JPH0325914A - Ｘ線露光マスクの欠陥検出方法 - Google Patents
Ｘ線露光マスクの欠陥検出方法Info
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- JPH0325914A JPH0325914A JP1159475A JP15947589A JPH0325914A JP H0325914 A JPH0325914 A JP H0325914A JP 1159475 A JP1159475 A JP 1159475A JP 15947589 A JP15947589 A JP 15947589A JP H0325914 A JPH0325914 A JP H0325914A
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- pattern
- ray exposure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分封１
本発明は、微細パターンを正も゛ｖに転写寸るためのＸ
線リソグラノイに用いられるＸ線露光マスクの欠陥検出
方法に関する。
線リソグラノイに用いられるＸ線露光マスクの欠陥検出
方法に関する。
［従来の技術１
従来Ｘ線露光マスクの欠陥検出ｈ法は、Ｘ線露光マスク
の各パターンを光学的もしく【よ電気的に検出し、これ
を設計パターン・データと突き合わせ、互いに相違する
部分を欠陥としーＣ検出するか、ししくはＸ線露光マス
クの各パターンを上記のようにして予め倹査したＸ線露
光マスクパターンと光学的に逐一比較して倹査していた
。
の各パターンを光学的もしく【よ電気的に検出し、これ
を設計パターン・データと突き合わせ、互いに相違する
部分を欠陥としーＣ検出するか、ししくはＸ線露光マス
クの各パターンを上記のようにして予め倹査したＸ線露
光マスクパターンと光学的に逐一比較して倹査していた
。
［発明が解決しようとする課題１
ところが上記のような従来の欠陥検査方法では、Ｘ線露
光マスクの各パターンを他のＸ線露光マスクもしくは設
計データと逐一比較する必要かあるため、Ｘ線リソグラ
フイの応用が明侍ざれている６４ＭＤＲＡＭ，もしくは
それ以上の大規模メモリのような超ＬＳＩのパターンに
なると、検査すべきパターンデータ数が多すぎて膨大な
峙間とコストを要し、実用性の点で極めて問題が多かつ
Ｉこ 。
光マスクの各パターンを他のＸ線露光マスクもしくは設
計データと逐一比較する必要かあるため、Ｘ線リソグラ
フイの応用が明侍ざれている６４ＭＤＲＡＭ，もしくは
それ以上の大規模メモリのような超ＬＳＩのパターンに
なると、検査すべきパターンデータ数が多すぎて膨大な
峙間とコストを要し、実用性の点で極めて問題が多かつ
Ｉこ 。
本発明は以上述へたような従来の課題を解決するために
なされたもので、欠陥の検出か容易で欠陥検出時間を大
幅に短縮することのできるＸ線露光マスクの欠陥検出方
法を提供することを目的とする。
なされたもので、欠陥の検出か容易で欠陥検出時間を大
幅に短縮することのできるＸ線露光マスクの欠陥検出方
法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段１
本発明は、基板の一表面上に金属薄膜および第１のレジ
スト膜を順次形成する工程と、該レジスト膜に第１のＸ
線露光マスクのパターンをＸ線露光により転写して第１
のレジストパターンを形成する工程と、該第１のレジス
トパターンを保護模として前記金属薄膜の露！部分をエ
ッチング除去し、前記第１のレジストパターンと合同ま
たは相補の関係にある第１の金属パターンを形成する工
程と、該第１の金属パターンを有する基板の表而上に前
記第１のレシスト膜とボジ・ネガ反転の関係にある第２
のレジスト膜を塗布する工程と、前記第１のＸ線露光マ
スクと同一のパターンを有する第２のＸ線露光マスクの
パターンをＸ線露光により転写して前記第２のレジスト
膜に前記第２のＸ線露光マスクパターンと相補または合
同の関係にある第２のレジストパターンを形成する工程
と、該第２のレジストパターンを保護膜として前記第１
の金属パターンの露呈部分をエッチング除去（ノ、前記
第１のＸ線露光マスクおよび第２のＸ線露光マスクの双
方に共通でない欠陥を前記金属薄膜で現出せしめてなる
ことを特徴とするＸ線露光マスクの欠陥検出方法である
。
スト膜を順次形成する工程と、該レジスト膜に第１のＸ
線露光マスクのパターンをＸ線露光により転写して第１
のレジストパターンを形成する工程と、該第１のレジス
トパターンを保護模として前記金属薄膜の露！部分をエ
ッチング除去し、前記第１のレジストパターンと合同ま
たは相補の関係にある第１の金属パターンを形成する工
程と、該第１の金属パターンを有する基板の表而上に前
記第１のレシスト膜とボジ・ネガ反転の関係にある第２
のレジスト膜を塗布する工程と、前記第１のＸ線露光マ
スクと同一のパターンを有する第２のＸ線露光マスクの
パターンをＸ線露光により転写して前記第２のレジスト
膜に前記第２のＸ線露光マスクパターンと相補または合
同の関係にある第２のレジストパターンを形成する工程
と、該第２のレジストパターンを保護膜として前記第１
の金属パターンの露呈部分をエッチング除去（ノ、前記
第１のＸ線露光マスクおよび第２のＸ線露光マスクの双
方に共通でない欠陥を前記金属薄膜で現出せしめてなる
ことを特徴とするＸ線露光マスクの欠陥検出方法である
。
［作用］
本発明によれば、欠陥検査すべき２枚の同一パターンを
有するＸ線露光マスクを用い、それぞれのＸ線露光マス
クを使用して、ボシ・ネカ反転の関係にあるレジストに
よって転写を行う。形戊ざれたレジストパターンは、そ
れぞれ相補的な関係となるので、欠陥がない場合には、
エッチング後に金属薄膜は完全に除去されるはずである
。欠陥があった場合には、通常これらの欠陥は２枚のＸ
線露光マスクにおいて共通ではないので、欠陥部が金属
薄膜でパターン化ざれる。これらの欠陥部は、各Ｘ線露
光マスクによる露光に用いるレジストのポジ・ネカをそ
れぞれ交換させることにより、白欠陥および黒欠陥のい
ずれをも現出させることかでぎる。
有するＸ線露光マスクを用い、それぞれのＸ線露光マス
クを使用して、ボシ・ネカ反転の関係にあるレジストに
よって転写を行う。形戊ざれたレジストパターンは、そ
れぞれ相補的な関係となるので、欠陥がない場合には、
エッチング後に金属薄膜は完全に除去されるはずである
。欠陥があった場合には、通常これらの欠陥は２枚のＸ
線露光マスクにおいて共通ではないので、欠陥部が金属
薄膜でパターン化ざれる。これらの欠陥部は、各Ｘ線露
光マスクによる露光に用いるレジストのポジ・ネカをそ
れぞれ交換させることにより、白欠陥および黒欠陥のい
ずれをも現出させることかでぎる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例について図面を用いて説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例をＴ程順に示した基板の斜視
図である。まず、例えばガラス基板１１の一表面上に数
千大の厚さのＣ「もしくはＴ１等の金属薄膜１２をスパ
ッタリング法もしくは真空蒸着法等により堆積する（第
１図（ａ））。次いで、上記金属薄膜１２上にポシ型Ｘ
線レジスト膜を塗伍し、任意のＸ線リソグラフィ装置を
用いて欠陥倹査ずぺき第１のＸ線露光７スクを該レシス
ト摸に近接させ、該第１のＸ線露光マスクの上方よりＸ
線を照射し、所定の現像処理を行ってＸ線露光マスクの
パターンをレジスト膜に転写し、レジストバタン１３を
形成する（第１図（ｂ））。この時、第１のＸ線露光マ
スクの黒欠陥１４も同時に転写される。
図である。まず、例えばガラス基板１１の一表面上に数
千大の厚さのＣ「もしくはＴ１等の金属薄膜１２をスパ
ッタリング法もしくは真空蒸着法等により堆積する（第
１図（ａ））。次いで、上記金属薄膜１２上にポシ型Ｘ
線レジスト膜を塗伍し、任意のＸ線リソグラフィ装置を
用いて欠陥倹査ずぺき第１のＸ線露光７スクを該レシス
ト摸に近接させ、該第１のＸ線露光マスクの上方よりＸ
線を照射し、所定の現像処理を行ってＸ線露光マスクの
パターンをレジスト膜に転写し、レジストバタン１３を
形成する（第１図（ｂ））。この時、第１のＸ線露光マ
スクの黒欠陥１４も同時に転写される。
このレジストパターン１３および黒欠陥１４を保護膜に
して、例えば塩素系カスを用いた反応性イオンエッチン
グ法により該レジストパターンの開口部の前記金属薄膜
１２をエッチング除去し、該Ｘ線露光マスクのパターン
と合同の関係にある金属薄摸パターン１２ａおよび欠陥
１４ａを形成する（第１図（Ｃ））。
して、例えば塩素系カスを用いた反応性イオンエッチン
グ法により該レジストパターンの開口部の前記金属薄膜
１２をエッチング除去し、該Ｘ線露光マスクのパターン
と合同の関係にある金属薄摸パターン１２ａおよび欠陥
１４ａを形成する（第１図（Ｃ））。
次に、この金属簿摸パターン１２ａを形成した基板１１
の表面上にネカ型Ｘ線レシストを倹布し、欠陥検査すべ
き第２のＸ．腺露光マスクを所定の位若合わせマークを
用い−（−前記金１萬薄膜パターン１２ａに重ね合わせ
、Ｌ方よりＸ線を照ｑ・まシ、所定の現像処理を行って
第２のＸ線露光マスクのパターンと相補関係にあるレジ
ストパターン１５を形成する（第１図（ｄ））。この時
、第２のＸ線露光マスクの白欠陥１６も同時に転写ざれ
る。続いてこのレジストパターン１５およひ１Ｇを保護
膜にして、開口領域を前述の反１、６性イオンエッチン
グ法によりエッチングつれは、金属薄膜１２のうち第１
のＸ線露光マスクの黒欠陥および第２のＸ線露光マスク
の白欠陥（こ対１ノ６する部分１４ａおよひ１６ａのみ
か残る（第１図（ｅ））。以上のようにしーＣ、光学的
な欠陥検出を極めて容易に行うことができる。
の表面上にネカ型Ｘ線レシストを倹布し、欠陥検査すべ
き第２のＸ．腺露光マスクを所定の位若合わせマークを
用い−（−前記金１萬薄膜パターン１２ａに重ね合わせ
、Ｌ方よりＸ線を照ｑ・まシ、所定の現像処理を行って
第２のＸ線露光マスクのパターンと相補関係にあるレジ
ストパターン１５を形成する（第１図（ｄ））。この時
、第２のＸ線露光マスクの白欠陥１６も同時に転写ざれ
る。続いてこのレジストパターン１５およひ１Ｇを保護
膜にして、開口領域を前述の反１、６性イオンエッチン
グ法によりエッチングつれは、金属薄膜１２のうち第１
のＸ線露光マスクの黒欠陥および第２のＸ線露光マスク
の白欠陥（こ対１ノ６する部分１４ａおよひ１６ａのみ
か残る（第１図（ｅ））。以上のようにしーＣ、光学的
な欠陥検出を極めて容易に行うことができる。
前述の方法において、２度のＸ線リソグラノイ工程で使
用するレジストのボジ・ネカをそれそ゛れ逆転づれば、
第１のＸ線露光７スクの白欠陥および第２のＸ線露光マ
スクの黒欠陥を現出−することができ、全ての欠陥を検
出できる。
用するレジストのボジ・ネカをそれそ゛れ逆転づれば、
第１のＸ線露光７スクの白欠陥および第２のＸ線露光マ
スクの黒欠陥を現出−することができ、全ての欠陥を検
出できる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の方法によれば、欠陥部の
みか金属薄模のパターンとじて現出されるため、欠陥の
検出）＊喰か飛躍的に高まり、欠陥検査に要寸るｌ，￥
間を大幅に短縮することかできる。
みか金属薄模のパターンとじて現出されるため、欠陥の
検出）＊喰か飛躍的に高まり、欠陥検査に要寸るｌ，￥
間を大幅に短縮することかできる。
第１図は本発明の一実施例を工程順に示した阜板の斜視
図である。 １・・・カラス基板 ２・・・金属薄膜 ２ａ・・・金属薄膜パターン ３，１５・・・レジストパターン
図である。 １・・・カラス基板 ２・・・金属薄膜 ２ａ・・・金属薄膜パターン ３，１５・・・レジストパターン
Claims (1)
- （１）基板の一表面上に金属薄膜および第１のレジスト
膜を順次形成する工程と、該レジスト膜に第１のＸ線露
光マスクのパターンをＸ線露光により転写して第１のレ
ジストパターンを形成する工程と、該第１のレジストパ
ターンを保護膜として前記金属薄膜の露呈部分をエッチ
ング除去し、前記第１のレジストパターンと合同または
相補の関係にある第１の金属パターンを形成する工程と
、該第１の金属パターンを有する基板の表面上に前記第
１のレジスト膜とポジ・ネガ反転の関係にある第２のレ
ジスト膜を塗布する工程と、前記第１のＸ線露光マスク
と同一のパターンを有する第２のＸ線露光マスクのパタ
ーンをＸ線露光により転写して前記第２のレジスト膜に
前記第２のＸ線露光マスクパターンと相補または合同の
関係にある第２のレジストパターンを形成する工程と、
該第２のレジストパターンを保護膜として前記第１の金
属パターンの露呈部分をエッチング除去し、前記第１の
Ｘ線露光マスクおよび第２のＸ線露光マスクの双方に共
通でない欠陥を前記金属薄膜で現出せしめてなることを
特徴とするＸ線露光マスクの欠陥検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1159475A JPH0325914A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Ｘ線露光マスクの欠陥検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1159475A JPH0325914A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Ｘ線露光マスクの欠陥検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0325914A true JPH0325914A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15694584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1159475A Pending JPH0325914A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Ｘ線露光マスクの欠陥検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0325914A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8555525B2 (en) | 2011-01-18 | 2013-10-15 | Saucony Ip Holdings Llc | Footwear |
| US8713821B2 (en) | 2003-04-24 | 2014-05-06 | Asics Corporation | Athletic shoes having an upper whose fitting property is improved |
| US8732982B2 (en) | 2011-01-18 | 2014-05-27 | Saucony IP Holdings, LLC | Footwear |
| US8839531B2 (en) | 2011-07-19 | 2014-09-23 | Saucony Ip Holdings Llc | Footwear |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP1159475A patent/JPH0325914A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8713821B2 (en) | 2003-04-24 | 2014-05-06 | Asics Corporation | Athletic shoes having an upper whose fitting property is improved |
| US8555525B2 (en) | 2011-01-18 | 2013-10-15 | Saucony Ip Holdings Llc | Footwear |
| US8732982B2 (en) | 2011-01-18 | 2014-05-27 | Saucony IP Holdings, LLC | Footwear |
| US8839531B2 (en) | 2011-07-19 | 2014-09-23 | Saucony Ip Holdings Llc | Footwear |
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