JPS63313158A - レチクルの修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置等の製造に用いられるフォトマスク
に関し、特にステッパに用いられるレチクルに形成する
パターンの修正方法に関する。

〔従来の技術〕

半導体装置の製造工程においては、半導体つエバにマス
クパターンを焼付けるために露光機を使用しているが、
近年におけるパターンの微細化に伴ってこの露光機の構
成はコンタクトアライナ。

ミラープロジェクションアライナ等からステッパに変わ
ってきている。このステッパは、通常ではウェハに形成
するパターンサイズの５〜１０倍のパターンサイズを有
するレチクルを使用しており、ごのレチクルパターンを
ウェハ上にマトリクス状に配列しながら縮小投影露光し
ている。また、この場合、レチクルには通常１〜数チッ
プ分のパターンが形成されており、これをウェハ上に繰
返し投影露光しながら数十〜数百チップを形成している
。

このため、このレチクルに欠陥が生じていると、多数の
チップに欠陥が発生することになり、製造歩留りが極め
て悪いものとなる。従来、レチクルのパターンはクロム
、酸化クロム等の金属膜で形成されており、欠陥として
は不要な部分に金属Ｈｔ）７゜が残るドツトとパターン
部に穴が開くピンホールに区別される。

これら欠陥に関しては多くの修正法が提案されているが
、−ｉ的にはドツトに対してはＹＡＧのレーザ光を照射
して蒸発除去する方法がとられ、ピンホールに対しては
その部分にクロムを蒸着させる方法がとられている。

第３図にピンホール修正法の工程図を示す。

同図（ａ）に示すように、先ずガラス基板１に形成され
た金属パターン４全体をフォトレジスト２で覆う。次に
、ピンホール部分３に紫外光を選択的に照射し現像して
同図（ｂ）のようにピンホール部分を露出させ、この上
で同図（Ｃ）のように全面にクロム５を蒸着する。そし
て、不要となるクロムをレジスト２と共に剥離すれば、
同図（ｄ）のようにピンホール部分３のみがクロム５で
覆われて欠陥が修正され、マスクパターンとして完成す
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述したように欠陥が修正されたレチクルは、洗浄工程
を経た後にゴミや汚れの検査に付されるが、この検査に
は通常Ｈｅ−Ｎｅのレーザ光を使った検査が利用され、
この検査後にステッパにセットされる。

ところが、上述したように欠陥箇所に複数のピンホール
が存在したり、欠陥箇所にエツチング未了の金属膜が残
っていたりすると、第３図（ｄ）に示すように、修正し
たクロム５の表面が平坦にならず、凹凸表面になる。

このため、レーザ光による検査の際に、クロム５の凹凸
面によってレーザ光が乱反射され修正部分はあたかもゴ
ミが存在しているように誤認識される。ゴミが存在する
と誤認識されたレチクルは再び洗浄されて検査されるが
、当然のことながら平坦になっていない修正部分のクロ
ムはまたゴミと誤認識されて使用できず、製品が停滞し
て工期が長くなってしまう。また、ゴミであるか修正部
分であるかの確認は顕微鏡によって人が行わなければな
らないため、多大な労力を必要とするし、はなはだしい
場合は洗浄によって除去できないゴミが存在するとして
レチクルそのものが廃棄されてしまう場合もあった。

本発明は修正部分を平坦化し、検査における修正部分の
後認識を防止することを可能にするレチクルの修正方法
を提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明のレチクルの修正方法は、レチクルのパターンに
存在するピンホール等の欠陥を修正する方法において、
レチクル表面をフォトレジストで覆う工程と、少なくと
も欠陥部分を含む微小部分のフォトレジスト及びパター
ンを除去する工程と、全面に金属膜をパターンと同じ厚
さに形成する工程と、フォトレジストとともに欠陥を含
む微小部分以外の金属膜を除去する工程とを含んでいる
。

〔実施例〕

次に、本発明を図面を参照して説明する。

第１図は本発明の第１実施例を工程順に示す断面図であ
る。

先ず、同図（ａ）に示すようにガラス基板１上に形成し
たクロムパターン４全体をフォトレジスト２（例えば東
京応化製　０ＦＰＲ−８００、ヘキスト製ＡＺ−１３５
０等）で３０００人〜ｌｔ１ｍの厚さに覆う。

次に、複数のピンホールが生じている部分３に紫外光を
照射、現像して同図（ｂ）のようにフォトレジスト２の
一部を開口してピンホール部分を露出させる。ここで、
レチクルをクロムエツチング液（硝酸第２セリウムアン
モニウム１６５　ｇ。

過塩素酸４２ｇ、水１２の混合液）に３０〜１２０秒浸
漬し、フォトレジスト２の開口部に露呈されている金属
パターン４を同図（Ｃ）のようにエツチング除去する。

次に、同図（ｄ）のように、全面にクロム５をクロムパ
ターン４と同じ厚さく６００〜２０００人）だけ蒸着し
、しかる上でし゛シスト２を剥離すれば同図（ｅ）に示
すように修正部分におけるクロム５はクロムパターン４
と同一厚さに形成され、パターン面は平坦状態に修正さ
れる。

したがって、このレチクルをレーザ光により検査した場
合でも、修正部分におけるレーザ光の乱反射を防止でき
、ゴミと誤認識されることはない。

第２図は本発明の第２の実施例を工程順に示す断面図で
ある。

先ず、同図（ａ）は第１図（ａ）と同様ガラス基板１上
に形成したクロムパターン４全体をフォトレジスト２で
覆った状態を示している。

そして、この状態のままピンホールが生じている部分３
の全体を含む領域に、ドツトの修正に用いる１、０６μ
ｍまたは０．５３μｍの波長のＹＡＧのレーザ光を１０
〜２００ナノ秒照射し、フォトレジスト２及びピンホー
ル部分３を含むクロムパターン４を同図（ｂ）のように
除去する。

しかる後に、第１図（ｄ）と同様に全面にクロム５を蒸
着させ（第２図（Ｃ））、その後フォトレジスト２を除
去してフォトレジスト上のクロム５を除去することによ
り、第２図（ｄ）のようにクロムパターン４と等しい厚
さのクロム５を形成し、全体を平坦化したクロムパター
ンを得ることができる。

この方法により修正したクロムパターンにおいても、第
１図の実施例と同様にレーザ光の乱反射を防止でき、後
認識を防止できる。

なお、本発明方法は複数のピンホールを修正する場合だ
けでな（、形が崩れて複雑な形をしたピンホールを修正
する場合にも適用でき、修正後におけるレーザ光の乱反
射をなくすことができる効果がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、レチクル表面をフォトレ
ジストで覆った上で、欠陥部分を含む微小部分のフォト
レジスト及びパターンを除去し、かつ全面に金属膜をパ
ターンと同じ厚さに形成した上で欠陥を含む微小部分以
外の金属膜を除去しているので、欠陥部分をパターンと
同一厚さに修正することができ、レーザ光による検査で
修正部分がゴミ、汚れと誤認識されることがなく、ウェ
ハの工期を短縮できる等の効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）乃至第１図（ｅ）は本発明の第１実施例を
工程順に示す断面図、第２図（ａ）乃至第２図（ｄ）は
本発明の第２実施例を工程順に示す断面図、第３図（ａ
）乃至第３図（ｄ）は従来方法を工程順に示す断面図で
ある。 １・・・ガラス基板、２・・・フォトレジスト、３・・
・ピンホール部分、４・・・クロムパターン、５・・・
クロム。 第２図 句　　　　　　　　　　　　　　　　、Ω（Ｎ　　　　
　　　Ｆ　　　　　　　　　　　　Ｃ’Ｊ　　　　　Ｆ
　　　　　　　　　　　　　　　　Ｆ第３図 （ｄ）　− 「

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）レチクルのパターンに存在するピンホール等の欠
   陥を修正する方法において、レチクル表面をフォトレジ
   ストで覆う工程と、少なくとも前記欠陥部分を含む微小
   部分のフォトレジスト及びパターンを除去する工程と、
   全面に金属膜をパターンと同じ厚さに形成する工程と、
   前記フォトレジストを除去すると同時に前記欠陥を含む
   微小部分以外の前記金属膜を除去する工程とを含むこと
   を特徴とするレチクルの修正方法。