JP6741893B1 - ハーフトーンマスクの欠陥修正方法、ハーフトーンマスクの製造方法及びハーフトーンマスク - Google Patents

Abstract

【課題】極めて高精度な欠陥修正を可能とするハーフトーンマスクの欠陥修正方法、ハーフトーンマスクの製造方法、及び、欠陥が極めて高精度に修正されたハーフトーンマスクを提供する。【解決手段】本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正方法は、半透過部３の欠陥修正対象領域５に修正膜１０を成膜することにより、半透過部３に生じた欠陥４を修正するハーフトーンマスクの欠陥修正方法であって、欠陥修正対象領域５に、透過率が半透過部３の透過率と等しくなるように、主膜８を成膜する主膜成膜工程と、主膜８の成膜によっても欠陥修正対象領域５に残る高透過部に、透過率が半透過部３の透過率と等しくなるように、補填膜９を成膜する補填膜成膜工程とを備える。【選択図】図２

Description

本発明は、ハーフトーンマスクの半透過部に生じた欠陥の修正方法、この方法を適用するハーフトーンマスクの製造方法、及び、この方法を適用して製造されるハーフトーンマスクに関する。

フォトリソグラフィ技術として、ハーフトーンマスクが知られている。ハーフトーンマスクは、透過部の透過率（光透過率ともいう。以下、同様。）と遮光部の透過率との間の透過率を有する半透過部を備えることにより、透過部による白の階調及び遮光部による黒の階調の２階調と、半透過部による白と黒の中間（グレートーン）の階調とを合わせた多階調（３階調以上）を実現することから、多階調フォトマスクとも称される。ハーフトーンマスクを用いることにより、１回の露光で露光量が異なるパターンをフォトレジストに形成することができる。このため、フォトマスクの使用枚数の削減、製造工程の削減、ひいては製造コストの削減を図ることができる。

ここで、ハーフトーンマスクにおいては、製造工程上等の問題により、大きく分けて２つの欠陥が生じ得る。１つは、半透過部の一部に欠損が存在しているという欠陥（欠損が存在していると、透過率が上がるので、「白欠陥」と称される。）である。もう１つは、半透過部の一部に余剰や異物が存在しているという欠陥（異物等が存在していると、透過率が下がるので、「黒欠陥」と称される。）である。

こうした欠陥が生じたときは、欠陥を修正する必要がある。白欠陥の場合は、欠損部分に修正膜を成膜することにより、白欠陥が修正される。黒欠陥の場合は、異物等又は異物等が存在している半透過部の部分を除去し、必要に応じて新たな修正膜を成膜することにより、黒欠陥が修正される。

欠陥修正方法としては、特許文献１に記載された方法や特許文献２に記載された方法が知られている。これらの方法は、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて修正膜を成膜するものである。すなわち、これらの方法は、レーザ発振器から出射されたレーザ光を、開口を通過させ、対物レンズで集光し、反応ガス雰囲気中に置かれた欠陥修正対象フォトマスクの表面に照射することにより、ＣＶＤ膜の修正膜を成膜するものである。レーザＣＶＤ法によれば、修正膜の膜厚を均一化することができる。これにより、高精度の欠陥修正が可能となる。

特開２０１０−２１０９１９号公報 特開２０１７−１７３６７０号公報

しかしながら、近年は、製品のさらなる高品質化に伴い、さらに高精度なパターン形成の要求が強まる傾向にある。次世代ディスプレイのパネルに用いられるオーレッド（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）とも称される。）の場合は、液晶パネルに比べ、半透過部が大面積化するという事情も加わる。このため、欠陥修正も、さらなる高精度化が必要となる。

そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、極めて高精度な欠陥修正を可能とするハーフトーンマスクの欠陥修正方法、ハーフトーンマスクの製造方法、及び、欠陥が極めて高精度に修正されたハーフトーンマスクを提供することを課題とする。

本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正方法は、
ハーフトーンマスクの半透過部の欠陥修正対象領域に修正膜を成膜することにより、半透過部に生じた欠陥を修正するハーフトーンマスクの欠陥修正方法であって、
欠陥修正対象領域に、透過率が半透過部の透過率と等しくなるように、主膜を成膜する主膜成膜工程と、
主膜の成膜によっても欠陥修正対象領域に残る高透過部に、透過率が半透過部の透過率と等しくなるように、補填膜を成膜する補填膜成膜工程とを備える
ハーフトーンマスクの欠陥修正方法である。

ここで、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正方法の一態様として、
主膜成膜工程は、欠陥修正対象領域と一致する形状に、主膜を成膜する、又は、欠陥修正対象領域の境界の少なくとも一部と主膜の外縁の少なくとも一部との間に隙間を生じて、主膜を成膜するものであり、
補填膜成膜工程は、欠陥修正対象領域の境界から主膜の外縁部までの幅で欠陥修正対象領域の境界及び主膜の外縁部に沿って生じる高透過部に、補填膜を成膜するものである
との構成を採用することができる。

また、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正方法の他態様として、
主膜成膜工程は、
半透過部の透過率よりも高い透過率を有するベース層を成膜するベース層成膜工程と、
透過率が半透過部の透過率と等しくなるように、ベース層の上に１層又は複数層の透過率調整層を成膜する透過率調整層成膜工程とを備える
との構成を採用することができる。

この場合、
ベース層成膜工程は、欠陥修正対象領域の境界とベース層の外縁との間に隙間が形成されるように、ベース層を成膜する、又は、欠陥修正対象領域の境界にベース層の外縁が接するように、ベース層を成膜するものである
との構成を採用することができる。

また、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正方法の別の態様として、
補填膜成膜工程は、透過率が半透過部の透過率と等しくなるように、１層又は複数層の透過率調整層を成膜する透過率調整層成膜工程を備える
との構成を採用することができる。

また、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正方法のさらに別の態様として、
主膜成膜工程に先立ち、欠陥を包含する所定形状の欠陥修正対象領域を設定し、欠陥修正対象領域内に存在する既存の半透過膜を除去するトリミング工程を備える
との構成を採用することができる。

また、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正方法のさらに別の態様として、
欠陥が所定サイズを超える場合、欠陥修正対象領域を複数に分割して欠陥修正を行う
との構成を採用することができる。

