TWI467315B - 多階光罩及其修正方法 - Google Patents

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Description

多階光罩及其修正方法
本發明係關於多階光罩及其修正方法。
「多階光罩」係以半透光部、遮光部、透明基板所露出之透光部構成的光罩。半透光部係使對應透射率之量的光透射。遮光部則因遮光膜而使光完全無法透射。透光部則係使光全部透射。
當在多階光罩之檢查步驟中於半透光部發現異常圖案或圖案缺損等缺陷時，即進行「缺陷之修正」。缺陷之修正步驟，大致由以下步驟構成。首先，局部地除去半透光部中包含缺陷之區域以使透明基板之一部分區域露出。其次，於露出之一部分區域形成「修正用之半透光膜」。最後除去不需要之修正半透光膜。
本說明書中，將在光罩形成步驟中形成之半透光膜稱為「初期半透光膜」，將為了修正缺陷而將初期半透光膜一部分除去後所形成之半透光膜稱為「修正半透光膜」，視需要區別兩者。
圖15(a)~(b)及圖16(a)~(b)係說明習知多階光罩之修正步驟的概略圖。圖15(a)係顯示習知多階光罩100之圖案一部分。如此圖所示，多階光罩100係以透光部101與遮光膜102a之圖案102a與半透光膜之圖案103a(初期半透光膜)構成。圖15(a)之「D」係表示形成於多階光罩100之初 期半透光膜之圖案103a內的「缺陷」。
圖15(b)，係顯示將包含缺陷D之半透光部一部分除去後之狀態之多階光罩之圖案的放大圖。亦即，為了除去缺陷D，係從圖15(a)之狀態局步地除去包含缺陷D之修正區域R1(圖中之虛線部的內部)(圖15(b))。藉由此步驟除去缺陷D並使透明基板之一部分露出。
其次，以包含已除去之部分的方式形成修正半透光膜104(圖16(a))。進而，照射雷射光除去修正半透光膜104之不需要的部分(圖16(b))。藉由此步驟形成修正半透光膜之圖案104a。如上述，照射雷射光選擇性地除去修正半透光膜之方法稱之為「雷射蒸散法」。
圖16(b)，係顯示修正半透光膜之圖案104a之形成已結束的狀態。半透光部中之缺陷D被完全地除去，包含缺陷D之區域整體被修正半透光膜104覆蓋。
此外，隨著圖案之微細化，近年來越來越重視半透光部中之透射率的均一性。其理由在於，當為多階光罩時，與僅由遮光部與透光部構成之習知光罩相較，透射率之些微差異即會對轉印後之光阻膜厚直接造成影響之故。
因此，以往最重要的課題，即係「在初期半透光膜與修正半透光膜之間將對曝光用光之透射率調整成相等」一事(參照例如專利文獻1、2)。亦即，只要透射率能調整並修正成相等，則不會特別產生其他問題。
專利文獻1：日本特開2008-058943號公報
專利文獻2：日本特開2007-233350號公報
然而，在一部分多階光罩中已確認了下述現象，即不論初期半透光膜與修正半透光膜之透射率是否正確地修正成相等，仍會產生導致電路短路等之不良光阻圖案。
為了詳細調查此問題，對以習知修正方法(圖15、圖16)所取得之已修正多階光罩(參照圖16(b))之截面構造進行了分析。
圖14(a)係以習知修正方法所取得之已修正多階光罩(參照圖16(b))之X1-X1線截面圖，圖14(b)係使用圖14(a)之多階光罩進行曝光及顯影步驟後所取得之光阻圖案111a之截面圖。如圖14(a)所示，可知圖案邊緣部中之修正半透光膜之膜厚較周圍厚。
上述膜厚之異常部形成於修正半透光膜之圖案邊緣部之主要原因仍未明朗。然而，根據本案發明人之推測，當藉由雷射蒸散除去修正半透光膜後，修正半透光膜之邊緣部因受到雷射光之能量而加熱，進而隆起所導致。上述因雷射蒸散所產生之痕跡，在本說明書中為了方便起見稱之為「雷射蒸散痕」。亦即，圖14(a)及圖16(a)及(b)，係顯示沿已進行雷射蒸散之軌跡而形成有雷射蒸散痕105之狀態。
