JPS6076122A - 微細ピンホ−ル欠陥検査方法 - Google Patents
微細ピンホ−ル欠陥検査方法Info
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- JPS6076122A JPS6076122A JP18428883A JP18428883A JPS6076122A JP S6076122 A JPS6076122 A JP S6076122A JP 18428883 A JP18428883 A JP 18428883A JP 18428883 A JP18428883 A JP 18428883A JP S6076122 A JPS6076122 A JP S6076122A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、微細なピンホール欠陥をパターンデータと比
較検査する方法に関するものである。
較検査する方法に関するものである。
〈従来技術〉
ＩＣやＩＣ用マスクの製造時に用いられるリングラフィ
技術は、レジストと呼ばれる感放射線物質に放射線を選
択的に照射してＩＣ等のパターンの潜像をレジスト中に
形成し、現像、エツチングを施すことによシ、所望のパ
ターンをウェハーやマスク等の試料に実現する方法であ
る。
技術は、レジストと呼ばれる感放射線物質に放射線を選
択的に照射してＩＣ等のパターンの潜像をレジスト中に
形成し、現像、エツチングを施すことによシ、所望のパ
ターンをウェハーやマスク等の試料に実現する方法であ
る。
この場合、ＩＣパターンの潜像をレジスト上に形成する
ために、レクチイルと呼ばれる拡大原版を用いて原寸に
縮少しながら試料上に配列する方法、又は等倍原版を用
いてウェハー上に配列する方法が適用される。この方法
は５、ステップアンドリピート方式と呼ばれ、拡大原版
を用いる装置としては、ウェハーステッパー、フォトリ
ピータ−があり、等倍原版を用いる装置としては、Ｘ線
露光装置がある。
ために、レクチイルと呼ばれる拡大原版を用いて原寸に
縮少しながら試料上に配列する方法、又は等倍原版を用
いてウェハー上に配列する方法が適用される。この方法
は５、ステップアンドリピート方式と呼ばれ、拡大原版
を用いる装置としては、ウェハーステッパー、フォトリ
ピータ−があり、等倍原版を用いる装置としては、Ｘ線
露光装置がある。
この場合、上記原版に欠陥が存在すると全てのＩＣパタ
ーンに欠陥が転写され、ＩＣチップが不良となる。これ
を防止するため、従来、拡大又は等倍原版をパターンデ
ータと比較検査する方法が採られている。
ーンに欠陥が転写され、ＩＣチップが不良となる。これ
を防止するため、従来、拡大又は等倍原版をパターンデ
ータと比較検査する方法が採られている。
しかしながら、比較検査時に、原版中に欠陥が存在しな
くても、検査終了から描画までの間に異物が付着し、こ
れが欠陥の原因となる可能性が十分あり、この問題を解
決するには、原版を用いてウェハーやマスク等の試料に
パターンを転写し、この転写パターンとパターンデータ
とを比較検査すればよいが、著しいＩＣの微細化、高集
積化により、サブミクロンレベルの微細な黒点などのピ
ンホールがＩＣ回路に致命的な欠陥を与え、このような
微細ピンホールをパターンデータとの比較により検査す
ることは、パターンを光学像から電気信号に変換し、パ
ターンデータと比較する方式の装置では、光学系の解像
度や疑似欠陥の発生等により困難であるなどの問題点を
有していた。
くても、検査終了から描画までの間に異物が付着し、こ
れが欠陥の原因となる可能性が十分あり、この問題を解
決するには、原版を用いてウェハーやマスク等の試料に
パターンを転写し、この転写パターンとパターンデータ
とを比較検査すればよいが、著しいＩＣの微細化、高集
積化により、サブミクロンレベルの微細な黒点などのピ
ンホールがＩＣ回路に致命的な欠陥を与え、このような
微細ピンホールをパターンデータとの比較により検査す
ることは、パターンを光学像から電気信号に変換し、パ
ターンデータと比較する方式の装置では、光学系の解像
度や疑似欠陥の発生等により困難であるなどの問題点を
有していた。
く目 的〉
本発明は、上記従来の検査方法に於ける問題点を解決す
るためになされたもので、特にサブミクロンレベルの微
細などンホール欠陥の検出を可能忙する検査方法を提供
することを目的とする。
るためになされたもので、特にサブミクロンレベルの微
細などンホール欠陥の検出を可能忙する検査方法を提供
することを目的とする。
〈実施例〉
まず、パターンデータとの比較によりサブミクロンレベ
ルのピンホール欠陥の検査方法についてその工程の一例
を順に示すと次の通りである。
ルのピンホール欠陥の検査方法についてその工程の一例
を順に示すと次の通りである。
＠）ＩＣ製造用シリコンウェハーやマスクブランク等の
試料にレジストを塗布し、プレベイクを施す。
試料にレジストを塗布し、プレベイクを施す。
（リ 拡大原版又は等倍原版から露光装置を用いて、Ｉ
Ｃの微細パターンを上記レジスト上に転写し、現像する
。
Ｃの微細パターンを上記レジスト上に転写し、現像する
。
（ハ） エツチングを施し、レジスト上に転写した転写
