JP2836391B2 - 半導体集積回路作製用マスク及びその検査方法 - Google Patents
半導体集積回路作製用マスク及びその検査方法Info
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- JP2836391B2 JP2836391B2 JP20379992A JP20379992A JP2836391B2 JP 2836391 B2 JP2836391 B2 JP 2836391B2 JP 20379992 A JP20379992 A JP 20379992A JP 20379992 A JP20379992 A JP 20379992A JP 2836391 B2 JP2836391 B2 JP 2836391B2
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- semiconductor integrated
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路作製に使
用するステッパー用マスク（レチクル）及びその検査方
法に関するものである。
用するステッパー用マスク（レチクル）及びその検査方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体集積回路の作製工程におい
て回路パターン形成は、おもに縮小投影露光法が用いら
れている。縮小投影露光法では、レチクル上に描いた回
路パターンを縮小露光してウエハ上に結像させる動作を
ウエハを移動させながら繰り返すことにより、ウエハ上
に多数の半導体集積回路のパターンを形成する。
て回路パターン形成は、おもに縮小投影露光法が用いら
れている。縮小投影露光法では、レチクル上に描いた回
路パターンを縮小露光してウエハ上に結像させる動作を
ウエハを移動させながら繰り返すことにより、ウエハ上
に多数の半導体集積回路のパターンを形成する。
【０００３】この露光の繰り返し回数を最小限にして効
率を上げるために、縮小投影露光装置の性能で決まる１
回で露光可能な面積の制限内で、可能な限り多数の半導
体集積回路をパターンを形成するように、レチクル上に
パターンを描いている。
率を上げるために、縮小投影露光装置の性能で決まる１
回で露光可能な面積の制限内で、可能な限り多数の半導
体集積回路をパターンを形成するように、レチクル上に
パターンを描いている。
【０００４】図３は従来のレチクルを示した平面図であ
り、レチクル基板１上に〜までの４つの同一パター
ンの半導体集積回路パターン３が描かれた、いわゆる多
面付けレチクルである。
り、レチクル基板１上に〜までの４つの同一パター
ンの半導体集積回路パターン３が描かれた、いわゆる多
面付けレチクルである。
【０００５】またレチクル基板１上には、レチクルアラ
イメント用マーク２，識別符号４が描かれる。
イメント用マーク２，識別符号４が描かれる。
【０００６】現在、一般的に使用されている縮小投影露
光装置では、投影像の縮小比率は５分の１であり、最大
露光パターンの面積はウエハ上で１５ｍｍ×１５ｍｍで
ある。例えば、６ｍｍ×６ｍｍの大きさの半導体集積回
路を形成する場合では、縦横各々２面ずつで合計２×２
で４面の半導体集積回路パターンを１度の露光でウエハ
上に形成するために、レチクル基板上に３０ｍｍ×３０
ｍｍの回路パターンが４つ描かれる。
光装置では、投影像の縮小比率は５分の１であり、最大
露光パターンの面積はウエハ上で１５ｍｍ×１５ｍｍで
ある。例えば、６ｍｍ×６ｍｍの大きさの半導体集積回
路を形成する場合では、縦横各々２面ずつで合計２×２
で４面の半導体集積回路パターンを１度の露光でウエハ
上に形成するために、レチクル基板上に３０ｍｍ×３０
ｍｍの回路パターンが４つ描かれる。
【０００７】上述した従来の多面付けレチクルでは、同
一パターンが複数個レチクル上に描かれるため、各々の
パターンの比較検査を実施することでレチクル作製の際
発生したパターン欠陥をチェックしていた。図３の多面
付けレチクルの場合を例にとって説明すると、の半導
体集積回路パターンとの半導体集積回路パターン，
の半導体集積回路パターンとの半導体集積回路パター
ンを各々比較検査して差異の無いことを確認することに
より、レチクル作製時にパターン欠陥が発生していない
かどうかをチェックすることができる。
一パターンが複数個レチクル上に描かれるため、各々の
パターンの比較検査を実施することでレチクル作製の際
発生したパターン欠陥をチェックしていた。図３の多面
付けレチクルの場合を例にとって説明すると、の半導
体集積回路パターンとの半導体集積回路パターン，
の半導体集積回路パターンとの半導体集積回路パター
ンを各々比較検査して差異の無いことを確認することに