また、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正方法のさらに別の態様として、
原料ガスの雰囲気中で、欠陥修正対象領域内にレーザ光を照射することにより、修正膜を成膜する
との構成を採用することができる。

また、本発明に係るハーフトーンマスクの製造方法は、
透明基板の上に、遮光部、透過部及び半透過部を形成する工程と、
半透過部に生じた欠陥を修正する欠陥修正工程とを備え、
欠陥修正工程として、上記のいずれかの欠陥修正方法を適用する
ハーフトーンマスクの製造方法である。

また、本発明に係るハーフトーンマスクは、
透明基板の上に、遮光部、透過部及び半透過部を備え、半透過部に修正膜を備えるハーフトーンマスクであって、
修正膜は、
透過率が半透過部の透過率と等しくなるように成膜される主膜と、
主膜だけでは半透過部の透過率と等しくならない高透過部に、透過率が半透過部の透過率と等しくなるように成膜される補填膜とを備える
ハーフトーンマスクである。

以上の如く、本発明によれば、修正膜は、主膜と補填膜とで構成され、これらが個別に透過率調整されつつ成膜される。これにより、修正膜は、全面において透過率が均一かつ半透過部の透過率と等しくなるように成膜される。したがって、本発明によれば、極めて高精度な欠陥修正を実現することができる。

図１（ａ）は、本実施形態に係るハーフトーンマスクの欠陥修正方法及びハーフトーンマスクの製造方法で用いられる欠陥修正装置の概要図である。図１（ｂ）及び（ｃ）は、同欠陥修正装置のスリットの概要図である。 図２（ａ）〜（ｆ）は、欠陥修正方法１の説明図である。 図３（ａ）〜（ｃ）は、同欠陥修正方法１の第２工程の説明図であって、図２（ｃ）のＡ部及びＢ部に係る説明図である。 図４（ａ）〜（ｄ）は、同欠陥修正方法１の第３工程の説明図であって、図２（ｄ）のＣ部及びＤ部に係る説明図である。 図５（ａ）〜（ｄ）は、同欠陥修正方法１の第４工程の説明図であって、図２（ｅ）のＥ部及びＦ部に係る説明図である。 図６（ａ）〜（ｅ）は、欠陥修正方法２−１の第１工程から第４工程までの説明図である。 図７（ａ）〜（ｅ）は、同欠陥修正方法２−１の第５工程から第９工程までの説明図である。 図８（ａ）〜（ｄ）は、欠陥修正方法２−２の第１工程から第３工程までの説明図である。 図９（ａ）〜（ｅ）は、同欠陥修正方法２−２の第４工程から第８工程までの説明図である。 図１０（ａ）〜（ｃ）は、欠陥修正方法２−３の第１工程から第２工程までの説明図である。 図１１（ａ）〜（ｅ）は、同欠陥修正方法２−３の第３工程から第７工程までの説明図である。 図１２（ａ）〜（ｆ）は、欠陥修正方法２−４の説明図である。 図１３（ａ）〜（ｅ）は、欠陥修正方法２−５の第１工程から第４工程までの説明図である。 図１４（ａ）〜（ｅ）は、同欠陥修正方法２−５の第５工程から第９工程までの説明図である。 図１５（ａ）〜（ｄ）は、欠陥修正方法３の説明図である。 図１６（ａ）〜（ｆ）は、遮光部の近傍に生じた欠陥を修正する場合の同欠陥修正方法１の説明図である。

以下、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正方法、ハーフトーンマスクの製造方法及びハーフトーンマスクの実施形態について、図面を参酌して説明する。

＜欠陥修正装置＞
まず、欠陥修正を行うための欠陥修正装置について説明する。図１（ａ）に示すように、欠陥修正装置は、レーザＣＶＤ法を用いて修正膜（ＣＶＤ膜）を成膜する装置である。欠陥修正装置は、主として、レーザ光学系２０と、レーザ光学系３０と、光学系４０と、ガス供給系５０と、位置制御系６０とを備える。

レーザ光学系２０は、修正膜を形成するためのレーザ光学系である。レーザ光学系２０は、レーザ発振器（ＣＶＤ Ｌａｓｅｒ）２１と、コリメートレンズ２２と、ビームエキスパンダ２３と、アッテネータ２４と、ビームスキャンユニット２５とを備える。レーザ発振器２１から出射されたレーザ光（レーザビーム）は、コリメートレンズ２２により平行状態にされ、ビームエキスパンダ２３によりビーム径が拡大され、アッテネータ２４により適正な出力に調整された後、ビームスキャンユニット２５により走査される。

レーザ光学系３０は、半透過部を構成する半透過膜を部分的に除去するためのレーザ光学系である。レーザ光学系３０は、レーザ発振器（Ｚａｐ Ｌａｓｅｒ）３１と、コリメートレンズ３２と、ビームエキスパンダ３３と、アッテネータ３４とを備える。レーザ発振器３１からパルス状に出射されたレーザ光（レーザビーム）は、コリメートレンズ３２により平行状態にされ、ビームエキスパンダ３３によりビーム径が拡大され、アッテネータ３４により適正な出力に調整される。

光学系４０は、各レーザ光学系２０，３０から出射されたレーザ光をハーフトーンマスク１１の表面に導くためのものである。光学系４０は、プリズム４１と、プリズム４２と、スリット４３と、プリズム４４と、プリズム４５と、対物レンズ４６とを備える。プリズム４１は、レーザ光学系２０から出射されたレーザ光を反射させる。プリズム４２は、プリズム４１により反射されたレーザ光を透過させるとともに、レーザ光学系３０から出射されたレーザ光を反射させる。スリット４３は、プリズム４２を透過したレーザ光及びプリズム４２により反射されたレーザ光のビーム径を所定の大きさに絞るためのものである。スリット４３を通過したレーザ光は、プリズム４４，４５で反射され、対物レンズ４６を通ってステージ６１に載置されたハーフトーンマスク１１の表面に照射される。

