JPH0695365A - マスク欠陥の修正方法 - Google Patents
マスク欠陥の修正方法Info
- Publication number
- JPH0695365A JPH0695365A JP13644292A JP13644292A JPH0695365A JP H0695365 A JPH0695365 A JP H0695365A JP 13644292 A JP13644292 A JP 13644292A JP 13644292 A JP13644292 A JP 13644292A JP H0695365 A JPH0695365 A JP H0695365A
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- JP
- Japan
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- correction
- region
- defect
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- shielding film
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は集束イオンビームを用いたフォトマス
クの欠陥修正において、修正中の集束イオンビームのド
リフト現象による修正位置精度低下を防止する。 【構成】フォトマスクの遮光膜欠落および遮光膜残留欠
陥を行う場合に、修正を２段階で行う。まず修正部の精
度が重要な領域を切り出して、短時間で修正を行い、次
いで残った精度がそれほど重要でない領域の修正を行
う。
クの欠陥修正において、修正中の集束イオンビームのド
リフト現象による修正位置精度低下を防止する。 【構成】フォトマスクの遮光膜欠落および遮光膜残留欠
陥を行う場合に、修正を２段階で行う。まず修正部の精
度が重要な領域を切り出して、短時間で修正を行い、次
いで残った精度がそれほど重要でない領域の修正を行
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＳＩ製造においてその
原版となるマスクの欠陥の修正方法に係わり、特に集束
イオンビームを用いたマスク欠陥の修正方法に関する。
原版となるマスクの欠陥の修正方法に係わり、特に集束
イオンビームを用いたマスク欠陥の修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マスクはガラス基板上にクロム等の遮光
性の薄膜を設けた材料に対し、その薄膜に微細加工を施
し遮光膜による回路パターンを形成したものである。そ
の製造過程においては、一般にピンホールと称する遮光
膜の欠落欠陥，ドットと称するパターン部以外に余分な
遮光膜が残る残留欠陥がまま生ずる。この様な場合に
は、欠陥の修正を施さなければならず、現在集束イオン
ビームを用いた修正方法が主流となっている。そしてそ
の修正技術は次の様なものである。
性の薄膜を設けた材料に対し、その薄膜に微細加工を施
し遮光膜による回路パターンを形成したものである。そ
の製造過程においては、一般にピンホールと称する遮光
膜の欠落欠陥，ドットと称するパターン部以外に余分な
遮光膜が残る残留欠陥がまま生ずる。この様な場合に
は、欠陥の修正を施さなければならず、現在集束イオン
ビームを用いた修正方法が主流となっている。そしてそ
の修正技術は次の様なものである。
【０００３】図３は遮光膜の欠落しているピンホール欠
陥の修正原理を示したものである。その修正方法は欠陥
部付近に有機ガス９を吹きつけながら集束イオンビーム
１０の走査を繰り返し行い、有機ガス９を重合させ、欠
陥部にカーボン膜を堆積させていくというものであり、
このときのカーボン膜の厚さは集束イオンビーム１０の
走査回数に比例する。
陥の修正原理を示したものである。その修正方法は欠陥
部付近に有機ガス９を吹きつけながら集束イオンビーム
１０の走査を繰り返し行い、有機ガス９を重合させ、欠
陥部にカーボン膜を堆積させていくというものであり、
このときのカーボン膜の厚さは集束イオンビーム１０の
走査回数に比例する。
【０００４】通常はあらかじめ所望のカーボン膜厚を得
るのに必要なイオンビームの走査繰返し数を装置上にパ
ラメータとして持たせておく方法がとられている。また
遮光膜２の残留しているドット欠陥の修正原理を図４に
示す。その方法は欠陥部に集束イオンビーム１０を走査
し、スパッタリング現象を利用して欠陥を削り取ってい
くというものであり、ビーム走査を繰り返し行うという
点ではピンホール修正の場合と同様である。
るのに必要なイオンビームの走査繰返し数を装置上にパ
ラメータとして持たせておく方法がとられている。また
遮光膜２の残留しているドット欠陥の修正原理を図４に
示す。その方法は欠陥部に集束イオンビーム１０を走査
し、スパッタリング現象を利用して欠陥を削り取ってい
くというものであり、ビーム走査を繰り返し行うという
点ではピンホール修正の場合と同様である。
【０００５】以上の様な集束イオンビーム１０を用いた
欠陥の修正方法では、修正時間は欠陥部の面積に比例し
て増大する。
欠陥の修正方法では、修正時間は欠陥部の面積に比例し
て増大する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】集束イオンビームを用
いたマスクの欠陥修正方法においては、欠陥サイズが大
きくなるほど修正時の集束イオンビームの走査領域が増
え、それにほぼ比例して修正時間が増えていく。欠陥サ
イズが数１０μｍのものでは修正時間が数時間に及ぶこ
ともある。
いたマスクの欠陥修正方法においては、欠陥サイズが大
きくなるほど修正時の集束イオンビームの走査領域が増
え、それにほぼ比例して修正時間が増えていく。欠陥サ
イズが数１０μｍのものでは修正時間が数時間に及ぶこ
ともある。
【０００７】この様に修正時間が長くなった場合、一般
にドリフトと称する修正中の集束イオンビームの軌道変
化の累積量が大きくなる。
にドリフトと称する修正中の集束イオンビームの軌道変
化の累積量が大きくなる。
【０００８】従って、マスク上のパターンの縁の部分に
存在する様な大面積欠陥修正においては修正精度の劣化
を伴っていた。
存在する様な大面積欠陥修正においては修正精度の劣化
を伴っていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の集束イオンビー
ムによるマスク欠陥の修正方法は、修正すべき領域の中
で、まず輪郭部でパターンの縁に該当する部分の修正を
優先的に行い、後に残った領域の修正を行うという２段
階の修正手順を用いている。
ムによるマスク欠陥の修正方法は、修正すべき領域の中
で、まず輪郭部でパターンの縁に該当する部分の修正を
優先的に行い、後に残った領域の修正を行うという２段
階の修正手順を用いている。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１は本発明の実施例の集束イオンビーム
を用いたピンホール欠陥修正の流れを示した図である。
まず図１（ａ）に示した様にガラス基板１上の遮光膜２
に生じた欠落欠陥３を完全に囲む様な領域４（図中破線
内）の設定を行う。このうち遮光膜２の縁からはみ出す
領域については遮光膜２に集束イオンビームを走査して
得られる二次イオン信号をもとに除外され、実際の修正
領域が決定される。
を用いたピンホール欠陥修正の流れを示した図である。
まず図１（ａ）に示した様にガラス基板１上の遮光膜２
に生じた欠落欠陥３を完全に囲む様な領域４（図中破線
内）の設定を行う。このうち遮光膜２の縁からはみ出す
領域については遮光膜２に集束イオンビームを走査して
得られる二次イオン信号をもとに除外され、実際の修正
領域が決定される。
【００１２】修正領域が決定すると次に修正作業に移
り、まず第１段階の修正として図１（ｂ）に示した様に
遮光膜２の縁から２μｍ程度の幅の領域５に対して修正
を施す。この領域を修正するのに要する時間は長辺側が
数１０μｍあった場合でも１０〜１５分程度におさま
る。従って本領域の修正ではビームドリフト等による修
正精度劣化が最小限におさえられる。
り、まず第１段階の修正として図１（ｂ）に示した様に
遮光膜２の縁から２μｍ程度の幅の領域５に対して修正
を施す。この領域を修正するのに要する時間は長辺側が
数１０μｍあった場合でも１０〜１５分程度におさま
る。従って本領域の修正ではビームドリフト等による修
正精度劣化が最小限におさえられる。
【００１３】次に図１（ｃ）に示した様に第２段階の修
正として残っている修正領域６に対して修正を施す。こ
の際第１段階の修正領域との間に透き間が出来るのを防
ぐ為、１μｍ程度の幅だけ領域がオーバーラップする様
にする。第２段階の修正では修正面積が大きい為修正時
間は長時間要する。その為その間のビームドリフト量は
大きく修正膜の位置ずれが生ずることがある。しかし、
第１段階の修正で既に遮光膜パターンの縁の部分の修正
精度は確保されており、修正部のパターン位置精度を劣
化させることはない。
正として残っている修正領域６に対して修正を施す。こ
の際第１段階の修正領域との間に透き間が出来るのを防
ぐ為、１μｍ程度の幅だけ領域がオーバーラップする様
にする。第２段階の修正では修正面積が大きい為修正時
間は長時間要する。その為その間のビームドリフト量は
大きく修正膜の位置ずれが生ずることがある。しかし、
第１段階の修正で既に遮光膜パターンの縁の部分の修正
精度は確保されており、修正部のパターン位置精度を劣
化させることはない。
【００１４】図２は本発明の実施例の集束イオンビーム
を用いたドット欠陥修正の流れを示した図である。本修
正も、ピンホール欠陥の修正と全く同一であり、図２
（ａ）に示したガラス基板１上の遮光膜残留欠陥７を囲
む領域８の設定をし、図２（ｂ）に示した遮光膜パター
ンの縁から２μｍ程度迄の第１段階修正領域５の修正を
する。次に、図２（ｃ）に示した様に残った第２段階修
正領域６の修正という手順で修正を行う。修正の位置情
報が第１段階の短時間内の修正で確保されている点も、
ピンホール欠陥の修正と同様である。
を用いたドット欠陥修正の流れを示した図である。本修
正も、ピンホール欠陥の修正と全く同一であり、図２
（ａ）に示したガラス基板１上の遮光膜残留欠陥７を囲
む領域８の設定をし、図２（ｂ）に示した遮光膜パター
ンの縁から２μｍ程度迄の第１段階修正領域５の修正を
する。次に、図２（ｃ）に示した様に残った第２段階修
正領域６の修正という手順で修正を行う。修正の位置情
報が第１段階の短時間内の修正で確保されている点も、
ピンホール欠陥の修正と同様である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、欠陥修正す
べき領域があった場合にまず短時間で修正領域の輪郭部
の修正を行い、後に残りの領域の修正を行うという方法
を用いている為、修正面積が大きい欠陥の修正を行う場
合にも、集束イオンビームのドリフトにより修正精度を
劣化させることはない。
べき領域があった場合にまず短時間で修正領域の輪郭部
の修正を行い、後に残りの領域の修正を行うという方法
を用いている為、修正面積が大きい欠陥の修正を行う場
合にも、集束イオンビームのドリフトにより修正精度を
劣化させることはない。
【図１】本発明の実施例によるピンホール欠陥の修正の
工程を示した図。
工程を示した図。
【図２】本発明の実施例によるドット欠陥の修正の工程
を示した図。
を示した図。
【図３】ピンホール欠陥の修正原理を示した図。
【図４】ドット欠陥の修正原理を示した図。
１ ガラス基板 ２ 遮光膜 ３ 遮光膜欠落欠陥 ４ 遮光膜欠落欠陥を囲む領域 ５ 第１段階修正領域 ６ 第２段階修正領域 ７ 遮光膜残留欠陥 ８ 遮光膜残留欠陥を囲む領域 ９ 有機ガス １０ 集光イオンビーム
Claims (2)
- 【請求項１】 集束イオンビームを用いたマスク欠陥修
正方法において、パターンの縁に存在する欠陥を修正す
る際に、修正開始時はパターンの縁に隣接する領域を優
先して修正加工し、次いで残りの領域の修正加工を行う
ことを特徴とするマスク欠陥の修正方法。 - 【請求項２】 前記修正加工は集束イオンビームを用い
て行うことを特徴とする請求項１に記載のマスク欠陥の
修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13644292A JPH0695365A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | マスク欠陥の修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13644292A JPH0695365A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | マスク欠陥の修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0695365A true JPH0695365A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=15175217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13644292A Withdrawn JPH0695365A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | マスク欠陥の修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695365A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017173670A (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | Hoya株式会社 | パターン修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び修正膜形成装置 |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP13644292A patent/JPH0695365A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017173670A (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | Hoya株式会社 | パターン修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び修正膜形成装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |