JPH04151155A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04151155A JPH04151155A JP27556490A JP27556490A JPH04151155A JP H04151155 A JPH04151155 A JP H04151155A JP 27556490 A JP27556490 A JP 27556490A JP 27556490 A JP27556490 A JP 27556490A JP H04151155 A JPH04151155 A JP H04151155A
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Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
本発明は半導体装置製造に多く用いられる写真製版工程
にて発生する欠陥転写を、異なった原板を用いて、多重
露光することによって防止する発明である。
にて発生する欠陥転写を、異なった原板を用いて、多重
露光することによって防止する発明である。
［従来の技術］
半導体集積回路（ＩＣ，ＬＳＩ）の製造方法として多く
用いられている、写真製版技術は数回〜二十数回縁り返
し行われてている。 この写真製版を行う際に原板（
フォトマスク）上に、ゴミ、汚れ、マスクの傷等の欠陥
があると本来目的とした信販外に、欠陥が半導体基板上
に転写され回路の短絡、断線等を引き起こし歩留まり低
下の大きな要因となる。とくに近年多く用いられている
縮小投影型の露光装置に於いては一枚の基板上に同じ原
板で繰り返し露光（ステップ＆リピート）を行うため、
原板（レチクル）上の欠陥による被害は増大する。
この様な欠陥転写を防ぐため従来は原板（マスク、レチ
クル）の欠陥検査や露光、現像後の基板検査を行うが、
欠陥転写の原因となるゴミなどが原板に乗ったときにそ
のゴミが転写しないように透明な薄膜にトロセルロース
等）を原板のパターンと光分離れた所に設けて、ゴミの
像の転写をボケさせる等の方法がとられていた。
用いられている、写真製版技術は数回〜二十数回縁り返
し行われてている。 この写真製版を行う際に原板（
フォトマスク）上に、ゴミ、汚れ、マスクの傷等の欠陥
があると本来目的とした信販外に、欠陥が半導体基板上
に転写され回路の短絡、断線等を引き起こし歩留まり低
下の大きな要因となる。とくに近年多く用いられている
縮小投影型の露光装置に於いては一枚の基板上に同じ原
板で繰り返し露光（ステップ＆リピート）を行うため、
原板（レチクル）上の欠陥による被害は増大する。
この様な欠陥転写を防ぐため従来は原板（マスク、レチ
クル）の欠陥検査や露光、現像後の基板検査を行うが、
欠陥転写の原因となるゴミなどが原板に乗ったときにそ
のゴミが転写しないように透明な薄膜にトロセルロース
等）を原板のパターンと光分離れた所に設けて、ゴミの
像の転写をボケさせる等の方法がとられていた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前記の様な欠陥検査には多大な労力を要するし
、発生する欠陥の根本的な解決になっていない。 ま
た、透明な薄膜をもうける方法でもＮＪ！自身を傷つけ
たり、ｌ膜と原板の間にゴミが発生したときその除去に
は困難を要する。 そこで本発明では、原板に欠陥が
あったとしても、その欠陥を転写させない方法を提供す
ることを目的とする。
、発生する欠陥の根本的な解決になっていない。 ま
た、透明な薄膜をもうける方法でもＮＪ！自身を傷つけ
たり、ｌ膜と原板の間にゴミが発生したときその除去に
は困難を要する。 そこで本発明では、原板に欠陥が
あったとしても、その欠陥を転写させない方法を提供す
ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
このため本発明では、一つの像を形成するために二つ以
上の原板を用いて多重露光を行うことを特徴とする。
上の原板を用いて多重露光を行うことを特徴とする。
［作用］
本発明では、フォトレジストの像を形成するのにはある
一定量以上の露光量（光エネルギー）が必要であること
を利用して、その露光量を分割し、異なった原板により
露光することによって欠陥の転写を防ぐ。
一定量以上の露光量（光エネルギー）が必要であること
を利用して、その露光量を分割し、異なった原板により
露光することによって欠陥の転写を防ぐ。
［実施例］
以下、本発明について、実施例に基ずき説明する。
第１図は実施例を工程順に示した図である。まず、 （
ａ）図のように一枚目の原板（Ｃｒ欠けの欠陥あり）に
よって、フォトレジストを塗布した半導体基板上に、フ
ォトレジストの像形成に必要な露光量の約半分程度の露
光を行う。 次に（ｂ）図のように異なった原板（同
じ原板でも繰り返しパターンならば、ずらすだけでもよ
い。 尚、図面のマスクにはゴミあり）にて、像形成
に必要な露光量の約半分程度の露光を行う。以上によっ
て、Ｃｒ欠けの様な白欠陥の転写を防ぐことができる。
ａ）図のように一枚目の原板（Ｃｒ欠けの欠陥あり）に
よって、フォトレジストを塗布した半導体基板上に、フ
ォトレジストの像形成に必要な露光量の約半分程度の露
光を行う。 次に（ｂ）図のように異なった原板（同
じ原板でも繰り返しパターンならば、ずらすだけでもよ
い。 尚、図面のマスクにはゴミあり）にて、像形成
に必要な露光量の約半分程度の露光を行う。以上によっ
て、Ｃｒ欠けの様な白欠陥の転写を防ぐことができる。
次に（Ｃ）図のように更に別の原板（同じ原板でも繰り
返しパターンならば、ずらすだけでもよい。 尚、図
面のマスクにはゴミあり）を用いて前記（ａ）図、 （
ｂ）図にて露光した半導体基板上に更に露光を行えばゴ
ミや汚れなどの黒欠陥の転写を防ぐことも可能である。
返しパターンならば、ずらすだけでもよい。 尚、図
面のマスクにはゴミあり）を用いて前記（ａ）図、 （
ｂ）図にて露光した半導体基板上に更に露光を行えばゴ
ミや汚れなどの黒欠陥の転写を防ぐことも可能である。
この半導体基板上のフォトレジストを現像すると（ｄ）
図の様に本来目的とするレジスト像が得られる。
以上本発明について図面の説明を行ったが、上記のよう
な１；１の原板でなく縮小投影型（５： １． １０
：１等）の露光装置に於いても同様に適用することが可
能である。
図の様に本来目的とするレジスト像が得られる。
以上本発明について図面の説明を行ったが、上記のよう
な１；１の原板でなく縮小投影型（５： １． １０
：１等）の露光装置に於いても同様に適用することが可
能である。
［発明の効果］
前述の様に本発明を利用すれば、欠陥の有無がわからな
い原板を用いてもまた、なんらかの欠陥が原板にあると
しても、本来必要とするレジスト像を形成することが可
能となり半導体装置製造に於いて大幅な信頼性向上とな
る。
い原板を用いてもまた、なんらかの欠陥が原板にあると
しても、本来必要とするレジスト像を形成することが可
能となり半導体装置製造に於いて大幅な信頼性向上とな
る。
第１図は、マスク及び半導体基板を断面より見た図であ
る。 １１１．ガラスマスク ２９．、Ｃｒ ３、、、Ｃｒ欠け ４１１．フォトレジスト ５、、．５ｉ０２ ６９０．半導体基板 ７１１．ゴミ 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（他１名）（ＣＩ） （ｂ） 第 因
る。 １１１．ガラスマスク ２９．、Ｃｒ ３、、、Ｃｒ欠け ４１１．フォトレジスト ５、、．５ｉ０２ ６９０．半導体基板 ７１１．ゴミ 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（他１名）（ＣＩ） （ｂ） 第 因
Claims (1)
- 半導体基板に塗布されたフォトレジストの露光において
一つの像を形成する為に二回以上のパターン露光を異な
った原板を用いて行うことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27556490A JPH04151155A (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27556490A JPH04151155A (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04151155A true JPH04151155A (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=17557208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27556490A Pending JPH04151155A (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04151155A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010501881A (ja) * | 2006-08-18 | 2010-01-21 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． | 多重パターニングプロセスのための反射防止結像層 |
| US9640396B2 (en) | 2009-01-07 | 2017-05-02 | Brewer Science Inc. | Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography |
-
1990
- 1990-10-15 JP JP27556490A patent/JPH04151155A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010501881A (ja) * | 2006-08-18 | 2010-01-21 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． | 多重パターニングプロセスのための反射防止結像層 |
| US9640396B2 (en) | 2009-01-07 | 2017-05-02 | Brewer Science Inc. | Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography |
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