JPH08172063A - レーザリペア装置 - Google Patents
レーザリペア装置Info
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- JPH08172063A JPH08172063A JP6312826A JP31282694A JPH08172063A JP H08172063 A JPH08172063 A JP H08172063A JP 6312826 A JP6312826 A JP 6312826A JP 31282694 A JP31282694 A JP 31282694A JP H08172063 A JPH08172063 A JP H08172063A
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- laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 装置全体が小規模で構成されると共に、多様
な種類の被加工物の薄膜における微細領域に対しても常
時安定した状態でレーザ光を照射して適確にレーザリペ
ア加工を行い得る取扱いの簡単なレーザリペア装置を提
供すること。 【構成】 このレーザリペア装置では、レーザ光源装置
１から固体レーザ光の４倍波又は５倍波の紫外線レーザ
光を照射してマスク３によりその照射領域を規制した
上、光学的加工機器としての光学顕微鏡における台座５
上に載置された被加工物（図示せず）の薄膜の加工対象
領域に対してレンズ４を介して光学的に導いた紫外線レ
ーザ光を投光してレーザリペア加工を行う。ここでは画
像処理装置９及び位置決め装置１０を用いて計算機１１
による数値計算で台座５を移動制御させて加工位置を順
次変化させ、光学顕微鏡に設けられたＣＣＤカメラ８に
より加工状況を画像処理装置９に付設された図示されな
いモニタ画面上に表示する。
な種類の被加工物の薄膜における微細領域に対しても常
時安定した状態でレーザ光を照射して適確にレーザリペ
ア加工を行い得る取扱いの簡単なレーザリペア装置を提
供すること。 【構成】 このレーザリペア装置では、レーザ光源装置
１から固体レーザ光の４倍波又は５倍波の紫外線レーザ
光を照射してマスク３によりその照射領域を規制した
上、光学的加工機器としての光学顕微鏡における台座５
上に載置された被加工物（図示せず）の薄膜の加工対象
領域に対してレンズ４を介して光学的に導いた紫外線レ
ーザ光を投光してレーザリペア加工を行う。ここでは画
像処理装置９及び位置決め装置１０を用いて計算機１１
による数値計算で台座５を移動制御させて加工位置を順
次変化させ、光学顕微鏡に設けられたＣＣＤカメラ８に
より加工状況を画像処理装置９に付設された図示されな
いモニタ画面上に表示する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶用基板，カラーフ
ァイル基板，太陽電池パネル等の被加工物に用いられる
薄膜に対して光エネルギー（紫外線レーザ光）を用いて
レーザリペア加工（修理／修繕加工）を行うレーザリペ
ア装置に関する。
ァイル基板，太陽電池パネル等の被加工物に用いられる
薄膜に対して光エネルギー（紫外線レーザ光）を用いて
レーザリペア加工（修理／修繕加工）を行うレーザリペ
ア装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のレーザリペア装置用レー
ザ光源としては、波長１．０６μｍの赤外線であるＹＡ
Ｇレーザ光が広く用いられている。ところが、このレー
ザリペア装置によりガラス基板上や半導体（主にシリコ
ン）基板上に形成された薄膜をレーザリペア加工する場
合、薄膜材料の光吸収係数が波長１．０６μｍのレーザ
光に対して小さく，しかもレーザ光の出力が強いため、
加工材料の周辺部に熱的な損傷を与えてしまう他、基板
に対してもマイクロクラック（微小亀裂）を発生させて
しまう等の欠点がある。
ザ光源としては、波長１．０６μｍの赤外線であるＹＡ
Ｇレーザ光が広く用いられている。ところが、このレー
ザリペア装置によりガラス基板上や半導体（主にシリコ
ン）基板上に形成された薄膜をレーザリペア加工する場
合、薄膜材料の光吸収係数が波長１．０６μｍのレーザ
光に対して小さく，しかもレーザ光の出力が強いため、
加工材料の周辺部に熱的な損傷を与えてしまう他、基板
に対してもマイクロクラック（微小亀裂）を発生させて
しまう等の欠点がある。
【０００３】そこで、このような欠点を解決するため、
