JPH05249657A - フォトマスク修正装置およびフォトマスク修正方法 - Google Patents
フォトマスク修正装置およびフォトマスク修正方法Info
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- JPH05249657A JPH05249657A JP8340892A JP8340892A JPH05249657A JP H05249657 A JPH05249657 A JP H05249657A JP 8340892 A JP8340892 A JP 8340892A JP 8340892 A JP8340892 A JP 8340892A JP H05249657 A JPH05249657 A JP H05249657A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス基板表面に損傷を与えることなく、残
留欠陥の除去修正を可能とする。 【構成】 制御部６はフラッシュトリガ信号101 によっ
てレーザ光源１のフラッシュランプの点灯を指示し、Ｑ
スイッチトリガ信号102 によってレーザ光源１のＱスイ
ッチ動作を指示し、出力制御信号103 によってフラッシ
ュランプの充電電圧を制御する。制御部６は出力制御信
号103 によってレーザ電源１ｂを、レーザヘッド１ａか
ら１発目のエネルギＥ1 よりも小さいエネルギＥ2 のレ
ーザパルス100 が出射されるよう制御する。
留欠陥の除去修正を可能とする。 【構成】 制御部６はフラッシュトリガ信号101 によっ
てレーザ光源１のフラッシュランプの点灯を指示し、Ｑ
スイッチトリガ信号102 によってレーザ光源１のＱスイ
ッチ動作を指示し、出力制御信号103 によってフラッシ
ュランプの充電電圧を制御する。制御部６は出力制御信
号103 によってレーザ電源１ｂを、レーザヘッド１ａか
ら１発目のエネルギＥ1 よりも小さいエネルギＥ2 のレ
ーザパルス100 が出射されるよう制御する。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明はフォトマスク修正装置に関し、特
にレーザ光を用いてフォトマスクの残留欠陥を除去修正
するフォトマスク修正方法に関する。
にレーザ光を用いてフォトマスクの残留欠陥を除去修正
するフォトマスク修正方法に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体集積回路やプリント板などのパター
ン形成に用いられるフォトマスクには残留欠陥や欠損欠
陥と呼ばれる２種類の欠陥が存在する。すなわち、図６
に示すように、残留欠陥９ａはフォトマスクのパターン
９の不要な部分に遮光膜となる薄膜（ＣｒやＦｅＯなど
の金属膜）が残留する欠陥である。また、欠損欠陥９ｂ
はフォトマスクのパターン９の必要な部分の薄膜が欠損
する欠陥である。
ン形成に用いられるフォトマスクには残留欠陥や欠損欠
陥と呼ばれる２種類の欠陥が存在する。すなわち、図６
に示すように、残留欠陥９ａはフォトマスクのパターン
９の不要な部分に遮光膜となる薄膜（ＣｒやＦｅＯなど
の金属膜）が残留する欠陥である。また、欠損欠陥９ｂ
はフォトマスクのパターン９の必要な部分の薄膜が欠損
する欠陥である。
【０００３】フォトマスクのパターン９に上記の残留欠
陥９ａや欠損欠陥９ｂが存在すると、半導体集積回路や
プリント板などの性能不良を引き起こし、半導体集積回
路やプリント板などの歩留りを低下させる原因となる。
そのため、上記の残留欠陥９ａや欠損欠陥９ｂをなくす
ようフォトマスク製造プロセスの改善がなされている
が、現状では残留欠陥９ａや欠損欠陥９ｂをなくすこと
は不可能である。
陥９ａや欠損欠陥９ｂが存在すると、半導体集積回路や
プリント板などの性能不良を引き起こし、半導体集積回
路やプリント板などの歩留りを低下させる原因となる。
そのため、上記の残留欠陥９ａや欠損欠陥９ｂをなくす
ようフォトマスク製造プロセスの改善がなされている
が、現状では残留欠陥９ａや欠損欠陥９ｂをなくすこと
は不可能である。
【０００４】そこで、上記の残留欠陥９ａや欠損欠陥９
ｂを修正する必要がある。これらの欠陥のうち残留欠陥
９ａを修正する方法としてレーザ光を用いて修正する修
正方法が一般的に採用されており、この種の修正装置は
レーザマスクリペアと呼ばれている。
ｂを修正する必要がある。これらの欠陥のうち残留欠陥
９ａを修正する方法としてレーザ光を用いて修正する修
正方法が一般的に採用されており、この種の修正装置は
レーザマスクリペアと呼ばれている。
【０００５】従来、この種の修正装置においては、図７
に示すように、レーザ光源１から出射されたレーザ光を
ビーム整形光学系で整形した後に、該レーザ光をＸＹス
テージ４に載置されたフォトマスク５に照射している。
に示すように、レーザ光源１から出射されたレーザ光を
ビーム整形光学系で整形した後に、該レーザ光をＸＹス
テージ４に載置されたフォトマスク５に照射している。
【０００６】通常、レーザ光源１にはパルス励起Ｑスイ
ッチＹＡＧレーザが用いられている。このレーザ光源１
から出射されるレーザ光の波長は1.06μｍであるが、そ
のレーザ光の第２高調波光の0.53μｍや第４高調波光の
0.266 μｍを用いてより微細な修正を行う場合もある。
ッチＹＡＧレーザが用いられている。このレーザ光源１
から出射されるレーザ光の波長は1.06μｍであるが、そ
のレーザ光の第２高調波光の0.53μｍや第４高調波光の
0.266 μｍを用いてより微細な修正を行う場合もある。
【０００７】ビーム整形光学系２はレーザ光源１から出
射されたレーザ光をビームエキスパンダ（図示せず）に
よって拡大し、拡大したレーザ光をスリット（図示せ
ず）などによって所望の形に整形する。観察光学系３は
通常顕微鏡と同様の構成をとり、図示せぬ対物レンズや
照明装置、および接眼鏡やＴＶカメラなどから構成され
ている。観察光学系３はこれらの構成部品によってＸＹ
ステージ４上のフォトマスク５を観察する。このとき同
時に、観察光学系３はビーム整形光学系２で整形された
レーザ光を対物レンズによってフォトマスク５の表面に
集光する。
射されたレーザ光をビームエキスパンダ（図示せず）に
よって拡大し、拡大したレーザ光をスリット（図示せ
ず）などによって所望の形に整形する。観察光学系３は
通常顕微鏡と同様の構成をとり、図示せぬ対物レンズや
照明装置、および接眼鏡やＴＶカメラなどから構成され
ている。観察光学系３はこれらの構成部品によってＸＹ
ステージ４上のフォトマスク５を観察する。このとき同
時に、観察光学系３はビーム整形光学系２で整形された
レーザ光を対物レンズによってフォトマスク５の表面に
集光する。
【０００８】これらビーム整形光学系２および観察光学
系３においてはフォトマスク５上に照射されるレーザ光
の形状と位置とを確認するために、視野内にスリット像
と呼ばれる目印を形成するよう構成するのが一般的であ
る。制御部１０は上記のレーザ光源１とビーム整形光学
系２と観察光学系３とＸＹステージ４とを夫々制御す
る。
系３においてはフォトマスク５上に照射されるレーザ光
の形状と位置とを確認するために、視野内にスリット像
と呼ばれる目印を形成するよう構成するのが一般的であ
る。制御部１０は上記のレーザ光源１とビーム整形光学
系２と観察光学系３とＸＹステージ４とを夫々制御す
る。
【０００９】上記の如く構成された修正装置による残留
欠陥９ａの修正方法は、図８（ａ）に示すように、フォ
トマスク５を観察しながらＸＹステージ４を微調整し、
ビーム整形光学系２および観察光学系３によって形成さ
れたスリット像１１の位置に残留欠陥９ａの位置を合せ
る。この位置合せが完了した後に、レーザ光源１からレ
ーザ光を出射して残留欠陥９ａに照射する。
欠陥９ａの修正方法は、図８（ａ）に示すように、フォ
トマスク５を観察しながらＸＹステージ４を微調整し、
ビーム整形光学系２および観察光学系３によって形成さ
れたスリット像１１の位置に残留欠陥９ａの位置を合せ
る。この位置合せが完了した後に、レーザ光源１からレ
ーザ光を出射して残留欠陥９ａに照射する。
【００１０】これによって、図８（ｂ）に示すように、
残留欠陥９ａがレーザ光の熱エネルギで瞬時に蒸発し、
残留欠陥９ａの除去修正が行われる。このとき残留欠陥
９ａに照射されるレーザパルスの照射回数は、通常のフ
ォトマスク５の場合、２回が一般的である。
残留欠陥９ａがレーザ光の熱エネルギで瞬時に蒸発し、
残留欠陥９ａの除去修正が行われる。このとき残留欠陥
９ａに照射されるレーザパルスの照射回数は、通常のフ
ォトマスク５の場合、２回が一般的である。
【００１１】すなわち、図９に示すように、ガラス基板
１２上のパターン９に生じた残留欠陥９ａ−１［図９
（ａ）参照］に対して一発目のレーザパルスが、残留欠
陥９ａ−１のうち数％程度の薄い膜９ａ−２［図９
（ｂ）参照］が残るように照射される。この薄い膜９ａ
−２に２発目のレーザパルスが照射されると、レーザパ
ルスによって薄い膜９ａ−２が完全に除去され、残留欠
陥９ａ−１の除去修正が完了する［図９（ｃ）参照］。
１２上のパターン９に生じた残留欠陥９ａ−１［図９
（ａ）参照］に対して一発目のレーザパルスが、残留欠
陥９ａ−１のうち数％程度の薄い膜９ａ−２［図９
（ｂ）参照］が残るように照射される。この薄い膜９ａ
−２に２発目のレーザパルスが照射されると、レーザパ
ルスによって薄い膜９ａ−２が完全に除去され、残留欠
陥９ａ−１の除去修正が完了する［図９（ｃ）参照］。
【００１２】ここで、残留欠陥９ａ−１の除去に用いら
れるレーザパルスのエネルギは、残留欠陥９ａ−１が１
発目のレーザパルスで完全に除去されるエネルギよりも
少し低く設定される。すなわち、残留欠陥９ａ−１に対
して一度に強いエネルギを与えるよりも、少し低めのエ
ネルギで２回照射して修正するほうが修正形状のふくら
みやエッジラフネスの点で優れているためである。
れるレーザパルスのエネルギは、残留欠陥９ａ−１が１
発目のレーザパルスで完全に除去されるエネルギよりも
少し低く設定される。すなわち、残留欠陥９ａ−１に対
して一度に強いエネルギを与えるよりも、少し低めのエ
ネルギで２回照射して修正するほうが修正形状のふくら
みやエッジラフネスの点で優れているためである。
【００１３】尚、残留欠陥９ａの金属薄膜の膜厚が通常
の膜厚（1000オングストローム程度）よりも厚い場合に
は、その膜厚に比例してレーザパルスのエネルギを上げ
るか、または照射回数を増やすか、あるいはその両方の
方法が採られる。
の膜厚（1000オングストローム程度）よりも厚い場合に
は、その膜厚に比例してレーザパルスのエネルギを上げ
るか、または照射回数を増やすか、あるいはその両方の
方法が採られる。
【００１４】このような従来のフォトマスク欠陥修正装
置では、１つの残留欠陥９ａに対して２発以上のレーザ
パルスを照射することによってその残留欠陥９ａを完全
に修正することができる。しかしながら、残留欠陥９ａ
に照射される２発以上のレーザパルス各々のエネルギが
同じに設定されているため、最終的に照射されるレーザ
パルスのエネルギがガラス基板１２上に残っている薄い
膜９ａ−２に対して強すぎ、図１０に示すように、ガラ
ス基板１２上の欠陥修正部１２ａで損傷が生じるという
問題がある。
置では、１つの残留欠陥９ａに対して２発以上のレーザ
パルスを照射することによってその残留欠陥９ａを完全
に修正することができる。しかしながら、残留欠陥９ａ
に照射される２発以上のレーザパルス各々のエネルギが
同じに設定されているため、最終的に照射されるレーザ
パルスのエネルギがガラス基板１２上に残っている薄い
膜９ａ−２に対して強すぎ、図１０に示すように、ガラ
ス基板１２上の欠陥修正部１２ａで損傷が生じるという
問題がある。
【００１５】
【発明の目的】本発明は上記のような従来のものの問題
点を除去すべくなされたもので、ガラス基板表面に損傷
を与えることなく、残留欠陥を修正することができるフ
ォトマスク修正装置およびフォトマスク修正方法の提供
を目的とする。
点を除去すべくなされたもので、ガラス基板表面に損傷
を与えることなく、残留欠陥を修正することができるフ
ォトマスク修正装置およびフォトマスク修正方法の提供
を目的とする。
【００１６】
【発明の構成】本発明によるフォトマスク修正装置は、
フォトマスクの残留欠陥に対してレーザ光を複数回照射
して前記残留欠陥の除去修正を行うフォトマスク修正装
置であって、前記残留欠陥に照射する最終のレーザ光の
出力を前記最終以前のレーザ光の出力よりも低くする手
段を設けたことを特徴とする。
フォトマスクの残留欠陥に対してレーザ光を複数回照射
して前記残留欠陥の除去修正を行うフォトマスク修正装
置であって、前記残留欠陥に照射する最終のレーザ光の
出力を前記最終以前のレーザ光の出力よりも低くする手
段を設けたことを特徴とする。
【００１７】また、本発明によるフォトマスク修正方法
は、フォトマスクの残留欠陥に対してレーザ光を複数回
照射して前記残留欠陥の除去修正を行うフォトマスク修
正方法であって、前記残留欠陥に照射する最終のレーザ
光の出力を前記最終以前のレーザ光の出力よりも低くす
る工程を設けたことを特徴とする。
は、フォトマスクの残留欠陥に対してレーザ光を複数回
照射して前記残留欠陥の除去修正を行うフォトマスク修
正方法であって、前記残留欠陥に照射する最終のレーザ
光の出力を前記最終以前のレーザ光の出力よりも低くす
る工程を設けたことを特徴とする。
【００１８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１９】図１は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図において、レーザ光源１はレーザヘッド１ａやレ
ーザ電源１ｂ、および冷却器（図示せず）などからな
り、通常はパルス励起ＱスイッチＹＡＧレーザが用いら
れる。
る。図において、レーザ光源１はレーザヘッド１ａやレ
ーザ電源１ｂ、および冷却器（図示せず）などからな
り、通常はパルス励起ＱスイッチＹＡＧレーザが用いら
れる。
【００２０】ビーム整形光学系２はレーザ光源１から出
射されたレーザパルス100 をビームエキスパンダ（図示
せず）によって拡大し、拡大したレーザ光をスリット
（図示せず）などによって所望の形に整形する。
射されたレーザパルス100 をビームエキスパンダ（図示
せず）によって拡大し、拡大したレーザ光をスリット
（図示せず）などによって所望の形に整形する。
【００２１】観察光学系３は通常顕微鏡と同様の構成を
とり、図示せぬ対物レンズや照明装置、および接眼鏡や
ＴＶカメラなどから構成されている。観察光学系３はこ
れらの構成部品によってＸＹステージ４上のフォトマス
ク５を観察する。このとき同時に、観察光学系３はビー
ム整形光学系２で整形されたレーザ光を対物レンズによ
ってフォトマスク５の表面に集光する。
とり、図示せぬ対物レンズや照明装置、および接眼鏡や
ＴＶカメラなどから構成されている。観察光学系３はこ
れらの構成部品によってＸＹステージ４上のフォトマス
ク５を観察する。このとき同時に、観察光学系３はビー
ム整形光学系２で整形されたレーザ光を対物レンズによ
ってフォトマスク５の表面に集光する。
【００２２】これらビーム整形光学系２および観察光学
系３においてはフォトマスク５上に照射されるレーザ光
の形状と位置とを確認するために、視野内にスリット像
と呼ばれる目印を形成するよう構成するのが一般的であ
る。制御部６は上記レーザ光源１のレーザ電源１ｂとビ
ーム整形光学系２と観察光学系３とＸＹステージ４とを
夫々制御する。
系３においてはフォトマスク５上に照射されるレーザ光
の形状と位置とを確認するために、視野内にスリット像
と呼ばれる目印を形成するよう構成するのが一般的であ
る。制御部６は上記レーザ光源１のレーザ電源１ｂとビ
ーム整形光学系２と観察光学系３とＸＹステージ４とを
夫々制御する。
【００２３】この制御部６によるレーザ電源１ｂの制御
は制御部６からのフラッシュトリガ信号101 とＱスイッ
チトリガ信号102 と出力制御信号103 とによって行われ
る。制御部６はフラッシュトリガ信号101 によってレー
ザ光源１のフラッシュランプ（図示せず）の点灯を指示
し、Ｑスイッチトリガ信号102 によってレーザ光源１の
Ｑスイッチ動作を指示し、出力制御信号103 によってフ
ラッシュランプの充電電圧を制御する。この出力制御信
号103 の大小によって出射されるレーザパルスのエネル
ギの大小が決定される。
は制御部６からのフラッシュトリガ信号101 とＱスイッ
チトリガ信号102 と出力制御信号103 とによって行われ
る。制御部６はフラッシュトリガ信号101 によってレー
ザ光源１のフラッシュランプ（図示せず）の点灯を指示
し、Ｑスイッチトリガ信号102 によってレーザ光源１の
Ｑスイッチ動作を指示し、出力制御信号103 によってフ
ラッシュランプの充電電圧を制御する。この出力制御信
号103 の大小によって出射されるレーザパルスのエネル
ギの大小が決定される。
【００２４】図２は図１の制御部６によるレーザ電源１
ｂの制御動作を示すタイミングチャートである。これら
図１および図２を用いて本発明の一実施例の動作につい
て説明する。
ｂの制御動作を示すタイミングチャートである。これら
図１および図２を用いて本発明の一実施例の動作につい
て説明する。
【００２５】まず、レーザ光源１から１発目のレーザパ
ルス100 を出射する場合、制御部６は出力制御信号103
を所定の電圧Ｖ1 にしてフラッシュトリガ信号101 およ
びＱスイッチトリガ信号102 をレーザ電源１ｂに出力す
る。これによって、レーザヘッド１ａからエネルギＥ1
のレーザパルス100 が出射される。
ルス100 を出射する場合、制御部６は出力制御信号103
を所定の電圧Ｖ1 にしてフラッシュトリガ信号101 およ
びＱスイッチトリガ信号102 をレーザ電源１ｂに出力す
る。これによって、レーザヘッド１ａからエネルギＥ1
のレーザパルス100 が出射される。
【００２６】この１発目のレーザパルス100 によって、
数％程度の薄い膜９ａ−２を残して残留欠陥９ａ−１が
ほぼ除去される［図９（ｂ）参照］。ここで、フラッシ
ュトリガ信号101 およびＱスイッチトリガ信号102 の間
にはレーザヘッド１ａの特性に応じて少し遅延時間を設
けるのが普通である（図２参照）。
数％程度の薄い膜９ａ−２を残して残留欠陥９ａ−１が
ほぼ除去される［図９（ｂ）参照］。ここで、フラッシ
ュトリガ信号101 およびＱスイッチトリガ信号102 の間
にはレーザヘッド１ａの特性に応じて少し遅延時間を設
けるのが普通である（図２参照）。
【００２７】次に、レーザ光源１から２発目のレーザパ
ルス100 を出射する場合、制御部６は出力制御信号103
を所定の電圧Ｖ1 よりも小さい電圧Ｖ2 にしてフラッシ
ュトリガ信号101 およびＱスイッチトリガ信号102 をレ
ーザ電源１ｂに出力する。これによって、レーザヘッド
１ａから１発目のエネルギＥ1 よりも小さいエネルギＥ
2 の２発目のレーザパルス100 が出射される。
ルス100 を出射する場合、制御部６は出力制御信号103
を所定の電圧Ｖ1 よりも小さい電圧Ｖ2 にしてフラッシ
ュトリガ信号101 およびＱスイッチトリガ信号102 をレ
ーザ電源１ｂに出力する。これによって、レーザヘッド
１ａから１発目のエネルギＥ1 よりも小さいエネルギＥ
2 の２発目のレーザパルス100 が出射される。
【００２８】この２発目のレーザパルス100 によって、
１発目のレーザパルス100 で残された薄い膜９ａ−２が
完全に除去され、残留欠陥９ａ−１の修正が完了する
［図９（ｃ）参照］。この場合、２発目のレーザパルス
100 はエネルギが小さいので、図１０に示す従来例のよ
うなガラス基板１２表面の損傷が発生することはない。
１発目のレーザパルス100 で残された薄い膜９ａ−２が
完全に除去され、残留欠陥９ａ−１の修正が完了する
［図９（ｃ）参照］。この場合、２発目のレーザパルス
100 はエネルギが小さいので、図１０に示す従来例のよ
うなガラス基板１２表面の損傷が発生することはない。
【００２９】ここで、出力制御信号103 によって指定さ
れる電圧Ｖとレーザパルス100 のエネルギＥとの間には
ある相関関係が存在するので、予めこの特性を測定して
おけば、出力制御信号103 によって指定される電圧Ｖを
可変させることでレーザパルス100 のエネルギＥを変え
ることができる。したがって、例えばこの関係が比例関
係であれば、２発目のレーザパルス100 の出射時に指定
する電圧Ｖ2 を１発目のレーザパルス100 の出射時に指
定した電圧Ｖ1 よりも１０％下げることによって、２発
目のレーザパルス100 のエネルギＥ2 を１発目のレーザ
パルス100 のエネルギＥ1 よりも１０％下げることがで
きる。
れる電圧Ｖとレーザパルス100 のエネルギＥとの間には
ある相関関係が存在するので、予めこの特性を測定して
おけば、出力制御信号103 によって指定される電圧Ｖを
可変させることでレーザパルス100 のエネルギＥを変え
ることができる。したがって、例えばこの関係が比例関
係であれば、２発目のレーザパルス100 の出射時に指定
する電圧Ｖ2 を１発目のレーザパルス100 の出射時に指
定した電圧Ｖ1 よりも１０％下げることによって、２発
目のレーザパルス100 のエネルギＥ2 を１発目のレーザ
パルス100 のエネルギＥ1 よりも１０％下げることがで
きる。
【００３０】上記の残留欠陥９ａ−１の修正に最適なエ
ネルギＥ1 ，Ｅ2 、つまり指定電圧Ｖ1 ，Ｖ2 はフォト
マスク５の材質によって異なるので、それらの値を予め
実験によって求めておき、制御部６に設定しておく。こ
れによって、制御部６は材質の異なるフォトマスク５に
対しても対応することが可能となる。
ネルギＥ1 ，Ｅ2 、つまり指定電圧Ｖ1 ，Ｖ2 はフォト
マスク５の材質によって異なるので、それらの値を予め
実験によって求めておき、制御部６に設定しておく。こ
れによって、制御部６は材質の異なるフォトマスク５に
対しても対応することが可能となる。
【００３１】上述したように、２発目のレーザパルス10
0 のエネルギＥ2 を１発目のレーザパルス100 のエネル
ギＥ1 よりも低くすることによって、従来の修正装置の
ハードウェア構成を生かしたまま、レーザ電源１ｂの制
御方法を変えるだけで比較的低コストで、ガラス基板に
損傷を与えるという従来の問題を解決することができ
る。
0 のエネルギＥ2 を１発目のレーザパルス100 のエネル
ギＥ1 よりも低くすることによって、従来の修正装置の
ハードウェア構成を生かしたまま、レーザ電源１ｂの制
御方法を変えるだけで比較的低コストで、ガラス基板に
損傷を与えるという従来の問題を解決することができ
る。
【００３２】図３は本発明の他の実施例を示す構成図で
ある。図において、本発明の他の実施例はレーザ光源１
とビーム整形光学系２との間にアッテネータ８を設置
し、そのアッテネータ８を制御部７によって制御するよ
うにした以外は本発明の一実施例と同様の構成となって
おり、同一構成要素には同一符号を付してある。また、
同一構成要素の動作は本発明の一実施例の動作と同様で
ある。
ある。図において、本発明の他の実施例はレーザ光源１
とビーム整形光学系２との間にアッテネータ８を設置
し、そのアッテネータ８を制御部７によって制御するよ
うにした以外は本発明の一実施例と同様の構成となって
おり、同一構成要素には同一符号を付してある。また、
同一構成要素の動作は本発明の一実施例の動作と同様で
ある。
【００３３】本発明の他の実施例では、制御部７によっ
てアッテネータ８の透過率を可変制御し、レーザ光源１
からビーム整形光学系２に出射されるレーザパルス100
のエネルギを可変するようにしている。すなわち、アッ
テネータ８の透過率を可変することで、上述した本発明
の一実施例と同様に、２発目のレーザパルス100 のエネ
ルギＥ2 を１発目のレーザパルス100 のエネルギＥ1 よ
りも低くしている。
てアッテネータ８の透過率を可変制御し、レーザ光源１
からビーム整形光学系２に出射されるレーザパルス100
のエネルギを可変するようにしている。すなわち、アッ
テネータ８の透過率を可変することで、上述した本発明
の一実施例と同様に、２発目のレーザパルス100 のエネ
ルギＥ2 を１発目のレーザパルス100 のエネルギＥ1 よ
りも低くしている。
【００３４】図４は図３のアッテネータ８の一例を示す
図である。図において、偏光板８ａは図示せぬモータな
どによって矢印Ａの方向に回転駆動される。この偏光板
８ａを回転することによって、偏光板８ａにおけるレー
ザパルス100 の透過位置が変わり、偏光板８ａを透過し
たレーザパルス100 のエネルギＥが変化する。
図である。図において、偏光板８ａは図示せぬモータな
どによって矢印Ａの方向に回転駆動される。この偏光板
８ａを回転することによって、偏光板８ａにおけるレー
ザパルス100 の透過位置が変わり、偏光板８ａを透過し
たレーザパルス100 のエネルギＥが変化する。
【００３５】よって、レーザ光源１から出射されるレー
ザパルス100 のエネルギを一定にしておき、１発目のレ
ーザパルス100 および２発目のレーザパルス100 の偏光
板８ａにおける透過位置を可変するだけで、２発目のレ
ーザパルス100 のエネルギＥ2 を１発目のレーザパルス
100 のエネルギＥ1 よりも低くすることができる。
ザパルス100 のエネルギを一定にしておき、１発目のレ
ーザパルス100 および２発目のレーザパルス100 の偏光
板８ａにおける透過位置を可変するだけで、２発目のレ
ーザパルス100 のエネルギＥ2 を１発目のレーザパルス
100 のエネルギＥ1 よりも低くすることができる。
【００３６】図５は図３のアッテネータ８の他の例を示
す図である。図において、円板８ｂには各々透過率の異
なるフィルタ８ｂ−１〜８ｂ−７が円周上に配置されて
おり、図示せぬモータなどによって矢印Ｂの方向に回転
駆動される。この円板８ｂを回転することによって、円
板８ｂにおいてレーザパルス100 が透過するフィルタ８
ｂ−１〜８ｂ−７が変わり、円板８ｂを透過したレーザ
パルス100 のエネルギＥが変化する。
す図である。図において、円板８ｂには各々透過率の異
なるフィルタ８ｂ−１〜８ｂ−７が円周上に配置されて
おり、図示せぬモータなどによって矢印Ｂの方向に回転
駆動される。この円板８ｂを回転することによって、円
板８ｂにおいてレーザパルス100 が透過するフィルタ８
ｂ−１〜８ｂ−７が変わり、円板８ｂを透過したレーザ
パルス100 のエネルギＥが変化する。
【００３７】よって、レーザ光源１から出射されるレー
ザパルス100 のエネルギを一定にしておき、１発目のレ
ーザパルス100 および２発目のレーザパルス100 が透過
する円板８ｂのフィルタ８ｂ−１〜８ｂ−７を可変する
だけで、２発目のレーザパルス100 のエネルギＥ2 を１
発目のレーザパルス100 のエネルギＥ1 よりも低くする
ことができる。
ザパルス100 のエネルギを一定にしておき、１発目のレ
ーザパルス100 および２発目のレーザパルス100 が透過
する円板８ｂのフィルタ８ｂ−１〜８ｂ−７を可変する
だけで、２発目のレーザパルス100 のエネルギＥ2 を１
発目のレーザパルス100 のエネルギＥ1 よりも低くする
ことができる。
【００３８】上述したように、アッテネータ８を偏光板
８ａや円板８ｂで構成した場合、レーザ光源１外部でレ
ーザパルス100 のエネルギを可変することができるの
で、レーザ光源１を常に安定したエネルギレベルに保持
しておくことができる。よって、レーザパルス100 のエ
ネルギを可変するときでも、レーザ光源１への負担を軽
減することができる。
８ａや円板８ｂで構成した場合、レーザ光源１外部でレ
ーザパルス100 のエネルギを可変することができるの
で、レーザ光源１を常に安定したエネルギレベルに保持
しておくことができる。よって、レーザパルス100 のエ
ネルギを可変するときでも、レーザ光源１への負担を軽
減することができる。
【００３９】このように、フォトマスク５の残留欠陥に
対してレーザパルス100 を複数回照射して残留欠陥の除
去修正を行うときに、制御部６からレーザ電源１ｂに指
定する電圧を可変して残留欠陥に照射する最終のレーザ
パルス100 のエネルギをそれ以前のレーザパルス100 の
エネルギよりも低くすることによって、ガラス基板表面
に損傷を与えることなく、残留欠陥を修正することがで
きる。
対してレーザパルス100 を複数回照射して残留欠陥の除
去修正を行うときに、制御部６からレーザ電源１ｂに指
定する電圧を可変して残留欠陥に照射する最終のレーザ
パルス100 のエネルギをそれ以前のレーザパルス100 の
エネルギよりも低くすることによって、ガラス基板表面
に損傷を与えることなく、残留欠陥を修正することがで
きる。
【００４０】また、レーザ光源１から出射されたレーザ
パルス100 が透過するアッテネータ８の透過率を可変し
て残留欠陥に照射する最終のレーザパルス100 のエネル
ギをそれ以前のレーザパルス100 のエネルギよりも低く
することによって、ガラス基板表面に損傷を与えること
なく、またレーザ光源１の負担を大きくすることなく、
残留欠陥を修正することができる。
パルス100 が透過するアッテネータ８の透過率を可変し
て残留欠陥に照射する最終のレーザパルス100 のエネル
ギをそれ以前のレーザパルス100 のエネルギよりも低く
することによって、ガラス基板表面に損傷を与えること
なく、またレーザ光源１の負担を大きくすることなく、
残留欠陥を修正することができる。
【００４１】尚、本発明の一実施例および他の実施例で
はフォトマスク５の残留欠陥を２発のレーザパルス100
で修正する場合について述べたが、残留欠陥を３発以上
のレーザパルス100 で修正してもよく、これに限定され
ない。その場合、最終的に残留欠陥に照射されるレーザ
パルス100 のエネルギがそれ以前のレーザパルス100の
エネルギよりも小さくなるように制御することによっ
て、最適な残留欠陥の修正を行うことができる。
はフォトマスク５の残留欠陥を２発のレーザパルス100
で修正する場合について述べたが、残留欠陥を３発以上
のレーザパルス100 で修正してもよく、これに限定され
ない。その場合、最終的に残留欠陥に照射されるレーザ
パルス100 のエネルギがそれ以前のレーザパルス100の
エネルギよりも小さくなるように制御することによっ
て、最適な残留欠陥の修正を行うことができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、フ
ォトマスクの残留欠陥に対してレーザ光を複数回照射し
て残留欠陥の除去修正するときに、残留欠陥に照射する
最終のレーザ光の出力をそれ以前のレーザ光の出力より
も低くすることによって、ガラス基板表面に損傷を与え
ることなく、残留欠陥を修正することができるという効
果がある。
ォトマスクの残留欠陥に対してレーザ光を複数回照射し
て残留欠陥の除去修正するときに、残留欠陥に照射する
最終のレーザ光の出力をそれ以前のレーザ光の出力より
も低くすることによって、ガラス基板表面に損傷を与え
ることなく、残留欠陥を修正することができるという効
果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図２】図１の制御部によるレーザ電源の制御動作を示
すタイミングチャートである。
すタイミングチャートである。
【図３】本発明の他の実施例を示す構成図である。
【図４】図３のアッテネータの一例を示す図である。
【図５】図３のアッテネータの他の例を示す図である。
【図６】フォトマスクの欠陥例を示す図である。
【図７】従来例を示す構成図である。
【図８】従来例によるフォトマスクの残留欠陥の修正方
法を示す図である。
法を示す図である。
【図９】従来例によるフォトマスクの残留欠陥の修正方
法を示す図である。
法を示す図である。
【図１０】従来例による修正後のガラス基板の状態を示
す図である。
す図である。
１ レーザ光源 １ａ レーザヘッド １ｂ レーザ電源 ６，７ 制御部 ８ アッテネータ ８ａ 偏光板 ８ｂ 円板 ８ｂ−１〜８ｂ−７ フィルタ 100 レーザパルス 101 フラッシュトリガ信号 102 Ｑスイッチトリガ信号 103 出力制御信号
Claims (4)
- 【請求項１】 フォトマスクの残留欠陥に対してレーザ
光を複数回照射して前記残留欠陥の除去修正を行うフォ
トマスク修正装置であって、前記残留欠陥に照射する最
終のレーザ光の出力を前記最終以前のレーザ光の出力よ
りも低くする手段を設けたことを特徴とするフォトマス
ク修正装置。 - 【請求項２】 前記レーザ光を出射するレーザ光源への
供給電源を可変することによって前記最終のレーザ光の
出力を前記最終以前のレーザ光の出力よりも低くしたこ
とを特徴とする請求項１記載のフォトマスク修正装置。 - 【請求項３】 前記レーザ光の光路上に前記レーザ光を
透過する光学部材を設け、前記光学部材の透過率を可変
することによって前記最終のレーザ光の出力を前記最終
以前のレーザ光の出力よりも低くしたことを特徴とする
請求項１記載のフォトマスク修正装置。 - 【請求項４】 フォトマスクの残留欠陥に対してレーザ
光を複数回照射して前記残留欠陥の除去修正を行うフォ
トマスク修正方法であって、前記残留欠陥に照射する最
終のレーザ光の出力を前記最終以前のレーザ光の出力よ
りも低くする工程を設けたことを特徴とするフォトマス
ク修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8340892A JP3042155B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | フォトマスク修正装置およびフォトマスク修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8340892A JP3042155B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | フォトマスク修正装置およびフォトマスク修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05249657A true JPH05249657A (ja) | 1993-09-28 |
| JP3042155B2 JP3042155B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=13801608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8340892A Expired - Lifetime JP3042155B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | フォトマスク修正装置およびフォトマスク修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3042155B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000031589A1 (fr) * | 1998-11-20 | 2000-06-02 | Japan Science And Technology Corporation | Procede de correction de masque photographique |
