JP2010014998A - 多階調フォトマスク及びその修正方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 103
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 18
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 14
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【課題】多階調フォトマスクの修正工程において、修正半透光膜の形成時に生じ
うる透過率の異常部の発生を必要な範囲で防止する。
【課題を解決するための手段】
本発明に係る多階調フォトマスク10は、透明基板上に透光部と、遮光部と半透光
部とが設けられている。このうち、半透光部は半透光膜のパターン4aにより形成され
る。この半透光膜は、相対的にエネルギー密度の異なる少なくとも2以上の条件でレ
ーザーザッピングが行われており、低エネルギー照射部を有することを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
図1(a)〜(b)及び図2(c)〜(d)は、本発明の実施形態に係る多階調フォトマスクの修正工程を説明する概略図である。図1(a)は、本発明の実施形態に係る多階調フォトマスク10のパターンの一部を示している。この図に示すように、多階調フォトマスク10は、透光部1と遮光膜のパターン2aと初期半透光膜のパターン3aとで構成される。ここで、多階調フォトマスク10の初期半透光膜のパターン3a内に欠陥Dが存在している。
2a、102a 遮光膜のパターン
3a、103a 初期半透光膜のパターン
4、104 修正半透光膜
4a、104a 修正半透光膜のパターン
5、105 レーザーザッピング痕
11a、111a レジストパターン
14b 階段状乃至テーパー状のレジストパターンエッジ部(修正パターン)
114b レジストパターンエッジ部(異常パターン)
R1、R2 修正領域
Claims (5)
- 透明基板上に透光部と遮光部と半透光部とが設けられ、前記半透光部は半透光膜のパターンにより形成され、前記半透光膜は、相対的にエネルギー密度の異なる少なくとも2以上の条件でレーザーザッピングが行われており、低エネルギー照射部を有する多階調フォトマスク。
- 前記低エネルギー照射部は、前記透光部上に孤立した修正半透光膜パターンのエッジ部である請求項1記載の多階調フォトマスク。
- 前記半透光膜は、気相成長法により形成された膜である請求項1又は2に記載の多階調フォトマスク。
- 透明基板上に透光部と遮光部と半透光部とが設けられた多階調フォトマスクの修正方法であって、前記半透光部のうち欠陥を含む領域を除去することにより透明基板の一部の領域を露出させる工程と、前記露出した一部の領域に修正用の半透光膜を形成し、さらに、不要な修正半透光膜を除去するために、第1の領域に対して相対的にエネルギー密度の高い第1の条件でレーザーザッピングする工程と、第2の領域に対して相対的にエネルギー密度の低い第2の条件でレーザーザッピングする工程とを含む多階調フォトマスクの修正方法。
- 前記第2の領域は、ソース及びドレインを有する薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極形成領域その他透光部上に孤立した修正半透光膜のパターンのエッジ部である請求項4記載の多階調マスクの修正方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008175279A JP5283440B2 (ja) | 2008-07-04 | 2008-07-04 | 多階調フォトマスク及びその修正方法 |
KR1020090060512A KR101179000B1 (ko) | 2008-07-04 | 2009-07-03 | 다계조 광마스크 및 그 수정방법 |
TW98122541A TWI467315B (zh) | 2008-07-04 | 2009-07-03 | 多階光罩及其修正方法 |
CN 200910149587 CN101655661A (zh) | 2008-07-04 | 2009-07-06 | 多调光掩模及其修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008175279A JP5283440B2 (ja) | 2008-07-04 | 2008-07-04 | 多階調フォトマスク及びその修正方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010014998A true JP2010014998A (ja) | 2010-01-21 |
JP5283440B2 JP5283440B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=41701161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008175279A Active JP5283440B2 (ja) | 2008-07-04 | 2008-07-04 | 多階調フォトマスク及びその修正方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5283440B2 (ja) |
CN (1) | CN101655661A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6741893B1 (ja) * | 2020-03-04 | 2020-08-19 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | ハーフトーンマスクの欠陥修正方法、ハーフトーンマスクの製造方法及びハーフトーンマスク |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05249657A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Nec Corp | フォトマスク修正装置およびフォトマスク修正方法 |
JP2000347385A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Nec Corp | レーザリペア装置とフォトマスクの修正方法 |
JP2001117210A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク、その製造方法及び半導体装置 |
JP2008033299A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-02-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調をもつフォトマスクの欠陥部修正方法および修正箇所の評価方法 |
-
2008
- 2008-07-04 JP JP2008175279A patent/JP5283440B2/ja active Active
-
2009
- 2009-07-06 CN CN 200910149587 patent/CN101655661A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05249657A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Nec Corp | フォトマスク修正装置およびフォトマスク修正方法 |
JP2000347385A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Nec Corp | レーザリペア装置とフォトマスクの修正方法 |
JP2001117210A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク、その製造方法及び半導体装置 |
JP2008033299A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-02-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調をもつフォトマスクの欠陥部修正方法および修正箇所の評価方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101655661A (zh) | 2010-02-24 |
JP5283440B2 (ja) | 2013-09-04 |
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Legal Events
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