スリット４３は、ハーフトーンマスク１１の表面において、レーザ光照射領域を区画する。図１（ｂ）及び（ｃ）に示すように、スリット４３は、平行かつ間隔を調整自在に可動する第１の１対のフレーム４３０，４３０と、同じく平行かつ間隔を調整自在に可動し、第１の１対のフレーム４３０，４３０と直交する第２の１対のフレーム４３１，４３１とを備える。互いに直交する４つのフレーム４３０，４３０，４３１，４３１に囲まれた矩形状（正方形状を含む概念。以下、同様。）の開口４３２（図中のハッチング部分）がレーザ光照射領域となる。開口４３２は、一方の１対のフレームの間隔を狭めることにより、スリット状にすることも可能である。

ガス供給系５０は、修正膜の原料となる原料ガスを供給するためのものである。ガス供給系５０は、原料ガス供給管５１を備える。原料ガスは、不活性ガスからなるキャリアガスと、加熱によってガス化した原料とを混ぜることにより生成される。原料ガス供給管５１から供給された原料ガスは、ハーフトーンマスク１１の表面に向かって噴出され、ハーフトーンマスク１１の表面の欠陥修正対象領域を原料ガス雰囲気とする。この原料ガス雰囲気の下で、レーザ光学系２０からのレーザ光がハーフトーンマスク１１の表面に照射されると、照射スポットが形成されるとともに、この照射スポットの寸法及び形状に応じて修正膜が成膜される。原料としては、たとえば、クロムカルボニル、モリブデンカルボニル、タングステンカルボニルといった金属カルボニルが用いられる。

位置制御系６０は、ハーフトーンマスク１１のレーザ照射を受けるべき部位をレーザ照射位置（対物レンズ４６の光軸上）に位置決めするためのものである。位置制御系６０は、ステージ６１と、位置制御部６２とを備える。ステージ６１は、ハーフトーンマスク１１を載置し、水平面において互いに直交するＸ方向及びＹ方向に移動可能に構成される。位置制御部６２は、ステージ６１の移動及び位置を制御する。

なお、レーザ照射位置及びハーフトーンマスク１１の相対位置を変更させる機構としては、ステージ６１がＸ方向及びＹ方向に移動する機構のほか、（ｉ）ステージは固定で、レーザ照射部（対物レンズ）を備えるヘッド部がＸ方向及びＹ方向に移動する機構や、（ｉｉ）ヘッド部及びステージの一方がＸ方向に移動するとともに、他方がＹ方向に移動する機構であってもよい。

＜欠陥修正方法の概要＞
本実施形態に係る欠陥修正方法は、（ｉ）ハーフトーンマスクの半透過部の欠陥修正対象領域に、透過率が半透過部の透過率と等しくなるように、主膜を成膜する主膜成膜工程と、（ｉｉ）主膜の成膜によっても欠陥修正対象領域に残る高透過部に、透過率が半透過部の透過率と等しくなるように、補填膜を成膜する補填膜成膜工程とを備える。本実施形態に係る欠陥修正方法は、欠陥の大きさによって、欠陥修正方法１、欠陥修正方法２及び欠陥修正方法３の大きく３つの方法に分けられる。

＜欠陥修正方法１＞
欠陥修正方法１は、欠陥のサイズＳが２０μｍ以下の場合に用いられる。欠陥修正方法１は、図２に示すように、概略的には、（ｉ）ハーフトーンマスク１１の半透過部３に生じた欠陥４を包含する欠陥修正対象領域５を設定し、欠陥修正対象領域５内に存在する既存の半透過膜３を除去するトリミング工程と、（ｉｉ）欠陥修正対象領域５に、透過率が半透過部３の透過率と等しくなるように、かつ、欠陥修正対象領域５と一致する形状に、主膜８を成膜する、又は、欠陥修正対象領域５の境界の少なくとも一部と主膜８の外縁の少なくとも一部との間に隙間を生じて、主膜８を成膜する主膜成膜工程と、（ｉｉｉ）欠陥修正対象領域５の境界から主膜８の外縁部までの幅で欠陥修正対象領域５の境界及び主膜８の外縁部に沿って生じる高透過部に、透過率が半透過部３の透過率と等しくなるように、補填膜９を成膜する補填膜成膜工程とを備える。また、主膜成膜工程は、（ｉｉ−ｉ）半透過部３の透過率よりも高い透過率を有するベース層６を成膜するベース層成膜工程と、（ｉｉ−ｉｉ）透過率が半透過部３の透過率と等しくなるように、ベース層６の上に１層又は複数層の透過率調整層７を成膜する透過率調整層成膜工程とを備える。また、補填膜成膜工程は、（ｉｉｉ−ｉ）透過率が半透過部３の透過率と等しくなるように、１層又は複数層の透過率調整層９を成膜する透過率調整層成膜工程を備える。

欠陥修正方法１は、具体的には、第１工程から第４工程までを備える。第５工程は、任意の工程である。

第１工程（トリミング工程）では、欠陥修正装置のスリット４３の開口形状が欠陥修正対象領域５に合わせられた状態で、レーザ光学系３０を用い、欠陥修正対象領域５内に存在する既存の半透過膜３が除去される。これにより、欠陥４は消滅し、外形線が矩形状に整形された非膜形成部、すなわち、透明基板１が矩形状に露出した透過部が形成される。

第２工程（主膜成膜工程のベース層成膜工程）では、欠陥修正装置のスリット４３の開口形状が欠陥修正対象領域５よりも僅かに小さい形状に設定された状態で、レーザ光学系２０を用い、欠陥修正対象領域５内にベース（ｂａｓｅ）層６が形成される。ベース層６は、レーザ光を連続的に照射しながら、ビームスキャンユニット２５により、Ｘ方向及びＹ方向にレーザ光を走査して成膜される。ベース層６は、欠陥修正装置のスリット４３の開口形状に対応して、矩形状に形成される。

スリット４３の開口形状が欠陥修正対象領域５よりも僅かに小さい形状に設定される理由は、次のとおりである。ベース層６は、１パス（１回）で、ある程度厚みを有する膜厚に成膜される必要がある。このため、ベース層６を成膜するときのレーザ光学系２０の出力は、１００％に設定される。レーザ光の出力が強い状況下において、仮に、スリット４３の開口形状が欠陥修正対象領域５よりも僅かに大きい形状に設定されると、図３（ａ）に示すように、成膜は、欠陥修正対象領域５の境界（すなわち、トリミングされた半透過部３の端面）から始まり、きれいな成膜とならない。きれいな成膜を形成するために、スリット４３の開口形状は、欠陥修正対象領域５よりも僅かに小さい形状に設定される。これにより、図３（ｂ）に示すように、ベース層６は、欠陥修正対象領域５の境界とベース層６の外縁との間に隙間Ｇが形成されるように成膜される。あるいは、スリット４３の開口形状は、欠陥修正対象領域５と同じ形状に設定されるようにしてもよい。これにより、図３（ｃ）に示すように、ベース層６は、欠陥修正対象領域５の境界にベース層６の外縁が接するように成膜される。隙間Ｇは、１μｍ以下となるように設定するのが好ましい。本実施形態においては、隙間Ｇは、０．５μｍであり、解像限界以下の寸法である。

ベース層６は、上述のとおり、ＣＶＤ膜である。ベース層６の透過率は、半透過部３の透過率よりも高い透過率を有する。これは、主膜８の透過率の調整方法として、透過率調整層７を積層して透過率を下げていくという方法が採られるためである。ベース層６の透過率は、半透過部３の透過率＋１０％以上＋２０％以下となるように設定するのが好ましい。本実施形態においては、半透過部３の透過率は、３０％であるのに対し、ベース層６の透過率は、４０％である。

第３工程（主膜成膜工程の透過率調整層成膜工程）では、欠陥修正装置のスリット４３の開口形状が欠陥修正対象領域５と同じ形状に設定された状態で、レーザ光学系２０を用い、欠陥修正対象領域５内に透過率調整層７が形成される。透過率調整層７は、ベース層６と同様、レーザ光を連続的に照射しながら、ビームスキャンユニット２５により、Ｘ方向及びＹ方向にレーザ光を走査して成膜される。透過率調整層７は、欠陥修正装置のスリット４３の開口形状に対応して、矩形状に形成される。

透過率調整層７は、厚みが少ない膜厚に成膜される必要がある。透過率調整層７の膜厚が厚いと、１回の透過率調整層７の成膜により、主膜８の透過率が半透過部３の透過率を下回る事態が生じ、最悪の場合、第２工程からやり直さなければなりないリスクが増すからである。このため、透過率調整層７を成膜するときのレーザ光学系２０の出力は、ベース層６を成膜するときのレーザ光学系２０の出力よりも低い値に設定される。透過率調整層７を成膜するときのレーザ光学系２０の出力は、ベース層６を成膜するときのレーザ光学系２０の出力が１００％であるとすると、２０％以上６０％以下となるように設定するのが好ましい。本実施形態においては、透過率調整層７を成膜するときのレーザ光学系２０の出力は、２５％ないし４５％である。

透過率調整層成膜工程では、透過率調整層７が成膜されるたびに、主膜８の透過率が測定される。透過率測定方法としては、（たとえば主膜８の中心部分１箇所に）光を照射して透過光の光量を測定することにより、透過率を直接的に測定する方法のほか、撮像して主膜８の画像（のたとえば画素値）と半透過部３の画像（のたとえば画素値）とを比較することにより、透過率を間接的に測定する方法等、公知の各種の透過率測定方法を用いることができる。

測定の結果、主膜８の透過率が半透過部３の透過率と同じになる、又は、主膜８の透過率と半透過部３の透過率との差が問題にならない状態になると、透過率調整層成膜工程、ひいては、主膜成膜工程が完了し、修正膜として適切な透過率を有する主膜８が得られる。透過率調整層７は、たとえば、図４（ａ）に示すように、第１層７ａ及び第２層７ｂの２層が形成される場合や、図４（ｂ）に示すように、第１層７ａ、第２層７ｂ及び第３層７ｃの３層が形成される場合がある。あるいは、透過率調整層７は、図４（ｃ）に示すように、１層だけが形成される場合がある。なお、透過率調整層７の成膜による透過率調整が円滑かつ歩留まりよく行われるよう、図４（ｄ）に示すように、１層あたりの透過率調整層７の膜厚は、適宜調整することができる。

このように、主膜８は、欠陥修正装置のスリット４３の開口形状に対応して、矩形状に形成される。しかし、レーザ光の強度分布（ガウス分布）の関係上、主膜８の外縁部の膜厚は、主膜８の外縁部を除く部分の均一な膜厚よりも薄くなる。すなわち、主膜８の外縁部の透過率は、主膜８の外縁部を除く部分の均一な透過率（及び半透過部３の透過率）よりも高くなる。また、図４（ｃ）に示すように、透過率調整層成膜工程の結果によっては、欠陥修正対象領域５の境界と主膜８の外縁との間に隙間が生じることがある。もちろん、この隙間部分の透過率は、主膜８の外縁部を除く部分の均一な透過率（及び半透過部３の透過率）よりも高くなる。したがって、主膜形成工程により、欠陥修正対象領域５の境界から主膜８の外縁部までの幅で欠陥修正対象領域５の境界及び主膜８の外縁部に沿って、帯状（巨視的には、筋状）の高透過部が生じることになる。

そこで、第４工程（補填膜成膜工程）では、欠陥修正装置のスリット４３の開口形状が高透過部の１つの辺に対応したスリット状に設定された状態で、レーザ光学系２０を用い、高透過部の１辺単位で高透過部に補填膜９が形成される。各辺の補填膜９は、主膜８の角部において重なると、そこだけが透過率が下がるため、主膜８の角部において重ならないように形成される。各辺の補填膜９は、レーザ光を連続的に照射しながら、ビームスキャンユニット２５により、Ｘ方向及びＹ方向にレーザ光を走査して成膜される。

補填膜９は、図５に示すように、透過率調整層７と同様、透過率調整層９で構成される。透過率調整層９は、厚みが少ない膜厚に成膜される必要がある。透過率調整層９の膜厚が厚いと、１回の透過率調整層９の成膜により、高透過部の透過率が半透過部３の透過率を下回る事態が生じ、最悪の場合、第２工程からやり直さなければなりないリスクが増すからである。このため、透過率調整層９を成膜するときのレーザ光学系２０の出力は、ベース層６を成膜するときのレーザ光学系２０の出力よりも低い値に設定される。透過率調整層９を成膜するときのレーザ光学系２０の出力は、ベース層６を成膜するときのレーザ光学系２０の出力が１００％であるとすると、２０％以上３５％以下となるように設定するのが好ましい。本実施形態においては、透過率調整層９を成膜するときのレーザ光学系２０の出力は、２５％ないし３５％である。

透過率調整層成膜工程では、透過率調整層９が成膜されるたびに、高透過部の透過率が測定される。透過率測定方法としては、光を照射して透過光の光量を測定することにより、透過率を直接的に測定する方法のほか、撮像して高透過部の画像（のたとえば画素値）と半透過部３の画像（のたとえば画素値）とを比較することにより、透過率を間接的に測定する方法等、公知の各種の透過率測定方法を用いることができる。ただし、高透過部は、幅が狭い帯状であるため、直接測定は難しい。この点、画像診断による間接測定が好ましい。画像診断による間接測定は、直接測定よりも短時間で測定ができるという利点もある。

測定の結果、高透過部の透過率が半透過部３の透過率と同じになる、又は、高透過部の透過率と半透過部３の透過率との差が問題にならない状態になると、透過率調整層成膜工程、ひいては、補填膜成膜工程が完了し、修正膜として適切な透過率を有する補填膜９が得られる。透過率調整層９は、たとえば、図５（ａ）に示すように、第１層９ａ、第２層９ｂ及び第３層９ｃの３層が形成される場合や、図５（ｂ）に示すように、第１層９ａ及び第２層９ｂの２層が形成される場合がある。あるいは、透過率調整層９は、図５（ｃ）に示すように、１層だけが形成される場合がある。なお、透過率調整層９の成膜による透過率調整が円滑かつ歩留まりよく行われるよう、図５（ｄ）に示すように、１層あたりの透過率調整層９の膜厚は、適宜調整することができる。

以上の工程を経て、欠陥修正対象領域５の全面において透過率が均一で、かつ、欠陥修正対象領域５の周辺の正常な半透過膜で構成される半透過部３の透過率と等しくなる修正膜１０が得られる。このように、欠陥修正方法１によれば、極めて高精度な欠陥修正を実現することができる。

なお、図２（ｅ）を見ればわかるとおり、補填膜９の一部は、半透過部３の上にラップして成膜される。しかし、このラップ部分の膜厚は、極めて薄い。このため、ラップ部分における半透過部３の透過率が低下するという影響は、極めて少ない。そこで、第５工程として、このラップ部分を除去する工程が一応用意されるが、第５工程は、任意の工程として位置付られる。

＜欠陥修正方法２＞
欠陥修正方法２は、欠陥のサイズＳが２０μｍを超える場合に用いられる。物理的には、欠陥修正方法１を用いて１回で済ますことは可能である。しかし、そうなると、成膜すべき主膜８のサイズが大きくなり、主膜８（特にベース層６）の面内分布の均一性が崩れ、修正膜１０の透過率の均一性は損なわれて、修正膜１０の品質、ひいては、ハーフトーンマスクの品質が低下する。このため、欠陥修正を分割して行うというのが欠陥修正方法２である。欠陥修正自体の方法としては、欠陥修正方法２も欠陥修正方法１も同じである。欠陥修正方法２は、工程の順序の違いにより、欠陥修正方法２−１から欠陥修正方法２−５までの大きく５つの方法がある。以下、それぞれについて、異なる点を主として説明する。

＜欠陥修正方法２−１＞
欠陥修正方法２−１は、図６及び図７に示すように、第１工程から第８工程までを備える。第９工程は、欠陥修正方法１の第５工程と同様で、任意の工程である。

欠陥修正対象領域５は、２つに分割される。まず、１つ目の欠陥修正対象領域５に対し、第１工程（トリミング工程）、第２工程（主膜成膜工程のベース層成膜工程）、第３工程（主膜成膜工程の透過率調整層成膜工程）、第４工程（補填膜成膜工程）が実施される。ただし、第４工程では、２つ目の欠陥修正対象領域５に接する１辺の高透過部には、補填膜９が成膜されない。これは、２つ目の欠陥修正対象領域５がトリミングされる際に、この高透過部もトリミングされることになり、補填膜９を成膜しても無駄になるからである。

次に、２つ目の欠陥修正対象領域５に対し、第５工程（トリミング工程）、第６工程（主膜成膜工程のベース層成膜工程）、第７工程（主膜成膜工程の透過率調整層成膜工程）、第８工程（補填膜成膜工程）が実施される。

以上の工程を経て、欠陥修正対象領域５の全面において透過率が均一で、かつ、欠陥修正対象領域５の周辺の正常な半透過膜で構成される半透過部３の透過率と等しくなる修正膜１０が得られる。このように、欠陥修正方法２−１によれば、サイズが大きな欠陥４に対しても、極めて高精度な欠陥修正を実現することができる。

なお、図６（ｃ）のＡ部の構成は、図２（ｃ）のＡ部の構成と同じである。図６（ｄ）のＣ部の構成は、図２（ｄ）のＣ部の構成と同じである。図６（ｅ）のＥ部の構成は、図２（ｅ）のＥ部の構成と同じである。図７（ｂ）のＢ部の構成は、図２（ｃ）のＢ部の構成と同じである。図７（ｃ）のＤ部の構成は、図２（ｄ）のＤ部の構成と同じである。図７（ｄ）のＦ部の構成は、図２（ｅ）のＦ部の構成と同じである。図７（ｂ）のＡ’部の構成は、図２（ｃ）のＡ部の構成と共通する。図７（ｃ）のＣ’部の構成は、図２（ｄ）のＣ部の構成と共通する。図７（ｄ）のＥ’部の構成は、図２（ｅ）のＥ部の構成と共通する。

＜欠陥修正方法２−２＞
欠陥修正方法２−２は、図８及び図９に示すように、第１工程から第７工程までを備える。第８工程は、欠陥修正方法１の第５工程と同様で、任意の工程である。

欠陥修正対象領域５は、２つに分割される。まず、１つ目の欠陥修正対象領域５に対し、第１工程（トリミング工程）、第２工程（主膜成膜工程のベース層成膜工程）、第３工程（主膜成膜工程の透過率調整層成膜工程）が実施される。欠陥修正方法２−１と異なり、ここでは、補填膜成膜工程は実施されない。

次に、２つ目の欠陥修正対象領域５に対し、第４工程（トリミング工程）、第５工程（主膜成膜工程のベース層成膜工程）、第６工程（主膜成膜工程の透過率調整層成膜工程）が実施される。最後に、全体（２つの欠陥修正対象領域５，５）の高透過部に対し、第７工程（補填膜成膜工程）が実施される。

以上の工程を経て、欠陥修正対象領域５の全面において透過率が均一で、かつ、欠陥修正対象領域５の周辺の正常な半透過膜で構成される半透過部３の透過率と等しくなる修正膜１０が得られる。このように、欠陥修正方法２−２によっても、サイズが大きな欠陥４に対して、極めて高精度な欠陥修正を実現することができる。しかも、欠陥修正方法２−２は、欠陥修正方法２−１に比べ、工程が１工程減る。このため、製造時間の短縮、ひいては、製造コストの削減を図ることができる。

なお、図８（ｃ）のＡ部の構成は、図２（ｃ）のＡ部の構成と同じである。図８（ｄ）のＣ部の構成は、図２（ｄ）のＣ部の構成と同じである。図９（ｄ）のＥ部の構成は、図２（ｅ）のＥ部の構成と同じである。図９（ｂ）のＢ部の構成は、図２（ｃ）のＢ部の構成と同じである。図９（ｃ）のＤ部の構成は、図２（ｄ）のＤ部の構成と同じである。図９（ｄ）のＦ部の構成は、図２（ｅ）のＦ部の構成と同じである。図９（ｂ）のＡ’部の構成は、図２（ｃ）のＡ部の構成と共通する。図９（ｃ）のＣ’部の構成は、図２（ｄ）のＣ部の構成と共通する。図９（ｄ）のＥ’部の構成は、図２（ｅ）のＥ部の構成と共通する。

＜欠陥修正方法２−３＞
欠陥修正方法２−３は、図１０及び図１１に示すように、第１工程から第６工程までを備える。第７工程は、欠陥修正方法１の第５工程と同様で、任意の工程である。

欠陥修正対象領域５は、２つに分割される。まず、１つ目の欠陥修正対象領域５に対し、第１工程（トリミング工程）、第２工程（主膜成膜工程のベース層成膜工程）が実施される。欠陥修正方法２−１と異なり、ここでは、主膜成膜工程の透過率調整層成膜工程、補填膜成膜工程は実施されない。

次に、２つ目の欠陥修正対象領域５に対し、第３工程（トリミング工程）、第４工程（主膜成膜工程のベース層成膜工程）が実施される。次に、全体（２つの欠陥修正対象領域５，５）に対し、第５工程（主膜成膜工程の透過率調整層成膜工程）が実施される。最後に、全体（２つの欠陥修正対象領域５，５）の高透過部に対し、第６工程（補填膜成膜工程）が実施される。

以上の工程を経て、欠陥修正対象領域５の全面において透過率が均一で、かつ、欠陥修正対象領域５の周辺の正常な半透過膜で構成される半透過部３の透過率と等しくなる修正膜１０が得られる。このように、欠陥修正方法２−３によっても、サイズが大きな欠陥４に対して、極めて高精度な欠陥修正を実現することができる。しかも、欠陥修正方法２−３は、欠陥修正方法２−１に比べ、工程が２工程減り、欠陥修正方法２−２に比べ、工程が１工程減る。このため、製造時間の短縮、ひいては、製造コストの削減を図ることができる。

なお、図１０（ｃ）のＡ部の構成は、図２（ｃ）のＡ部の構成と同じである。図１１（ｃ）のＣ部の構成は、図２（ｄ）のＣ部の構成と同じである。図１１（ｄ）のＥ部の構成は、図２（ｅ）のＥ部の構成と同じである。図１１（ｂ）のＢ部の構成は、図２（ｃ）のＢ部の構成と同じである。図１１（ｃ）のＤ部の構成は、図２（ｄ）のＤ部の構成と同じである。図１１（ｄ）のＦ部の構成は、図２（ｅ）のＦ部の構成と同じである。図１１（ｂ）のＡ’’部の構成は、図２（ｃ）のＡ部の構成と共通する。図１１（ｃ）のＣ’’部の構成は、図２（ｄ）のＣ部の構成と共通する。図１１（ｄ）のＥ’’部の構成は、図２（ｅ）のＥ部の構成と共通する。

＜欠陥修正方法２−４＞
欠陥修正方法２−４は、図１２に示すように、第１工程から第４工程までを備える。第５工程は、欠陥修正方法１の第５工程と同様で、任意の工程である。

欠陥修正対象領域５は、２つに分割される。しかし、第１工程（トリミング工程）は、全体に対して１回実施される。次に、全体（２つの欠陥修正対象領域５，５）に対し、第２工程（主膜成膜工程のベース層成膜工程）、第３工程（主膜成膜工程の透過率調整層成膜工程）が実施される。最後に、全体（２つの欠陥修正対象領域５，５）の高透過部に対し、第４工程（補填膜成膜工程）が実施される。

以上の工程を経て、欠陥修正対象領域５の全面において透過率が均一で、かつ、欠陥修正対象領域５の周辺の正常な半透過膜で構成される半透過部３の透過率と等しくなる修正膜１０が得られる。このように、欠陥修正方法２−４によっても、サイズが大きな欠陥４に対して、極めて高精度な欠陥修正を実現することができる。しかも、欠陥修正方法２−４は、欠陥修正方法２−１に比べ、工程が４工程減り、欠陥修正方法２−２に比べ、工程が３工程減り、欠陥修正方法２−３に比べ、工程が２工程減る。このため、製造時間の短縮、ひいては、製造コストの削減を図ることができる。

なお、図１２（ｃ）のＡ部の構成は、図２（ｃ）のＡ部の構成と同じである。図１２（ｄ）のＣ部の構成は、図２（ｄ）のＣ部の構成と同じである。図１２（ｅ）のＥ部の構成は、図２（ｅ）のＥ部の構成と同じである。図１２（ｃ）のＢ部の構成は、図２（ｃ）のＢ部の構成と同じである。図１２（ｄ）のＤ部の構成は、図２（ｄ）のＤ部の構成と同じである。図１２（ｅ）のＦ部の構成は、図２（ｅ）のＦ部の構成と同じである。図１２（ｃ）のＡ’’’部及びＢ’の構成は、図２（ｃ）のＡ部及びＢ部の構成と共通する。図１２（ｄ）のＣ’’’部及びＤ’の構成は、図２（ｄ）のＣ部及びＤ部の構成と共通する。図１２（ｅ）のＥ’’’及びＦ’部の構成は、図２（ｅ）のＥ部及びＦ部の構成と共通する。

＜欠陥修正方法２−５＞
欠陥修正方法２−５は、図１３及び図１４に示すように、第１工程から第８工程までを備える。第９工程は、欠陥修正方法１の第５工程と同様で、任意の工程である。

欠陥修正方法２−５が欠陥修正方法２−１と異なる点は、欠陥修正方法２−１では、２つの欠陥修正対象領域５，５が一部（端部同士）でラップするように設定されるのに対し、欠陥修正方法２−５では、２つの欠陥修正対象領域５，５がラップしない、又は、ラップするにしてもごく僅かな量でラップするように設定されるという点である。これにより、欠陥修正方法２−１では、１つ目の欠陥修正対象領域５に対して形成された膜の一部が、２つ目の欠陥修正対象領域５に対して実施されるトリミング工程によって除去されるのに対し、欠陥修正方法２−５では、１つ目の欠陥修正対象領域５に対して形成された膜が、２つ目の欠陥修正対象領域５に対して実施されるトリミング工程によっても除去されない、又は、除去されるにしてもごく僅かな量のみ除去されるという違いが生じる。最終的な仕上がりに違いはない。

なお、欠陥修正方法２−５のラップさせないという方法は、欠陥修正方法２−２及び欠陥修正方法２−３にも当然に適用することができる。

＜欠陥修正方法３＞
欠陥修正方法３は、欠陥のサイズＳが２μｍ以下の場合に用いられる。欠陥修正方法３は、図１５に示すように、概略的には、（ｉ）トリミング工程を備えず、（ｉｉ）欠陥修正対象領域５（欠陥４そのまま）に部分的に、透過率が半透過部３の透過率と等しくなるように、主膜８を成膜する主膜成膜工程と、（ｉｉｉ）主膜８が埋まっていない箇所に生じる高透過部に、透過率が半透過部３の透過率と等しくなるように、補填膜９を成膜する補填膜成膜工程とを備える。

欠陥修正方法３は、具体的には、第１工程から第３工程までを備える。第１工程（主膜成膜工程）及び第２工程（主膜成膜工程）では、レーザ光学系２０を用い、欠陥修正対象領域５の大部分の領域に対し、主膜８が形成される。主膜８は、１つ又は複数個のスポット状の成膜である。この主膜８は、欠陥修正方法１等のベース層６と同様の条件で形成される。第３工程（補填膜成膜工程）では、レーザ光学系２０を用い、欠陥修正対象領域５の残りの領域に対し、補填膜９が形成される。補填膜９も、スポット状の成膜であり、欠陥修正方法１等のベース層６と同様の条件で形成される。

以上の工程を経て、欠陥修正対象領域５の全面において透過率が均一で、かつ、欠陥修正対象領域５の周辺の正常な半透過膜で構成される半透過部３の透過率と等しくなる修正膜１０が得られる。このように、欠陥修正方法３によれば、サイズが小さな欠陥４に対して、簡単かつ高精度な欠陥修正を実現することができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

たとえば、上記実施形態においては、周囲が半透過部３のみである欠陥４についての欠陥修正方法について説明している。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。たとえば、図１６に示すように、遮光部２（遮光膜２の上に半透過膜３が積層された部分）の近傍に生じた欠陥４に対しても、本発明に係る欠陥修正方法を適用可能であることはいうまでもない。なお、欠陥４の近傍に遮光部２がある場合、図１６（ｂ）に示すように、トリミング工程では、トリミング領域は、遮光部２と重ならないように設定される。すなわち、トリミング領域は、遮光部２の半透過部３との境界（遮光部２の外縁）と接するように設定される。半透過部３のみトリミングし、遮光部２はトリミングされないようにするためである。しかし、図１６（ｃ）以降に示すように、トリミング工程以降の各成膜工程では、欠陥修正対象領域５は、遮光部２と重なるように設定される。遮光部２の上であれば、高透過部は生じず、しかも、遮光部２の上にどのように膜が成膜されようが、遮光部２の透過率には影響を与えないからである。これにより、補填膜成膜工程では、主膜８の外縁部のうち、半透過部３における部分にのみ生じる高透過部（図１６（ｄ）の例では、２辺の高透過部）に対して行われる。このため、補填膜成膜工程の時間短縮、ひいては、製造コストの削減を図ることができる。

また、上記実施形態においては、白欠陥の欠陥修正について説明している。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。欠陥修正対象は、黒欠陥であってもよい。

また、上記実施形態においては、半透過部３を構成する半透過膜が単層である場合について説明した。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。半透過膜は、２層又は３層以上に積層された積層半透過膜であってもよい。そして、ｉ）積層半透過膜の非表層（２層構造の場合は、下層）に生じた白欠陥に対しては、欠陥のサイズに応じて、欠陥修正方法１又は欠陥修正方法２のいずれかが用いられる（欠陥のサイズが欠陥修正方法３の対応サイズである場合は、欠陥修正方法１が用いられる。）。ｉｉ）積層半透過膜の表層（２層構造の場合は、上層）に生じた白欠陥に対しては、欠陥のサイズに応じて、欠陥修正方法１、欠陥修正方法２又は欠陥修正方法３のいずれかが用いられる。ｉｉｉ）積層半透過膜に生じた黒欠陥に対しては、欠陥修正方法１又は欠陥修正方法２のいずれかが用いられる。

