JP5296432B2 - 多階調フォトマスク及びその修正方法 - Google Patents
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Description
図1(a)〜(b)及び図2(c)〜(d)は、本発明の実施形態に係る多階調フォトマスクの修正工程を説明する概略図である。図1(a)は、本発明の実施形態に係る多階調フォトマスク10のパターンの一部を示している。この図に示すように、多階調フォトマスク10は、透光部1と遮光膜のパターン2aと初期半透光膜のパターン3aとで構成される。ここで、多階調フォトマスク10の初期半透光膜のパターン3a内に欠陥Dが存在している。
2a、102a 遮光膜のパターン
3a、103a 初期半透光膜のパターン
4、104 修正半透光膜
4a、104a 修正半透光膜のパターン
5、105 レーザーザッピング痕
11a、111a レジストパターン
14b 階段状乃至テーパー状のレジストパターンエッジ部(修正パターン)
114b レジストパターンエッジ部(異常パターン)
R1、R2 修正領域
S スリット部
L レーザー光
Claims (7)
- 透明基板上に透光部と遮光部と半透光部とが設けられ、前記半透光部は半透光膜及び欠陥を修正するために前記半透光膜の一部を除去した後に形成された修正半透光膜のパターンにより形成され、前記修正半透光膜は、レーザーザッピングにより不要な部分が除去されており、前記レーザーザッピングにより形成され、かつ、前記透光部上に孤立した修正半透光膜のパターンのエッジ部に、スリット部を有する多階調フォトマスク。
- 前記半透光部は、第1の成膜方法で形成された第1の半透光膜と、第2の成膜方法で形成された第2の半透光膜とで構成され、前記スリット部は、前記第2の半透光膜の端部に形成されていることを特徴とする請求項1記載の多階調フォトマスク。
- 前記第2の半透光膜は、前記スリット部を除く他の領域において前記第1の半透光膜の透過率と実質的に等しく調整されている請求項1記載の多階調フォトマスク。
- 前記スリット部は、前記多階調フォトマスクを露光する際の露光光の波長の解像度限界以下の間隔を有することを特徴とする請求項1記載の多階調フォトマスク。
- 前記第2の半透光膜は、前記第1の半透光膜の一部が除去された後、除去された領域を包含するように局所的に形成された膜である請求項2乃至4のいずれか1項に記載の多階調フォトマスク。
- 前記第2の半透光膜は、気相成長法により形成された膜である請求項2乃至5のいずれか1項に記載の多階調フォトマスク。
- 透明基板上に透光部と遮光部と半透光部とが設けられた多階調フォトマスクの修正方法であって、前記半透光部のうち欠陥を含む領域を除去することにより透明基板の一部の領域を露出させる工程と、前記露出した一部の領域を包含するように修正半透光膜を形成し、レーザーザッピングにより前記修正半透光膜の不要な部分を除去し、その後前記レーザーザッピングにより形成され、かつ、ソース及びドレインを有する薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極形成領域その他透光部上に孤立した修正半透光膜のパターンのエッジ部に1つ又は複数のスリットを形成する工程とを含む多階調フォトマスクの修正方法。
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