JPS61111526A - マスクパタ−ンの欠陥修正方法 - Google Patents
マスクパタ−ンの欠陥修正方法Info
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- JPS61111526A JPS61111526A JP59213796A JP21379684A JPS61111526A JP S61111526 A JPS61111526 A JP S61111526A JP 59213796 A JP59213796 A JP 59213796A JP 21379684 A JP21379684 A JP 21379684A JP S61111526 A JPS61111526 A JP S61111526A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体装置の製造に利用するマスクパターンの
欠陥修正方法に関し、マスク材料の被着が欠除した白系
欠陥を修正する方法に関するものである。
欠陥修正方法に関し、マスク材料の被着が欠除した白系
欠陥を修正する方法に関するものである。
〈従来技術〉
ＩＣ，ＬＳＩ 等の半導体装置を製造する工程では、不
純物の拡散、絶縁膜のエツチング、配線等の際に、対応
するパターンが形成されたマスクが用いられる。この種
のマスクはガラス等の透明基板上に、クロム等の遮光性
をもつ金属膜が蒸着等によって被着され、該被着された
金属膜を所望パターンにエツチングすることによって作
成されている。
純物の拡散、絶縁膜のエツチング、配線等の際に、対応
するパターンが形成されたマスクが用いられる。この種
のマスクはガラス等の透明基板上に、クロム等の遮光性
をもつ金属膜が蒸着等によって被着され、該被着された
金属膜を所望パターンにエツチングすることによって作
成されている。
このようなマスクの作成において、原パターンの欠陥、
塵埃の付着或いはエツチング不良等のためにクロム膜の
パターンにしばしば欠陥が生じる。
塵埃の付着或いはエツチング不良等のためにクロム膜の
パターンにしばしば欠陥が生じる。
第３図はマスクパターンに通常出現し易い欠陥を例示す
るもので、ガラス基板ｌ上に被着したクロム膜２はエツ
チングすることによってパターン化されているが、クロ
ム残りによって生じる黒糸欠陥８１＋３２及びクロム膜
が欠除した白系欠陥４１゜４２ ＋ ４３がある。上記
各種の欠陥の内特に上記黒糸欠陥３１．３２を修正する
方法として、レーザ光を照射してクロムを焼き切る方法
が、白系欠陥４１゜４２＋４３を修正する方法として、
クロム蒸着により白系部を埋めるリフトオフ法が用いら
れている。
るもので、ガラス基板ｌ上に被着したクロム膜２はエツ
チングすることによってパターン化されているが、クロ
ム残りによって生じる黒糸欠陥８１＋３２及びクロム膜
が欠除した白系欠陥４１゜４２ ＋ ４３がある。上記
各種の欠陥の内特に上記黒糸欠陥３１．３２を修正する
方法として、レーザ光を照射してクロムを焼き切る方法
が、白系欠陥４１゜４２＋４３を修正する方法として、
クロム蒸着により白系部を埋めるリフトオフ法が用いら
れている。
本考案は後者の白系欠陥を修正する方法に関するもので
あるが、従来から行われているリフトオフ法を利用して
修正する場合次に説明するように新たな黒欠陥が発生す
る慣れがある。
あるが、従来から行われているリフトオフ法を利用して
修正する場合次に説明するように新たな黒欠陥が発生す
る慣れがある。
即ち第４図（ａ）に示す如く、クロム膜２が所望パター
ンで形成されたガラス基板ｌに対して、リフトオフ法に
よって欠陥を修正するべくレジスト５が塗布され、白系
欠陥部分を露出させるために上記レジスト５にスポット
露光が施こされ、修正のためのクロム膜を蒸着するため
の開口が形成される。
ンで形成されたガラス基板ｌに対して、リフトオフ法に
よって欠陥を修正するべくレジスト５が塗布され、白系
欠陥部分を露出させるために上記レジスト５にスポット
露光が施こされ、修正のためのクロム膜を蒸着するため
の開口が形成される。
上記リフトオフ工程中のレジスト塗布工程において、レ
ジスト中に含まれる異物、ゲル状物質。
ジスト中に含まれる異物、ゲル状物質。
気泡等によりレジスト５にピンホール６が発生したり、
或いはレジストを塗布する基板の汚れ、異物等によって
もピンホール６が発生する。このようにピンホール６が
発生したレジスト５上に第４図（ｂ）の如くクロム膜７
を蒸着した場合、本来の白系欠陥部以外の部分、即ちピ
ンホール６にまでもクロム膜τが付着することになり、
クロム膜７′は第４図（Ｃ）に示す如く新たな熱系欠陥
を発生する。
或いはレジストを塗布する基板の汚れ、異物等によって
もピンホール６が発生する。このようにピンホール６が
発生したレジスト５上に第４図（ｂ）の如くクロム膜７
