JPS63163464A - マスク - Google Patents
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- JPS63163464A JPS63163464A JP61308436A JP30843686A JPS63163464A JP S63163464 A JPS63163464 A JP S63163464A JP 61308436 A JP61308436 A JP 61308436A JP 30843686 A JP30843686 A JP 30843686A JP S63163464 A JPS63163464 A JP S63163464A
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- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 6
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- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、外観検査技術さらにはマスクに形成されたマ
スクパターンの欠陥検査に適用して特に有効な技術に関
するもので、例えば、縮小投影露光に用いられるレチク
ル上′のマスクパターンの欠陥検査に利用して有効な技
術に関するものである。
スクパターンの欠陥検査に適用して特に有効な技術に関
するもので、例えば、縮小投影露光に用いられるレチク
ル上′のマスクパターンの欠陥検査に利用して有効な技
術に関するものである。
［従来の技術］
レチクル上に形成されたマスクパターンの欠陥検査を行
なう技術については、工業調査会から発行された電子材
料別冊１９８５年版「超ＬＳＩ製造・試験装置」第１８
１頁〜第１８８頁に記載されている。その概要は次のと
おりである。
なう技術については、工業調査会から発行された電子材
料別冊１９８５年版「超ＬＳＩ製造・試験装置」第１８
１頁〜第１８８頁に記載されている。その概要は次のと
おりである。
一般に、レチクルは、マスクパターンに周期性がなく、
したがって、等倍露光のマスタマスクのように隣接する
パターン同士の比較によってはマスクパターンの欠陥を
検出することができない。
したがって、等倍露光のマスタマスクのように隣接する
パターン同士の比較によってはマスクパターンの欠陥を
検出することができない。
そこで、レチクル上のマスクパターンの欠陥を検出する
場合には、マスクパターンをその元となった設計データ
と比較することが行なわれている。
場合には、マスクパターンをその元となった設計データ
と比較することが行なわれている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、設計データを直接にマスクパターンと比
較することはできないことから、比較のためには、上記
設計データを一部ドットパターンに変換し比較パターン
を形成することが必要となる。しかし、今日のように半
導体装置の高集積化が進んでくると、設計データが莫大
となり、設計データから比較データを作成するのに長時
間を要し、実質的にマスクパターンの欠陥検出ができな
くなるなどの問題が生じた。この種の問題は、レティク
ルから形成されるマスタマスク、マスタマスクから形成
されるフォトマスク等にも発生するものである。以下、
本明細書では特にことわらない限り、レティクル、マス
タマスク、フォトマスクをマスクと称する。
較することはできないことから、比較のためには、上記
設計データを一部ドットパターンに変換し比較パターン
を形成することが必要となる。しかし、今日のように半
導体装置の高集積化が進んでくると、設計データが莫大
となり、設計データから比較データを作成するのに長時
間を要し、実質的にマスクパターンの欠陥検出ができな
くなるなどの問題が生じた。この種の問題は、レティク
ルから形成されるマスタマスク、マスタマスクから形成
されるフォトマスク等にも発生するものである。以下、
本明細書では特にことわらない限り、レティクル、マス
タマスク、フォトマスクをマスクと称する。
本発明は、かかる点に鑑みなされたもので、マスクパタ
ーンの欠陥検査を迅速にでき、ひいては、半導体装置の
製造ラインのスループットの向上を図ることのできるマ
スクを提供することを目的とする。
ーンの欠陥検査を迅速にでき、ひいては、半導体装置の
製造ラインのスループットの向上を図ることのできるマ
スクを提供することを目的とする。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては、本明細書の記述および添附図面から明らかに
なるであろう。
ついては、本明細書の記述および添附図面から明らかに
なるであろう。
［問題点を解決するための手段］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。