また、上記実施形態においては、欠陥修正装置のスリット４３の構造の関係上、欠陥修正対象領域５及びトリミング領域は、矩形状である。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。適宜のマスク形状を採用することにより、欠陥修正対象領域及びトリミング領域の形状として、適宜の形状を設定することができる。あるいは、適切にレーザ光を制御することにより、スリットを用いないで修正膜を成膜することも可能である。

また、上記欠陥修正方法１及び２においては、トリミング工程が実施される。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。欠陥の形状によっては、欠陥そのままを欠陥修正対象領域に設定することができる場合がある。この場合は、トリミング工程は不要である。

また、上記欠陥修正方法１及び２においては、主膜成膜工程は、ベース層成膜工程と、透過率調整層成膜工程とを備える。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。ベース層だけで所期の修正膜が得られる場合は、透過率調整層成膜工程は不要である。

また、上記欠陥修正方法２においては、欠陥修正を２つに分割して行う。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。分割数は、３つ以上であってもよい。

また、上記実施形態においては、修正膜１０の成膜手段として、レーザＣＶＤが用いられる。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。本発明は、外縁部の膜厚が薄くなるために高透過部が生じてしまうような成膜手段を用いる欠陥修正方法すべてに適用可能である。

「等しく」、「一致」、「同じ」、「矩形状」といった形状、状態を特定する用語は、本発明において、そのもののほか、それに近いないし類するという意味の「略」の概念も含むものである。

１…透明基板（ガラス基板）、２…遮光膜（遮光部）、３…半透過膜（半透過部）、４…欠陥（白欠陥）、５…トリミング領域（欠陥修正対象領域）、６…ベース層、７…透過率調整層、７ａ…透過率調整層（第１層）、７ｂ…透過率調整層（第２層）、７ｃ…透過率調整層（第３層）、８…主膜、９…補填膜、９ａ…透過率調整層（第１層）、９ｂ…透過率調整層（第２層）、９ｃ…透過率調整層（第３層）、１０…修正膜、１１…ハーフトーンマスク、２０…レーザ光学系、２１…レーザ発振器、２２…コリメートレンズ、２３…ビームエキスパンダ、２４…アッテネータ、２５…ビームスキャンユニット、３０…レーザ光学系、３１…レーザ発振器、３２…コリメートレンズ、３３…ビームエキスパンダ、３４…アッテネータ、４０…光学系、４１…プリズム、４２…プリズム、４３…スリット、４３０…フレーム、４３１…フレーム、４３２…開口、４４…プリズム、４５…プリズム、４６…対物レンズ、５０…ガス供給系、５１…原料ガス供給管、６０…位置制御系、６１…ステージ、６２…位置制御部

Claims (12)

1. ハーフトーンマスクの半透過部の欠陥修正対象領域に修正膜を成膜することにより、半透過部に生じた欠陥を修正するハーフトーンマスクの欠陥修正方法であって、
   欠陥修正対象領域に、透過率が半透過部の透過率と等しくなるように、主膜を成膜する主膜成膜工程と、
   主膜の成膜によっても欠陥修正対象領域に残る高透過部に、透過率が半透過部の透過率と等しくなるように、補填膜を成膜する補填膜成膜工程とを備える
   ハーフトーンマスクの欠陥修正方法。
2. 主膜成膜工程は、欠陥修正対象領域と一致する形状に、主膜を成膜する、又は、欠陥修正対象領域の境界の少なくとも一部と主膜の外縁の少なくとも一部との間に隙間を生じて、主膜を成膜するものであり、
   補填膜成膜工程は、欠陥修正対象領域の境界から主膜の外縁部までの幅で欠陥修正対象領域の境界及び主膜の外縁部に沿って生じる高透過部に、補填膜を成膜するものである
   請求項１に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正方法。
3. 主膜成膜工程は、
   半透過部の透過率よりも高い透過率を有するベース層を成膜するベース層成膜工程と、
   透過率が半透過部の透過率と等しくなるように、ベース層の上に１層又は複数層の透過率調整層を成膜する透過率調整層成膜工程とを備える
   請求項１又は請求項２に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正方法。
4. ベース層成膜工程は、欠陥修正対象領域の境界とベース層の外縁との間に隙間が形成されるように、ベース層を成膜する、又は、欠陥修正対象領域の境界にベース層の外縁が接するように、ベース層を成膜するものである
   請求項３に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正方法。
5. 補填膜成膜工程は、透過率が半透過部の透過率と等しくなるように、１層又は複数層の透過率調整層を成膜する透過率調整層成膜工程を備える
   請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正方法。
6. 主膜成膜工程に先立ち、欠陥を包含する所定形状の欠陥修正対象領域を設定し、欠陥修正対象領域内に存在する既存の半透過膜を除去するトリミング工程を備える
   請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正方法。
7. 欠陥が所定サイズを超える場合、欠陥修正対象領域を複数に分割して欠陥修正を行う
   請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正方法。
8. 原料ガスの雰囲気中で、欠陥修正対象領域内にレーザ光を照射することにより、修正膜を成膜する
   請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正方法。
9. 透明基板の上に、遮光部、透過部及び半透過部を形成する工程と、
   半透過部に生じた欠陥を修正する欠陥修正工程とを備え、
   欠陥修正工程として、請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の欠陥修正方法を適用する
   ハーフトーンマスクの製造方法。
10. 透明基板の上に、遮光部、透過部及び半透過部を備え、半透過部に修正膜を備えるハーフトーンマスクであって、
    修正膜は、
    透過率が半透過部の透過率と等しくなるように成膜される主膜と、
    主膜だけでは半透過部の透過率と等しくならない高透過部に、透過率が半透過部の透過率と等しくなるように成膜される補填膜とを備える
    ハーフトーンマスク。
11. 主膜は、
    半透過部の透過率よりも高い透過率を有するベース層と、
    ベース層の上に、透過率が半透過部の透過率と等しくなるように成膜される１層又は複数層の透過率調整層とを備える
    請求項１０に記載のハーフトーンマスク。
12. 補填膜は、透過率が半透過部の透過率と等しくなるように成膜される１層又は複数層の透過率調整層を備える
    請求項１０又は請求項１１に記載のハーフトーンマスク。
    

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