レーザリペア加工に際して特公平５−４１００９号公報
に開示された光加工方法の導入が実施されている。この
光加工方法は波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光
を用いて光加工を行うものであるが、ここでのＫｒＦエ
キシマレーザ光は紫外線であるため、このＫｒＦエキシ
マレーザ光をレーザリペア装置用レーザ光源として用い
ると、ＹＡＧレーザ光を用いた場合に発生する上述した
ような欠点をほぼ完全に解決できる。
レーザリペア加工に際して特公平５−４１００９号公報
に開示された光加工方法の導入が実施されている。この
光加工方法は波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光
を用いて光加工を行うものであるが、ここでのＫｒＦエ
キシマレーザ光は紫外線であるため、このＫｒＦエキシ
マレーザ光をレーザリペア装置用レーザ光源として用い
ると、ＹＡＧレーザ光を用いた場合に発生する上述した
ような欠点をほぼ完全に解決できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た光加工方法におけるＫｒＦエキシマレーザ光をレーザ
リペア装置に導入してレーザリペア加工を行う場合、薄
膜における微細領域を対象にする上では幾つかの問題が
生じている。
た光加工方法におけるＫｒＦエキシマレーザ光をレーザ
リペア装置に導入してレーザリペア加工を行う場合、薄
膜における微細領域を対象にする上では幾つかの問題が
生じている。
【０００５】例えばＫｒＦエキシマレーザ光はハロゲン
ガスをレーザ媒質とするため、ガス供給装置及びガス交
換時の除外装置等を必要とする上、ガス配管及びハロゲ
ンガスに対する安全設備等を含めると、装置全体が大型
化して設置面積が大きくなると共に、装置全体の価格も
高価になってしまう。特に設置面積が大きくなる点は、
レーザリペア加工が通常設置条件の厳しいクリーンルー
ム内で行われる現状では問題となる。
ガスをレーザ媒質とするため、ガス供給装置及びガス交
換時の除外装置等を必要とする上、ガス配管及びハロゲ
ンガスに対する安全設備等を含めると、装置全体が大型
化して設置面積が大きくなると共に、装置全体の価格も
高価になってしまう。特に設置面積が大きくなる点は、
レーザリペア加工が通常設置条件の厳しいクリーンルー
ム内で行われる現状では問題となる。
【０００６】又、薄膜における微細領域でレーザリペア
加工を行う場合、３０×３０［μｍ］程度の正方形領域
に光エネルギーを集中させるが、例えば薄膜材料がポリ
マーである場合には数１００ｍＪ／ｃｍ 2のエネルギー
密度で充分［通常（０．００３ｃｍ）2 の領域で数μＪ
／ｃｍ 2〜数１００ｍＪ／ｃｍ 2の範囲の光エネルギー
が必要とされている］であるが、ＫｒＦエキシマレーザ
光の出力は一般には１００ｍＪ／ｃｍ 2程度であり、そ
の殆どはレーザ光源の後段に設けられる光減衰器で減衰
されて損失されてしまうため、適用されなくなってしま
う。
加工を行う場合、３０×３０［μｍ］程度の正方形領域
に光エネルギーを集中させるが、例えば薄膜材料がポリ
マーである場合には数１００ｍＪ／ｃｍ 2のエネルギー
密度で充分［通常（０．００３ｃｍ）2 の領域で数μＪ
／ｃｍ 2〜数１００ｍＪ／ｃｍ 2の範囲の光エネルギー
が必要とされている］であるが、ＫｒＦエキシマレーザ
光の出力は一般には１００ｍＪ／ｃｍ 2程度であり、そ
の殆どはレーザ光源の後段に設けられる光減衰器で減衰
されて損失されてしまうため、適用されなくなってしま
う。
【０００７】更に、レーザリペア加工は特定の領域（不
定形であることが多い）を順次走査しながら行われるこ
とが多いため、レーザ光の出力には安定性が要求され
る。ところが、ＫｒＦエキシマレーザ光は定格出力にお
いて或る程度の安定性（現行の照射と次回の照射との間
の出力誤差が５％程度になっている）を有するが、長時
間連続的に運転した場合の終了間際や運転開始直後では
安定性に欠けることが知られている。又、運転開始に際
して定格出力の１／２以下の出力で運転するときもショ
ット毎のレーザ光の出力は不安定になる。そこで、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ光によりレーザリペア加工を行うため
には、ＫｒＦエキシマレーザ光の出力を下げずに定格出
力で運転すると共に、光減衰器による損失を考慮した上
で光減衰器を経た後に所望のエネルギー密度となるよう
に、予めＫｒＦエキシマレーザ光のエネルギー密度を調
