JPS6213027A - フォトマスクの欠陥検査方法 - Google Patents
フォトマスクの欠陥検査方法Info
- Publication number
- JPS6213027A JPS6213027A JP60151645A JP15164585A JPS6213027A JP S6213027 A JPS6213027 A JP S6213027A JP 60151645 A JP60151645 A JP 60151645A JP 15164585 A JP15164585 A JP 15164585A JP S6213027 A JPS6213027 A JP S6213027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- patterns
- sensitizer
- exposure
- defect
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置を製造する過程におけるパターン
形成に使用するマスク上の欠隔を検出す２ぺ−７ る方法に関するものである。
形成に使用するマスク上の欠隔を検出す２ぺ−７ る方法に関するものである。
従来の技術
マスク上の欠隔を検出する従来の例を第２図に従って説
明する。たとえば第２図に示すように、ひとつのマスク
１上に２つのチップを構成するだめの同形の回路パター
ン２と回路パターン３とをそなえたものの欠陥検査をす
る場合、たとえばＳｉ基板上露光領域４にポジ型７オト
レジストを１．０μｍ塗布し、縮小投影型露光装置によ
り露光し、現像する手法により、同形の回路パターン２
及び同パターン３をウエノ・−上に、それぞれ、Ａ。
明する。たとえば第２図に示すように、ひとつのマスク
１上に２つのチップを構成するだめの同形の回路パター
ン２と回路パターン３とをそなえたものの欠陥検査をす
る場合、たとえばＳｉ基板上露光領域４にポジ型７オト
レジストを１．０μｍ塗布し、縮小投影型露光装置によ
り露光し、現像する手法により、同形の回路パターン２
及び同パターン３をウエノ・−上に、それぞれ、Ａ。
Ｂとしてバターニングした後ウェハー上に転写されたパ
ターン人とパターンＢを別々の光学系で比較し欠陥検査
する方法がある。
ターン人とパターンＢを別々の光学系で比較し欠陥検査
する方法がある。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、従来のフォトマスクの欠陥検出方法では
、欠陥検出サイズの限界、ならびに欠陥検出の検査過程
での不確実性などの問題があり、なかなか、完壁を期し
難かった。
、欠陥検出サイズの限界、ならびに欠陥検出の検査過程
での不確実性などの問題があり、なかなか、完壁を期し
難かった。
半導体装置は、近時１回路の高集積化、微細化３ ペー
ジ の方向へ進展し、それに伴って微細パターン形成の手段
として縮小投影型露光装置が用いられるようになり、マ
スク上の欠陥を検出する方法が一段と重要視されてきて
いる。マスク上の欠陥サイズは数ミクロン相当を問題と
するため、マスクへのダスト付着を考慮すると、マスク
を露光装置に装着した状態で欠陥検出が可能な手法が望
まれている。
ジ の方向へ進展し、それに伴って微細パターン形成の手段
として縮小投影型露光装置が用いられるようになり、マ
スク上の欠陥を検出する方法が一段と重要視されてきて
いる。マスク上の欠陥サイズは数ミクロン相当を問題と
するため、マスクへのダスト付着を考慮すると、マスク
を露光装置に装着した状態で欠陥検出が可能な手法が望
まれている。
本発明は、上記問題に鑑み、マスクとの欠陥に対して敏
速かつ良好な検出が可能である。
速かつ良好な検出が可能である。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するため、本発明は、単一の感光剤面へ
１つのマスク内に構成される複数の同形パターンを重ね
て露光し、パターン形成を行なう。
１つのマスク内に構成される複数の同形パターンを重ね
て露光し、パターン形成を行なう。
その際、前記複数の同形パターンによる露光量の和が、
前記感光剤の残膜率がＯとなる露光量よりも多く、かつ
１回の露光量が、同感光剤の残膜率が０となる露光量よ
りも少なくする条件で行なうものである。
前記感光剤の残膜率がＯとなる露光量よりも多く、かつ
１回の露光量が、同感光剤の残膜率が０となる露光量よ
りも少なくする条件で行なうものである。
作用
前記手法により形成された感光剤の現像後の残膜の厚さ
の違いにより、各膜厚の干渉色が異なることから、感光
剤のコントラストの差による欠陥検出が可能である。
の違いにより、各膜厚の干渉色が異なることから、感光
剤のコントラストの差による欠陥検出が可能である。
実施例
第１図に従って説明する。第１図に示したようなひとつ
のマスク１に２つのチップを構成する同形の回路パター
ン２，３をそなえたもので欠陥検査をする場合、Ｓｉ基
板の露光領域４にポジ型フォトレジストを１，０／１１
１１１塗布し、縮小投影型露光装置により、回路パター
ン２と回路パターン３を同一の露光領域４へ重ねて露光
する。この際フォトレジストの適正露光量、すなわち、
残膜率零の小露光量をＩとした場合、回路パターン２に
よる露光量Ｅａは、Ｋａ（、ｚ、とし回路パターン２に
よる露光量Ｅｂは、ｌＥｂ＜ｘ、としＥａ＋Ｅｂ≧χの
条件に基すいて露光し、現像をしてパターン形成をする
。
のマスク１に２つのチップを構成する同形の回路パター
ン２，３をそなえたもので欠陥検査をする場合、Ｓｉ基
板の露光領域４にポジ型フォトレジストを１，０／１１
１１１塗布し、縮小投影型露光装置により、回路パター
ン２と回路パターン３を同一の露光領域４へ重ねて露光
する。この際フォトレジストの適正露光量、すなわち、
残膜率零の小露光量をＩとした場合、回路パターン２に
よる露光量Ｅａは、Ｋａ（、ｚ、とし回路パターン２に
よる露光量Ｅｂは、ｌＥｂ＜ｘ、としＥａ＋Ｅｂ≧χの
条件に基すいて露光し、現像をしてパターン形成をする
。
パターン形成されたレジストにおいて、回路パターン２
、もしくは回路パターン３に欠陥が存在５ページ する場合にはその欠陥によシ、レジストの残りが発生す