より、レチクル作製時にパターン欠陥が発生していない
かどうかをチェックすることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】半導体集積回路の大き
さが縦横両方向共に１回で露光可能な領域の大きさの半
分を越えた場合、従来ではレチクル上には、半導体集積
回路のパターンは１つしか描かない、いわゆる１面付け
レチクルを使用していた。
さが縦横両方向共に１回で露光可能な領域の大きさの半
分を越えた場合、従来ではレチクル上には、半導体集積
回路のパターンは１つしか描かない、いわゆる１面付け
レチクルを使用していた。
【０００９】図４は１面付けレチクルを示した平面図で
ある。最大露光パターン面積１５ｍｍ×１５ｍｍに対し
て、例えば半導体集積回路の大きさが１４ｍｍ×１４ｍ
ｍである場合、レチクルは１面付けで作製され、７０ｍ
ｍ×７０ｍｍの大きさの回路パターンを１つレチクル基
板に描いていた。
ある。最大露光パターン面積１５ｍｍ×１５ｍｍに対し
て、例えば半導体集積回路の大きさが１４ｍｍ×１４ｍ
ｍである場合、レチクルは１面付けで作製され、７０ｍ
ｍ×７０ｍｍの大きさの回路パターンを１つレチクル基
板に描いていた。
【００１０】この従来の１面付けレチクルでは、他に比
較するパターンが無いため、比較検査が実施できず、レ
チクル作製の際に発生したパターン欠陥をチェックでき
ないという問題点があった。
較するパターンが無いため、比較検査が実施できず、レ
チクル作製の際に発生したパターン欠陥をチェックでき
ないという問題点があった。
【００１１】最近、レチクル作製に使用するパターンの
データと作製されたレチクルとを比較検査する方法が開
発されてきている。この手法でも大きなパターン欠陥は
検出可能であるが、比較検査の感度を上げると、レチク
ル上に描いたパターンが元のパターンのデータから若干
変形するが、これを疑似欠陥として捕らえてしまうため
に、小さなパターン欠陥は検出できない。
データと作製されたレチクルとを比較検査する方法が開
発されてきている。この手法でも大きなパターン欠陥は
検出可能であるが、比較検査の感度を上げると、レチク
ル上に描いたパターンが元のパターンのデータから若干
変形するが、これを疑似欠陥として捕らえてしまうため
に、小さなパターン欠陥は検出できない。
【００１２】本発明の目的は、１面付けのレチクルにお
いてもパターン比較検査を可能にした半導体集積回路作
製用マスク及びその検査方法を提供することにある。
いてもパターン比較検査を可能にした半導体集積回路作
製用マスク及びその検査方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体集積回路作製用マスクは、１面
付けのレチクルを有し、半導体基板上に半導体集積回路
のパターンを転写する際に使用する半導体集積回路作製
用マスクであって、 前記レチクルは、半導体基板上に転
写する半導体集積回路パターン領域を有し、 前記半導体
集積回路パターン領域は、繰り返しパターンで構成され
た領域と非繰り返しパターンで構成された領域を含み、
前記非繰り返しパターンで構成された領域の少なくとも
一部分と同一パターンを、比較検査用パターンとして前
記半導体集積回路パターン領域以外のレチクル上に設け
たものである。また１面付けレチクルを用いてパターン
比較検査を行なう半導体集積回路作製用マスクの検査方
法であって、 １面付けレチクルが有する半導体基板上へ
の転写用半導体集積回路パターン領域に、繰り返しパタ
ーンで構成された領域と非繰り返しパターンで構成され
た領域とを含み、前記非繰り返しパターンで構成された
領域の少なくとも一部分と同一パターンを比較検査用パ
ターンとして含み、 繰り返しピッチで繰り返しパターン
同士を比較検査し、 対応する前記比較検査用パターンを
比較検査するものである。
め、本発明に係る半導体集積回路作製用マスクは、１面
付けのレチクルを有し、半導体基板上に半導体集積回路
のパターンを転写する際に使用する半導体集積回路作製
用マスクであって、 前記レチクルは、半導体基板上に転
写する半導体集積回路パターン領域を有し、 前記半導体
集積回路パターン領域は、繰り返しパターンで構成され
た領域と非繰り返しパターンで構成された領域を含み、
前記非繰り返しパターンで構成された領域の少なくとも
一部分と同一パターンを、比較検査用パターンとして前
記半導体集積回路パターン領域以外のレチクル上に設け
たものである。また１面付けレチクルを用いてパターン
比較検査を行なう半導体集積回路作製用マスクの検査方
法であって、 １面付けレチクルが有する半導体基板上へ
の転写用半導体集積回路パターン領域に、繰り返しパタ
ーンで構成された領域と非繰り返しパターンで構成され
た領域とを含み、前記非繰り返しパターンで構成された
