JPS63218959A - ホトマスクパタ−ンの修正方法 - Google Patents
ホトマスクパタ−ンの修正方法Info
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- JPS63218959A JPS63218959A JP62052730A JP5273087A JPS63218959A JP S63218959 A JPS63218959 A JP S63218959A JP 62052730 A JP62052730 A JP 62052730A JP 5273087 A JP5273087 A JP 5273087A JP S63218959 A JPS63218959 A JP S63218959A
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- laser beam
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、ホトマスク製造方法に関し、特にはホトマス
クパターンの修正方法に関する。
クパターンの修正方法に関する。
〈従来の技術〉
ガラス等の透明基板の一主面にクロム等の遮光膜のパタ
ーンを形成したものは、ＩＣ，ＬＳＩ製造工程に用いる
ホトマスクとして一般に広く使用されている。このホト
マスクは、ガラス基板の一主面全面にクロムを蒸着或い
はスパッタ成膜等にて被潰し、該クロムをホトリソグラ
フィ技術によりバターニングすることにより得られる。
ーンを形成したものは、ＩＣ，ＬＳＩ製造工程に用いる
ホトマスクとして一般に広く使用されている。このホト
マスクは、ガラス基板の一主面全面にクロムを蒸着或い
はスパッタ成膜等にて被潰し、該クロムをホトリソグラ
フィ技術によりバターニングすることにより得られる。
ところが、ホトリソグラフィにてパターニングする際、
異物等の原因によりエツチング不良となって、ガラス基
板の所望領域外にクロムが残留し、第２図のような黒系
欠陥が発生することがある。所望するホトマスクパター
ンを得るためには、このような黒系欠陥を除去してパタ
ーンに修正を加えなければならない。従来、ホトマスク
パターンの修正にはレーザビームが用いられ、レーザビ
ーム照射により黒系欠陥をなすクロムを蒸発させて除去
している。
異物等の原因によりエツチング不良となって、ガラス基
板の所望領域外にクロムが残留し、第２図のような黒系
欠陥が発生することがある。所望するホトマスクパター
ンを得るためには、このような黒系欠陥を除去してパタ
ーンに修正を加えなければならない。従来、ホトマスク
パターンの修正にはレーザビームが用いられ、レーザビ
ーム照射により黒系欠陥をなすクロムを蒸発させて除去
している。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ご１
上述の如くレーザビーム照射にて欠陥部分のクロムを蒸
発させると、蒸発しきれなかったクロムが周囲に飛散し
てガラス基板露出領域に付着し、新たに二次的欠陥が発
生するという問題がある０また、レーザビーム照射は何
度も繰り返すと基板のガラス面を傷つける恐れがあり、
欠陥を修正するためにレーザビーム照射を何度も行なう
ことは、ホトマスクの精度に悪影響を及ぼすという問題
もある０ く問題点を解決するための手段〉 本発明は上述する問題を解決するためになされたもので
、ホトマスクパターンを形成した透明基板の一主面の全
面をネガ型レジストで被覆する工程と、前記透明基板の
裏面から前記レジストの露光を行ない、現像してレジス
トパターンを形成する工程と、ホトマスクパターンの欠
陥となる遮光膜にレーザビーム照射を行なう工程と、前
記レジストパターンを剥離する工程とからなるホトマス
クパターンの修正方法を提供するものである○く作 用
〉 上述の如く、レーザビーム照射にてホトマスクパターン
をなす遮光膜の不要部分を除去する際、従来は露出して
いた透明基板をレジストで覆うことにより、二次的欠陥
の発生を防ぐことができ、更には、透明基板のレーザに
よる損傷を最小限に抑えることができる。
発させると、蒸発しきれなかったクロムが周囲に飛散し
てガラス基板露出領域に付着し、新たに二次的欠陥が発
生するという問題がある０また、レーザビーム照射は何
度も繰り返すと基板のガラス面を傷つける恐れがあり、
欠陥を修正するためにレーザビーム照射を何度も行なう
ことは、ホトマスクの精度に悪影響を及ぼすという問題
もある０ く問題点を解決するための手段〉 本発明は上述する問題を解決するためになされたもので
、ホトマスクパターンを形成した透明基板の一主面の全
面をネガ型レジストで被覆する工程と、前記透明基板の
裏面から前記レジストの露光を行ない、現像してレジス
トパターンを形成する工程と、ホトマスクパターンの欠
陥となる遮光膜にレーザビーム照射を行なう工程と、前
記レジストパターンを剥離する工程とからなるホトマス
クパターンの修正方法を提供するものである○く作 用
〉 上述の如く、レーザビーム照射にてホトマスクパターン
をなす遮光膜の不要部分を除去する際、従来は露出して
いた透明基板をレジストで覆うことにより、二次的欠陥
の発生を防ぐことができ、更には、透明基板のレーザに
よる損傷を最小限に抑えることができる。
〈実施例〉
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例を表す断面図で
ある。第１図（ａ）の如く、ガラス基板１の一主面全面
にネガ型のレジスト２を２０００〜２５００Ａの膜厚に
塗布し５た後、前記ガラス基板１の裏面から全面露光を
行なう。次に第１図（ｂ）の如く、現像を行なってガラ
ス基板露出領域をレジストパターン２ａで覆い、次いで
ホトマスクの黒色欠陥となる不要クロム３にレーザビー
ム照射を行なう。このレーザビーム照射により前記不要
クロム３はほぼ蒸発し、蒸発しきれず飛散したクロム３
ａは第１図（ｃ）の如く前記レジストパターン２ａ上に
付着する。最後にレジストパターン２ａを剥離すると、
第１図（ｄ）の如く前記飛散クロム３ａも同時に除去さ
れてガラス基板１上にはマスクパターン４のみが残り、
ホトマスクパターンの修正は１回のレーザビーム照射で
完了する。
ある。第１図（ａ）の如く、ガラス基板１の一主面全面
にネガ型のレジスト２を２０００〜２５００Ａの膜厚に
塗布し５た後、前記ガラス基板１の裏面から全面露光を
行なう。次に第１図（ｂ）の如く、現像を行なってガラ
ス基板露出領域をレジストパターン２ａで覆い、次いで
ホトマスクの黒色欠陥となる不要クロム３にレーザビー
