後、露光、現像された感光性物質の厚みを、修正部以外の領域と同じくでき、且つ、転写形状を良くできるものとしている。
また、整形処理ステップとしては、レーザ光もしくは集束イオンビームにより、前記ハーフトーン膜を除去する形態が挙げられる。
このようなフォトマスクとしては、具体的には、大型化、高品質化が要求される液晶表示パネル作製用のフォトマスクが好適なものとして挙げられる。
本発明の階調マスクの欠陥修正方法は、このような構成にしていることにより、ハーフトーン領域を形成するハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法で、効率的に、且つ、均一に修正できる欠陥修正方法の提供を可能としている。 具体的には、ライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を第１の欠陥部として、該第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部を含み、且つ、該ライン状のハーフトーン膜パターンのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成する、整形処理ステップと、（ｂ）前記第２の欠陥部に対して、前記露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、前記第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が透明領域である場合には、最も外側のラインパターンが、透明領域と接するようにして配して、また、前記第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が遮光領域である場合には、最も外側のラインパターンが、遮光領域との境部と間隔があくようにして配して、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設し、且つ、前記スリット状パターンを配した前記整形された矩形部領域の前記露光光に対する透過率を、前記ハーフトーン膜の前記露光光に対する透過率に合わせる、スリット状パターン配設処理ステップとを、行うものであり、前記スリット状パターン配設処理ステップは、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、レーザ光を照射し、照射領域に前記ラインパターンを配設するもので、該レーザ光の照射は、前記矩形状の第２の欠陥部に配設するライン状パターンの絵柄に対応した絵柄の開口を有するアパーチャを介して、スリット状パターン配設領域を一括にて、照射するものであることにより、これを達成している。
特に、スリット状パターン配設処理ステップは、レーザＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶ
ａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、レーザ光を照射し、照射領域に前記ラインパ
ターンを配設するものであり、該レーザ光の照射が、前記矩形状の第２の欠陥部に形成するライン状パターンの絵柄に対応した絵柄のマスクを介して、一括にて、照射されるものであることにより、効率的に、均一性良く、スリット状パターンを配設でき、これにより、効率的に、均一性良く、欠陥修正できるにものとしている。
また、ハーフトーン領域を形成するハーフトーン膜パターンが、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターンで、整形処理ステップが、該ライン状のハーフトーン膜パターンのラインの幅で該ラインにその辺部が沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成するものであり、スリット状パターン配設処理ステップは、スリット状パターンの各ラインパターンを、該ライン状のハーフトーン膜パターンのラインの方向に沿うように隙間を開けて並列にして配し、且つ、第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が透明領域である場合には、最も外側のラインパターンが、透明領域と接するようにして配して、また、第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が遮光領域である場合には、最も外側のラインパターンが、遮光領域との境部と間隔があくようにして配し、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設するものであることにより、第２の欠陥部について、転写後、露光、現像された感光性物質の厚みを、修正部以外の領域と同じくでき、且つ、転写形状を良くできるものとしている。
また、整形処理ステップとしては、レーザ光もしくは集束イオンビームにより、前記ハーフトーン膜を除去する形態が挙げられる。
このようなフォトマスクとしては、具体的には、大型化、高品質化が要求される液晶表示パネル作製用のフォトマスクが好適なものとして挙げられる。
本発明は、上記のように、階調マスクにおける、ハーフトーン領域を形成するハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法で、効率的に、且つ、均一に修正できる欠陥修正方法の提供を可能とした。
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の階調マスクの欠陥修正方法の特徴部であるライン状パターンを配設するためのレーザ照射によるＣＶＤ方法を示した概略断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＣＶＤ方法に用いられるアパーチャを示した平面図で、図２（ａ）〜図２（ａ１）〜図２（ａ２）、図２（ｂ）〜図２（ｂ１）〜図２（ｂ２）、は、それぞれ、本発明に関わる階調マスクの欠陥修正方法における１状態例を示した図で、図３（ａ）〜図３（ｃ）は本発明の階調マスクの欠陥修正方法の１の例の工程を示した修正箇所における概略平面図で、図３（ｄ）は修正箇所に対応する箇所の転写絵柄を示した平面図で、図４（ａ）〜図４（ｃ）は本発明の階調マスクの欠陥修正方法の別の例の工程を示した修正箇所における概略平面図で、図４（ｄ）は修正箇所に対応する箇所の転写絵柄を示した平面図で、図５は階調マスクの特徴部の断面と転写の露光状態を示した断面図である。
尚、図２（ａ）は線幅Ｗ１のライン状のハーフトーン膜パターンにおける欠陥部を示した図で、図２（ａ１）は図２（ａ）のライン状のハーフトーン膜パターンに対して整形処理ステップを行った図で、図２（ａ２）は図２（ａ１）のライン状のハーフトーン膜パターンに対してスリット状パターン配設処理ステップを行った状態の図で、図２（ｂ）は線幅Ｗ２のライン状のハーフトーン膜パターンにおける欠陥部を示した図で、図２（ｂ１）は図２（ｂ）のライン状のハーフトーン膜パターンに対して整形処理ステップを行った図で、図２（ｂ２）は図２（ｂ１）のライン状のハーフトーン膜パターンに対してスリット状パターン配設処理ステップを行った状態の図であり、また、図２（ａ）、図２（ｂ）における点線四角領域は、整形処理ステップを行う領域を示している。