る。欠陥部のレジストの膜厚Ｔ。は完全に露光された部
分の膜厚Ｔ８ 及び全く露光されなかった部分の膜厚
ＴＮとの間にＴ、 ＜Ｔ、 ＜ＴＨの関係を有すること
になる。この膜厚の違いで、光干渉色が、欠陥部分と無
欠陥部分で異なる。このことにより欠陥を検出すること
ができる。なお、回路。
、もしくは回路パターン３に欠陥が存在５ページ する場合にはその欠陥によシ、レジストの残りが発生す
る。欠陥部のレジストの膜厚Ｔ。は完全に露光された部
分の膜厚Ｔ８ 及び全く露光されなかった部分の膜厚
ＴＮとの間にＴ、 ＜Ｔ、 ＜ＴＨの関係を有すること
になる。この膜厚の違いで、光干渉色が、欠陥部分と無
欠陥部分で異なる。このことにより欠陥を検出すること
ができる。なお、回路。
パターン２と回路パターン３とのいずれに欠陥があるか
は、両者の露光量をＩＣａ＼Ｅｂとすることで、残膜パ
ターンＡ、Ｂの膜厚差す力わち、光干渉色から判別可能
である。
は、両者の露光量をＩＣａ＼Ｅｂとすることで、残膜パ
ターンＡ、Ｂの膜厚差す力わち、光干渉色から判別可能
である。
発明の効果
以上のように、本発明は単一の感光剤面へ１つのマスク
内に構成される複数のパターンを重ねて露光することに
より、前記感光剤の現象パターンの干渉色の差から、同
一マスク内に存在する２つ以上の同一パターンの欠陥と
検出するものでありマスク上の欠陥に対して敏速かつ良
好な検出が可能となる。
内に構成される複数のパターンを重ねて露光することに
より、前記感光剤の現象パターンの干渉色の差から、同
一マスク内に存在する２つ以上の同一パターンの欠陥と
検出するものでありマスク上の欠陥に対して敏速かつ良
好な検出が可能となる。
６ ページ
第１図に本発明の実施例におけるフォトマスクの欠陥検
査方法を示す図、第２図は従来例を示す図である。 １・・・・・・マスク、２・・・・・・回路パターン１
．３・・・・・・回路パターンＢ、４・・・・・・露光
領域。
査方法を示す図、第２図は従来例を示す図である。 １・・・・・・マスク、２・・・・・・回路パターン１
．３・・・・・・回路パターンＢ、４・・・・・・露光
領域。
Claims (2)
- （１）単一の感光剤面へ１つのマスク内に構成される複
数パターンを重ねて露光することにより、前記感光剤の
現像パターンの干渉色の差から、同一マスク内に存在す
る２つ以上の同一パターンの欠陥を検出するフォトマス
クの欠陥検査方法。 - （２）検査時露光量が、複数の露光過程の和で感光剤の
残膜率が零となる露光量よりも多く、かつ１回の露光過
程で感光剤の残膜率が零となる露光量よりも少ないこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のフォトマス
クの欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15164585A JPH0644147B2 (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | フォトマスクの欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15164585A JPH0644147B2 (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | フォトマスクの欠陥検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213027A true JPS6213027A (ja) | 1987-01-21 |
| JPH0644147B2 JPH0644147B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=15523087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15164585A Expired - Lifetime JPH0644147B2 (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | フォトマスクの欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644147B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63188052U (ja) * | 1987-05-26 | 1988-12-01 | ||
| JPH01276639A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-07 | Matsushita Electron Corp | パターン検査方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140272A (ja) * | 1974-04-27 | 1975-11-10 |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP15164585A patent/JPH0644147B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140272A (ja) * | 1974-04-27 | 1975-11-10 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63188052U (ja) * | 1987-05-26 | 1988-12-01 | ||
| JPH01276639A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-07 | Matsushita Electron Corp | パターン検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0644147B2 (ja) | 1994-06-08 |
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