| US6879605B2 (en) | 2000-07-24 | 2005-04-12 | Laserfront Technologies, Inc. | Method and apparatus for performing pattern defect repair using Q-switched mode-locked pulse laser |
| JP2007531249A (ja) * | 2003-07-18 | 2007-11-01 | ユーシーエルティ リミテッド | フォトマスク内の臨界寸法の変動を補正するための方法 |
| JP2009043502A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Canon Inc | 有機ｅｌパネルの欠陥部修復方法 |
| JP2009274114A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Sharp Corp | レーザ光線照射装置、レーザ光線照射方法、および機能素子のレーザ加工方法 |
| JP2010014998A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Sk Electronics:Kk | 多階調フォトマスク及びその修正方法 |
| JP2011194432A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Olympus Corp | レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 |
| TWI467315B (zh) * | 2008-07-04 | 2015-01-01 | Sk Electronics Co Ltd | 多階光罩及其修正方法 |
| JP2015008747A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | 被検体情報取得装置およびレーザ装置 |
| JP2015008743A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | 被検体情報取得装置およびレーザ装置 |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP8340892A patent/JP3042155B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000031589A1 (fr) * | 1998-11-20 | 2000-06-02 | Japan Science And Technology Corporation | Procede de correction de masque photographique |
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| JP2009274114A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Sharp Corp | レーザ光線照射装置、レーザ光線照射方法、および機能素子のレーザ加工方法 |
| JP2010014998A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Sk Electronics:Kk | 多階調フォトマスク及びその修正方法 |
| TWI467315B (zh) * | 2008-07-04 | 2015-01-01 | Sk Electronics Co Ltd | 多階光罩及其修正方法 |
| JP2011194432A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Olympus Corp | レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 |
| JP2015008747A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | 被検体情報取得装置およびレーザ装置 |
| JP2015008743A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | 被検体情報取得装置およびレーザ装置 |
| US10191015B2 (en) | 2013-06-26 | 2019-01-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Object information acquiring apparatus and laser apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3042155B2 (ja) | 2000-05-15 |
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