圖14(b)係顯示使用圖14(a)之多階光罩進行曝光及顯影所取得之光阻圖案。圖14(b)之光阻圖案之例中，與透射率最低之遮光膜之圖案102a對應的部分中光阻之膜厚最 厚，與修正半透光膜之圖案104a對應之部分中，膜厚較遮光膜薄，而與透射率最高之透明部101對應之部分中，光阻膜厚完全被除去。然而，可知與修正半透光膜之圖案邊緣部對應之光阻圖案邊緣部114b中膜厚係局部地形成為較厚。此部分、亦即光阻圖案邊緣部114b為透射率較周圍之透射率小的「透射率之異常部」。因此，此圖案被判定為不良光阻圖案。此外，即使於遮光膜上形成雷射蒸散痕，亦不會對光阻圖案之形狀造成影響。亦即，雷射蒸散痕之影響所會出現的情形，可知係於透光部與半透光部之邊界區域形成雷射蒸散痕之局部膜厚部的情形。
本發明係基於上述見解所為，其技術課題在於，於多階光罩之修正步驟中，在必要之範圍內避免修正半透光膜之形成時可能會出現之透射率異常部之產生。
本發明之多階光罩，其缺陷已修正完畢，其特徵在於：於透明基板上設有透光部、遮光部以及半透光部，該半透光部係藉由半透光膜之圖案形成，該半透光膜，包含藉由雷射蒸散而形成之厚膜部，且於該厚膜部設有透射率調整區域。
此透射率調整區域，包含為了使缺陷修正步驟中之雷射蒸散步驟中所形成之厚膜部之透射率與周圍之透射率相等而設置的所有手段。
根據本發明之多階光罩及缺陷之修正方法，由於係調整造成不良光阻圖案之原因之厚膜部的透射率，因此能將透射率之異常部之形成防範於未然。
以下，說明實施形態。各圖中顯示同一部位之情形，則使用同一符號。
(第1實施形態)
圖1(a)~(b)及圖2(a)~(b)係本發明之實施形態之多階光罩之修正步驟圖。圖1(a)係顯示本發明之實施形態之多階光罩10之圖案的一部分。多階光罩10係以透光部1、遮光膜之圖案2a、以及初期半透光膜之圖案3a構成。此處，於多階光罩10之初期半透光膜之圖案3a內存在有缺陷D。
此外，此缺陷D雖可大分為在原本應形成半透光膜之部分未形成半透光膜或膜厚局部較薄之缺陷(將之稱為「白缺陷」)、以及相反之透射率局部較高之缺陷(將之稱為「黑缺陷」)，但本發明之修正方法中，由於係除去含有缺陷之區域後進行新的成膜，因此缺陷之種類並非所問。
圖1(b)係顯示將含有缺陷D之半透光部之一部分(初期半透光膜之一部分)除去後之狀態之多階光罩之圖案的放大圖。亦即，為了除去缺陷D，係從圖1(a)之狀態部分地除去含有缺陷D之修正區域R2(圖中虛線部之內部)(圖1(b))。藉由此步驟除去缺陷D，且使透明基板之一部分露出。
其次，以包含已除去之部分之方式形成修正半透光膜4，但在此之前，參照圖3說明本發明之修正半透光膜之形成方法。
圖3(a)係表示一邊將大小不同之能量密度I1 ,I2 [J/cm2 ] 之雷射光照射於修正半透光膜上一邊使照射範圍依序移動之狀態的圖。圖3(b)及(c)分別係圖3(a)之X2-X2線及Y1-Y1線截面圖。
此外，如圖3(a)所示，雷射光之照射區域通常係矩形，雖亦一邊脈衝照射雷射光一邊使之依序移動，但不限定於此方法。
本發明之實施形態之修正半透光膜之雷射蒸散步驟中，至少針對可能成為圖案異常之原因之重要區域，係以較習知雷射光所使用之能量密度小之能量密度進行雷射蒸散。亦即，當將習知雷射蒸散之照射能量設為I0 [J/cm2 ]時，可如式(3)所表示。
I0 ≧I1 >I2 ．．．．．(3)
圖3(a)~(c)之結果，係顯示藉由能以較小能量密度進行雷射蒸散來使雷射蒸散痕之大小較習知小之情形。