また、図３におけるＡ１−Ａ２断面、図４におけるＢ１−Ｂ２断面は、それぞれ、図５におけるＣ１部、Ｃ２部に相当する。
図１〜図５中、１はレーザ光、２はアパーチャ、２ａは（レーザ光の）遮光部、２ｂは開口部、２ｃは修正領域に対応する領域、３は成膜用ガスを閉じ込める室、４は階調マスク、５はＸ−Ｙステージ、６、６Ａはハーフトーン膜パターン、７、７Ａは欠陥部（ここでは白欠陥部）、８、８Ａは整形処理領域、９はラインパターン、１０は透明基板、１０Ａは透明領域、２０はハーフトーン膜（半透明膜とも言う）、２０Ａ、２０Ｂはハーフトーン領域（ハーフトーン膜パターンとも言う）、２５、２５ａは欠陥部（第１の欠陥部とも言う）、２６、２６ａは第２の欠陥部（整形部とも言う）、２７は修正部、２７ａはラインパターン、２７ｂは隙間部、３０は遮光膜、３０Ａは遮光領域、４０は階調マスク、５０は露光光、６０はベース基材、７０は感光性材料である。
図１（ａ）は本発明の階調マスクの欠陥修正方法の特徴部であるライン状パターンを配設するためのレーザ照射によるＣＶＤ方法を示した概略断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＣＶＤ方法に用いられるアパーチャを示した平面図で、図２（ａ）〜図２（ａ１）〜図２（ａ２）、図２（ｂ）〜図２（ｂ１）〜図２（ｂ２）、は、それぞれ、本発明に関わる階調マスクの欠陥修正方法における１状態例を示した図で、図３（ａ）〜図３（ｃ）は本発明の階調マスクの欠陥修正方法の１の例の工程を示した修正箇所における概略平面図で、図３（ｄ）は修正箇所に対応する箇所の転写絵柄を示した平面図で、図４（ａ）〜図４（ｃ）は本発明の階調マスクの欠陥修正方法の別の例の工程を示した修正箇所における概略平面図で、図４（ｄ）は修正箇所に対応する箇所の転写絵柄を示した平面図で、図５は階調マスクの特徴部の断面と転写の露光状態を示した断面図である。
尚、図２（ａ）は線幅Ｗ１のライン状のハーフトーン膜パターンにおける欠陥部を示した図で、図２（ａ１）は図２（ａ）のライン状のハーフトーン膜パターンに対して整形処理ステップを行った図で、図２（ａ２）は図２（ａ１）のライン状のハーフトーン膜パターンに対してスリット状パターン配設処理ステップを行った状態の図で、図２（ｂ）は線幅Ｗ２のライン状のハーフトーン膜パターンにおける欠陥部を示した図で、図２（ｂ１）は図２（ｂ）のライン状のハーフトーン膜パターンに対して整形処理ステップを行った図で、図２（ｂ２）は図２（ｂ１）のライン状のハーフトーン膜パターンに対してスリット状パターン配設処理ステップを行った状態の図であり、また、図２（ａ）、図２（ｂ）における点線四角領域は、整形処理ステップを行う領域を示している。
また、図３におけるＡ１−Ａ２断面、図４におけるＢ１−Ｂ２断面は、それぞれ、図５におけるＣ１部、Ｃ２部に相当する。
図１〜図５中、１はレーザ光、２はアパーチャ、２ａは（レーザ光の）遮光部、２ｂは開口部、２ｃは修正領域に対応する領域、３は成膜用ガスを閉じ込める室、４は階調マスク、５はＸ−Ｙステージ、６、６Ａはハーフトーン膜パターン、７、７Ａは欠陥部（ここでは白欠陥部）、８、８Ａは整形処理領域、９はラインパターン、１０は透明基板、１０Ａは透明領域、２０はハーフトーン膜（半透明膜とも言う）、２０Ａ、２０Ｂはハーフトーン領域（ハーフトーン膜パターンとも言う）、２５、２５ａは欠陥部（第１の欠陥部とも言う）、２６、２６ａは第２の欠陥部（整形部とも言う）、２７は修正部、２７ａはラインパターン、２７ｂは隙間部、３０は遮光膜、３０Ａは遮光領域、４０は階調マスク、５０は露光光、６０はベース基材、７０は感光性材料である。
本発明の階型マスクの欠陥修正方法は、簡単には、階調マスクにおける、ハーフトーン領域を形成するハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する欠陥修正方法で、前記ハーフトーン領域を形成するハーフトーン膜パターン内の欠陥部を第１の欠陥部として、該第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部を含み、且つ、該ハーフトーン膜パターンの領域内で矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成する、整形処理ステップと、前記第２の欠陥部に対して、露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、隙間を開けて並列にして、配して、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設し、且つ、前記スリット状パターンを配した前記整形された矩形部領域の前記露光光に対する透過率を、前記ハーフトーン膜の前記露光光に対する透過率に合わせる、スリット状パターン配設処理ステップとを、行うものであるが、特に、スリット状パターン配設処理ステップは、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、レーザ光を照射し、照射領域に前記ラインパターンを配設するもので、該レーザ光の照射は、前記矩形状の第２の欠陥部に配設するライン状パターンの絵柄に対応した絵柄の開口を有するアパーチャを介して、スリット状パターン配設領域を一括にて、照射する独特の形態のものであり、これにより、特に、効率的で、均一性の良い欠陥修正方法の提供を可能としている。
ここでは、ラインパターンは、露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅であり、また、前記スリット状パターンを配した整形された矩形部領域の露光光に対する透過率は、ハーフトーン膜の露光光に対する透過率に合わせている。
スリット状パターン配設処理ステップは、図１に示すように、整形処理ステップ後の階調マスク４をＸ−Ｙステージ５に載置し、ラインパターンからなるスリット状パターンを形成する領域に近接して成膜用ガスを閉じ込める室３を配し、該成膜用ガスを閉じ込める室３の内に原料となるガス（例えば、Ｃｒ（ＣＯ）6 ）を閉じ込めた状態とし、この状態で、矩形状の第２の欠陥部に配設するライン状パターンの絵柄に対応した絵柄の開口を有するアパーチャ２（図１（ｂ）参照）を介して、スリット状パターン配設領域を一括照射し、照射された領域のみに遮光膜からなるラインパターンを形成して、スリット状パターン配設するものである。
尚、レーザ光の照射時間は堆積する膜厚に合わせて調整する。
また、図１（ｂ）に示すアパーチャ２において、遮光部２ａはレーザ光を遮光する領域で、開口２ｂはレーザ光を通過させる領域で、点線で示す領域２ｃは修正領域に対応する領域である。
