TWI406145B - 光罩缺陷判定方法 - Google Patents

Description

光罩缺陷判定方法

本發明係一種關於光罩缺陷判定方法，用以判定當使用光罩製作LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)時所使用之光罩的缺陷部於LSI製作時，是否會成為導致品質不良之致命性的主要因素。

伴隨著近年來LSI之高積體化、高功能化，光微影技術中所使用光罩之高密度化、微細化持續進展。利用電子束用之微影裝置將4倍體至5倍體之電路圖案蝕刻至玻璃基板上之光罩，經曝光裝置縮小投影，於矽等晶圓上形成電路圖案。伴隨近年來LSI之高積體化、高功能化，例如用以製造一個LSI之光罩數有時達到50個～70個。由於如上所述使用多個光罩來形成LSI等之電路圖案，因此每個光罩上所形成之電路圖案全部必須滿足對加工精度之要求。因此，光罩檢查時，需要耗費巨大之勞力及成本，與其他普通製造產品相比檢查成本高，甚至有說法認為光罩之檢查成本相當於製造原價之一半左右。

LSI係經由如下多個步驟而製成者，即經由功能、邏輯設計、電路設計、布局設計等，製作光罩圖案製作用之圖形資料(以下，亦稱為設計圖案資料)，使用該設計圖案資料製作光罩後，藉由縮小投影曝光等而將光罩之圖案轉印至晶圓上，之後進行製作半導體元件之製程。

光罩通常係使用設計圖案資料，對其進行轉換後，利用 電子束曝光裝置或準分子波長等之曝光裝置，對配設於光罩用基板(亦稱為光罩基板(photomask blanks))之遮光膜上的感光性光阻層進行曝光微影，經由顯影、蝕刻步驟等而製作。通常，會利用缺陷檢查裝置對製作成之光罩進行檢查，對於所提取出之缺陷部利用缺陷修正裝置進行修正。

缺陷檢查裝置對光罩之檢查，即係與設計圖案資料、或者其後製成之微影用圖案資料或檢查用圖案資料之比較、或者光罩內之共通圖案彼此之比較，且將檢測出之不一致部位視為缺陷。再者，缺陷檢測係以裝置側所規定之既定缺陷檢測靈敏度來進行，通常係以檢測出之缺陷大小來定義缺陷檢測靈敏度。缺陷修正裝置係利用雷射、離子束等去除剩餘部分缺陷，且利用聚焦離子束輔助CVD修正缺損缺陷等之裝置，但其難以對缺陷部進行徹底修正，有時再次利用缺陷檢查裝置進行檢查時，會成為缺陷而檢查出。

伴隨近年來IC之高積體化、高功能化，光罩圖案之高密度化、微細化持續進展，由缺陷檢查裝置對所製作之光罩進行之缺陷檢測等級亦更為嚴格。於晶圓上之90 nm~45 nm標準所對應之光罩之情況下，難以將由缺陷檢查裝置所檢測出之缺陷全部修正為在所規定之既定缺陷檢測等級中為OK之程度。製作該所規定之既定缺陷檢測等級中為合格品之光罩時，良率方面存在問題。又，如上所述，光罩之檢查成本於光罩之製造成本中佔有非常大之比 重，因此要求儘可能有效率地進行該光罩之檢查。

例如，於專利文獻1(日本專利特開2002-258463號公報)中，揭示有如下之光罩圖案缺陷檢查方法，其藉由既定之檢查機對光罩之圖案與光罩微影資料進行比較，而檢測光罩圖案之缺陷部，該光罩圖案缺陷檢查方法之特徵在於，包含作為微影資料之圖形圖案資料以及作為圖形圖案資料之微影位置資訊的圖形圖案資料配置資訊、且對作為微影資料之圖形圖案資料實施有OPC(Optical Proximity Correct，光學臨近效應)修正之光罩微影資料中，預先提取出藉由光罩圖案之檢查而原本不應被檢測為缺陷部卻多被檢測為缺陷部之微細圖形圖案中、經OPC修正之部位以外之測試元件組圖案等微細圖形圖案，從而於光罩圖案之檢查時，不會將上述原本不應被檢測為缺陷部之微細圖形圖案部位作為缺陷。

(專利文獻1)日本專利特開2002-258463號公報

根據專利文獻1所揭示之方法，僅係自實施有稱為OPC (Optical Proximity Correct)之光學臨近效應修正之光罩微影資料中，預先提取出藉由光罩圖案之檢查而原本不應被檢測為缺陷部卻多被檢測為缺陷部之微細圖形圖案中、經OPC修正之部位以外之測試元件組圖案等微細圖形圖案，因此，於專利文獻1所揭示之方法中，不判定為缺陷之基準並不一定根據形成於半導體基板上之電路，故 選擇原本不應被檢測為缺陷部之圖案的基準並非最佳。

本發明係用以解決以上問題者，第1發明係一種光罩缺陷判定方法，其包括：電路資料準備步驟，準備記錄有藉由光微影而刻入至半導體基板上之電路資料的電路資料；布局資料準備步驟，準備基於該電路資料而展開、且用以將該電路形成為遍及半導體基板上數層之電路圖案之資料的數層布局資料；已補償布局資料準備步驟，準備對該數層之布局資料附加補償用資料而成之數層已補償布局資料；以及光罩製造用資料準備步驟，準備根據該數層之已補償布局資料而展開且用以製造光罩之數層光罩製造用資料且對根據該數層之光罩製造用資料由光罩製造裝置而製作之複數個光罩之缺陷進行判定；如此光罩缺陷判定方法，其特徵在於具備：主動/非主動區域對應圖案提取步驟，根據記述有由該數層布局資料而形成的電路圖案之層間連接關係的連接資訊表，提取出形成於光罩上之某圖案於藉由光微影而刻入至半導體基板上時，為電性形成主動區域之主動區域對應圖案，或為電性形成非主動區域之非主動區域對應圖案；屬性賦予步驟，對該數層光罩製造用資料中之所有圖案，賦予與主動區域對應圖案或非主動區域對應圖案相關之屬性；以及判定基準變更步驟，根據賦予該數層光罩製造用資料之圖案的上述屬性，對判定形成於該複數個光罩上之圖案是否具有缺陷時之判定基準進行變更。

又，第2發明係如第1發明之光罩缺陷判定方法，其中，該連接資訊表係記述有圖案所屬之層間之連接關係的表。

又，第3發明係如第1發明或第2發明之光罩缺陷判定方法，其中，該已補償布局資料準備步驟中之補償係利用光學臨近效應進行之補償。

又，第4發明係如第1發明或第2發明之光罩缺陷判定方法，其中，該已補償布局資料準備步驟中之補償係利用相移法進行之補償。

又，第5發明係如第1發明至第4發明中任一發明之光罩缺陷判定方法，其中，對該數層之光罩製造用資料之圖案，賦予與主動區域對應圖案之種類相對應之屬性。

又，第6發明係如第5發明之光罩缺陷判定方法，其中，主動區域對應圖案之種類係根據電路連接資訊(對構成電路的佈線以及端子的信號進行定義的文字資訊)而決定。

又，第7發明係如第5發明或第6發明之光罩缺陷判定方法，其中，根據與主動區域對應圖案之種類對應之屬性，對判定該複數個光罩上所形成之圖案是否具有缺陷時之判定基準進行變更。

又，第8發明係如第1發明至第7發明中任一發明之光罩缺陷判定方法，其中，對該數層之光罩製造用資料之圖案，賦予與非主動區域對應圖案之種類相對應之屬性。

又，第9發明係如第8發明之光罩缺陷判定方法，其中，根據與非主動區域對應圖案之種類對應之屬性，對判定該複數個光罩上所形成之圖案是否具有缺陷時之判定基準 進行變更。

根據本發明，於判定光罩上之圖案缺陷時，會根據該圖案係用以電性形成主動區域之圖案、或係用以電性形成非主動區域之圖案的相關屬性資訊，於判定缺陷時變更判定基準，因此，可根據較習知技術更合適之判定基準來進行缺陷之判定。而且，依照上述本發明之缺陷判定，則不會對用以形成非主動區域之圖案設定不必要嚴格的缺陷判定基準，因此可期望獲得提高製作光罩之良率、及抑制光罩之檢查成本等效果。

以下，參照圖式，對本發明之實施形態進行說明。圖1係用以與光罩製造之流程關聯而說明本發明實施形態之光罩缺陷判定方法之圖。圖1中，元件符號1表示電路資料，元件符號2表示布局資料，元件符號3表示已補償資料檔案，元件符號4表示光罩製造用資料，元件符號5表示光罩製造步驟，元件符號6表示光罩檢查步驟，元件符號7表示連接資訊表，元件符號10表示電路，元件符號11表示電路用圖案，元件符號12表示虛設圖案，元件符號13表示補償圖案。電路資料1、布局資料2、已補償資料檔案3、光罩製造用資料4、光罩製造步驟5各自之右側所描畫之圖係示意性地表現各自之檔案或步驟之圖，且僅係為示意圖而並非表示具體之電路構成、電路圖案者。

以下，依序遵循光罩之製造流程，對本發明實施形態之 光罩缺陷判定方法進行說明。電路資料1係ASIC等LSI電路之設計資料，例如係由10表示之電路之集合體。再者，於本說明書中，以由電路10所表示之邏輯電路為例來說明電路資料1，但更進一步亦可將以位於更下層之階段之電晶體等電路構成元件(零件)所表達之資料稱為電路資料。

布局資料2係根據上述電路資料1之資訊展開者，布局資料2係表示電路構成元件或佈線於半導體基板上之平面配置、以及疊層方向之垂直連接關係之資料。即，上述布局資料2係遍及數層而分層段地表示將設計好之LSI刻入至半導體基板上時之電路圖案之資料。即，布局資料2為由定義疊層方向各層之數個資料、以及定義疊層方向之垂直連接關係之連接資訊表7構成之構造。若將疊層方向之每一層以層1、層2、層3、…之方式來表示，則連接資訊表7之資料構造包含「層1與層3由層2連接」之資訊。

在根據電路資料1之資訊而展開布局資料2之階段中，除表示電路構成元件(零件)或佈線之電路用圖案11以外，亦附加虛設圖案12。該虛設圖案12根據其附加之目的不同而存在若干種類。

例如，存在如下之虛設圖案，其係為了使自某規格之LSI設計變更成另一規格之LSI變得容易而設置，不會將LSI製造為某規格之LSI之時使用，此種虛設圖案(虛設之閘極圖案)由虛設電晶體等之電路構成圖案構成。又， 存在遮蔽用之虛設圖案，其係為了抑制電源線等之圖案周圍所產生之磁場，而沿著該電源線等之兩旁而設置。其於上述各種目的，於電路用圖案11中附加虛設圖案12，且將亦包含該虛設圖案12在內之資訊記錄於布局資料2中。

已補償布局資料3係對上述複數層之布局資料2之各個資料附加補償用資料而成者。最先進之曝光裝置中，係使用ArF光源(波長：193 nm)進行線寬為90 nm之曝光，且正在研究今後使用同樣之光源進行線寬為65 nm之曝光。如上所述進行光源波長之一半以下之線寬之曝光時，必須進行某些補償，因此，於光罩中應用稱為RET(Resolution Enhancement Technology，解析度增強技術)之用以提高解析度之技術。RET中廣為人知的是OPC(Optical Proximity Correct，光學臨近效應修正)等方法。對布局資料2實施上述補償而成之資料、即已補償布局資料3，例如成為對電路用圖案11與虛設圖案12更進一步附加以13表示之補償圖案之形象化者。

於下一階段中，更進一步準備基於該數層已補償布局資料3而展開、且用以製造光罩之資料、即數層之光罩製造用資料4。而且，於光罩製造步驟5中，於光罩製造裝置中，應用該光罩製造用資料4，利用電子束曝光裝置或準分子波長等的曝光裝置，對配設於光罩用基板(亦稱為光罩基板)之遮光膜上的感光性阻劑層進行曝光微影。對如上所述經曝光微影之光罩用基板進而經由顯影、蝕刻步驟等而完成光罩之製作。

於檢查步驟6中，利用缺陷檢查裝置，對製作完成之光罩進行檢查。缺陷檢查裝置所進行之檢查有各種方法，例如，藉由對形成於光罩上之圖案、與設計圖案資料或者其後製成之微影用圖案資料或檢查用圖案資料進行比較而進行缺陷檢查等，於本發明之實施形態中，係以將對形成於光罩上之圖案與光罩製造用資料4進行比較而檢測出之不一致作為缺陷之情況作為一例，來進行說明。

於該檢查步驟6中，對形成於光罩上之圖案與光罩製造用資料4進行比較，於光罩製造用資料4中，設有用以決定缺陷之判定基準的每個圖案之屬性(亦稱為屬性資訊)。如此屬性係根據如下來設定，即形成於光罩上之該圖案於藉由光微影而刻入至半導體基板上時，係電性對應於主動區域之主動區域對應圖案、或係電性對應於非主動區域之非主動區域對應圖案。光罩上之某圖案係主動區域對應圖案、或係非主動區域對應圖案，係根據定義層間之連接關係之資訊之連接資訊表7來設定，且係對光罩製造用資料4之每一個圖案作為屬性來設定。

檢查步驟5中之缺陷判定基準之設定，係根據以上述方式設定之屬性來進行。即，根據光罩製造用資料4之圖案之屬性具有主動區域對應圖案之屬性之情況、以及具有非主動區域對應圖案之屬性之情況，來變更缺陷判定基準之設定。

於檢查步驟6中，對形成於光罩上之圖案與光罩製造用資料4進行比較而檢測出不一致時，參照光罩製造用資料 4之圖案之屬性，若具有主動區域對應圖案之屬性，則該主動區域對應圖案係用於將形成LSI之電路形成於半導體基板上之圖案，且係尤其重要之圖案，因此於檢查階段中設定嚴格之判定基準。與此相對，檢測出不一致，並參照光罩製造用資料4之圖案之屬性，若判定為非主動區域對應圖案之屬性，則該非主動區域對應圖案係上述虛設圖案或補償用圖案，而並非最終製造之LSI中用以形成電路之圖案，因此並不設定嚴格之判定基準。

本發明中，於如上所述判定光罩上之圖案缺陷時，當根據該圖案係用以電性形成主動區域之圖案、或係用以電性形成非主動區域之圖案之相關屬性資訊來判定缺陷時，變更判定基準，因此可根據較習知技術更合適之判定基準來進行缺陷之判定。並且，若依上述本發明之缺陷判定，則不會對用以形成非主動區域之圖案設定不必要之嚴格的缺陷判定基準，因此可期望獲得提高製作光罩時之良率、抑制光罩之檢查成本之效果。

其次，對本發明實施形態之光罩缺陷判定方法中，用以決定光罩上圖案之屬性的概念進行說明。圖2至圖8係表示本發明實施形態之光罩製造用資料4中所定義之光罩上之一部分圖案的圖。於以下說明中，依次說明根據該光罩上之一部分圖案以何種方式決定圖案之屬性。

圖2表示光罩製造用資料4中所定義之光罩上之原圖案。其次，分別對該原圖案之每一個圖案附上編號。該情況示於圖3中。於圖示之例中，對光罩上之原圖案附上(1) 至(17)之編號。

其次，根據連接資訊表，計算出所注重之光罩與其他光罩之連接關係。該情況表示於圖4中。圖4中，以全部塗黑來表現之圖案係所注重之光罩上之圖案，此外之全部塗上網紋等之圖案則係由其他光罩所形成之圖案。連接資訊表中，如上所述，已定義層A與層B係由層C來連接之情況。藉此，可判定以全部塗黑來表現之圖案與其他光罩上之哪個圖案電連接。

具體而言，於圖9所示之連接資訊表之定義2中，記述了POLY層與METAL1層係由CONT2之連接層而電連接，其結果，圖4之(A)之部分經電連接。

定義3中，記述了METAL1層與METAL2層係由VIA1之連接層而電連接，結果顯示，圖4之(B1)、(B2)、(B3)之部分經電連接。以下同樣地，若已決定如上所述之各個電連接關係，則可提取出圖6所示之連接關係。

其次，計算出LSI晶片之輸入端子(Input)、輸出端子(Output)、電源線(Vcc)與由所有光罩之哪個圖案所形成之佈線連接。於實際之光罩製造用之軟體中，LSI晶片之輸入端子(Input)、輸出端子(Output)、電源線(Vcc)之相關資訊被定義為焊墊資訊。因此，如圖5所示，包含位置資訊之「Input」、「Output」、「Vcc」等文本資訊與光罩之圖案重合。由此可知，由哪個圖案所形成之佈線與輸入端子(Input)、輸出端子(Output)、電源線(Vcc)連接。

再者，作為辨別圖案係主動或非主動之方法，除了根據 焊墊資訊與連接資訊表來辨別之方法以外，亦有如下之方法，即，藉由使LEF(Layout Exchange Format，布局交換格式)、DEF(Design Exchange Format，設計交換格式)與光罩圖案相關聯來辨別。

藉由以上之一系列處理，如圖6所示，用以形成與輸入端子(Input)、輸出端子(Output)、電源線(Vcc)電連接之佈線以及與該佈線連接之電路構成元件的光罩圖案變得明確。即，可判定形成於光罩上之圖案於藉由光微影而刻入至半導體基板上時，為電性形成主動區域之主動區域對應圖案、或為電性形成非主動區域之非主動區域對應圖案。

根據上述判定，對形成於光罩上之每一個圖案賦予主動區域對應圖案、非主動區域對應圖案中之任一屬性。圖7所示之圖案係形成於光罩上之圖案中被賦予主動區域對應圖案之屬性者，圖8所示之圖案係形成於光罩上之圖案中被賦予非主動區域對應圖案之屬性者。

於以上之實施形態中，在判定光罩上圖案之缺陷時，當根據該圖案為用以電性形成主動區域之圖案、或為用以電性形成非主動區域之圖案的相關屬性資訊來判定缺陷時，變更判定基準。即，判定基準根據為主動區域對應圖案、或為非主動區域對應圖案之兩種情況而進行變更，故判定基準僅具有兩個階段。與此相對，亦可考慮以三個以上階段來變更缺陷判定基準。

具體而言，主動區域對應圖案具有若干種類，因此根據 其中之重要性來變更缺陷判定基準，又，非主動區域對應圖案亦存在若干種類，因此根據於其中之重要性來變更缺陷判定基準。

對主動區域對應圖案之種類進行說明。光罩上之主動區域對應圖案係用以於半導體基板上刻入導電構成之圖案，其中最重要的是用以形成電路構成元件之主動區域對應圖案，其次重要的是用以於半導體基板上形成佈線之主動區域對應圖案。於佈線之中亦有重要性之分，其順序為，最重要的是要求高速性之臨界線的時脈線，其次係信號用線，再次係電源線，最後係接地線。

預先對光罩上之每一個主動區域對應圖案分別賦予「電路構成元件之屬性」、「時脈線之屬性」、「信號用線之屬性」、「電源線之屬性」、「接地線之屬性」，於檢查步驟5中之缺陷判定基準之設定中，根據以上述方式設定之屬性，變更缺陷判定基準之設定。即，於主動區域對應圖案中，亦以按照「電路構成元件之屬性」、「時脈線之屬性」、「信號用線之屬性」、「電源線之屬性」、「接地線之屬性」之順序降低缺陷判定基準之方式來進行設定。

對光罩之各個圖案資料設定及附加與上述主動區域對應圖案之重要性相對應之屬性時，較佳為在根據電路資料1之資訊展開布局資料2之階段中進行。

其次，對非主動區域對應圖案之種類進行說明。非主動區域對應圖案係用以形成基本上不導電之構成要素的圖案，如上所述，存在用於微影之補償用圖案(藉由RET之 補償用圖案)與虛設圖案兩種。作為RET中之補償用圖案，除了用於上述OPC之圖案以外，亦有用於相移法之圖案等。又，虛設圖案中，存在如下所示之若干種圖案。用於微影之補償用圖案之重要性大於通常之虛設圖案。

如上所述，於根據電路資料1之資訊而展開布局資料2之階段中，於表示電路構成元件(零件)或佈線之電路用圖案中附加虛設圖案。該虛設圖案根據其附加之目的不同而具有若干種。根據虛設圖案之設置目的不同，其重要性亦不同，因此，可考慮於判定缺陷時根據虛設圖案之重要性而變更判定基準。

再者，對光罩之各個圖案資料設定及附加與虛設圖案之重要性相對應之屬性時，較佳為在根據電路資料1之資訊而展開布局資料2之階段中進行。

以下，對虛設圖案之設置目的進行說明。例如，存在如下之虛設圖案，其係為了使自某規格之LSI設計變更為另一規格之LSI變得容易而設置，且不會於將LSI製造成某規格之LSI之時使用，此種虛設圖案由虛設電晶體等之電路構成圖案構成。將此種虛設圖案稱為虛設電路形成用虛設圖案。

又，存在遮蔽用之虛設圖案，其係為了抑制電源線等之圖案周圍所產生之磁場，而沿著該電源線等之兩旁而設置。將此種虛設圖案稱為遮蔽用虛設圖案。

具有多層佈線層之半導體中，當採用透過以金屬埋入凹槽之方法來形成佈線層之手法時，使埋入之金屬僅殘留於 凹槽內部，利用化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing: CMP)法去除多餘之金屬，但此時，抑制因佈線圖案之面內均勻性而產生研磨速度不同所導致的最終佈線膜厚之變動係重要要素之一。為了此目的，通常採用於佈線層上配置虛設圖案之手法。此處之虛設圖案與佈線圖案相同，係利用相同之方法，於佈線圖案較稀疏之區域作為虛擬佈線圖案而形成者。將此種虛設圖案稱為CMP對應處設圖案。

又，作為其他虛設圖案之例，有如下之虛設圖案，其係為了防止電路構成元件之靜電破壞，而以圍繞該電路構成元件之方式設置。將此種虛設圖案稱為靜電破壞防止用虛設圖案。

若對以上非主動區域對應圖案加以歸納，則係對光罩上之每一個非主動區域對應圖案分別賦予「RET補償用圖案之屬性」、「虛設電路形成用虛設圖案之屬性」、「遮蔽用虛設圖案之屬性」、「CMP對應虛設圖案之屬性」、「靜電破壞防止用虛設圖案之屬性」。而且，於檢查步驟5中之缺陷判定基準之設定中，根據以上述方式設定之屬性，變更缺陷判定基準之設定。即，於非主動區域對應圖案中，亦以按照「RET補償用圖案之屬性」、「虛設電路形成用虛設圖案之屬性」、「遮蔽用虛設圖案之屬性」、「CMP對應虛設圖案之屬性」、「靜電破壞防止用虛設圖案之屬性」之順序降低缺陷判定基準之方式來進行設定。

再者，「RET補償用圖案之屬性」之重要性設定為高於 任一虛設圖案之屬性，但是就虛設圖案之屬性中之重要性而言，以按照「虛設電路形成用虛設圖案之屬性」、「遮蔽用虛設圖案之屬性」、「CMP對應虛設圖案之屬性」、「靜電破壞防止用虛設圖案之屬性」之順序而由高至低設定者未必係最佳，本例僅係一參考標準。

本發明中，於以上述方式判定光罩上之圖案缺陷時，當根據因應於主動區域對應圖案之重要性而賦予之屬性、以及對應於非主動區域對應圖案之重要性而賦予之屬性來判定缺陷時，變更判定基準，因此可根據較習知技術更適當之判定基準來進行缺陷之判定。而且，根據上述本發明之缺陷判定，不設定不必要嚴格的缺陷判定基準，因此可期望獲得提高製作光罩時之良率、抑制光罩之檢查成本等效果。

再者，於本實施形態中，為了區別主動區域對應圖案、非主動區域對應圖案，係採用對各圖案賦予屬性之方法來進行說明，但是採用其他方法，例如利用布局資料之層編號或層之資料類型來區別之方法、利用CELL名來區別之方法、作為其他檔案來區別之方法，亦可實施本發明。

1‧‧‧電路資料

2‧‧‧布局資料

3‧‧‧已補償資料檔案

4‧‧‧光罩製造用資料

5‧‧‧光罩製造步驟

6‧‧‧光罩檢查步驟

7‧‧‧連接資訊表

10‧‧‧電路

11‧‧‧電路用圖案

12‧‧‧虛設圖案

13‧‧‧補償圖案

(1)~(17)‧‧‧原圖案

Vcc‧‧‧電源線

Input‧‧‧輸入端子

Output‧‧‧輸出端子

圖1與光罩製造之流程相關聯地說明本發明實施形態之光罩缺陷判定方法。

圖2表示本發明實施形態之光罩製造用資料4中所定義之光罩上一部分圖案。

圖3表示本發明實施形態之光罩製造用資料4中所定義 之光罩上一部分圖案。

圖4表示本發明實施形態之光罩製造用資料4中所定義之光罩上一部分圖案。

圖5表示本發明實施形態之光罩製造用資料4中所定義之光罩上一部分圖案。

圖6表示本發明實施形態之光罩製造用資料4中所定義之光罩上之一部分圖案。

圖7表示本發明實施形態之光罩製造用資料4中所定義之光罩上之一部分圖案。

圖8表示本發明實施形態之光罩製造用資料4中所定義之光罩上之一部分圖案。

圖9表示本發明實施形態之光罩製造用資料4中之連接資訊表之內容例。

1‧‧‧電路資料

2‧‧‧布局資料

3‧‧‧已補償資料檔案

4‧‧‧光罩製造用資料

5‧‧‧光罩製造步驟

6‧‧‧光罩檢查步驟

7‧‧‧連接資訊表

10‧‧‧電路

11‧‧‧電路用圖案

12‧‧‧虛設圖案

13‧‧‧補償圖案

Claims (10)

1. 一種光罩缺陷判定方法，係包括：電路資料準備步驟，準備記錄有藉由光微影而刻入至半導體基板上之電路資料的電路資料；布局資料準備步驟，準備基於該電路資料而展開、且用以將該電路形成為遍及半導體基板上數層之電路圖案之資料的數層布局資料；已補償布局資料準備步驟，準備對該數層之布局資料附加補償用資料而成之數層已補償布局資料；以及光罩製造用資料準備步驟，準備根據該數層之已補償布局資料而展開、且用以製造光罩之數層光罩製造用資料；且對根據該數層之光罩製造用資料由光罩製造裝置所製作之複數個光罩之缺陷進行判定；如此之光罩缺陷判定方法，其特徵在於，其具備有：主動/非主動區域對應圖案提取步驟，根據記述有由該數層布局資料而形成的電路圖案之層間連接關係之連接資訊表，提取出形成於光罩上之圖案於藉由光微影而刻入至半導體基板上時，為電性形成主動區域之主動區域對應圖案，或為電性形成非主動區域之非主動區域對應圖案；屬性賦予步驟，對該數層之光罩製造用資料中之所有圖案，賦予與主動區域對應圖案或非主動區域對應圖案相關之屬性；以及判定基準變更步驟，根據賦予該數層光罩製造用資料之圖案的上述屬性，對判定該複數個光罩上所形成之各個圖 案是否具有取決於其是否對應於主動區域或非主動區域之缺陷時之判定基準進行變更。
2. 如申請專利範圍第1項之光罩缺陷判定方法，其中，該連接資訊表係記述有圖案所屬之層間之連接關係的表。
3. 如申請專利範圍第1項之光罩缺陷判定方法，其中，該已補償布局資料準備步驟中之補償係利用光學臨近效應進行之補償。
4. 如申請專利範圍第1項之光罩缺陷判定方法，其中，該已補償布局資料準備步驟中之補償係利用相移法進行之補償。
5. 如申請專利範圍第1項之光罩缺陷判定方法，其中，對該數層之光罩製造用資料之圖案，賦予與主動區域對應圖案之種類相對應之屬性。
6. 如申請專利範圍第5項之光罩缺陷判定方法，其中，主動區域對應圖案之種類係根據電路連接資訊(對構成電路之佈線以及端子之信號進行定義之文字資訊)而決定。
7. 如申請專利範圍第5項之光罩缺陷判定方法，其中，根據與主動區域對應圖案之種類對應之屬性，對判定該複數個光罩上所形成之圖案是否具有缺陷時之判定基準進行變更。
8. 如申請專利範圍第6項之光罩缺陷判定方法，其中，根據與主動區域對應圖案之種類對應之屬性，對判定該複數個光罩上所形成之圖案是否具有缺陷時之判定基準進行變更。
9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之光罩缺陷判定方法，其中，對該數層之光罩製造用資料之圖案，賦予與非主動區域對應圖案之種類相對應之屬性。
10. 如申請專利範圍第9項之光罩缺陷判定方法，其中，根據與非主動區域對應圖案之種類對應之屬性，對判定該複數個光罩上所形成之圖案是否具有缺陷時之判定基準進行變更。