亦即，習知之雷射蒸散中，如圖16(b)及圖15(a)所示，雖沿已進行雷射蒸散之軌跡形成有較大之雷射蒸散痕105，但第1實施形態之修正半透光膜之形成步驟中，係以與習知同等或較其低之能量密度照射雷射光，因此即使不形成或形成較大之雷射蒸散痕105，亦不會形成大到會成為異常圖案之原因的雷射蒸散痕。換言之，藉由以相對較低之能量密度進行雷射蒸散，以對至少圖案異常會成為問題之部位避免形成大到會成為光阻圖案異常之原因之較大雷射蒸散痕，藉此解決問題。
藉由如上述原理，針對所需之區域以相對較小之能量 密度進行修正半透光膜之雷射蒸散。
如圖2(a)所示，於遮光膜之圖案2a上形成修正半透光膜4，進而照射較習知低之能量密度I1 [J/cm2 ]、I2 [J/cm2 ](其中，I1 >I2 )之雷射光，而可藉由除去修正半透光膜4之不需要之部分來形成修正半透光膜之圖案4a(圖2(b))。
此外，修正半透光膜4之形成方法，最好係氣相成長法、特別是化學氣相成長法或物理氣相成長法。化學氣相成長法之情形，最好係光CVD(化學氣相成長)法等能於特定之區域局部性地堆積之方法。光CVD裝置與其他成膜裝置相較，有可容易變更光之照射次數(脈衝頻率)或光之照射強度等之條件的優點。
圖2(b)係顯示修正半透光膜之圖案4a之形成已結束的狀態。如此圖所示，半透光部中之缺陷D已被完全除去。
歸納上述，本發明之實施形態之雷射蒸散之條件如下表1所示。
其中，區域I係指修正半透光膜並未孤立、異常圖案之形成不會成為嚴重之問題的區域，區域II係指薄膜電晶體之源極電極及汲極電極形成部等、於透光部上孤立之修正半透光膜之圖案之邊緣部等，當形成有異常圖案時可能產 生問題之區域(參照圖2(b))。
亦即，圖2(a)之例中，將能量密度切換於不同之兩個大小(I1 ,I2 )之理由在於，視圖案之狀態不同而可容許之雷射蒸散痕之大小亦不同之故。例如，即使於半透光部與遮光部之邊界形成雷射蒸散痕，由於在遮光部正如其名稱所示會遮蔽曝光用光，因此即使於其附近形成雷射蒸散痕之厚膜部，對曝光圖案產生之影響亦極小。相對於此，當將於透光部上孤立形成之半透光膜之圖案置換成修正半透光膜並施以雷射蒸散時，當藉由雷射蒸散痕形成局部之厚膜部時，可知即會對曝光圖案產生嚴重之影響。
因上述理由，在圖2(a)中，係考量待修正圖案而切換兩種類之能量密度，以對圖案形成後之未來將進行之配線形成步驟等中可能產生短路之重要部分(低能量雷射照射部K)使用更微弱之能量密度進行雷射蒸散，但若無需要，亦可均以相同能量密度(不過，以較習知技術相對低之能量密度進行照射)進行雷射蒸散。
圖4(a)係圖2(b)之X3-X3線放大截面圖。其圖示了於玻璃基板露出之透明部1上形成遮光膜之圖案2a與修正半透光膜之圖案4a，於與透光部1之邊界區域一部分形成低能量雷射照射部K。又，如該圖所示，係從玻璃基板之背面側照射曝光用光。
圖4(b)係使用圖4(a)之多階光罩進行曝光及顯影後之光阻圖案的截面圖。圖4(b)之光阻圖案之例中，與透射率最低之遮光膜之圖案2a對應的部分中光阻之膜厚最厚，與 修正半透光膜之圖案4a對應之部分中，膜厚較遮光膜薄，而與透射率最高之透明部1對應之部分中，光阻膜厚完全被除去，不過，與於半透光膜之圖案邊緣部形成之低能量照射部對應之光阻圖案邊緣部14b中，厚膜係圓滑地減少。
如上所述，本發明之實施形態之多階光罩之修正方法，係於修正半透光膜之形成步驟中，藉由在接近與透明部之邊界的部分設置低能量雷射照射部，而能避免於光阻圖案邊緣部形成「透射率之異常部(cf圖14(b)114b)」。
(第2實施形態)
圖5(a)~(b)及圖6(a)~(b)係第2實施形態之多階光罩之缺陷修正步驟圖。圖5(a)及(b)係顯示第2實施形態之多階光罩10之圖案的一部分，但由於與圖1(a),(b)相同，因此省略說明。