図１（ｂ）の点線で示す領域より大サイズで、図１（ａ）に示す点線矢印方向に進む、平行光からなるレーザ光の光束により、レーザ光がアパーチャ２を介して階調マスク４の前記第２の欠陥部の矩形状領域に照射される。
レーザ光としては、例えば、ＹＡＧレーザの第３高調波光（３５５ｎｍ）やＴｉ：Ｓａｐｈｒｅレーザ（２６６ｎｍ）等を照射して、照射した領域にクロムを堆積させる。
ここでは、ラインパターンは、露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅であり、また、前記スリット状パターンを配した整形された矩形部領域の露光光に対する透過率は、ハーフトーン膜の露光光に対する透過率に合わせている。
スリット状パターン配設処理ステップは、図１に示すように、整形処理ステップ後の階調マスク４をＸ−Ｙステージ５に載置し、ラインパターンからなるスリット状パターンを形成する領域に近接して成膜用ガスを閉じ込める室３を配し、該成膜用ガスを閉じ込める室３の内に原料となるガス（例えば、Ｃｒ（ＣＯ）6 ）を閉じ込めた状態とし、この状態で、矩形状の第２の欠陥部に配設するライン状パターンの絵柄に対応した絵柄の開口を有するアパーチャ２（図１（ｂ）参照）を介して、スリット状パターン配設領域を一括照射し、照射された領域のみに遮光膜からなるラインパターンを形成して、スリット状パターン配設するものである。
尚、レーザ光の照射時間は堆積する膜厚に合わせて調整する。
また、図１（ｂ）に示すアパーチャ２において、遮光部２ａはレーザ光を遮光する領域で、開口２ｂはレーザ光を通過させる領域で、点線で示す領域２ｃは修正領域に対応する領域である。
図１（ｂ）の点線で示す領域より大サイズで、図１（ａ）に示す点線矢印方向に進む、平行光からなるレーザ光の光束により、レーザ光がアパーチャ２を介して階調マスク４の前記第２の欠陥部の矩形状領域に照射される。
レーザ光としては、例えば、ＹＡＧレーザの第３高調波光（３５５ｎｍ）やＴｉ：Ｓａｐｈｒｅレーザ（２６６ｎｍ）等を照射して、照射した領域にクロムを堆積させる。
本発明の階型マスクの欠陥修正方法においては、例えば、整形処理領域がＷ０幅の矩形であり、図２（ａ）に示す線幅Ｗ１のハーフトーン膜パターン内に欠陥部７があり、図２（ｂ）に示す線幅Ｗ２のハーフトーン膜パターン内に欠陥部７Ａがあり、且つ、いずれの欠陥も、Ｗ０幅の矩形領域内におさまるサイズでれば、このＷ０幅の矩形領域で整形処理ステップを行い、更に整形処理領域のサイズに合わせたスリット状パターン配設処理ステップを、同じ条件で行うことができる。
ここでは、Ｗ１＞Ｗ２である。
整形処理ステップ、スリット状パターン配設処理ステップを順に行うことにより、図２（ａ）に示す状態のものは、順次、図２（ａ１）、図２（ａ２）のようになり、図２（ｂ）に示す状態のものは、順次、図２（ｂ１）、図２（ｂ２）のようになる。
このことは、スリット状パターン配設処理ステップにおけるアパーチャのサイズを欠陥部のサイズ毎に変える必要はなく、アパーチャのサイズを変えずに異なるサイズの欠陥部を、また異なる線幅のハーフトーン膜パターンの欠陥部を、修正することができることを意味する。
尚、先にも述べたが、図２（ａ）は線幅Ｗ１のライン状のハーフトーン膜パターンにおける欠陥部を示した図で、図２（ａ１）は図２（ａ）のライン状のハーフトーン膜パターンに対して整形処理ステップを行った図で、図２（ａ２）は図２（ａ１）のライン状のハーフトーン膜パターンに対して処理ステップを行った状態の図で、スリット状パターン配設処理ステップを行った状態の図で、図２（ｂ）は線幅Ｗ２のライン状のハーフトーン膜パターンにおける欠陥部を示した図で、図２（ｂ１）は図２（ｂ）のライン状のハーフトーン膜パターンに対して整形処理ステップを行った図で、図２（ｂ２）は図２（ｂ１）のライン状のハーフトーン膜パターンに対して処理ステップを行った状態の図で、スリット状パターン配設処理ステップを行った状態の図である。
ここでは、Ｗ１＞Ｗ２である。
整形処理ステップ、スリット状パターン配設処理ステップを順に行うことにより、図２（ａ）に示す状態のものは、順次、図２（ａ１）、図２（ａ２）のようになり、図２（ｂ）に示す状態のものは、順次、図２（ｂ１）、図２（ｂ２）のようになる。
このことは、スリット状パターン配設処理ステップにおけるアパーチャのサイズを欠陥部のサイズ毎に変える必要はなく、アパーチャのサイズを変えずに異なるサイズの欠陥部を、また異なる線幅のハーフトーン膜パターンの欠陥部を、修正することができることを意味する。
尚、先にも述べたが、図２（ａ）は線幅Ｗ１のライン状のハーフトーン膜パターンにおける欠陥部を示した図で、図２（ａ１）は図２（ａ）のライン状のハーフトーン膜パターンに対して整形処理ステップを行った図で、図２（ａ２）は図２（ａ１）のライン状のハーフトーン膜パターンに対して処理ステップを行った状態の図で、スリット状パターン配設処理ステップを行った状態の図で、図２（ｂ）は線幅Ｗ２のライン状のハーフトーン膜パターンにおける欠陥部を示した図で、図２（ｂ１）は図２（ｂ）のライン状のハーフトーン膜パターンに対して整形処理ステップを行った図で、図２（ｂ２）は図２（ｂ１）のライン状のハーフトーン膜パターンに対して処理ステップを行った状態の図で、スリット状パターン配設処理ステップを行った状態の図である。
さらに具体的に、本発明の階調マスクの欠陥修正方法の１例と、その修正部の転写性とを図３に基づいて説明する。
本例の階調マスクの欠陥修正方法は、透明基板１０の一面に転写時の露光光（図５の５０に相当）を遮光する遮光膜（図５の３０に相当）と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜（図５の２０に相当）とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域（図５の３０Ａに相当）と、遮光膜はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域（ハーフトーン膜パターンとも言い、図５の２０Ａに相当）と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域（図５の１０Ａに相当）とを設けた、図４に示す階調マスク（図５の４０に相当）における、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン内の白欠陥からなる欠陥部２５を修正する、階調マスクの欠陥修正方法で、ここでは、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａのラインの両外側が透明領域１０Ａである場合についての、修正方法である。