整した上で運転する必要があった。
定形であることが多い）を順次走査しながら行われるこ
とが多いため、レーザ光の出力には安定性が要求され
る。ところが、ＫｒＦエキシマレーザ光は定格出力にお
いて或る程度の安定性（現行の照射と次回の照射との間
の出力誤差が５％程度になっている）を有するが、長時
間連続的に運転した場合の終了間際や運転開始直後では
安定性に欠けることが知られている。又、運転開始に際
して定格出力の１／２以下の出力で運転するときもショ
ット毎のレーザ光の出力は不安定になる。そこで、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ光によりレーザリペア加工を行うため
には、ＫｒＦエキシマレーザ光の出力を下げずに定格出
力で運転すると共に、光減衰器による損失を考慮した上
で光減衰器を経た後に所望のエネルギー密度となるよう
に、予めＫｒＦエキシマレーザ光のエネルギー密度を調
整した上で運転する必要があった。
【０００８】本発明は、このような問題点を解決すべく
なされたもので、その技術的課題は、装置全体が小規模
で構成されると共に、多様な種類の被加工物の薄膜にお
ける微細領域に対しても常時安定した状態でレーザ光を
照射して適確にレーザリペア加工を行い得る取扱いの簡
単なレーザリペア装置を提供することにある。
なされたもので、その技術的課題は、装置全体が小規模
で構成されると共に、多様な種類の被加工物の薄膜にお
ける微細領域に対しても常時安定した状態でレーザ光を
照射して適確にレーザリペア加工を行い得る取扱いの簡
単なレーザリペア装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、固体レ
ーザ光の４倍波又は５倍波の紫外線レーザ光を照射する
レーザ光源装置と、紫外線レーザ光を減衰させる光減衰
器と、紫外線レーザ光の照射領域を規制するマスクと、
紫外線レーザ光の照射領域が規制されたものを被加工物
に形成された薄膜の加工対象領域に対して光学的に導い
て投光すると共に、該被加工物を載置する可動な台座を
備えた光学的加工機器と、台座を位置決め制御する位置
決め装置とを備えたレーザリペア装置が得られる。
ーザ光の４倍波又は５倍波の紫外線レーザ光を照射する
レーザ光源装置と、紫外線レーザ光を減衰させる光減衰
器と、紫外線レーザ光の照射領域を規制するマスクと、
紫外線レーザ光の照射領域が規制されたものを被加工物
に形成された薄膜の加工対象領域に対して光学的に導い
て投光すると共に、該被加工物を載置する可動な台座を
備えた光学的加工機器と、台座を位置決め制御する位置
決め装置とを備えたレーザリペア装置が得られる。
【００１０】又、本発明によれば、上記レーザリペア装
置において、光学的加工機器には被加工物より透過光及
び反射光を得るための照射を行う照明装置が備えられて
おり、更に、光学的加工機器に取り付けられると共に、
薄膜の加工対象領域を撮像して撮像信号を出力する撮像
装置と、撮像信号に応じて薄膜の所望領域の画像処理を
行う画像処理装置とを備えたレーザリペア装置が得られ
る。
置において、光学的加工機器には被加工物より透過光及
び反射光を得るための照射を行う照明装置が備えられて
おり、更に、光学的加工機器に取り付けられると共に、
薄膜の加工対象領域を撮像して撮像信号を出力する撮像
装置と、撮像信号に応じて薄膜の所望領域の画像処理を
行う画像処理装置とを備えたレーザリペア装置が得られ
る。
【００１１】
【実施例】以下に実施例を挙げ、本発明のレーザリペア
装置について、図面を参照して詳細に説明する。
装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明の一実施例に係るレーザリ
ペア装置の基本構成を示したものである。このレーザリ
ペア装置には、固体レーザ光の４倍波又は５倍波の紫外
線レーザ光を照射するレーザ光源装置１と、紫外線レー
ザ光を減衰させる光減衰器２と、紫外線レーザ光のエネ
ルギーを計測するエネルギーメータ６と、紫外線レーザ
光の照射領域を規制するマスク３と、紫外線レーザ光の
照射領域が規制されたものを被加工物（図示せず）に形
成された薄膜の加工対象領域に対してレンズ４を介して
光学的に導いて投光すると共に、被加工物を載置する３
次元（Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸）で可動な台座（ステージ）５
を備えた光学的加工機器としての光学顕微鏡と、台座５
を位置決め制御する位置決め装置１０とが備えられてい
る。
ペア装置の基本構成を示したものである。このレーザリ
ペア装置には、固体レーザ光の４倍波又は５倍波の紫外
線レーザ光を照射するレーザ光源装置１と、紫外線レー
ザ光を減衰させる光減衰器２と、紫外線レーザ光のエネ
ルギーを計測するエネルギーメータ６と、紫外線レーザ
光の照射領域を規制するマスク３と、紫外線レーザ光の
照射領域が規制されたものを被加工物（図示せず）に形
成された薄膜の加工対象領域に対してレンズ４を介して
光学的に導いて投光すると共に、被加工物を載置する３
次元（Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸）で可動な台座（ステージ）５
を備えた光学的加工機器としての光学顕微鏡と、台座５
を位置決め制御する位置決め装置１０とが備えられてい
る。
【００１３】又、このレーザリペア装置には、位置決め
装置１０に対する数値計算を行う計算機１１と、光学顕
微鏡に取り付けられると共に、薄膜の加工対象領域を撮
像して撮像信号を出力する撮像装置であるＣＣＤカメラ
８と、撮像信号及び計算機１１からの数値データに応じ
て薄膜の所望領域の画像処理を行う画像処理装置９と、
この画像処理されたデータを表示するモニタ（図示せ
ず）とが備えられている。尚、光学顕微鏡には被加工物
より透過光及び反射光を得るための照射を行う照明装置
７ａ，７ｂが備えられている。
装置１０に対する数値計算を行う計算機１１と、光学顕
微鏡に取り付けられると共に、薄膜の加工対象領域を撮
像して撮像信号を出力する撮像装置であるＣＣＤカメラ
８と、撮像信号及び計算機１１からの数値データに応じ
て薄膜の所望領域の画像処理を行う画像処理装置９と、
この画像処理されたデータを表示するモニタ（図示せ
ず）とが備えられている。尚、光学顕微鏡には被加工物
より透過光及び反射光を得るための照射を行う照明装置
７ａ，７ｂが備えられている。
【００１４】このうち、レーザ光源装置１から照射され
る紫外線レーザ光は、被加工物の薄膜材料の光吸収係数
が大きい紫外線であるため、薄膜の加工対象領域周辺部
に熱的な損傷を与えず、出力の安定性も高くなってい
る。この紫外線レーザ光としては、レーザ媒質として固
体を用いた固体レーザ光として代表されるＮｄ；ＹＡＧ
レーザやＮｄ；ＹＬＦレーザの４倍波又は５倍波を用い
れば良い。
る紫外線レーザ光は、被加工物の薄膜材料の光吸収係数
が大きい紫外線であるため、薄膜の加工対象領域周辺部
に熱的な損傷を与えず、出力の安定性も高くなってい
る。この紫外線レーザ光としては、レーザ媒質として固
体を用いた固体レーザ光として代表されるＮｄ；ＹＡＧ
レーザやＮｄ；ＹＬＦレーザの４倍波又は５倍波を用い
れば良い。
【００１５】光減衰器２は２枚のプリズムの角度を変更
することで、それらの表面反射によって紫外線レーザ光
の減衰量を調整可能なものであるが、偏光板や偏光プリ
ズムを用いてこれらの角度を変える簡単な構成であって
も良い。マスク３は紫外線レーザ光のうちで比較的強度
が均一な部分だけを取り出し、それを光学顕微鏡のレン
ズ４を通して台座５上に置かれた被加工物に投光する。
することで、それらの表面反射によって紫外線レーザ光
の減衰量を調整可能なものであるが、偏光板や偏光プリ
ズムを用いてこれらの角度を変える簡単な構成であって
も良い。マスク３は紫外線レーザ光のうちで比較的強度
が均一な部分だけを取り出し、それを光学顕微鏡のレン
ズ４を通して台座５上に置かれた被加工物に投光する。
【００１６】エネルギーメータ６はハーフミラーを介し
て得た紫外線レーザ光の光エネルギー量をモニタするも
ので、ここでの光エネルギー量の表示結果に応じて必要
な場合にはレーザ光線装置１や光減衰器２を調整して光
減衰器２通過後の紫外線レーザ光の光エネルギー量がレ
ーザリペア加工に適性な値になるように設定する。因み
に、エネルギーメータ６の代わりにビームプロファイラ
を用いると、紫外線レーザ光のビーム断面強度分布（ビ
ームプロファイル）がモニタされるが、この場合もエネ
ルギーメータ６を用いた場合と同等の役割を果たすこと
ができる。
て得た紫外線レーザ光の光エネルギー量をモニタするも
ので、ここでの光エネルギー量の表示結果に応じて必要
な場合にはレーザ光線装置１や光減衰器２を調整して光
減衰器２通過後の紫外線レーザ光の光エネルギー量がレ
ーザリペア加工に適性な値になるように設定する。因み
に、エネルギーメータ６の代わりにビームプロファイラ
を用いると、紫外線レーザ光のビーム断面強度分布（ビ
ームプロファイル）がモニタされるが、この場合もエネ