パターンをウェハーやマスクブランク等の試料に変換す
る除、過度にエツチングを行い、レジストを剥離する。
パターンをウェハーやマスクブランク等の試料に変換す
る除、過度にエツチングを行い、レジストを剥離する。
に）上記試料をパターンデータ比較方式の欠陥検査装置
で検査するとき、パターンデータを過度にエツチングさ
れた寸法分だけ寸法補正を施し比較検査する。
で検査するとき、パターンデータを過度にエツチングさ
れた寸法分だけ寸法補正を施し比較検査する。
上記工程に於て、レジストには、放射線を照射しない部
分が現像液に溶解するネガ型と、照射した部分が溶解す
るポジ型とがある。ネガ型レジストを用いてウェハーや
マスク上にパターンを転写したとき、原版上の異物や黒
点がサブミクロンレベルのピンホールになった場合、ピ
ンホールを可能にするため如は図面に示すように過度な
エツチングを行うことにより解決できる。図において、
１は転写パターン、２はピンホールであり、実線は過度
なエツチングを施さない場合の転写パターンであり、破
線は過度なエツチングを施した場合の転写パターンであ
る。図の（ｄＸ２）はパターンデータの補正量である。
分が現像液に溶解するネガ型と、照射した部分が溶解す
るポジ型とがある。ネガ型レジストを用いてウェハーや
マスク上にパターンを転写したとき、原版上の異物や黒
点がサブミクロンレベルのピンホールになった場合、ピ
ンホールを可能にするため如は図面に示すように過度な
エツチングを行うことにより解決できる。図において、
１は転写パターン、２はピンホールであり、実線は過度
なエツチングを施さない場合の転写パターンであり、破
線は過度なエツチングを施した場合の転写パターンであ
る。図の（ｄＸ２）はパターンデータの補正量である。
１即ち、この場合、パターンデータを過度にエツチング
した寸法分だけ寸法補正する。また、ポジ型レジストを
用いれば、原版上にあるピンホールがウェハーやマスク
上で微細などンホールとなった場合でも同様に検出でき
る。このようにして微細などンホールをパターンデータ
と比較検査することができる。
した寸法分だけ寸法補正する。また、ポジ型レジストを
用いれば、原版上にあるピンホールがウェハーやマスク
上で微細などンホールとなった場合でも同様に検出でき
る。このようにして微細などンホールをパターンデータ
と比較検査することができる。
く効 果〉
以上説明したように本発明によれば、転写パターンを過
度にエツチング処理し、過度にエラチン”′グされた寸
法分だけパターンデータの寸法補正を１、′Ｊ 村うようにしたから、サブミクロンレベルの微細力ピン
ホール欠陥の検出が可能となる。
度にエツチング処理し、過度にエラチン”′グされた寸
法分だけパターンデータの寸法補正を１、′Ｊ 村うようにしたから、サブミクロンレベルの微細力ピン
ホール欠陥の検出が可能となる。
図面は転写パターンのエツチングとパターンデータの補
正量との関係を示す図である。 符号の説明 １：転写パターン ２：ピンホール
正量との関係を示す図である。 符号の説明 １：転写パターン ２：ピンホール
Claims (1)
- １、拡大原版もしくは等倍原版を用いてウェハー又はマ
スク等の試料に所望のパターンを転写し、この転写パタ
ーンとパターンデータとを比較検査する方法において、
上記転写パターンを上記試料に変換する際、過度にエツ
チングを行い、過度にエツチングされた寸法分だけ上記
パターンデータの寸法補正を施し、微細ピンホールの欠
陥を検査するようにしたことを特徴とする微細ピンホー
ル欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18428883A JPS6076122A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 微細ピンホ−ル欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18428883A JPS6076122A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 微細ピンホ−ル欠陥検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076122A true JPS6076122A (ja) | 1985-04-30 |
Family
ID=16150698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18428883A Pending JPS6076122A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 微細ピンホ−ル欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076122A (ja) |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18428883A patent/JPS6076122A/ja active Pending
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