JP2008147584A - 検査データ作成方法および検査方法 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】 検査データ作成方法は、複数のフォトマスクを用いて多重露光により形成された基板上の同一層のパターンと検査データとを比較することにより、前記パターンを検査する検査方法に使用される前記検査データの作成方法であって、前記複数のフォトマスクの設計データのそれぞれにおいて、前記パターンのコーナー部対応するデータに対してコーナー処理を施す工程(S2)と、前記コーナー処理を施した前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、前記検査データを作成する工程(S3)とを含むことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
1回目の露光で使用されるフォトマスク(第1のフォトマスク)の設計データ(第1の設計データ)、2回目の露光で使用されるフォトマスク(第2のフォトマスク)の設計データ(第2の設計データ)が用意される。第1および第2のフォトマスクは同一層の露光(ここではゲートパターン1の露光)に使用される。第1および第2の設計データは、通常の1回の露光でパターンを形成する時に使用される該パターンの設計データに基づいて作成される。
第1の設計データに対して第1の丸め処理が施され、第2の設計データに対して第2の丸め処理が施される。第1および第2の丸め処理量はそれぞれ別々に設定される。すなわち、第1および第2の設計データに対して最適な丸め処理が施される。
第1および第2の検査データD1,D2に対して論理演算を行うことにより、ゲートパターン1を検査するための最終的な検査データ(ターゲットデータ)が作成される。
図2に示されたゲートパターン1が、Die to Database方式のマスク欠陥検査により検査される。
Claims (5)
- 複数のフォトマスクを用いて多重露光により形成された基板上の同一層のパターンと検査データとを比較することにより、前記パターンを検査する検査方法に使用される前記検査データの作成方法であって、
前記複数のフォトマスクの設計データのそれぞれにおいて、前記パターンのコーナー部対応するデータに対してコーナー処理を施す工程と、
前記コーナー処理を施した前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、前記検査データを作成する工程と
を含むことを特徴とする検査データ作成方法。 - 前記コーナー処理の処理量は、前記複数のフォトマスクの設計データ毎に決められることを特徴とする請求項1に記載の検査データ作成方法。
- 前記コーナー処理は、丸め処理であることを特徴とする請求項1または2に記載の検査データ作成方法。
- 前記検査方法は、Die to Database方式の検査であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の検査データ作成方法。
- 複数のフォトマスクを用いて多重露光により形成された基板上の同一層のパターンと請求項1ないし4のいずれか1項に記載の検査データ作成方法により作成された検査データとを比較し、前記パターンを検査することを特徴とする検査方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006336091A JP4909729B2 (ja) | 2006-12-13 | 2006-12-13 | 検査データ作成方法および検査方法 |
US11/956,087 US8233695B2 (en) | 2006-12-13 | 2007-12-13 | Generating image inspection data from subtracted corner-processed design data |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006336091A JP4909729B2 (ja) | 2006-12-13 | 2006-12-13 | 検査データ作成方法および検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008147584A true JP2008147584A (ja) | 2008-06-26 |
JP4909729B2 JP4909729B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=39527294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006336091A Expired - Fee Related JP4909729B2 (ja) | 2006-12-13 | 2006-12-13 | 検査データ作成方法および検査方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8233695B2 (ja) |
JP (1) | JP4909729B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8863043B1 (en) | 2013-05-30 | 2014-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Inspection data generator, inspection data generating method and pattern inspecting method |
KR101604005B1 (ko) | 2013-03-18 | 2016-03-16 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 검사 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10504213B2 (en) | 2016-11-22 | 2019-12-10 | Kla-Tencor Corporation | Wafer noise reduction by image subtraction across layers |
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JP2005277395A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-10-06 | Nano Geometry Kenkyusho:Kk | パターン検査装置および方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5475766A (en) * | 1991-09-05 | 1995-12-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern inspection apparatus with corner rounding of reference pattern data |
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-
2006
- 2006-12-13 JP JP2006336091A patent/JP4909729B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-12-13 US US11/956,087 patent/US8233695B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080144920A1 (en) | 2008-06-19 |
JP4909729B2 (ja) | 2012-04-04 |
US8233695B2 (en) | 2012-07-31 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090318 |
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A977 | Report on retrieval |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120116 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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