ルギーメータ６を用いた場合と同等の役割を果たすこと
ができる。
【００１７】光学顕微鏡に取り付けられた照明装置７
ａ，７ｂのうち、照明装置７ａは落射照明により被加工
物の反射像を得るためのもので、照明装置７ｂは透過照
明による被加工物の透過像を得るために設けられてい
る。又、光学顕微鏡に取り付けられたＣＣＤカメラ８
は、台座５上の被加工物の薄膜における加工対象領域を
撮像するもので、その撮像信号は画像処理装置９に伝送
される。
ａ，７ｂのうち、照明装置７ａは落射照明により被加工
物の反射像を得るためのもので、照明装置７ｂは透過照
明による被加工物の透過像を得るために設けられてい
る。又、光学顕微鏡に取り付けられたＣＣＤカメラ８
は、台座５上の被加工物の薄膜における加工対象領域を
撮像するもので、その撮像信号は画像処理装置９に伝送
される。
【００１８】このレーザリペア装置では、必要に応じて
画像処理装置９及び位置決め装置１０を用いて計算機１
１による数値計算で台座５を移動制御させることで加工
位置を順次変化させながらレーザリペア加工を行うが、
このとき台座５上の被加工物の薄膜に対するレーザリペ
ア加工の状況はＣＣＤカメラ８を利用して画像処理装置
９に付設されたモニタ画面上の表示を参照したり、或い
は光学顕微鏡の接眼レンズを通して肉眼で観察すること
ができる。
画像処理装置９及び位置決め装置１０を用いて計算機１
１による数値計算で台座５を移動制御させることで加工
位置を順次変化させながらレーザリペア加工を行うが、
このとき台座５上の被加工物の薄膜に対するレーザリペ
ア加工の状況はＣＣＤカメラ８を利用して画像処理装置
９に付設されたモニタ画面上の表示を参照したり、或い
は光学顕微鏡の接眼レンズを通して肉眼で観察すること
ができる。
【００１９】即ち、このレーザリペア装置では、上述し
たように比較的装置全体が取扱い易い小規模な構成とな
っており、レーザ光源装置１から紫外線レーザ光を照射
してマスク３によりその照射領域を規制した上でレーザ
リペア加工を行う際、必要に応じて被加工物の薄膜にお
ける加工対象領域を撮像して所望領域の画像処理表示を
行うと共に、台座５を移動制御させることで加工位置を
順次変化させるようにしているので、多様な種類の被加
工物の薄膜における微細領域に対しても常時安定した状
態で適確にレーザ光を照射できるようになる。
たように比較的装置全体が取扱い易い小規模な構成とな
っており、レーザ光源装置１から紫外線レーザ光を照射
してマスク３によりその照射領域を規制した上でレーザ
リペア加工を行う際、必要に応じて被加工物の薄膜にお
ける加工対象領域を撮像して所望領域の画像処理表示を
行うと共に、台座５を移動制御させることで加工位置を
順次変化させるようにしているので、多様な種類の被加
工物の薄膜における微細領域に対しても常時安定した状
態で適確にレーザ光を照射できるようになる。
【００２０】図２は、このレーザリペア装置によるレー
ザリペア加工の具体的な例を説明するために被加工物の
薄膜における加工対象領域に対するマスク領域のイメー
ジ様態を示したもので、同図（ａ）は一括マスク方式に
よる場合のもの，同図（ｂ）は細分マスク方式による場
合のものである。
ザリペア加工の具体的な例を説明するために被加工物の
薄膜における加工対象領域に対するマスク領域のイメー
ジ様態を示したもので、同図（ａ）は一括マスク方式に
よる場合のもの，同図（ｂ）は細分マスク方式による場
合のものである。
【００２１】図２（ａ）に示す一括マスク方式において
は、先ず加工対象領域ＴR の部分を基準としてその全て
を含む外接円ＳO を有するマスク３を用意し、この部分
にだけ紫外線レーザ光を照射する。ここではレーザリペ
ア加工の加工対象領域ＴR 以外も一部照射することにな
るので、引き続いて内接円ＳI を有するマスク３を用意
し、この部分にだけ紫外線レーザ光を照射する。但し、
この一括マスク方式によるレーザリペア加工では内接円
ＳI 外の加工対象領域ＴR が一部未照射状態として残る
ことになる。
は、先ず加工対象領域ＴR の部分を基準としてその全て
を含む外接円ＳO を有するマスク３を用意し、この部分
にだけ紫外線レーザ光を照射する。ここではレーザリペ
ア加工の加工対象領域ＴR 以外も一部照射することにな
るので、引き続いて内接円ＳI を有するマスク３を用意
し、この部分にだけ紫外線レーザ光を照射する。但し、
この一括マスク方式によるレーザリペア加工では内接円
ＳI 外の加工対象領域ＴR が一部未照射状態として残る
ことになる。
【００２２】図２（ｂ）に示す細分マスク方式は一括マ
スク方式を改良したものである。即ち、この細分マスク
方式では加工対象領域ＴR を含む所定領域をメッシュ状
に細分化し、細分化されたそれぞれの微小領域に対して
順次紫外線レーザ光を照射するものである。この場合、
メッシュの数を多くとればとるだけ細分化されることに
なるため、加工対象領域ＴR の原形に近い形状でレーザ
リペア加工を行うことができる。但し、この細分マスク
方式では細分化するメッシュの数が多い程，加工部分の
形状を加工対象領域ＴR に近づけられるが、逆に走査回
数が多くなる。又、余り細分化してもレンズ４の収差，
回折の影響，ピント外れ等により加工領域が広がってし
まうので、通常１０×１０［μｍ］〜３０×３０［μ
ｍ］程度の範囲から選定した領域を一単位としてマスク
することが望ましい。尚、この細分マスク方式の場合、
加工領域が或る程度広がる性質を有するため、マスク３
の形状を角形とせずに円形としてずらし重ね照射を行う
と良好にレーザリペア加工を行うことができる。
スク方式を改良したものである。即ち、この細分マスク
方式では加工対象領域ＴR を含む所定領域をメッシュ状
に細分化し、細分化されたそれぞれの微小領域に対して
順次紫外線レーザ光を照射するものである。この場合、
メッシュの数を多くとればとるだけ細分化されることに
なるため、加工対象領域ＴR の原形に近い形状でレーザ
リペア加工を行うことができる。但し、この細分マスク
方式では細分化するメッシュの数が多い程，加工部分の
形状を加工対象領域ＴR に近づけられるが、逆に走査回
数が多くなる。又、余り細分化してもレンズ４の収差，
回折の影響，ピント外れ等により加工領域が広がってし
まうので、通常１０×１０［μｍ］〜３０×３０［μ
ｍ］程度の範囲から選定した領域を一単位としてマスク
することが望ましい。尚、この細分マスク方式の場合、
加工領域が或る程度広がる性質を有するため、マスク３
の形状を角形とせずに円形としてずらし重ね照射を行う
と良好にレーザリペア加工を行うことができる。
【００２３】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明のレーザリ
ペア装置によれば、レーザ光源装置から固体レーザ光の
４倍波又は５倍波の紫外線レーザ光を照射してマスクに
よりその照射領域を規制した上でレーザリペア加工を行
う際、必要に応じて被加工物の薄膜における加工対象領
域を撮像して所望領域の画像処理表示を行うと共に、被
加工物を載置した台座を移動制御させることで加工位置
を順次変化させるようにしているので、装置全体が比較
的取扱い易い小規模な構成となると共に、多様な種類の
被加工物の薄膜における微細領域に対しても常時安定し
た状態で適確にレーザ光を照射できるようになる。又、
本発明のレーザリペア装置は、レーザリペア加工だけで
はなく、例えばレーザ穴あけ加工に伴って生じる加工穴
近傍の塵状堆積物（デブリ）の除去等にも適用させるこ
ともできる。
ペア装置によれば、レーザ光源装置から固体レーザ光の
４倍波又は５倍波の紫外線レーザ光を照射してマスクに
よりその照射領域を規制した上でレーザリペア加工を行
う際、必要に応じて被加工物の薄膜における加工対象領
域を撮像して所望領域の画像処理表示を行うと共に、被
加工物を載置した台座を移動制御させることで加工位置
を順次変化させるようにしているので、装置全体が比較
的取扱い易い小規模な構成となると共に、多様な種類の
被加工物の薄膜における微細領域に対しても常時安定し
た状態で適確にレーザ光を照射できるようになる。又、
本発明のレーザリペア装置は、レーザリペア加工だけで
はなく、例えばレーザ穴あけ加工に伴って生じる加工穴
近傍の塵状堆積物（デブリ）の除去等にも適用させるこ
ともできる。
【図１】本発明の一実施例に係るレーザリペア装置の基
本構成を示したものである。
本構成を示したものである。
【図２】図１に示すレーザリペア装置によるレーザリペ
ア加工の具体的な例を説明するために被加工物の薄膜に
おける加工対象領域に対するマスク領域のイメージ様態
を示したもので、（ａ）は一括マスク方式による場合の
もの，（ｂ）は細分マスク方式による場合のものであ
る。
ア加工の具体的な例を説明するために被加工物の薄膜に
おける加工対象領域に対するマスク領域のイメージ様態
を示したもので、（ａ）は一括マスク方式による場合の
もの，（ｂ）は細分マスク方式による場合のものであ
る。
１ レーザ光源装置 ２ 光減衰器 ３ マスク ４ レンズ ５ 台座 ６ エネルギーメータ ７ａ，７ｂ 照明装置 ８ ＣＣＤカメラ ９ 画像処置装置 １０ 位置決め装置 １１ 計算機 ＳO 外接円 ＳI 内接円 ＴR 加工対象領域
