JP2008147584A - 検査データ作成方法および検査方法 - Google Patents

検査データ作成方法および検査方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008147584A
JP2008147584A JP2006336091A JP2006336091A JP2008147584A JP 2008147584 A JP2008147584 A JP 2008147584A JP 2006336091 A JP2006336091 A JP 2006336091A JP 2006336091 A JP2006336091 A JP 2006336091A JP 2008147584 A JP2008147584 A JP 2008147584A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inspection
data
pattern
inspection data
photomasks
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006336091A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4909729B2 (ja
Inventor
Satoshi Usui
聡 臼井
Hideki Kanai
秀樹 金井
Koji Hashimoto
耕治 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2006336091A priority Critical patent/JP4909729B2/ja
Priority to US11/956,087 priority patent/US8233695B2/en
Publication of JP2008147584A publication Critical patent/JP2008147584A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4909729B2 publication Critical patent/JP4909729B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • G06T7/0006Industrial image inspection using a design-rule based approach
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

【課題】 多重露光により形成されたパターンの検査に適した検査データを作成するための検査データ作成方法を提供すること。
【解決手段】 検査データ作成方法は、複数のフォトマスクを用いて多重露光により形成された基板上の同一層のパターンと検査データとを比較することにより、前記パターンを検査する検査方法に使用される前記検査データの作成方法であって、前記複数のフォトマスクの設計データのそれぞれにおいて、前記パターンのコーナー部対応するデータに対してコーナー処理を施す工程(S2)と、前記コーナー処理を施した前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、前記検査データを作成する工程(S3)とを含むことを特徴とする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、多重露光により形成されたパターンの検査に使用されるデータを作成するための検査データ作成方法および検査方法に関する。
近年、半導体集積回路においてパターンの微細化が益々要求されている。それに伴い、基板(ウェハ)上に形成されたパターン(デバイスパターン)の不具合箇所の検出が益々困難になってきている。そのため、今後、デバイスパターンの検査は、Die to Die比較方式ではなく、Die to Database比較方式の検査(特許文献1)が主流になることも十分考えられる。
Die-to-Database比較方式の検査では、デバイスパターンと検査データとを比較して、所望の欠陥検出感度でデバイスパターンの欠陥の有無を検査する。その際には、適切な検査データを用いて検査することが重要である。
しかしながら、現状のDie-to-Database比較方式の検査においては、必ずしも、適切な検査データが用いられているとは言えず、期待通りの検査結果が得られないこともある。
特開2005−26360号公報
本発明の目的は、多重露光により形成されたパターンの検査に適した検査データを作成するための検査データ作成方法および検査方法を提供することにある。
本発明に係る検査データ作成方法は、複数のフォトマスクを用いて多重露光により形成された基板上の同一層のパターンと検査データとを比較することにより、前記パターンを検査する検査方法に使用される前記検査データの作成方法であって、前記複数のフォトマスクの設計データのそれぞれにおいて、前記パターンのコーナー部対応するデータに対してコーナー処理を施す工程と、前記コーナー処理を施した前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、前記検査データを作成する工程とを含むことを特徴とする。
本発明に係る検査方法は、複数のフォトマスクを用いて多重露光により形成された基板上の同一層のパターンと本発明に係る検査データ作成方法により作成された検査データとを比較し、前記パターンを検査することを特徴とする。
本発明によれば、多重露光により形成されたパターンの検査に適した検査データを作成するための検査データ作成方法および検査方法を実現できるようになる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係るパターン検査に使用される検査データの作成および検査方法を示すフローチャートである。
ここでは、ゲートパターンを二重露光で形成するためのフォトマスクの検査に使用される検査データを例にあげて説明する。図2に、二重露光により形成された基板(ウェハ)上のゲートパターン1(デバイスパターン)を示す。ゲートパターン1はロジック回路で使用されるものである。ゲートパターン1のサイズは65nmノード以下である。
[S1]
1回目の露光で使用されるフォトマスク(第1のフォトマスク)の設計データ(第1の設計データ)、2回目の露光で使用されるフォトマスク(第2のフォトマスク)の設計データ(第2の設計データ)が用意される。第1および第2のフォトマスクは同一層の露光(ここではゲートパターン1の露光)に使用される。第1および第2の設計データは、通常の1回の露光でパターンを形成する時に使用される該パターンの設計データに基づいて作成される。
図3に、第1の設計データを模式的に示す。図3において、斜線が引かれている矩形領域2は光が透過する領域である。第1のフォトマスクの精度は、ゲートパターン1の形状および寸法に大きな影響を与える。そのため、第1のフォトマスクには、微細パターンの形成に適したマスク、例えば、レベンソンマスクが使用される。
図4に、第2の設計データを模式的に示す。図4において、斜線が引かれている矩形領域3および外側の枠領域4は光が透過する領域である。第2のフォトマスクは、第1のフォトマスクに比べて、ゲートパターン1の形状および寸法に与える影響は小さい。第2のフォトマスクには、例えば、遮光領域(Cr)と透過領域(ガラス)とからなる通常マスクや、ハーフトーンマスクが使用される。
[S2]
第1の設計データに対して第1の丸め処理が施され、第2の設計データに対して第2の丸め処理が施される。第1および第2の丸め処理量はそれぞれ別々に設定される。すなわち、第1および第2の設計データに対して最適な丸め処理が施される。
図5に、第1の丸め処理が施された第1の設計データ(第1の検査データD1)を模式的に示す。図5に示されるように、第1の丸め処理は、斜線が引かれている矩形領域2の四隅を丸める処理(アウターコーナ丸め処理)である。
図6に、第2の丸め処理が施された第2の設計データ(第2の検査データD2)を模式的に示す。図6に示されるように、第2の丸め処理は、矩形領域3の四隅を丸める処理(アウターコーナー丸め処理)と、枠領域4の内側の四隅を丸める処理(インナーコーナー丸め処理)である。
アウターコーナー丸め処理の量は、例えば、図7に示される曲率半径Routにより規定される。インナーコーナー丸め処理の量は、例えば、図8に示される曲率半径Rinにより規定される。
[S3]
第1および第2の検査データD1,D2に対して論理演算を行うことにより、ゲートパターン1を検査するための最終的な検査データ(ターゲットデータ)が作成される。
図9に、実施形態の検査データを模式的に示す。ここでは、検査データは、D2−D1の論理演算により作成される。図9において、破線はアクティヴエリア(AA)を示している。
[S4]
図2に示されたゲートパターン1が、Die to Database方式のマスク欠陥検査により検査される。
上記二重露光は、従来と同様に、上記第1および第2の設計データに基づいて作成された第1および第2のフォトマスク(二重露光用マスク)を用いて行われる。
上記Die to Database方式のマスク欠陥検査は、図9に示された本実施形態の検査データ(D2−D1)を用いて行われる。図10に、従来の方法により作成された検査データを模式的に示す。従来の検査データの作成方法は、通常の1回の露光でゲートパターンを形成する時に使用される該ゲートパターンの設計データDの各端部に対して丸め処理を施すというものである。
図10に示された従来の検査データは、図2に示されたフォトマスク上のゲートパターン1と大きく乖離する部分(破線で混まれた領域)が12箇所もある。このような検査データを用いた検査では、本来は正しく形成された部分が不良箇所(欠陥)として認識されるという問題が生じうる。すなわち、パターンの検査精度が低下する可能性がある。
一方、図9に示された本実施形態の検査データは、図2に示されたゲートパターン1と大きく乖離する部分はない。したがって、本実施形態の検査データを用いた検査では、パターンの検査精度の低下は防止される。
このように本実施形態によれば、第1および第2のフォトマスクのパターン(マスクパターン)の基板上への転写特性に応じた量の丸め処理を第1および第2の設計データ毎に施すことにより、基板上のパターン(デバイスパターン)との乖離が抑制された検査データを作成することが可能となり、これにより、デバイスパターンの検査精度の低下を防止できるようになる。
ステップS4の検査の結果、欠陥が発見されなかった場合には、そのフォトマスク(あるいはそのマスクパターンデータ)が実際に使用されるフォトマスク(あるいはマスクパターンデータ)として採用される。一方、欠陥が発見された場合には、欠陥が生じないように、フォトマスクの修正、加工プロセス(エッチングプロセス)、あるいは、これら両方の修正が行われる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態では、二重露光の場合について説明したが、三重以上の多重露光の場合について同様に実施できる。
また、本発明は、ゲートパターン以外のデバイスパターンにも適用できる。
また、論理演算は、差分には限定されず、ウェハ上に形成されるパターンに対応する検査データが得られる演算であれば良い。
また、コーナー処理は、丸め処理に限定されず、パターンのエッジ位置を移動させるリサイズ処理等の他の処理も使用可能である。どのようなコーナー処理を採用するかは、例えば、設計データと基板上に形成されるパターンとによって決定される。
また、検査方式は、Die to Database方式に限定されるものではなく、パターンと検査データとを比較する方式のものであれば他の方式でも構わない。
また、検査データを作成する際に用いるデータも設計データに限定されず、検査したい工程に応じたもの(検査データ作成用データ)を使用する。例えば、基板上にデバイスパターンを形成するために形成されたレジストパターンを検査する場合には、リソグラフィターゲットデータを用いる。
さらに、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
本発明の一実施形態に係るパターン検査に使用される検査データの作成および検査方法を示すフローチャート。 二重露光により形成された基板上のパターンの一例を示す図。 1回目の露光で使用されるフォトマスクの設計データ(第1の設計データ)を模式的に示す図。 2回目の露光で使用されるフォトマスクの設計データ(第2の設計データ)を模式的に示す図。 第1の丸め処理が施された第1の設計データ(第1の検査データ)を模式的に示す図。 第2の丸め処理が施された第2の設計データ(第2の検査データ)を模式的に示す図。 アウターコーナー丸め処理の量を規定する曲率半径を示す図。 インナーコーナー丸め処理の量を規定する曲率半径を示す図。 実施形態の検査データを模式的に示す図。 従来の方法により作成された検査データを模式的に示す図。
符号の説明
1…ゲートパターン、2,3…矩形領域(光透過領域)、4…枠領域(光透過領域)。

Claims (5)

  1. 複数のフォトマスクを用いて多重露光により形成された基板上の同一層のパターンと検査データとを比較することにより、前記パターンを検査する検査方法に使用される前記検査データの作成方法であって、
    前記複数のフォトマスクの設計データのそれぞれにおいて、前記パターンのコーナー部対応するデータに対してコーナー処理を施す工程と、
    前記コーナー処理を施した前記複数のフォトマスクの設計データに基づいて、前記検査データを作成する工程と
    を含むことを特徴とする検査データ作成方法。
  2. 前記コーナー処理の処理量は、前記複数のフォトマスクの設計データ毎に決められることを特徴とする請求項1に記載の検査データ作成方法。
  3. 前記コーナー処理は、丸め処理であることを特徴とする請求項1または2に記載の検査データ作成方法。
  4. 前記検査方法は、Die to Database方式の検査であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の検査データ作成方法。
  5. 複数のフォトマスクを用いて多重露光により形成された基板上の同一層のパターンと請求項1ないし4のいずれか1項に記載の検査データ作成方法により作成された検査データとを比較し、前記パターンを検査することを特徴とする検査方法。
JP2006336091A 2006-12-13 2006-12-13 検査データ作成方法および検査方法 Expired - Fee Related JP4909729B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006336091A JP4909729B2 (ja) 2006-12-13 2006-12-13 検査データ作成方法および検査方法
US11/956,087 US8233695B2 (en) 2006-12-13 2007-12-13 Generating image inspection data from subtracted corner-processed design data

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006336091A JP4909729B2 (ja) 2006-12-13 2006-12-13 検査データ作成方法および検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008147584A true JP2008147584A (ja) 2008-06-26
JP4909729B2 JP4909729B2 (ja) 2012-04-04

Family

ID=39527294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006336091A Expired - Fee Related JP4909729B2 (ja) 2006-12-13 2006-12-13 検査データ作成方法および検査方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8233695B2 (ja)
JP (1) JP4909729B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8863043B1 (en) 2013-05-30 2014-10-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Inspection data generator, inspection data generating method and pattern inspecting method
KR101604005B1 (ko) 2013-03-18 2016-03-16 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 검사 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10504213B2 (en) 2016-11-22 2019-12-10 Kla-Tencor Corporation Wafer noise reduction by image subtraction across layers

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0887101A (ja) * 1994-09-14 1996-04-02 Toshiba Mach Co Ltd マスク検査装置
JP2005277395A (ja) * 2004-02-23 2005-10-06 Nano Geometry Kenkyusho:Kk パターン検査装置および方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5475766A (en) * 1991-09-05 1995-12-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern inspection apparatus with corner rounding of reference pattern data
JP2000112112A (ja) * 1998-10-05 2000-04-21 Mitsubishi Electric Corp パターン図形の解像性検証方法および半導体パターン形成方法
US6335128B1 (en) * 1999-09-28 2002-01-01 Nicolas Bailey Cobb Method and apparatus for determining phase shifts and trim masks for an integrated circuit
US6510730B1 (en) * 2000-03-31 2003-01-28 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for facilitating selection of optimized optical proximity correction
DE10044257A1 (de) * 2000-09-07 2002-04-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen von Masken-Layout-Daten für die Lithografiesimulation und von optimierten Masken-Layout-Daten sowie zugehörige Vorrichtung und Programme
US6451490B1 (en) * 2000-11-08 2002-09-17 International Business Machines Corporation Method to overcome image shortening by use of sub-resolution reticle features
DE10230532B4 (de) * 2002-07-05 2007-03-08 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bestimmen des Aufbaus einer Maske zum Mikrostrukturieren von Halbleitersubstraten mittels Fotolithographie
US7141338B2 (en) * 2002-11-12 2006-11-28 Infineon Technologies Ag Sub-resolution sized assist features
JP2005026360A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Toshiba Corp フォトマスクの欠陥検査方法、半導体装置の製造方法、およびフォトマスクの製造方法
US6993741B2 (en) * 2003-07-15 2006-01-31 International Business Machines Corporation Generating mask patterns for alternating phase-shift mask lithography
DE102005009805A1 (de) * 2005-03-03 2006-09-14 Infineon Technologies Ag Lithographiemaske und Verfahren zum Erzeugen einer Lithographiemaske

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0887101A (ja) * 1994-09-14 1996-04-02 Toshiba Mach Co Ltd マスク検査装置
JP2005277395A (ja) * 2004-02-23 2005-10-06 Nano Geometry Kenkyusho:Kk パターン検査装置および方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101604005B1 (ko) 2013-03-18 2016-03-16 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 검사 방법
US8863043B1 (en) 2013-05-30 2014-10-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Inspection data generator, inspection data generating method and pattern inspecting method

Also Published As

Publication number Publication date
US20080144920A1 (en) 2008-06-19
JP4909729B2 (ja) 2012-04-04
US8233695B2 (en) 2012-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9075934B2 (en) Reticle defect correction by second exposure
US6968527B2 (en) High yield reticle with proximity effect halos
US20070162887A1 (en) Method of fabricating photo mask
US7735055B2 (en) Method of creating photo mask data, method of photo mask manufacturing, and method of manufacturing semiconductor device
JP2006189750A (ja) フォトマスクデータベースパターンの不良検査方法
KR20080001438A (ko) 마스크 레이아웃 제작 방법
US7807343B2 (en) EDA methodology for extending ghost feature beyond notched active to improve adjacent gate CD control using a two-print-two-etch approach
US7499582B2 (en) Method for inspecting a defect in a photomask, method for manufacturing a semiconductor device and method for producing a photomask
US8127257B2 (en) Designing method of photo-mask and method of manufacturing semiconductor device using the photo-mask
JP4909729B2 (ja) 検査データ作成方法および検査方法
US7300725B2 (en) Method for determining and correcting reticle variations
JP2009186841A (ja) フォトマスクの製造方法、フォトマスク製造装置及びフォトマスク
JP2007123342A (ja) 半導体装置の製造方法。
US20220283496A1 (en) Photomask and method for inspecting photomask
CN110727170A (zh) 一种光罩的缺陷修复方法及光罩
KR20100025822A (ko) 마스크 레이아웃 분리 방법 및 이를 이용한 광 근접 보정 방법
JP4562934B2 (ja) フォトマスクデータのopc補正処理の検証方法
US6560767B2 (en) Process for making photomask pattern data and photomask
TWI406145B (zh) 光罩缺陷判定方法
JP2017227804A (ja) マスクパターンの白欠陥修正方法及びフォトマスクの製造方法
KR100924334B1 (ko) 얼라인 및 라이트 캘리브레이션을 위한 보정 패턴
JP4774917B2 (ja) マスクパターンの検査装置及び検査方法
JP4563101B2 (ja) マスクパターンデータ補正方法
KR20080001439A (ko) 레이아웃 설계 수정을 이용한 포토 마스크 제조 방법
JP2009049161A (ja) ショット分割繋ぎ位置選択方法及びショット分割露光システム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090318

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111220

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120116

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees