JPS60235422A - マスクパタ−ンの欠陥修正方法 - Google Patents
マスクパタ−ンの欠陥修正方法Info
- Publication number
- JPS60235422A JPS60235422A JP59091998A JP9199884A JPS60235422A JP S60235422 A JPS60235422 A JP S60235422A JP 59091998 A JP59091998 A JP 59091998A JP 9199884 A JP9199884 A JP 9199884A JP S60235422 A JPS60235422 A JP S60235422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- defect
- chromium
- mask pattern
- parts
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体装置の製造に利用するマスクパターンの
欠陥修正方法に関し、余剰に付着した金属膜を除去して
マスクパターンの欠陥を修正する方法に関するものであ
る。
欠陥修正方法に関し、余剰に付着した金属膜を除去して
マスクパターンの欠陥を修正する方法に関するものであ
る。
〈従来技術〉
Ｉ Ｃ，ＬＳＩ等の半導体装置を製造する工程では、不
純物の拡散、絶縁膜のエツチング、配線等の際に、対応
するパターンが形成されたマスクが用いられる。この種
のマスクはガラス等の透明基板上Ｋ、クロム等の遮光性
をもつ金属膜が蒸着等によって被着され、該被着された
金属膜を所望パターンにエツチングすることによって作
成されている。
純物の拡散、絶縁膜のエツチング、配線等の際に、対応
するパターンが形成されたマスクが用いられる。この種
のマスクはガラス等の透明基板上Ｋ、クロム等の遮光性
をもつ金属膜が蒸着等によって被着され、該被着された
金属膜を所望パターンにエツチングすることによって作
成されている。
このようなマスクの作成において、原パターンの欠陥、
塵埃の付着或いはエツチング不良等のためにクロム膜の
パターンにしばしば欠陥が生じる。
塵埃の付着或いはエツチング不良等のためにクロム膜の
パターンにしばしば欠陥が生じる。
第２図はマスクパターンに通常出現し易い欠陥を例示す
るもので、ガラス基板１上に被着したクロム膜２はエン
チングすることによってパターン化されているが、クロ
ム残りによって生じる黒糸欠陥３１．３２及びクロム膜
が欠除した白糸欠陥４１゜４２がある。上記各種の欠陥
の内特に上記黒糸欠陥３．，３２を修正する方法として
、レーザ光を照射してクロムを焼き切る方法が提案され
ている。
るもので、ガラス基板１上に被着したクロム膜２はエン
チングすることによってパターン化されているが、クロ
ム残りによって生じる黒糸欠陥３１．３２及びクロム膜
が欠除した白糸欠陥４１゜４２がある。上記各種の欠陥
の内特に上記黒糸欠陥３．，３２を修正する方法として
、レーザ光を照射してクロムを焼き切る方法が提案され
ている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
上記のようにレーザ光照射によって欠陥修正処理を施こ
した場合、完全に焼き切れずにガラス面から剥離したク
ロムは周囲に飛散し、第３図に示す如く再びガラス面上
に付着して新だな熱系欠陥５となり、所期の目的を達成
し得ないという問題がある。
した場合、完全に焼き切れずにガラス面から剥離したク
ロムは周囲に飛散し、第３図に示す如く再びガラス面上
に付着して新だな熱系欠陥５となり、所期の目的を達成
し得ないという問題がある。
〈問題点を解決するだめの手段〉
本発明は、透明基板上に作成された熱系欠陥が生じてい
るマスクパターンに対して、黒糸欠陥部を露出させてそ
の他の透明基板表面をレジストで被い、露出部の熱系欠
陥をレーザ光で除去するマスクパターンの欠陥修正方法
である。
るマスクパターンに対して、黒糸欠陥部を露出させてそ
の他の透明基板表面をレジストで被い、露出部の熱系欠
陥をレーザ光で除去するマスクパターンの欠陥修正方法
である。
〈作 用〉
レーザ光によって熱系欠陥を除去する工程で、透明基板
上の適正に作成されたマスクパターンは予めレジストで
被われているため、たとえ透明基板から剥離した黒糸欠
陥部の金属膜が周囲に飛散してもレジストによって透明
基板やマスクパターンは保護される。
上の適正に作成されたマスクパターンは予めレジストで
被われているため、たとえ透明基板から剥離した黒糸欠
陥部の金属膜が周囲に飛散してもレジストによって透明
基板やマスクパターンは保護される。
〈実施例〉
第１図（ａ）において、ガラス基板ｌ上にクロム等の金
属膜２が被着され、該クロム膜２がエツチングされてマ
スクパターンが作成される。該マスクパターンを点検し
、パターン以外に余剰クロム３１゜３２が付着したマス
クパターンに対してその欠陥位置座標データを作成する
と共に、第１図（ｂ）の如くクロム膜側全面にポジレジ
スト６を塗布し続いてプレベークする。上記欠陥位置座
標データをスポット露光装置に入力し、上記塗布したレ
ジスト６の黒糸欠陥部ａ＋、ａ２にレジストが感光する
波長の光を照射し、続いて現像することにより、第１図
（ｃ）に示す如く欠陥部のレジストが窓７１．７２開け
される。窓７１．７２によって露出した黒糸欠陥部ｓ、
、ｓ２にレーザ光を照射してクロム残りを除去する。該
レーザ光照射過程で、欠陥部分以外の基板表面はレジス
トで被われているため第１図（ｄ）の如くクロム８が飛
び散ってもレジスト６上に付着する。このレジスト膜６
を最終的には剥離液にて除去することにより、飛散クロ
ムはレジスト共に除去される。
属膜２が被着され、該クロム膜２がエツチングされてマ
スクパターンが作成される。該マスクパターンを点検し
、パターン以外に余剰クロム３１゜３２が付着したマス
クパターンに対してその欠陥位置座標データを作成する