を蒸着した場合、本来の白系欠陥部以外の部分、即ちピ
ンホール６にまでもクロム膜τが付着することになり、
クロム膜７′は第４図（Ｃ）に示す如く新たな熱系欠陥
を発生する。
従ってマスク利用に際しては上記のような熱系欠陥を更
に修正する必要があり、マスク製造の作業工数が増え、
作業能率が著しく損われるという欠点があった。
に修正する必要があり、マスク製造の作業工数が増え、
作業能率が著しく損われるという欠点があった。
〈発明の目的〉
本発明は、上記従来のホトマスクにおける白系欠陥を修
正する方法の問題点に鑑みてなされたもので、リフトオ
フ法で修正する過程に新たに生じる熱系欠陥を最小限に
留めた修正方法を提供する。
正する方法の問題点に鑑みてなされたもので、リフトオ
フ法で修正する過程に新たに生じる熱系欠陥を最小限に
留めた修正方法を提供する。
〈実施例〉
第１図（ａ）において、従来のホトマスク製造工程と同
様の工程を経て透明なガラス基板ｌの表面にクロム等の
金属膜２が被着され、エツチング等によって所望形状に
加工される。所望パターンにエツチングされたガラス基
板１面の金属膜２は、パターン読み取り装置や顕微鏡観
察等によってパターンの点検が実行され、欠陥部分特に
本実施例では白系欠陥８の位置が検出される。検出され
た欠陥位置情報は磁気カード等のメモリ手段に記憶保持
され、次に述べるレジストのスポット露光や遮光板を加
工するための位置情報等として利用される。
様の工程を経て透明なガラス基板ｌの表面にクロム等の
金属膜２が被着され、エツチング等によって所望形状に
加工される。所望パターンにエツチングされたガラス基
板１面の金属膜２は、パターン読み取り装置や顕微鏡観
察等によってパターンの点検が実行され、欠陥部分特に
本実施例では白系欠陥８の位置が検出される。検出され
た欠陥位置情報は磁気カード等のメモリ手段に記憶保持
され、次に述べるレジストのスポット露光や遮光板を加
工するための位置情報等として利用される。
第１図（ｂ）において白系欠陥８が検出されたガラス基
板１に対して、該白系欠陥８を修正するためにまず金属
膜２が被着されたガラス板全面にポジレジスト５が塗布
される。続いて白系欠陥８の部分のガラス面を露出させ
るため、上記検出された欠陥部の位置情報に基いて白系
欠陥８にスポット露光９が施こされ（第１図（ｃ） ）
、現像処理によってレジストの一部が除去される（第
１図（ｄ））。露出した白系欠陥８の部分に遮蔽板＋１
を利用してマスク材料と同一のクロム等による金属膜１
０が第４図（ｅ）の如く蒸着される。上記遮蔽板１１は
、金属膜１０の蒸着作業に先立って、第２図に示す如く
上記白系欠陥８の位置検出結果に基いて作製される。即
ちレジスト５の白系欠陥を含んでその近傍を開口し、他
の領域を蒸着から遮蔽するために、欠陥検出工程で検出
され、磁気カード１３等に記憶させた欠陥位置情報を利
用して遮蔽板１１に開口１２が形成される。
板１に対して、該白系欠陥８を修正するためにまず金属
膜２が被着されたガラス板全面にポジレジスト５が塗布
される。続いて白系欠陥８の部分のガラス面を露出させ
るため、上記検出された欠陥部の位置情報に基いて白系
欠陥８にスポット露光９が施こされ（第１図（ｃ） ）
、現像処理によってレジストの一部が除去される（第
１図（ｄ））。露出した白系欠陥８の部分に遮蔽板＋１
を利用してマスク材料と同一のクロム等による金属膜１
０が第４図（ｅ）の如く蒸着される。上記遮蔽板１１は
、金属膜１０の蒸着作業に先立って、第２図に示す如く
上記白系欠陥８の位置検出結果に基いて作製される。即
ちレジスト５の白系欠陥を含んでその近傍を開口し、他
の領域を蒸着から遮蔽するために、欠陥検出工程で検出
され、磁気カード１３等に記憶させた欠陥位置情報を利
用して遮蔽板１１に開口１２が形成される。
第２図において、欠陥位置の検出は、自動欠陥検査装置
１４或いは顕微鏡１５による欠陥検査により行ない、磁
気カード１３やその他の記憶装置１６により座標データ
として記憶保持させ、該座標データを上記スポット露光
のための情報或いは遮蔽板１１を作製するための情報と
して活用する。
１４或いは顕微鏡１５による欠陥検査により行ない、磁
気カード１３やその他の記憶装置１６により座標データ
として記憶保持させ、該座標データを上記スポット露光
のための情報或いは遮蔽板１１を作製するための情報と
して活用する。
上記所定位置に開口１２が作製された遮蔽板１０で金属
膜が被着されたガラス板１を覆って修正用金属膜を蒸着
することにより、レジストに生じたピンホール等に金属
膜か被着されず、レジスト剥離後には白系欠陥８の部分
のみに金属膜が被着され、第１図（ｆ）に示す如く欠陥
が修正される。
膜が被着されたガラス板１を覆って修正用金属膜を蒸着
することにより、レジストに生じたピンホール等に金属
膜か被着されず、レジスト剥離後には白系欠陥８の部分
のみに金属膜が被着され、第１図（ｆ）に示す如く欠陥
が修正される。
上記修正工程において、レジストにピンホールが生じて
いるとしても金属膜蒸着時にはレジストは遮蔽板１１で
覆われているため、新たな黒欠陥となる惧れはない。
いるとしても金属膜蒸着時にはレジストは遮蔽板１１で
覆われているため、新たな黒欠陥となる惧れはない。
く効果〉
以上本発明によれば、新たな欠陥を発生させることなく
ホトマスクの欠陥を修正することができ、ホトマスク製
造工程の負担を著しく軽減することができ、また修正し
たホトマスクの再検査においても、蒸着された部分のみ
を検査すれば済み、短時間で効率的に処理することかで
きる。
ホトマスクの欠陥を修正することができ、ホトマスク製
造工程の負担を著しく軽減することができ、また修正し
たホトマスクの再検査においても、蒸着された部分のみ
を検査すれば済み、短時間で効率的に処理することかで
きる。
第１図（ａ）乃至（ｆ）は本発明ｔこよる一実施例を説
明するための断面図、第２図は本発明１こよる遮蔽板の
作製工程を説明するためのブロック図、第３図はホトマ
スクに生じる欠陥の種類を示す図、第４図（ａ）乃至（
ｃ）は従来のリフトオフ法による欠陥修正方法を説明す
るための断面図である。 Ｉニガラス基板、２：金属膜、５ニレジスト、６：ピン
ホール、８：白系欠陥、ＩＯ：修正用金属膜、１１：遮
蔽板、Ｉ２：開口。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ゝｌ 第 ／Ｉ１ｍ
明するための断面図、第２図は本発明１こよる遮蔽板の
作製工程を説明するためのブロック図、第３図はホトマ
スクに生じる欠陥の種類を示す図、第４図（ａ）乃至（
ｃ）は従来のリフトオフ法による欠陥修正方法を説明す
るための断面図である。 Ｉニガラス基板、２：金属膜、５ニレジスト、６：ピン
ホール、８：白系欠陥、ＩＯ：修正用金属膜、１１：遮
蔽板、Ｉ２：開口。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ゝｌ 第 ／Ｉ１ｍ
Claims (1)
- １）透明基板上に金属膜を被着して所望パターンのマス
クを作成する工程と、該マスクパターンに対してマスク
材料が欠陥した白系欠陥を検出する工程と、上記白系欠
陥を除いてマスクパターン上をレジストで被う工程と、
白系欠陥部近傍を露出させてレジスト面を遮蔽板で被つ
てマスク材料を蒸着する工程と、上記遮蔽板及びレジス
トを除去する工程とからなることを特徴とするマスクパ
ターンの欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213796A JPS61111526A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | マスクパタ−ンの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213796A JPS61111526A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | マスクパタ−ンの欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61111526A true JPS61111526A (ja) | 1986-05-29 |
Family
ID=16645189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59213796A Pending JPS61111526A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | マスクパタ−ンの欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61111526A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63210845A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Hitachi Ltd | 欠陥修正方法 |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP59213796A patent/JPS61111526A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63210845A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Hitachi Ltd | 欠陥修正方法 |
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