を説明すれば、下記のとおりである。
即ち、マスクにおいて、マスクパターンの形成される被
転写領域の外方に、上記マスクパターンの全部または一
部の比較パターンである照合パターンを形成したもので
ある。
転写領域の外方に、上記マスクパターンの全部または一
部の比較パターンである照合パターンを形成したもので
ある。
［作用］
上記のような手段によれば、マスク上のマスクパターン
と照合パターンとを比較することにより、マスクパター
ンの欠陥が容易に検出でき、設計パターンから比較パタ
ーンを作成するという作業が回避されるという作用によ
り、マスクパターンの欠陥検査の迅速化を図り、半導体
装置の製造ラインにおけるスループットの向上を図ると
いう上記目的を達成することができる。
と照合パターンとを比較することにより、マスクパター
ンの欠陥が容易に検出でき、設計パターンから比較パタ
ーンを作成するという作業が回避されるという作用によ
り、マスクパターンの欠陥検査の迅速化を図り、半導体
装置の製造ラインにおけるスループットの向上を図ると
いう上記目的を達成することができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図には本発明に係るマスクの実施例が示されている
。
。
同図において、１はレチクルにおけるガラス基板を表わ
しており、このガラス基板１における出射面側の被転写
領域１ａにはマスクパターン２が形成されている。また
、ガラス基板１の上記被転−３＝ 写領域１ａの外方には上記マスクパターン２の比較パタ
ーンである照合パターン３ａ、３ｂが形成されている。
しており、このガラス基板１における出射面側の被転写
領域１ａにはマスクパターン２が形成されている。また
、ガラス基板１の上記被転−３＝ 写領域１ａの外方には上記マスクパターン２の比較パタ
ーンである照合パターン３ａ、３ｂが形成されている。
つまり、被転写領域のマスクパターン２のａ部に対応し
て照合パターン３ａが形成され、また、被転写領域のマ
スクパターン２のｂ部に対応して照合パターン３ｂが形
成されている。
て照合パターン３ａが形成され、また、被転写領域のマ
スクパターン２のｂ部に対応して照合パターン３ｂが形
成されている。
なお、マスクパターン２および照合パターン３の周りに
は遮光パターン１６が形成されており、マスクパターン
２と照合パターン３ａ、３ｂとがこの遮光パターン１６
によって区画されている。遮光パターン１６の幅は１〜
１０＋ｎｍ程度である。そして、この遮光パターン１６
は、主に、ステップアンドリピートの際に隣接領域に光
が投射されるのを防止するように働く。
は遮光パターン１６が形成されており、マスクパターン
２と照合パターン３ａ、３ｂとがこの遮光パターン１６
によって区画されている。遮光パターン１６の幅は１〜
１０＋ｎｍ程度である。そして、この遮光パターン１６
は、主に、ステップアンドリピートの際に隣接領域に光
が投射されるのを防止するように働く。
ところで、このようなレチクルは、例えば、クロム薄膜
が形成されたガラス基板１上にフォトレジスト膜（図示
せず）を塗布し、電子線等で上記フォトレジスト膜にマ
スクパターン２を描画して現像を行なった後、該フォト
レジストをマスクとして上記クロム薄膜をエツチングし
、全体を洗浄することにより形成される。その際、マス
クパターン２の描画に続けて照合パターン３ａ、３ｂも
、マスクパターンと同一のパターンデータまたは一部を
抜き出したデータを用いて、レチクル上の座標を変えて
描画することによって形成される。
が形成されたガラス基板１上にフォトレジスト膜（図示
せず）を塗布し、電子線等で上記フォトレジスト膜にマ
スクパターン２を描画して現像を行なった後、該フォト
レジストをマスクとして上記クロム薄膜をエツチングし
、全体を洗浄することにより形成される。その際、マス
クパターン２の描画に続けて照合パターン３ａ、３ｂも
、マスクパターンと同一のパターンデータまたは一部を
抜き出したデータを用いて、レチクル上の座標を変えて
描画することによって形成される。
また、このようにして形成されたレチクル上のマスクパ
ターン２の欠陥検出は、ガラス基板１上に形成されたマ
スクパターン２とその照合用パターン３ａ、３ｂとを互
いに比較することにより行なわれる。第２図にはこの欠
陥検出に用いられる欠陥検出装置の一例が示されている
。次に、この欠陥検出装置によって行なわれる欠陥検出
方法をその作用と共に説明する。
ターン２の欠陥検出は、ガラス基板１上に形成されたマ
スクパターン２とその照合用パターン３ａ、３ｂとを互
いに比較することにより行なわれる。第２図にはこの欠
陥検出に用いられる欠陥検出装置の一例が示されている
。次に、この欠陥検出装置によって行なわれる欠陥検出
方法をその作用と共に説明する。
即ち、レチクルしはホルダ４によって支持され、その下
方に配設された水銀ランプ５から光が投射される。つま
り、光は、ミラー６ａ、６ｂおよび集光レンズ７ａ、７
ｂを通してマスクパターン２とその照合パターン３ａ、
３ｂとに同時に照射される。そして、ガラス基板１を透
過した光はレチクルＬの上方に位置する集光レンズ７ｃ
、７ｄでイメージセンサ８ａ、８ｂ上に集光される。次
いで、イメージセンサ８ａ、８ｂからのアナログ出力信
号は映像増幅器９ａ、９ｂを通じて欠陥検出回路１０に
送られ、欠陥検出回路１０において比較され、これによ
ってマスクパターン２の欠陥が検出される。
方に配設された水銀ランプ５から光が投射される。つま
り、光は、ミラー６ａ、６ｂおよび集光レンズ７ａ、７
ｂを通してマスクパターン２とその照合パターン３ａ、
３ｂとに同時に照射される。そして、ガラス基板１を透
過した光はレチクルＬの上方に位置する集光レンズ７ｃ
、７ｄでイメージセンサ８ａ、８ｂ上に集光される。次
いで、イメージセンサ８ａ、８ｂからのアナログ出力信
号は映像増幅器９ａ、９ｂを通じて欠陥検出回路１０に
送られ、欠陥検出回路１０において比較され、これによ
ってマスクパターン２の欠陥が検出される。
そうして、レチクルの良否が判断され、不良品とされた
レチクルＬについてはマスクパターン２の修正等が行な
われる。
レチクルＬについてはマスクパターン２の修正等が行な
われる。
一方、良品とされたレチクルを用いてマスタマスクが作
成され、このマスタマスクを用いてフォトマスクが作ら
れる。そしてこのフォトマスクを用いて半導体ウェハ上
に形成されたフォトレジストに転写される。第３図には
この転写に用いられる縮小露光投影装置が示されている
。以下、この縮小投影露光装置によって上記マスクを用
いて行なわれる転写方法をその作用と共に簡単に説明す
る。
成され、このマスタマスクを用いてフォトマスクが作ら
れる。そしてこのフォトマスクを用いて半導体ウェハ上
に形成されたフォトレジストに転写される。第３図には
この転写に用いられる縮小露光投影装置が示されている
。以下、この縮小投影露光装置によって上記マスクを用
いて行なわれる転写方法をその作用と共に簡単に説明す
る。
即ち、水銀ランプ１１からの光はレンズ１２を通してマ
スクＭに投射され、マスクＭを透過した光はマスク部材
１３のアパチャ１３ａおよび縮小レンズ１４を通して半
導体ウェハ１５上に形成さ九たフォトレジスト（図示せ
ず）に転写される。
スクＭに投射され、マスクＭを透過した光はマスク部材
１３のアパチャ１３ａおよび縮小レンズ１４を通して半
導体ウェハ１５上に形成さ九たフォトレジスト（図示せ
ず）に転写される。
その際、照合パターン３ａ、３ｂはマスク部材１３によ
ってマスクされ、転写されない。
ってマスクされ、転写されない。
このように構成された実施例のマスクによれば次のよう
な効果を得ることができる。
な効果を得ることができる。
即ち、ガラス基板１上にマスクパターン２と照合パター
ン３ａ、３ｂとを設けているので、該パターン同士を比
較することによりマスクパターン２の欠陥検査が容易化
できるという作用により、マスクパターン２の欠陥検査
が迅速化される。それに伴い、半導体装置の製造ライン
におけるスループットの向上を図れるという効果を得る
ことができる。
ン３ａ、３ｂとを設けているので、該パターン同士を比
較することによりマスクパターン２の欠陥検査が容易化
できるという作用により、マスクパターン２の欠陥検査
が迅速化される。それに伴い、半導体装置の製造ライン
におけるスループットの向上を図れるという効果を得る
ことができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。例えば、マスクパターン
全部に対応して照合パターンを形成する必要は必ずしも
なく、マスクパターンがメモリ素子形成用のマスクパタ
ーン等である場合には、照合パターンはメモリセルのよ
うな微細パターン対応部分についてのみ形成すれば良く
、メモリセルアレイの外側の周辺回路対応部分について
は必ずしも照合パターンを形成する必要はない。また、
照合パターン３を上記実施例のように分割して形成する
必要は必ずしもなく、マスクパターン２に対応して１つ
の照合パターン３を形成するようにしても良い。
体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。例えば、マスクパターン
全部に対応して照合パターンを形成する必要は必ずしも
なく、マスクパターンがメモリ素子形成用のマスクパタ
ーン等である場合には、照合パターンはメモリセルのよ
うな微細パターン対応部分についてのみ形成すれば良く
、メモリセルアレイの外側の周辺回路対応部分について
は必ずしも照合パターンを形成する必要はない。また、
照合パターン３を上記実施例のように分割して形成する
必要は必ずしもなく、マスクパターン２に対応して１つ
の照合パターン３を形成するようにしても良い。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるレチクル上のマスク