と共に、第１図（ｂ）の如くクロム膜側全面にポジレジ
スト６を塗布し続いてプレベークする。上記欠陥位置座
標データをスポット露光装置に入力し、上記塗布したレ
ジスト６の黒糸欠陥部ａ＋、ａ２にレジストが感光する
波長の光を照射し、続いて現像することにより、第１図
（ｃ）に示す如く欠陥部のレジストが窓７１．７２開け
される。窓７１．７２によって露出した黒糸欠陥部ｓ、
、ｓ２にレーザ光を照射してクロム残りを除去する。該
レーザ光照射過程で、欠陥部分以外の基板表面はレジス
トで被われているため第１図（ｄ）の如くクロム８が飛
び散ってもレジスト６上に付着する。このレジスト膜６
を最終的には剥離液にて除去することにより、飛散クロ
ムはレジスト共に除去される。
〈発明の効果〉
以上本発明によれば、マスクパターン以外の基板上に付
着した余剰金属膜を除去する作業において、余剰金属膜
周辺は予めレジストで保護されるため、基板から剥離し
た金属膜が再び基板に付着するのを阻止−することがで
き、再欠陥の発生を防止して欠陥修正作業の効率化を図
ることができる。
着した余剰金属膜を除去する作業において、余剰金属膜
周辺は予めレジストで保護されるため、基板から剥離し
た金属膜が再び基板に付着するのを阻止−することがで
き、再欠陥の発生を防止して欠陥修正作業の効率化を図
ることができる。
第１図（ａ）ｉｔ （ｄ）は本発明による一実施例の工
程を説明するだめの平面図、第２図はマスクパターンに
生じる欠陥の種類を示す図、第３図は従来の欠陥修正作
業によって生じた再欠陥を示す図である。 １ニガラス板 ２ニクロム膜 ３１．３２ ：余剰金属
膜 ６：レジスト ７：窓 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図
程を説明するだめの平面図、第２図はマスクパターンに
生じる欠陥の種類を示す図、第３図は従来の欠陥修正作
業によって生じた再欠陥を示す図である。 １ニガラス板 ２ニクロム膜 ３１．３２ ：余剰金属
膜 ６：レジスト ７：窓 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図
Claims (1)
- １）透明基板上に金属膜を被着して所望パターンのマス
クを作成する工程と、該マスクパターンに対して余剰金
属被着部を残して他の透明基板面上をレジストで被う工
程と、上記露出した余剰金属被着部にレーザ光を照射し
て除去する工程と、上記レジストを除去する工程とから
なるこトラ特徴とするマスクパターンの欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091998A JPS60235422A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | マスクパタ−ンの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091998A JPS60235422A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | マスクパタ−ンの欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235422A true JPS60235422A (ja) | 1985-11-22 |
Family
ID=14042089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59091998A Pending JPS60235422A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | マスクパタ−ンの欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60235422A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0961168A1 (en) * | 1998-05-18 | 1999-12-01 | International Business Machines Corporation | Method for repair of photomasks |
| US6165649A (en) * | 1997-01-21 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Methods for repair of photomasks |
| KR100665963B1 (ko) * | 2001-03-23 | 2007-01-09 | 호야 가부시키가이샤 | 포토 마스크의 결함 수정 방법 및 포토 마스크 |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP59091998A patent/JPS60235422A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165649A (en) * | 1997-01-21 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Methods for repair of photomasks |
| EP0961168A1 (en) * | 1998-05-18 | 1999-12-01 | International Business Machines Corporation | Method for repair of photomasks |
| KR100665963B1 (ko) * | 2001-03-23 | 2007-01-09 | 호야 가부시키가이샤 | 포토 마스크의 결함 수정 방법 및 포토 마스크 |
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