本例の階調マスクの欠陥修正方法は、透明基板１０の一面に転写時の露光光（図５の５０に相当）を遮光する遮光膜（図５の３０に相当）と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜（図５の２０に相当）とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域（図５の３０Ａに相当）と、遮光膜はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域（ハーフトーン膜パターンとも言い、図５の２０Ａに相当）と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域（図５の１０Ａに相当）とを設けた、図４に示す階調マスク（図５の４０に相当）における、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン内の白欠陥からなる欠陥部２５を修正する、階調マスクの欠陥修正方法で、ここでは、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａのラインの両外側が透明領域１０Ａである場合についての、修正方法である。
先ず、階調マスクを作製し、検査により、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａ内の白欠陥からなる欠陥部２５を抽出しておく。（図３（ａ））
階調マスクの作製は、例えば、公知のバイナリーマスクの作製方法により、ハーフトーン膜をまだ配していない、バイナリーマスクを作製し、作製されたバイナリーマスク構造のマスクに対して、更に、その遮光膜からなる遮光膜パターンが形成された側の面に所望の透過率を有するハーフトーン膜を成膜し、同様に、感光性のレジストを塗布、露光描画、現像処理、エッチング、レジスト除去、洗浄処理等のプロセス処理を経て、所定の検査を行う。
尚、バイナリーマスクの作製は、先にも述べたように、通常、透明基板の一面全体に転写時の露光光に対して透過率０％のクロム等の遮光膜を配した基材（ブランクスとも言う）の遮光膜上に全面に感光性のレジストを塗布した後、レーザ描画装置により選択的に露光描画を行い、この後、該レジストを現像処理してレジストパターンを遮光膜上に形成し、該レジストパターンを耐エッチング層として、遮光膜を選択的にエッチングして、レジスト除去、洗浄処理等のプロセス処理を経て、所望のバイナリーマスクを得る。
必要に応じて、検査、修正を行う。
透明基板１０としては、光学研磨されたソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス、合成石英、蛍石、フッ化カルシウムを用いることができ、露光光が短波長の場合には石英ガラスが好ましい。
遮光膜３０としては、クロム系膜、モリブデンシリサイド、タンタル、アルミニウム、珪素、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などが挙げられるが、クロムを主成分としたクロム系膜が、汎用で、コスト、品質面から好ましい。
クロム系膜は、通常、クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロムの中から選ばれる材料の単層膜が用いられるが、それらのクロム系材料の中でも、成膜が容易で汎用性の高いクロム膜、または膜応力の低減が容易な窒化クロム膜がより好ましい。
たとえば、クロムを遮光膜とした場合には、５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度の範囲の膜厚で用いられる。
ハーフトーン膜２０としては、成膜性等から、通常は、クロムが用いられる。
尚、ここでの階調マスクとしては、カラーフィルタのパターニング用に、あるいは、ＴＦＴの回路部のパターニング用に、等倍露光で適用される大型の液晶表示パネル作製用フォトマスクが挙げられるが、これらに限定はされない。
階調マスクの作製は、例えば、公知のバイナリーマスクの作製方法により、ハーフトーン膜をまだ配していない、バイナリーマスクを作製し、作製されたバイナリーマスク構造のマスクに対して、更に、その遮光膜からなる遮光膜パターンが形成された側の面に所望の透過率を有するハーフトーン膜を成膜し、同様に、感光性のレジストを塗布、露光描画、現像処理、エッチング、レジスト除去、洗浄処理等のプロセス処理を経て、所定の検査を行う。
尚、バイナリーマスクの作製は、先にも述べたように、通常、透明基板の一面全体に転写時の露光光に対して透過率０％のクロム等の遮光膜を配した基材（ブランクスとも言う）の遮光膜上に全面に感光性のレジストを塗布した後、レーザ描画装置により選択的に露光描画を行い、この後、該レジストを現像処理してレジストパターンを遮光膜上に形成し、該レジストパターンを耐エッチング層として、遮光膜を選択的にエッチングして、レジスト除去、洗浄処理等のプロセス処理を経て、所望のバイナリーマスクを得る。
必要に応じて、検査、修正を行う。
透明基板１０としては、光学研磨されたソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス、合成石英、蛍石、フッ化カルシウムを用いることができ、露光光が短波長の場合には石英ガラスが好ましい。
遮光膜３０としては、クロム系膜、モリブデンシリサイド、タンタル、アルミニウム、珪素、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などが挙げられるが、クロムを主成分としたクロム系膜が、汎用で、コスト、品質面から好ましい。
クロム系膜は、通常、クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロムの中から選ばれる材料の単層膜が用いられるが、それらのクロム系材料の中でも、成膜が容易で汎用性の高いクロム膜、または膜応力の低減が容易な窒化クロム膜がより好ましい。
たとえば、クロムを遮光膜とした場合には、５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度の範囲の膜厚で用いられる。
ハーフトーン膜２０としては、成膜性等から、通常は、クロムが用いられる。
尚、ここでの階調マスクとしては、カラーフィルタのパターニング用に、あるいは、ＴＦＴの回路部のパターニング用に、等倍露光で適用される大型の液晶表示パネル作製用フォトマスクが挙げられるが、これらに限定はされない。
次いで、このようにして作製された階調マスクに対して、以下のように、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａ内の欠陥部を修正する。
ここでは、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａ内に存在する白欠陥からなる欠陥部２５を修正する場合を説明する。
先ず、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａ内の欠陥部２５を第１の欠陥部として、該第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部２５を含み、且つ、該ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部（整形部とも言う）２６を新たに形成する。（図３（ｂ））
ここでは、第２の白欠陥部２６を、ハーフトーン膜パターン２０Ａのライン方向のサイズに応じて、予め、決めた、所定のサイズにする。
次いで、第２の欠陥部２６に対して、転写時の露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、且つ、該ラインの幅方向両端においては、最も外側のラインパターンを、その外側の辺部が、ハーフトーン膜パターンのラインと外側が透過領域との境部に位置するようにして配し、複数のラインパターンからなるスリット状パターン２７を配設する。（図３（ｃ））
即ち、最も外側（両外側）のラインパターンが、透明領域と接するようにして配する。 ここでは、スリット状パターン２７を配した整形された矩形部領域の露光光に対する透過率は、ハーフトーン膜２０の露光光に対する透過率に合わせて設定される。
ここでのスリット状パターン２７の配設は、先に述べた図１（ａ）に示す、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）手法にて行う。
尚、液晶表示パネル作製用の大サイズのフォトマスクの転写の場合は、等倍露光にて転写が行われるが、このような等倍露光の場合、転写により解像されないラインパターンの線幅は、０．５μｍ〜１．５μｍ程度である。
上記のようにして、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａのラインの両外側が透明領域である場合については、修正が行われる。
尚、本例は、欠陥部を白欠陥としたが、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａ内に異物が固着している場合や黒欠陥の場合についても、本例の修正方法は適用できる。
ここでは、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａ内に存在する白欠陥からなる欠陥部２５を修正する場合を説明する。
先ず、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａ内の欠陥部２５を第１の欠陥部として、該第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部２５を含み、且つ、該ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部（整形部とも言う）２６を新たに形成する。（図３（ｂ））
ここでは、第２の白欠陥部２６を、ハーフトーン膜パターン２０Ａのライン方向のサイズに応じて、予め、決めた、所定のサイズにする。
次いで、第２の欠陥部２６に対して、転写時の露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、且つ、該ラインの幅方向両端においては、最も外側のラインパターンを、その外側の辺部が、ハーフトーン膜パターンのラインと外側が透過領域との境部に位置するようにして配し、複数のラインパターンからなるスリット状パターン２７を配設する。（図３（ｃ））
即ち、最も外側（両外側）のラインパターンが、透明領域と接するようにして配する。 ここでは、スリット状パターン２７を配した整形された矩形部領域の露光光に対する透過率は、ハーフトーン膜２０の露光光に対する透過率に合わせて設定される。
ここでのスリット状パターン２７の配設は、先に述べた図１（ａ）に示す、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）手法にて行う。
尚、液晶表示パネル作製用の大サイズのフォトマスクの転写の場合は、等倍露光にて転写が行われるが、このような等倍露光の場合、転写により解像されないラインパターンの線幅は、０．５μｍ〜１．５μｍ程度である。
上記のようにして、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａのラインの両外側が透明領域である場合については、修正が行われる。
尚、本例は、欠陥部を白欠陥としたが、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ａ内に異物が固着している場合や黒欠陥の場合についても、本例の修正方法は適用できる。
このようにして、修正された箇所を、図５に示すようにして、プロキシミティー露光法により、等倍で、ポジ型の感光性材料７０に転写した場合には、転写像は、従来の修正部における図６（ｂ）に示すような線幅のくびれ７５や太りは発生せず、良好な転写性が得られる。（図３（ｄ）参照）
尚、簡単には、プロキシミティー露光法は、図５に示すように、階調マスク４０の遮光層３０、ハーフトーン膜２０を配設した膜面側の面と被転写基材８０の感光性材料７０を配設した側の面とを向き合うようにして、１００μｍ程度のギャップをあけて近接して配した状態で、階調マスク４０の膜面側ではない裏面側から平行光に光学的に制御された露光光５０を照射するもので階調マスク４０の膜面状態に対応して被転写基材８０の感光性材料７０が感光される。
尚、簡単には、プロキシミティー露光法は、図５に示すように、階調マスク４０の遮光層３０、ハーフトーン膜２０を配設した膜面側の面と被転写基材８０の感光性材料７０を配設した側の面とを向き合うようにして、１００μｍ程度のギャップをあけて近接して配した状態で、階調マスク４０の膜面側ではない裏面側から平行光に光学的に制御された露光光５０を照射するもので階調マスク４０の膜面状態に対応して被転写基材８０の感光性材料７０が感光される。
次に、本発明の階調マスクの欠陥修正方法の別の１例と、その修正部の転写性とを図４に基づいて説明する。
本例の階調マスクの欠陥修正方法は、図２に示す例と同様、透明基板１０の一面に転写時の露光光（図５の５０に相当）を遮光する遮光膜（図５の３０に相当）と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜（図５の２０に相当）とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域（図５の３０Ａに相当）と、遮光膜はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域（ハーフトーン膜パターンとも言い、図５の２０Ａに相当）と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域（図５の１０Ａに相当）とを設けた、図５に示す階型マスク（図５の４０に相当）における、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン内の白欠陥からなる欠陥部２５ａを修正する、階調マスクの欠陥修正方法であるが、本例では、図３に示す例とは異なり、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂのラインの両外側が遮光領域３０Ａである場合についての、修正方法である。