其次，如圖6(a)所示，於遮光膜之圖案2a上形成修正半透光膜4，進而照射雷射光，而可藉由除去修正半透光膜4之不需要之部分來形成修正半透光膜之圖案4a(圖2(a))。此外，如該圖所示，雷射光之照射區域通常係矩形，雖一邊脈衝照射雷射光一邊使之依序移動係一般方式，但不限定於此方法。
在此步驟結束後，即於修正半透光膜中已進行雷射蒸散之部位形成雷射蒸散痕5(圖6(b))。
圖7(a)係顯示進行修正半透光膜之圖案4a之形成中情形。如該圖所示，特定出雷射蒸散痕5中形成有異常圖案之部位，並藉由對該部分照射微細之雷射光L，以於雷射蒸 散痕5之一部分形成一個或複數個狹縫6構成的狹縫部S。此狹縫部S僅設於需要部位。
圖8係顯示狹縫部S之放大圖。雷射蒸散痕5由於膜厚局部性地變厚，透射率與周圍相較局部性地較低，因此具有與遮光膜近似之性質。另一方面，狹縫部S具有能供曝光用光通過之解析度極限以下之間隔，具有可局部性地提高雷射蒸散痕5之透射率的作用。藉由於雷射蒸散痕5設置狹縫部S即可抑制異常圖案之形成。
此外，此狹縫部S，最好係設於例如薄膜電晶體之源極電極及汲極電極般於透明基板上設有孤立之半透射膜之圖案之孤立圖案部的端部等，當產生雷射蒸散痕5時透射率即會局部性地下降之部位。孤立圖案部中，會因雷射蒸散痕5而容易形成異常圖案。相反地，即使於遮光膜上或遮光膜之附近形成有雷射蒸散痕，由於與於孤立圖案部形成有雷射蒸散痕5之情形相較仍係不易產生異常圖案之形成，因此是否要設置狹縫，可依據是否會產生異常圖案來判斷。
此外，為了除去缺陷D而使透明基板之一部分露出後，在堆積修正半透光膜時，最好係以被覆較初期半透光膜之區域稍微寬廣之區域、亦即被覆露出部之方式予以堆積。如此可容易確保冗餘性。
圖9(a)係圖7(a)所示之X2-X2線之放大截面圖。係圖示了於透明基板露出之透明部1上形成遮光膜之圖案2a與修正半透光膜4之圖案4a，且於與透光部1之邊界區域之 至少一部分形成有狹縫部S。又，如該圖所示，係從透明基板之背面側照射曝光用光。
圖9(b)係使用該多階光罩進行曝光及顯影後所取得之光阻圖案。圖9(b)之光阻圖案之例中，與透射率最低之遮光膜之圖案2a對應的部分中光阻之膜厚最厚，與修正半透光膜之圖案4a對應之部分中，膜厚較遮光膜薄，而與透射率最高之透明部1對應之部分中，光阻膜厚完全被除去，不過，與於修正半透光膜之圖案邊緣部形成之狹縫部S對應之光阻圖案邊緣部14b中，厚膜係從階段狀變化成圓錐狀。
如上所述，本發明之實施形態之多階光罩之修正方法，係於修正半透光膜之形成步驟中，藉由在修正半透光膜之端部設置狹縫部S，而在曝光時使透射率在狹縫部S局部性地提高。亦即，圖案轉印後之光阻膜，係在與透光部之邊界附近形成較薄，從半透光部至透光部之透射率呈和緩的變化。因此，可避免在修正半透光膜之有效區域周緣部產生之因修正半透光膜之形成時導致的透射率異常，能避免轉印曝光時之光阻膜厚之異常(於光阻圖案邊緣部形成「透射率之異常部(圖15(b)114b)」。
此外，狹縫部S之透射率與其周圍之透射率，最好係將狹縫寬度調整成在曝光用光之波長上儘可能相等。
(第3實施形態)
圖10(a)~(b)及圖11(a)~(b)係第3實施形態之多階光罩之缺陷修正步驟圖。圖10(a)及(b)係顯示第3實施形態之 多階光罩10之圖案的一部分，但由於與圖1(a),(b)相同，因此省略說明。
其次，雖以包含已除去之部分之方式形成修正半透光膜4，但在之前，參照圖12說明本發明之修正半透光膜之形成方法。
圖12(a)~(c)係顯示於平坦之玻璃基板上形成有修正半透光膜4之狀態的俯視圖。圖12(b)及(c)分別係圖12(a)之Y1-Y1線及X2-X2之線截面圖。
如此圖所示，在形成修正半透光膜4時，最初係在最寬廣之範圍進行堆積，其次一邊使中心大致一致、一邊在略窄之範圍堆積，使堆積範圍階段性地變化而陸續進行堆積。在實施氣相成長法時，使用光CVD裝置之情形下，使堆積範圍和緩地變窄，係較為容易。
如此，如圖12(a)至圖12(c)所示，於修正半透光膜之周緣部整體形成階級部G。在階級部G中，越接近與透光部之邊界透射率即越高。階級部G，雖會因成膜時之掃描次數而使階段之粗度不同，但不一定必須是圓滑之圓錐狀，亦可係較粗之階段狀。另一方面，於階級部G之內側形成之中央部C，係先調整膜厚等之條件，以使對曝光裝置之曝光用光之波長的透射率與初期半透光膜相同。
階級部中，由於透射率會呈階段性變化，因此圖案轉印後之光阻膜其光阻膜厚亦係越接近與透光部之邊界即形成地越薄，從半透光部至透光部之透射率呈和緩的變化。因此，可避免在修正半透光膜之有效區域周緣部產生之因 修正半透光膜之形成時導致的透射率異常，能避免轉印曝光時之光阻膜厚之異常。
如圖11(a)所示，於遮光膜之圖案2a上形成具有階級部G之修正半透光膜4，進而藉由照射雷射光除去修正半透光膜4之不需要的部分，而形成修正半透光膜4之圖案4a(圖11(b))。
此外，雖於修正半透光膜已進行雷射蒸散之部位，形成雷射蒸散痕5，但並不進行雷射蒸散，而不會於殘留階級部G之部位形成雷射蒸散痕5。
為了除去缺陷D而使透明基板之一部分露出後，在堆積修正半透光膜時，最好係以被覆較初期半透光膜之區域稍微寬廣之區域、亦即被覆露出部之方式予以堆積。如此可容易確保冗餘性，且可容易確保階級部G之區域。
圖11(b)係顯示修正半透光膜之圖案4a之形成已結束的狀態。如此圖所示，半透光部中之缺陷D已被完全除去。如上所述，階級部G雖係於修正半透光膜4之成膜後立即形成於周緣部整體，但可視需要情形，藉由雷射光對不需要之部分進行雷射蒸散。圖11(b)係顯示於修正半透光膜之圖案4a之一部分殘留有階級部G。不過，亦可不於修正半透光膜4之形成時形成冗餘區域，而在規定了所需充分之成膜範圍後，省略雷射蒸散步驟。
圖13(a)係圖11(b)所示之X3-X3線之放大截面圖。其圖示了於玻璃基板露出之透明部1上形成遮光膜之圖案2a與修正半透光膜之圖案4a，於與透光部1之邊界區域一部 分形成階級部G。又，如該圖所示，係從玻璃基板之背面側照射曝光用光。
圖13(b)係使用圖13(a)所示之多階光罩進行曝光及顯影後之光阻圖案的截面圖。圖13(b)之光阻圖案之例中，與透射率最低之遮光膜之圖案2a對應的部分中光阻之膜厚最厚，與修正半透光膜之圖案4a對應之部分中，膜厚較遮光膜薄，而與透射率最高之透明部1對應之部分中，光阻膜厚完全被除去，不過，與於半透光膜之圖案邊緣部形成之階級部G對應之光阻圖案邊緣部14b中，厚膜係從階段狀變化成圓錐狀。
如上所述，本發明之實施形態之多階光罩之修正方法，係於修正半透光膜之形成步驟中，藉由設置越接近與透明部之邊界透射率即越高之階級部，而可避免於光阻圖案邊緣部形成「透射率之異常部(圖14(b)114b)」。
此外，修正半透光膜，最好係在除了階級部以外之其他區域調整成與初期半透光膜之透射率實質相等。
如上所述，將兩者之透射率調整成相等且於圖案邊緣部設置階級部，藉此能使半透光部之透射率在圖案邊緣部以外之部分大致成為均一，而能防止透射率之異常部之形成。
此時，前述階級部中之半透光膜之膜厚，最好係構成為越朝向端部則越薄。作為用以調整透射率之最有效方法之一，可舉出調節膜厚之方法。此外，膜厚與透射率之關係雖係由式(1)及式(2)表示，但就定性而言，膜厚越薄透射 率即越高，膜厚越厚透射率則越低。
將單位膜厚L0 時之透射率設為T0 ，將透射率T0 時之濃度設為D0 ，將膜厚L時之濃度設為D時，則可表示為：D0 =-log T0 ．．．．．(1)