領域の少なくとも一部分と同一パターンを比較検査用パ
ターンとして含み、 繰り返しピッチで繰り返しパターン
同士を比較検査し、 対応する前記比較検査用パターンを
比較検査するものである。
【００１４】
【作用】本発明の半導体集積回路作製用レチクルは半導
体集積回路のパターンを形成した部分以外の領域に、半
導体集積回路のパターンの１部と同一のパターンを形成
したものである。このパターンを使って１面付けレチク
ルにおいてもレチクル比較検査が可能となる。
体集積回路のパターンを形成した部分以外の領域に、半
導体集積回路のパターンの１部と同一のパターンを形成
したものである。このパターンを使って１面付けレチク
ルにおいてもレチクル比較検査が可能となる。
【００１５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１６】（参考例）図１は、本発明の参考例に係る
レチクルを示す平面図である。
レチクルを示す平面図である。
【００１７】図１において、レチクル基板１上の中央部
に１つの半導体集積回路パターン３を形成する。そして
半導体集積回路パターン３内に縦横桝目状にＡ〜Ｈの８
つの領域を設定する。各Ａ〜Ｈの領域と同一のＡ′〜
Ｈ′の８つの比較検査用パターン５を半導体集積回路パ
ターン３の周囲に形成する。そして、各々ＡとＡ′から
ＨとＨ′まで８つの領域に分けてパターンの比較検査を
行う。
に１つの半導体集積回路パターン３を形成する。そして
半導体集積回路パターン３内に縦横桝目状にＡ〜Ｈの８
つの領域を設定する。各Ａ〜Ｈの領域と同一のＡ′〜
Ｈ′の８つの比較検査用パターン５を半導体集積回路パ
ターン３の周囲に形成する。そして、各々ＡとＡ′から
ＨとＨ′まで８つの領域に分けてパターンの比較検査を
行う。
【００１８】本発明のレチクルは、前述したように半導
体集積回路の大きさが縦横両方共に１回で露光可能な領
域の大きさの半分を越えた場合に有効であり、最大露光
パターン面積が１５ｍｍ×１５ｍｍの縮小投影露光装置
用レチクルでは、半導体集積回路の大きさが縦横共に
７．５ｍｍ×７．５ｍｍよりも大きい場合に効果があ
る。
体集積回路の大きさが縦横両方共に１回で露光可能な領
域の大きさの半分を越えた場合に有効であり、最大露光
パターン面積が１５ｍｍ×１５ｍｍの縮小投影露光装置
用レチクルでは、半導体集積回路の大きさが縦横共に
７．５ｍｍ×７．５ｍｍよりも大きい場合に効果があ
る。
【００１９】（実施例）図２は、本発明の実施例に係る
レチクルを示す平面図である。本実施例は、半導体集積
回路の内部領域がセルの繰り返しパターンで構成された
場合のレチクルである。半導体集積回路パターン３の内
部領域は、ある繰り返しのピッチで内部領域パターン同
士で比較検査が実施できるので、周辺領域Ａ〜Ｄのみ
に、Ａ’〜Ｄ’の比較検査用パターン５を形成すれば、
半導体集積回路パターン３の全領域のパターン比較検査
が可能であり、参考例に比べレチクル作製用データが簡
略化できるという利点がある。
レチクルを示す平面図である。本実施例は、半導体集積
回路の内部領域がセルの繰り返しパターンで構成された
場合のレチクルである。半導体集積回路パターン３の内
部領域は、ある繰り返しのピッチで内部領域パターン同
士で比較検査が実施できるので、周辺領域Ａ〜Ｄのみ
に、Ａ’〜Ｄ’の比較検査用パターン５を形成すれば、
半導体集積回路パターン３の全領域のパターン比較検査
が可能であり、参考例に比べレチクル作製用データが簡
略化できるという利点がある。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレチクル
は、半導体集積回路パターンを形成した部分以外の領域
に比較検査のためのパターンを形成するもので、１面付
けレチクルにおいても、パターンの比較検査を可能と
し、レチクル作製の際に発生したパターン欠陥の有無を
チェックすることができるという効果がある。
は、半導体集積回路パターンを形成した部分以外の領域
に比較検査のためのパターンを形成するもので、１面付
けレチクルにおいても、パターンの比較検査を可能と
し、レチクル作製の際に発生したパターン欠陥の有無を
チェックすることができるという効果がある。
【図１】本発明の参考例に係るレチクルを示す平面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例に係るレチクルを示す平面図で
ある。
ある。
【図３】従来の多面付けレチクルを示す平面図である。
【図４】従来の１面付けレチクルを示す平面図である。
１ レチクル基板 ２ レチクルアライメント用マーク ３ 半導体集積回路パターン ４ 識別符号 ５ 比較検査用パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 １面付けのレチクルを有し、半導体基板
上に半導体集積回路のパターンを転写する際に使用する
半導体集積回路作製用マスクであって、 前記レチクルは、半導体基板上に転写する半導体集積回
路パターン領域を有し、 前記半導体集積回路パターン領域は、繰り返しパターン
で構成された領域と非繰り返しパターンで構成された領
域を含み、 前記非繰り返しパターンで構成された領域の少なくとも
一部分と同一パターンを、比較検査用パターンとして前
記半導体集積回路パターン領域以外のレチクル上に設け
た ことを特徴とする半導体集積回路作製用マスク。 - 【請求項２】 １面付けレチクルを用いてパターン比較
検査を行なう半導体集積回路作製用マスクの検査方法で
あって、 １面付けレチクルが有する半導体基板上への転写用半導
体集積回路パターン領域に、繰り返しパターンで構成さ
れた領域と非繰り返しパターンで構成された領域とを含
み、前記非繰り返しパターンで構成された領域の少なく
とも一部分と同一パターンを比較検査用パターンとして
含み、 繰り返しピッチで繰り返しパターン同士を比較検査し、 対応する前記比較検査用パターンを比較検査することを
特徴とする半導体集積回路作製用マスクの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20379992A JP2836391B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体集積回路作製用マスク及びその検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20379992A JP2836391B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体集積回路作製用マスク及びその検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0651496A JPH0651496A (ja) | 1994-02-25 |
| JP2836391B2 true JP2836391B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=16479936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20379992A Expired - Fee Related JP2836391B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体集積回路作製用マスク及びその検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2836391B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001092109A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクおよび半導体装置およびフォトマスクを用いた露光方法 |
| TW588414B (en) * | 2000-06-08 | 2004-05-21 | Toshiba Corp | Alignment method, overlap inspecting method and mask |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61209452A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | Matsushita Electronics Corp | フオトマスク |
| JPS63163464A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | Hitachi Ltd | マスク |
| JPH03209249A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Matsushita Electron Corp | フォトマスク |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP20379992A patent/JP2836391B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0651496A (ja) | 1994-02-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081009 Year of fee payment: 10 |
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