Claims (2)
- 【請求項１】 固体レーザ光の４倍波又は５倍波の紫外
線レーザ光を照射するレーザ光源装置と、前記紫外線レ
ーザ光を減衰させる光減衰器と、前記紫外線レーザ光の
照射領域を規制するマスクと、前記紫外線レーザ光の照
射領域が規制されたものを被加工物に形成された薄膜の
加工対象領域に対して光学的に導いて投光すると共に、
該被加工物を載置する可動な台座を備えた光学的加工機
器と、前記台座を位置決め制御する位置決め装置とを備
えたことを特徴とするレーザリペア装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のレーザリペア装置におい
て、前記光学的加工機器には前記被加工物より透過光及
び反射光を得るための照射を行う照明装置が備えられて
おり、更に、光学的加工機器に取り付けられると共に、
前記薄膜の加工対象領域を撮像して撮像信号を出力する
撮像装置と、前記撮像信号に応じて前記薄膜の所望領域
の画像処理を行う画像処理装置とを備えたことを特徴と
するレーザリペア装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312826A JPH08172063A (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | レーザリペア装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312826A JPH08172063A (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | レーザリペア装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08172063A true JPH08172063A (ja) | 1996-07-02 |
Family
ID=18033894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6312826A Pending JPH08172063A (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | レーザリペア装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08172063A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999063592A1 (en) * | 1998-06-05 | 1999-12-09 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output |
| US6222156B1 (en) * | 1997-06-12 | 2001-04-24 | International Business Machines Corporation | Laser repair process for printed wiring boards |
| KR100524487B1 (ko) * | 1998-08-07 | 2006-01-12 | 삼성전자주식회사 | 컬러필터 기판 제조방법과 이에 적용되는 패턴 리페어 장치및 보조 노광장치 |
| CN101745743A (zh) * | 2008-12-11 | 2010-06-23 | 奥林巴斯株式会社 | 激光修复装置、激光修复方法以及信息处理装置 |
| JP2012055910A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Mitsutoyo Corp | レーザ加工装置 |
-
1994
- 1994-12-16 JP JP6312826A patent/JPH08172063A/ja active Pending
Cited By (6)
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| KR100524487B1 (ko) * | 1998-08-07 | 2006-01-12 | 삼성전자주식회사 | 컬러필터 기판 제조방법과 이에 적용되는 패턴 리페어 장치및 보조 노광장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030611 |