パターンの欠陥検出技術について説明したが、これに限
定されず、透明基板上に遮光膜パターンが形成されてい
るマスクに利用できる。
をその背景となった利用分野であるレチクル上のマスク
パターンの欠陥検出技術について説明したが、これに限
定されず、透明基板上に遮光膜パターンが形成されてい
るマスクに利用できる。
［発明の効果コ
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。
即ち、同一基板に形成されたマスクパターンと照合パタ
ーンとを比較することによりマスクパターンの欠陥検査
が容易化でき、その結果、マスクパターンの欠陥検査が
迅速化される。それに伴い、半導体装置の製造ラインに
おけるスループットの向上を図れるという効果を得るこ
とができる。
ーンとを比較することによりマスクパターンの欠陥検査
が容易化でき、その結果、マスクパターンの欠陥検査が
迅速化される。それに伴い、半導体装置の製造ラインに
おけるスループットの向上を図れるという効果を得るこ
とができる。
第１図は本発明に係るマスクの実施例の平面図、第２図
はマスクパターンの欠陥検出を行なうために使用される
欠陥検出装置のブロック図、第３図はマスクパターンの
転写に用いられる縮小投影露光装置の断面図である。 １・・・・ガラス基板、２・・・・マスクパターン、３
ａ、３ｂ・・・・照合用パターン、１５・・°°半導体
ウェハ。 第 １ 図 Ｖ、？ｂ 照イＴハ・クーン ／Ｃ遮兇ハ・クー〉 ／２１７”ラノＹ報 す 第 ２ 図 ２マフクツでフーン
はマスクパターンの欠陥検出を行なうために使用される
欠陥検出装置のブロック図、第３図はマスクパターンの
転写に用いられる縮小投影露光装置の断面図である。 １・・・・ガラス基板、２・・・・マスクパターン、３
ａ、３ｂ・・・・照合用パターン、１５・・°°半導体
ウェハ。 第 １ 図 Ｖ、？ｂ 照イＴハ・クーン ／Ｃ遮兇ハ・クー〉 ／２１７”ラノＹ報 す 第 ２ 図 ２マフクツでフーン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、試料へ転写されるマスクパターンが形成されたマス
クであって、上記マスクパターンの形成された被転写領
域の外方に、上記マスクパターンの全部または一部の比
較パターンである照合パターンが形成されてなることを
特徴とするマスク。 ２、上記マスクは縮小投影露光に用いられるレチクルで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61308436A JPS63163464A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61308436A JPS63163464A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63163464A true JPS63163464A (ja) | 1988-07-06 |
Family
ID=17981020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61308436A Pending JPS63163464A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63163464A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0651496A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Nec Corp | 半導体集積回路作製用マスク |
| US7511817B2 (en) | 2003-11-25 | 2009-03-31 | Fujitsu Limited | Reticle, reticle inspection method and reticle inspection apparatus |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61308436A patent/JPS63163464A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0651496A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Nec Corp | 半導体集積回路作製用マスク |
| US7511817B2 (en) | 2003-11-25 | 2009-03-31 | Fujitsu Limited | Reticle, reticle inspection method and reticle inspection apparatus |
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