D=(L/L0 )．D0 ．．．．．(2)
此外，亦可視需要，進一步包含藉由例如雷射蒸散等之方法選擇性地除去修正半透光膜之一部分的步驟。藉由雷射蒸散等進行修正半透光膜之除去後，雖圖案邊緣部之膜厚會變薄，但可藉由設置階級部避免不良光阻圖案之產生。此意義，係指若包含在不形成不良光阻圖案之範圍內選擇性地除去修正半透光膜之一部分的步驟，亦不會產生問題。
又，前述修正半透光膜之端部，最好係具有源極及汲極之薄膜電晶體之源極電極及汲極電極形成區域、以及其他孤立於透光部上之修正半透光膜之圖案之邊緣部。
本發明係關於多階光罩之製造，特別是能提供可提高缺陷之修正精度之際述，此點在產業上之可利用性極大。
1,101‧‧‧透明部
2a,102a‧‧‧遮光膜之圖案
3a,103a‧‧‧初期半透光膜之圖案
4,104‧‧‧修正半透光膜
4a,104a‧‧‧修正半透光膜之圖案
5,105‧‧‧雷射蒸散痕
11a,111a‧‧‧光阻圖案
14b‧‧‧階段狀至圓錐狀之光阻圖案邊緣部(修正圖案)
114b‧‧‧光阻圖案邊緣部(異常圖案)
R1,R2‧‧‧修正區域
圖1(a)~(b)係第1實施形態之多階光罩之缺陷修正步驟圖。
圖2(a)~(b)係第1實施形態之多階光罩之缺陷修正步驟圖。
圖3(a)係表示一邊將大小不同之能量密度I1 ,I2 [J/cm2 ] 之雷射光照射於修正半透光膜上一邊使照射範圍依序移動之狀態的圖。圖3(b)及(c)分別係圖3(a)之X2-X2線及Y1-Y1線截面圖。
圖4(a)係圖2(b)之X3-X3線之放大截面圖。圖4(b)係使用圖4(a)之多階光罩進行曝光及顯影後之光阻圖案的截面圖。
圖5(a)~(b)係第2實施形態之多階光罩之缺陷修正步驟圖。
圖6(a)~(b)係第2實施形態之多階光罩之缺陷修正步驟圖。
圖7(a)係第2實施形態之多階光罩之缺陷修正步驟圖。特別是顯示進行修正半透光膜之圖案4a之形成的步驟圖。
圖8係狹縫部S之放大圖。
圖9(a)係圖7(a)之X2-X2線之放大截面圖。圖9(b)係使用圖9(a)之多階光罩進行曝光及顯影後之光阻圖案的截面圖。
圖10(a)~(b)係第3實施形態之多階光罩之缺陷修正步驟圖。
圖11(a)~(b)係第3實施形態之多階光罩之缺陷修正步驟圖。
圖12(a)係顯示於平坦之玻璃基板上形成有修正半透光膜4之狀態的俯視圖。圖12(b)及(c)分別係圖12(a)之Y1-Y1線及X2-X2之線截面圖。
圖13(a)係圖11(b)所示之X3-X3線之放大截面圖。圖13(b)係使用圖13(a)所示之多階光罩進行曝光及顯影後之光阻圖案的截面圖。
圖14(a)係以習知修正方法(圖15、圖16)所取得之已修正多階光罩(參照圖16(b))之X1-X1線截面圖，圖14(b)係使用圖14(a)之多階光罩進行曝光及顯影步驟後所取得之光阻圖案111a之截面圖。
圖15(a)~(b)係習知多階光罩之修正步驟圖。
圖16(a)~(b)係習知多階光罩之修正步驟圖。
2a．．．遮光膜之圖案
4．．．修正半透光膜
4a．．．修正半透光膜之圖案
5．．．雷射蒸散痕
K．．．低能量雷射照射部
R2．．．修正區域

Claims (16)

  1. 一種多階光罩之修正方法，係於透明基板上設有透光部、遮光部以及半透光部之多階光罩的修正方法，其包含：藉由除去該半透光部中包含缺陷之區域以使透明基板之一部分區域露出的步驟；於該已露出之一部分區域形成修正用半透光膜，進而對第1區域以能量密度相對較高之第1條件進行雷射蒸散以除去不需要之修正半透光膜的步驟；以及對第2區域以能量密度相對較低之第2條件進行雷射蒸散的步驟；該第2區域，係具有源極及汲極之薄膜電晶體之源極電極及汲極電極形成區域、以及其他孤立於透光部上之修正半透光膜之圖案之邊緣部。
  2. 一種多階光罩，其於透明基板上設有透光部、遮光部以及半透光部，該半透光部係藉由為了修正半透光膜及缺陷而除去該半透光膜一部分後所形成之修正半透光膜之圖案形成，該修正半透光膜，係藉由雷射蒸散而被除去不需要之部分，於藉由該雷射蒸散而形成且孤立於該透光部上之修正半透光膜之圖案部之邊緣部具有狹縫部。
  3. 如申請專利範圍第2項之多階光罩，其中，該半透光部係由以第1成膜方法形成之第1半透光膜及以第2成膜方法形成之第2半透光膜構成，該狹縫部形成於該第2半透光膜之端部。
  4. 如申請專利範圍第3項之多階光罩，其中，該第2半透光膜，在除了該狹縫部以外之其他區域，係被調整成與該第1半透光膜之透射率實質相等。
  5. 如申請專利範圍第2項之多階光罩，其中，該狹縫部，具有在使該多階光罩曝光時之曝光用光之波長之解析度極限以下的間隔。
  6. 如申請專利範圍第3至5項中任一項之多階光罩，其中，該第2半透光膜，係在除去該第1半透光膜一部分後局部地形成之包含已除去區域的膜。
  7. 如申請專利範圍第3至5項中任一項之多階光罩，其中，該第2半透光膜係藉由氣相成長法形成之膜。
  8. 一種多階光罩之修正方法，係於透明基板上設有透光部、遮光部以及半透光部之多階光罩的修正方法，其包含：藉由除去該半透光部中包含缺陷之區域以使透明基板之一部分區域露出的步驟；以及將修正半透光膜形成為包含該露出之一部分區域，藉由雷射蒸散除去該修正半透光膜之不需要之部分，其後於藉由該雷射蒸散而形成且具有源極及汲極之薄膜電晶體之源極電極及汲極形成區域、以及其他孤立於透光部上之修正半透光膜之圖案之邊緣部形成一個或複數個狹縫的步驟。
  9. 一種多階光罩，係於透明基板上設有透光部、遮光部以及半透光部，該半透光部係藉由半透光膜之圖案形 成，該半透光膜，係於與該透光部之邊界區域之至少一部分，具有透射率越接近與該透光部之邊界即越高的階級部，於該階級部之該半透光膜之膜厚越朝向端部越薄。
  10. 如申請專利範圍第9項之多階光罩，其中，該半透光部中之半透光膜，包含第1半透光膜與以與該第1半透光膜不同之成膜方法形成的第2半透光膜，該第2半透光膜，在除了該階級部以外之其他區域調整成與該第1半透光膜之透射率實質相等。
  11. 如申請專利範圍第10項之多階光罩，其中，該第2半透光膜，係在除去該第1半透光膜一部分後局部地形成為包含已除去區域的膜。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之多階光罩，其中，該第2半透光膜係藉由氣相成長法形成之膜。
  13. 如申請專利範圍第12項之多階光罩，其中，該階級部係使該氣相成長之成膜範圍階段性地變化而製得。
  14. 一種多階光罩之修正方法，係於透明基板上設有透光部、遮光部以及半透光部之多階光罩的修正方法，其包含：藉由除去該半透光部中包含缺陷之區域以使透明基板之一部分區域露出的步驟；以及將修正半透光膜形成為包含該露出之一部分區域，其後一邊將該修正半透光膜之端部從半透光部與透光部之邊界往半透光部側之方向挪移一邊形成的步驟。
  15. 如申請專利範圍第14項之多階光罩之修正方法， 其進一步包含將該修正半透光膜之一部分選擇性地除去的步驟。
  16. 如申請專利範圍第14或15項之多階光罩之修正方法，其中，該修正半透光膜之端部，係具有源極及汲極之薄膜電晶體之源極電極及汲極電極形成區域、以及其他孤立於透光部上之修正半透光膜之圖案之邊緣部。
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