ム照射を行なう。このレーザビーム照射により前記不要
クロム３はほぼ蒸発し、蒸発しきれず飛散したクロム３
ａは第１図（ｃ）の如く前記レジストパターン２ａ上に
付着する。最後にレジストパターン２ａを剥離すると、
第１図（ｄ）の如く前記飛散クロム３ａも同時に除去さ
れてガラス基板１上にはマスクパターン４のみが残り、
ホトマスクパターンの修正は１回のレーザビーム照射で
完了する。
上述のレーザビーム照射を行なう際、鏡下で欠陥のエツ
ジを明確にしなければ修正の確実性・作業性が低下する
。このため本実施例ではレジストの膜厚を制御して確実
性・作業性の向上を図る。
ジを明確にしなければ修正の確実性・作業性が低下する
。このため本実施例ではレジストの膜厚を制御して確実
性・作業性の向上を図る。
先ず、レジストを塗布する時塗布ムラができない程度に
薄くし、更に現像による膜減りが大きくなるようレジス
トへの露光量を抑制して、現像後のレジスト膜厚をクロ
ムの膜厚（通常１０００Ａ）とほぼ同程度にするという
ものである。
薄くし、更に現像による膜減りが大きくなるようレジス
トへの露光量を抑制して、現像後のレジスト膜厚をクロ
ムの膜厚（通常１０００Ａ）とほぼ同程度にするという
ものである。
このように、マスクパターンを有する透明基板の一主面
にネガ型レジストを塗布した後、前記マスクパターンを
そのｉｔマスクとして利用し、前記透明基板の裏面から
全面露光して現像処理を行なうことにより、透明基板の
主面側露出領域全てをレジストで被覆することが可能に
なる。しだがってマスクパターンの修正による二次的欠
陥が発生するのを防止できる。
にネガ型レジストを塗布した後、前記マスクパターンを
そのｉｔマスクとして利用し、前記透明基板の裏面から
全面露光して現像処理を行なうことにより、透明基板の
主面側露出領域全てをレジストで被覆することが可能に
なる。しだがってマスクパターンの修正による二次的欠
陥が発生するのを防止できる。
〈発明の効果〉
本発明により、マスクパターン修正時のレーザビーム照
射工程にて二次的欠陥が発生するのを防止でき、レーザ
ビーム照射を一回行なうだけでマスクパターン修正が完
了するため、マスクパターンを形成した透明基板が損傷
を受けることがなくなる。したがって本発明は精度の高
いホトマスクの製造に寄与するものである。
射工程にて二次的欠陥が発生するのを防止でき、レーザ
ビーム照射を一回行なうだけでマスクパターン修正が完
了するため、マスクパターンを形成した透明基板が損傷
を受けることがなくなる。したがって本発明は精度の高
いホトマスクの製造に寄与するものである。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を表すホトマ
スクの断面図、第２図は欠陥を有するホトマスクの断面
図である。
スクの断面図、第２図は欠陥を有するホトマスクの断面
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明基板の一主面上に遮光膜からなるホトマスクパ
ターンを形成する際、前記ホトマスクパターンの黒系欠
陥をレーザビーム照射を行なって除去するホトマスクパ
ターンの修正方法において、 ホトマスクパターンを形成した透明基板の一主面の全面
をネガ型レジストで被覆する工程と、前記透明基板の裏
面から前記レジストの露光を行ない、現像してレジスト
パターンを形成する工程と、 ホトマスクパターンの黒系欠陥にレーザビーム照射を行
なう工程と、 前記レジストパターンを剥離する工程とからなることを
特徴とするホトマスクパターンの修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62052730A JPS63218959A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | ホトマスクパタ−ンの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62052730A JPS63218959A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | ホトマスクパタ−ンの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63218959A true JPS63218959A (ja) | 1988-09-12 |
Family
ID=12923042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62052730A Pending JPS63218959A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | ホトマスクパタ−ンの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63218959A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0961168A1 (en) * | 1998-05-18 | 1999-12-01 | International Business Machines Corporation | Method for repair of photomasks |
| US6165649A (en) * | 1997-01-21 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Methods for repair of photomasks |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP62052730A patent/JPS63218959A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165649A (en) * | 1997-01-21 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Methods for repair of photomasks |
| EP0961168A1 (en) * | 1998-05-18 | 1999-12-01 | International Business Machines Corporation | Method for repair of photomasks |
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