本例の階調マスクの欠陥修正方法は、図２に示す例と同様、透明基板１０の一面に転写時の露光光（図５の５０に相当）を遮光する遮光膜（図５の３０に相当）と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜（図５の２０に相当）とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域（図５の３０Ａに相当）と、遮光膜はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域（ハーフトーン膜パターンとも言い、図５の２０Ａに相当）と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域（図５の１０Ａに相当）とを設けた、図５に示す階型マスク（図５の４０に相当）における、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン内の白欠陥からなる欠陥部２５ａを修正する、階調マスクの欠陥修正方法であるが、本例では、図３に示す例とは異なり、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂのラインの両外側が遮光領域３０Ａである場合についての、修正方法である。
以下、図４に基づいて説明する。
図３に示す例と同様、作製され、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂ内の欠陥部２５ａを第１の欠陥部として有する、階調マスク（図４（ａ））に対して、該第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部２５ａを含み、且つ、該ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部（整形部とも言う）２６ａを新たに形成する。（図４（ｂ））
ここでも、第２の白欠陥部２６ａを、ハーフトーン膜パターン２０Ｂのライン方向のサイズに応じて、予め、決めた、所定のサイズにする。
次いで、第２の欠陥部２６ａに対して、転写時の露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、且つ、該ラインの幅方向両端においては、最も外側のラインパターンを、その外側の辺部が、ハーフトーン膜パターンのラインと外側が透過領域との境部と間隔があくようにして配し、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設する。（図４（ｃ））
即ち、最も外側のラインパターンが、遮光領域との境部と間隔があくようにして配する。
ここでも、スリット状パターンを配した整形された矩形部領域の露光光に対する透過率は、ハーフトーン膜２０の露光光に対する透過率に合わせて設定されている。
このようにして、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂのラインの両外側が遮光領域である場合について、修正が行われる。
尚、各処理、部材は図２に示す例と同様で、ここでは説明を省く。
また、本例も、欠陥部を白欠陥としたが、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂ内に異物が固着している場合や黒欠陥の場合についても、本例の修正方法は適用できる。
このようにして、修正された箇所を、図５に示すようにして、プロキシミティー露光法により、等倍で、ポジ型の感光性材料７０に転写した場合には、転写像は、従来の修正部における図６（ｂ）に示すような線幅のくびれ７５や太りは発生せず、良好な転写性が得られる。（図４（ｄ）参照）
図３に示す例と同様、作製され、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂ内の欠陥部２５ａを第１の欠陥部として有する、階調マスク（図４（ａ））に対して、該第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部２５ａを含み、且つ、該ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部（整形部とも言う）２６ａを新たに形成する。（図４（ｂ））
ここでも、第２の白欠陥部２６ａを、ハーフトーン膜パターン２０Ｂのライン方向のサイズに応じて、予め、決めた、所定のサイズにする。
次いで、第２の欠陥部２６ａに対して、転写時の露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、且つ、該ラインの幅方向両端においては、最も外側のラインパターンを、その外側の辺部が、ハーフトーン膜パターンのラインと外側が透過領域との境部と間隔があくようにして配し、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設する。（図４（ｃ））
即ち、最も外側のラインパターンが、遮光領域との境部と間隔があくようにして配する。
ここでも、スリット状パターンを配した整形された矩形部領域の露光光に対する透過率は、ハーフトーン膜２０の露光光に対する透過率に合わせて設定されている。
このようにして、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂのラインの両外側が遮光領域である場合について、修正が行われる。
尚、各処理、部材は図２に示す例と同様で、ここでは説明を省く。
また、本例も、欠陥部を白欠陥としたが、ライン状のハーフトーン膜パターン２０Ｂ内に異物が固着している場合や黒欠陥の場合についても、本例の修正方法は適用できる。
このようにして、修正された箇所を、図５に示すようにして、プロキシミティー露光法により、等倍で、ポジ型の感光性材料７０に転写した場合には、転写像は、従来の修正部における図６（ｂ）に示すような線幅のくびれ７５や太りは発生せず、良好な転写性が得られる。（図４（ｄ）参照）
尚、ここでは、階調マスクとして、図４に示すように、遮光領域３０Ａは遮光膜３０上にハーフトーン膜２０を積層した構造のものを挙げているが、本発明の階調マスクの欠陥修正方法が適用できる階調マスクとしては、これに限定はされない。
例えば、遮光領域３０Ａが、ハーフトーン膜２０上に遮光膜３０を積層した構造や、遮光膜のみからなる場合にも適用できる。
また、矩形サイズとしては、通常、白欠陥（第１の欠陥部のこと）のサイズに応じてランク分けし、ランク毎に対応する矩形のサイズを決めておく。
この場合、同じランクの白欠陥（第１の欠陥部のこと）のサイズについては、同じサイズの矩形状の第２の白欠陥部を形成することとなり、異なるサイズの欠陥部（第１の欠陥部のこと）についても、同じ修正条件で処理でき、作業性の良いものにできる。
例えば、遮光領域３０Ａが、ハーフトーン膜２０上に遮光膜３０を積層した構造や、遮光膜のみからなる場合にも適用できる。
また、矩形サイズとしては、通常、白欠陥（第１の欠陥部のこと）のサイズに応じてランク分けし、ランク毎に対応する矩形のサイズを決めておく。
この場合、同じランクの白欠陥（第１の欠陥部のこと）のサイズについては、同じサイズの矩形状の第２の白欠陥部を形成することとなり、異なるサイズの欠陥部（第１の欠陥部のこと）についても、同じ修正条件で処理でき、作業性の良いものにできる。
１ レーザ光
２ アパーチャ
２ａ （レーザ光の）遮光部
２ｂ 開口部
２ｃ 修正領域に対応する領域
３ 成膜用ガスを閉じ込める室
４ 階調マスク
５ Ｘ−Ｙステージ
６、６Ａ ハーフトーン膜パターン
７、７Ａ 欠陥部（ここでは白欠陥部）
８、８Ａ 整形処理領域
９ ラインパターン
１０ 透明基板
１０Ａ 透明領域
２０ ハーフトーン膜（半透明膜とも言う）
２０Ａ、２０Ｂ ハーフトーン領域（ハーフトーン膜パターンとも言う）
２５、２５ａ 欠陥部（第１の欠陥部とも言う）
２６、２６ａ 第２の欠陥部（整形部とも言う）
２７ 修正部
２７ａ ラインパターン
２７ｂ 隙間部
３０ 遮光膜
３０Ａ 遮光領域
４０ 階調マスク
５０ 露光光
６０ ベース基材
７０ 感光性材料
２ アパーチャ
２ａ （レーザ光の）遮光部
２ｂ 開口部
２ｃ 修正領域に対応する領域
３ 成膜用ガスを閉じ込める室
４ 階調マスク
５ Ｘ−Ｙステージ
６、６Ａ ハーフトーン膜パターン
７、７Ａ 欠陥部（ここでは白欠陥部）
８、８Ａ 整形処理領域
９ ラインパターン
１０ 透明基板
１０Ａ 透明領域
２０ ハーフトーン膜（半透明膜とも言う）
２０Ａ、２０Ｂ ハーフトーン領域（ハーフトーン膜パターンとも言う）
２５、２５ａ 欠陥部（第１の欠陥部とも言う）
２６、２６ａ 第２の欠陥部（整形部とも言う）
２７ 修正部
２７ａ ラインパターン
２７ｂ 隙間部
３０ 遮光膜
３０Ａ 遮光領域
４０ 階調マスク
５０ 露光光
６０ ベース基材
７０ 感光性材料
Claims (4)
- 透明基板の一面に転写時の露光光を遮光する遮光膜と、前記露光光に対して半透過性のハーフトーン膜とを、それぞれパターニングして配し、遮光膜が配設された遮光領域と、遮光膜はなくハーフトーン膜が配設されたハーフトーン領域と、遮光膜とハーフトーン膜のいずれもが存在しない透明領域とを、設けた液晶表示パネル作製用の階調マスクにおける、ライン状のハーフトーン領域を形成するライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法であって、（ａ）前記ライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を第１の欠陥部として、該第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部を含み、且つ、該ライン状のハーフトーン膜パターンのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成する、整形処理ステップと、（ｂ）前記第２の欠陥部に対して、前記露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、前記第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が透明領域である場合には、最も外側のラインパターンが、透明領域と接するようにして配して、また、前記第２の欠陥部における前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が遮光領域である場合には、最も外側のラインパターンが、遮光領域との境部と間隔があくようにして配して、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設し、且つ、前記スリット状パターンを配した前記整形された矩形部領域の前記露光光に対する透過率を、前記ハーフトーン膜の前記露光光に対する透過率に合わせる、スリット状パターン配設処理ステップとを、行うものであり、前記スリット状パターン配設処理ステップは、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、レーザ光を照射し、照射領域に前記ラインパターンを配設するもので、該レーザ光の照射は、前記矩形状の第２の欠陥部に配設するライン状パターンの絵柄に対応した絵柄の開口を有するアパーチャを介して、スリット状パターン配設領域を一括にて、照射するものであることを特徴とする階調マスクの欠陥修正方法。
- 請求項１に記載の階調マスクの欠陥修正方法であって、前記ラインパターンとなる遮光膜は、クロムを主成分とするものであることを特徴とする階調マスクの欠陥修正方法。
- 請求項１ないし２のいずれか１項に記載の階調マスクの欠陥修正方法であって、前記整形処理ステップは、レーザ光もしくは集束イオンビームにより、前記ハーフトーン膜を除去するものであることを特徴とする階調マスクの欠陥修正方法。
- 請求項１ないし３のいずれか１項に記載の階調マスクの欠陥修正方法であって、前記階調マスクが、液晶表示パネル作製用のフォトマスクであることを特徴とする階調マスクの欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007307732A JP5045394B2 (ja) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | 階調マスクの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007307732A JP5045394B2 (ja) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | 階調マスクの欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009133904A JP2009133904A (ja) | 2009-06-18 |
| JP5045394B2 true JP5045394B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=40865863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007307732A Active JP5045394B2 (ja) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | 階調マスクの欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5045394B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011227209A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Cowin Dst Co Ltd | ハーフトーンマスクのリペア方法及びリペアシステム |
| JP5163967B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2013-03-13 | オムロン株式会社 | フォトマスク修正方法およびレーザ加工装置 |
| JP6741893B1 (ja) * | 2020-03-04 | 2020-08-19 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | ハーフトーンマスクの欠陥修正方法、ハーフトーンマスクの製造方法及びハーフトーンマスク |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3590388B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2004-11-17 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクの欠陥修正方法 |
| JP2003347192A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-05 | Toshiba Corp | エネルギービーム露光方法および露光装置 |
| JP4294359B2 (ja) * | 2003-04-08 | 2009-07-08 | Ｈｏｙａ株式会社 | グレートーンマスクの欠陥修正方法 |
| JP4736818B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2011-07-27 | 大日本印刷株式会社 | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク |
| JP4621696B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2011-01-26 | 株式会社東芝 | レイアウトパターンの作成装置及びレイアウトパターンの作成方法 |
-
2007
- 2007-11-28 JP JP2007307732A patent/JP5045394B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009133904A (ja) | 2009-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI280457B (en) | Gray scale mask and method of manufacturing the same | |
| JP4210166B2 (ja) | グレートーンマスクの製造方法 | |
| KR101145564B1 (ko) | 그레이톤 마스크의 결함 수정 방법, 그레이톤 마스크의제조 방법 및 그레이톤 마스크와 패턴 전사 방법 | |
| KR101444463B1 (ko) | 그레이톤 마스크의 결함 수정 방법, 그레이톤 마스크의제조 방법 및 그레이톤 마스크와 패턴 전사 방법 | |
| KR101140054B1 (ko) | 다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 및 패턴 전사 방법 | |
| KR20080080023A (ko) | 그레이톤 마스크의 결함 수정 방법, 그레이톤 마크스의제조 방법 및 그레이톤 마스크 | |
| JP2010276724A (ja) | 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 | |
| JP5035537B2 (ja) | 階調マスクの欠陥修正方法および階調マスク | |
| JP4752495B2 (ja) | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法 | |
| TWI396934B (zh) | 多階調光罩、圖案轉移方法及使用多階調光罩之顯示裝置的製造方法 | |
| CN110780534B (zh) | 光掩模、其修正方法、制造方法、显示装置用器件的制造方法 | |
| JP2007193146A (ja) | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク | |
| JP5045394B2 (ja) | 階調マスクの欠陥修正方法 | |
| KR20170079742A (ko) | 하프톤 마스크의 리페어 방법 | |
| JP2008058943A (ja) | ハーフトーンマスクの欠陥修正方法及び欠陥が修正されたハーフトーンマスク | |
| KR101179000B1 (ko) | 다계조 광마스크 및 그 수정방법 | |
| JP4993113B2 (ja) | フォトマスク | |
| JP5283441B2 (ja) | 多階調フォトマスク及びその修正方法 | |
| JP4834206B2 (ja) | グレートーンマスクの製造方法及び被処理体の製造方法 | |
| KR101032695B1 (ko) | 그레이톤 포토마스크의 결함 수정 방법, 그레이톤 포토마스크 블랭크, 그레이톤 포토마스크, 및 그들의 제조 방법 | |
| JP5296432B2 (ja) | 多階調フォトマスク及びその修正方法 | |
| KR20090104741A (ko) | 포토마스크의 결함 수정 방법 및 포토마스크와 그 제조 방법과, 패턴 전사 방법 | |
| KR20070079559A (ko) | 그레이 톤 마스크의 결함 수정방법 및 그레이 톤 마스크 | |
| JP2003121979A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100721 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120221 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120416 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120619 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120702 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5045394 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |