JP4736206B2 - フォトマスクパタン欠陥検査方法および微細図形パタンの検出方法 - Google Patents
フォトマスクパタン欠陥検査方法および微細図形パタンの検出方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4736206B2 JP4736206B2 JP2001059551A JP2001059551A JP4736206B2 JP 4736206 B2 JP4736206 B2 JP 4736206B2 JP 2001059551 A JP2001059551 A JP 2001059551A JP 2001059551 A JP2001059551 A JP 2001059551A JP 4736206 B2 JP4736206 B2 JP 4736206B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- pattern
- outline
- graphic
- distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定の検査機により、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高機能化と軽薄短小の傾向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳｌには、ますます高集積化、高機能化が求められるようになってきた。
即ち、できるだけチップサイズを小さくして、高機能を実現することがＡＳＩＣ等のＬＳＩには求められている。
上記ＡＳＩＣ等のＬＳＩは、機能、論理設計、回路設計、レイアウト設計等を経て、フォトマスクパタン作製用の図形データ（図形パタンデータあるいはパタンデータとも言う）を作製し、これを用いてフォトマスクを作製した後、フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小投影露光等により転写して、半導体素子作製のプロセスを行うという数々の工程を経て作製されるものである。
フォトマスクは、一般には、上記図形データを用い、電子ビーム露光装置あるいはエキシマ波長等のフォト露光装置を用いて、フォトマスク用基板（フォトマスクブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジストに露光描画を行い、現像、エッチング工程等を経て、作製される。
即ち、ガラス基板の一面に遮光性の金属薄膜を設けたフォトマスク用基板の金属薄膜上に塗布、乾燥された感光性のレジスト上に、露光装置により電離放射線を所定の領域のみに照射して潜像を形成し、感光性のレジストを現像して、電離放射線の照射領域に対応した、所望の形状のレジストパターン得た後、更に、レジストパターンを耐エッチングレジストとして、金属薄膜をレジストパターン形状に加工して、所望の金属薄膜パターンを有するフォトマスクを得る。
尚、フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小投影露光して、その絵柄を転写する場合は、フォトマスクをレチクルマスクとも言う。
また、フォトマスクを単にマスクとも言う。
また、フォトマスクのパタンを形成するための図形データは、種々の図形情報から構成され、Ｘ−Ｙ座標表現されている。
【０００３】
フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小投影露光等により転写する際、光近接効果と呼ばれる露光形状の歪みが発生する。
これは、露光形状のサイズ（ウエハ上の露光サイズ）が、露光光の波長に近づく、あるいは光の波長よりも小さくなったときに、光の回折現象により、フォトマスクのパタンの形状を忠実に露光することができなく、ウエハ上に露光される露光形状に歪みが発生するものである。
フォトマスクのパタン（光を透過させる部分の形状）が図４（ａ）（イ）に示すような形状をしている場合には、ウエハ上に形成されるパタン形状は図４（ａ）（ロ）のようになる。
このため、図４（ａ）（イ）に示すような形状をウエハ上に形成されるパタン形状として得たい場合には、フォトマスクのパタン（光を透過させる部分の形状）を図４（ｂ）（イ）のように補正して、ウエハ上に形成されるパタン形状を図４（ｂ）（ロ）のようにする。
このような光の回折の影響を考慮した補正を、光近接効果補正あるいはＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正と言う。
尚、図４において、８１０は設計図形データ、８１５は形成パタン、８２０は補正図形データ、８２５は形成パタンである。
【０００４】
このようなＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正が施された描画データ用の図形パタンデータと、図形パタンデータの描画位置情報である図形パタンデータ配置情報とを含むマスク描画データにて、描画され、作製されたフォトマスクについて、所定の検査機により、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査を、微細欠陥を検出する高検出レベルで行なうと、ＯＰＣ補正部が検出され、検出箇所が多くなり、作業レベルに合わなくなる。
このため、通常、ＯＰＣ補正部以外のパタンについては、微細欠陥を検出する高検出レベルで行ない、ＯＰＣ補正部については、これを検出しない低検出レベルを下げ行なわれている。
この場合、欠陥検査装置がＯＰＣ補正部をその形状から自動的に判断できる機能を備えていることを前提としている。
現在、ＫＬＡ社のＫＬＡ３００シリーズにはすでにこの機能がついている。
しかし、ＯＰＣ補正部以外のパタンについては、微細欠陥を検出する高検出レベルで欠陥検査行なうため、テグパタン等の、本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パタンが、欠陥部として検出されてしまう。
欠陥検査機の検出に際し、テグパタン等の、本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パタンと欠陥とが識別できないのである。
この判別を行なうには、手間がかかり、欠陥検査効率が悪くなってしまう。
【０００５】
従来は、このようなＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正が施された描画データ用の図形パタンデータと、図形パタンデータの描画位置情報である図形パタンデータ配置情報とを含むマスク描画データに対し、描画領域全体にわたり、描画される図形パタンのアウトラインデータを得る、アウトライン化処理を施した後、アウトライン化処理により得られたアウトラインデータに対し、アウトライン間の距離チェック（スペースチェックとも言う）や幅チェック（ｗｉｄｔｈチェックとも言う）を行なう、ＤＲＣ（Ｄｅｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）処理を施し、アウトライン間の距離チェックや幅が指定された距離以下にある、アウトラインデータの箇所を抽出し、これにより、テグパタン等の、本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パタンの箇所を特定していた。
しかし、ＤＲＣ処理による抽出では、ＯＰＣ補正部がほとんど検出され、これ以外の本来欠陥部として検出されるべきでない微細パタンを特定するには手間がかかり、大変であった。
即ち、データ処理を含めたトータル的な欠陥検査効率は悪かった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、ＯＰＣ補正が施された描画データ用の図形パタンデータと、図形パタンデータの描画位置情報である図形パタンデータ配置情報とを含むマスク描画データにて、描画され、作製されたフォトマスクについて、所定の検査機により、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査においては、データ処理を含めたトータル的な欠陥検査効率は悪く、問題となっていた。
本発明は、これに対応するもので、フォトマスクの微細化が進む中、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査方法により、ＯＰＣ補正が施され描画され、作製されたフォトマスクを検査する際、データ処理を含め、トータル的に欠陥検査効率の良い検査方法を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のフォトマスクパタン欠陥検査方法は、所定の検査機により、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査方法であって、描画データである図形パタンデータと、図形パタンデータの描画位置情報である図形パタンデータ配置情報とを含み、且つ、描画データである図形パタンデータにＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正が施されている、マスク描画データから、フォトマスクパタンの検査により本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い微細図形パタンで、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタンを、予め抽出しておき、フォトマスクパタンの検査に際し、前記本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パタン箇所については、欠陥としないものであり、前記ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタン箇所の抽出は、順に、（ａ）マスク描画データから、描画領域全体にわたり、描画される図形パタンのアウトラインデータを得る、アウトライン化処理と、（ｂ）アウトライン化処理により得られたアウトラインデータに対し、アウトライン間の距離チェック（スペースチェックとも言う）ないし幅チェック（ｗｉｄｔｈチェックとも言う）を行ない、アウトライン間の距離ないし幅が指定された距離以下にある、アウトラインデータの箇所を、抽出する、ＤＲＣ（Ｄｅｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）処理と、（ｃ）前記ＤＲＣ処理により抽出された各箇所において、アウトライン間の距離チェックないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行である場合には、検出された間隔を形成する対向するアウトライン辺部間に判定用図形データを発生させ、アウトライン間の距離チェックないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行でない場合には、アウトライン間の距離チェックないし幅を示す線分と平行で、その両側に前記アウトラインデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の２つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させ、あるいは、アウトライン間の距離チェックないし幅を示す線分と、該アウトライン間の距離チェックないし幅を示す線分と平行で、その片側に前記アウトラインデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の１つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させ、判定用図形データの、アウトラインデータのアウトライン辺部の辺の長さが、所定値以上であるものを抽出し、その図形の箇所を、検査の際に欠陥としない擬似欠陥部箇所として選別して抽出する擬似欠陥箇所選別処理とを、行なうものであることを特徴とするものである。
【０００８】
本発明の微細図形パタンの検出方法は、描画データである図形パタンデータと、図形パタンデータの描画位置情報である図形パタンデータ配置情報とを含み、且つ、描画データである図形パタンデータにＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正が施されている、マスク描画データから、フォトマスクパタンの検査により本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い微細図形パタンで、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタンを、予め抽出する、微細図形パタンの検出方法であって、順に、（ａ）マスク描画データから、描画領域全体にわたり、描画される図形パタンのアウトラインデータを得る、アウトライン化処理と、（ｂ）アウトライン化処理により得られたアウトラインデータに対し、アウトライン間の距離チェック（スペースチェックとも言う）ないし幅チェック（ｗｉｄｔｈチェックとも言う）を行ない、アウトライン間の距離ないし幅が指定された距離以下にある、アウトラインデータの箇所を、抽出する、ＤＲＣ（Ｄｅｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）処理と、（ｃ）前記ＤＲＣ処理により抽出された各箇所において、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行である場合には、検出された間隔を形成する対向するアウトライン辺部間に判定用図形データを発生させ、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行でない場合には、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分と平行で、その両側に前記アウトラインデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の２つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させ、あるいは、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分と、該アウトライン間の距離ないし幅を示す線分と平行で、その片側に前記アウトラインデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の１つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させ、判定用図形データの、アウトラインデータのアウトライン辺部の辺の長さが、所定値以上であるものを抽出し、その図形の箇所を抽出し、これにより、テグパタン等の、本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パタンの箇所を選別する、選別処理とを、行なうものであることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】
本発明のマスクパタン欠陥検査方法は、このような構成にすることにより、フォトマスクの微細化が進む中、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査方法により、ＯＰＣ補正が施された描画され、作製されたフォトマスクを検査する際、データ処理を含め、トータル的に欠陥検査効率の良い検査方法の提供を可能とするものである。
即ち、ＯＰＣ補正された箇所以外で、マスク描画データから、本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い、テグパタン等の微細図形パタンの箇所を抽出しておき、欠陥検出の際、欠陥部として検出された箇所の中で、テグパタン等の、微細図形パタン部については、欠陥としないことにより、これを達成している。
【００１０】
本発明の微細図形パタンの検出方法は、このような構成にすることにより、上記本発明の欠陥検査方法を可能とするものである。
また、欠陥検出の際、テグパタン等の、本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パタン部を特定できることにより、デザインルールに合わない、これらの微細パタンについて、フォトマスクメーカは、予め、マスク発注側に、そのパタンの可否を確認することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態例を、図に基づいて説明する。
図１は本発明のフォトマスクパタン欠陥検査方法の実施の形態の１例フロー図で、図２はマスク描画データから擬似欠陥部を選別する擬似欠陥箇所選別処理の１例のフロー図で、図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）は、それぞれ、具体的な図形データに対する処理例を示した図である。
尚、図３（ａ）（イ）、図３（ｂ）（イ）、図３（ｃ）（イ）はアウトラインデータと抽出箇所を示し、図３（ａ）（ロ）、図３（ｂ）（ロ）、図３（ｃ）（ロ）は、マスク描画データの各図形データと判定用図形データを示している。
図３中、３１０、３２０、３３０、３４０はアウトラインデータの図形、３１１、３１２、３１３、３２１、３２２、３２３、３２４、３２５、３３１、３３２はマスク描画データの各図形データ、３３０ａ、３４０ａは辺部、３５１、３５２、３５３、３５４は判定用図形データである。
【００１２】
本発明のフォトマスクパタン欠陥検査方法の実施の形態の１例を、図１に基づいて説明する。
本例は、描画データである図形パタンデータと、図形パタンデータの描画位置情報である図形パタンデータ配置情報とを含み、且つ、描画データである図形パタンデータにＯＰＣ補正が施されている、マスク描画データを用いて電子ビーム露光装置により描画し、プロセス処理を施して、作製されたフォトマスクと、前記マスク描画データとを、所定の検査機により、比較して、欠陥検査する方法である。
そして、フォトマスクパタンの検査により、本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い微細図形パタンで、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタンを、予め抽出しておき、フォトマスクパタンの検査に際し、前記テグパタン等の微細図形パタン箇所については、マスキング処理しておき、その箇所を欠陥としない欠陥検査方法である。
【００１３】
先ず、フォトマスクパタンの検査により、本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタンの箇所を、マスク描画データ（Ｓ１１）から、予め抽出し、抽出された箇所のデータを擬似欠陥部抽出箇所データとする。（Ｓ１５）
ここで、この微細図形パタン箇所の抽出処理の１例を図２に基づいて説明しておく。
尚、これを以って、本発明の微細図形パタンの検出方法の実施の形態の１例とする。
先ず、マスク描画データ（Ｓ２１、Ｓ１１に相当）から、描画領域全体にわたり、描画される図形パタンのアウトラインデータを得る、アウトライン化処理を行なう。（Ｓ２２）
通常、マスク描画データをベクトル線表示にて表し、これより、アウトラインデータを得る。
次いで、アウトライン化処理により得られたアウトラインデータに対し、アウトライン間の距離チェック（スペースチェックとも言う）ないし幅チェック（ｗｉｄｔｈチェックとも言う）を行ない、アウトライン間の距離ないし幅が指定された距離以下にある、アウトラインデータの箇所を、抽出する、ＤＲＣ処理を行なう。（Ｓ２３）
図形データ内領域を露光する場合か図形データをのぞいた領域を露光する場合か、あるいはレジストがポジであるかネガであるか等により、アウトラインデータのアウトライン間の距離チェック（スペースチェックとも言う）を行なうか、幅チェック（ｗｉｄｔｈチェックとも言う）を行なうかを決める。
ここでは、簡単のため、以下、描画の際に図形データ内領域を露光する場合で、ネガレジストを用いた場合を想定し、アウトラインデータのアウトライン間の距離チェック（スペースチェックとも言う）を行なうものとする。
これにより、抽出された箇所は、線分等により表現される。
例えば、スペースが所定の距離以下である箇所が、座標位置であるアウトラインデータの角部から、角部なし辺部への両矢印部として得られる。
図３（ａ）（イ）は、アウトラインデータの図形３１０の辺部に凹部があり、辺に沿う方向の長さが所定距離以下の場合で、点（角部のこと）Ｐ１１、Ｐ１２間、点Ｐ１３，Ｐ１４間が抽出箇所として得られたものである。
図３（ｂ）（イ）は、ＯＰＣ補正部の形状で、点Ｐ２１，Ｐ２２間が距離が所定距離以下で、抽出箇所として得られたものである。
図３（ｃ）（イ）は、アウトラインデータの図形３３０とアウトラインデータの図形３４０とは互いにずれた位置にあり、間隔が所定距離以下の場合で、
点Ｐ３１からアウトラインデータの図形３４０辺部３４０ａまで、点Ｐ３２からアウトラインデータの図形３３０辺部３３０ａまでが抽出箇所として得られる。
【００１４】
次いで、得られた抽出箇所について、前述のテグパタン等の、微細図形パタンの箇所を抽出する、擬似欠陥部箇所選別処理（Ｓ２４）を、以下のように行なう。
ＤＲＣ処理により抽出された各箇所において、スペースを示す線分と、あるいは前記スペース示す線分と平行で、その両側ないし片側に前記アウトラインデータのアウトライン辺とその両端で交差する線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させる。
そして、判定用図形データの、アウトラインデータのアウトライン辺部の辺の長さが、所定値以上であるものを抽出し、その図形の箇所を、検査の際に欠陥としない擬似欠陥部箇所として選別して抽出する。
例えば、スペースないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行である場合には、検出された間隔を形成する対向するアウトライン辺部間に判定用図形データを発生させ、スペースないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行でない場合には、スペースないし幅を示す線分と平行で、その両側に前記アウトラインデータデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の２つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させ、あるいは、スペースないし幅を示す線分と、スペースないし幅を示す線分と平行で、その片側に前記アウトラインデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の１つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させる。
図３（ａ）（イ）のような抽出箇所の場合、図３（ａ）（ロ）のようになり、図３（ｂ）（イ）のような抽出箇所の場合、図３（ｂ）（ロ）のようになり、図３（ｃ）（イ）のような抽出箇所の場合、図３（ｃ）（ロ）のようになる。
そして、判定用図形データに対し、アウトラインデータのアウトライン辺部の辺の長さが、所定値以上であるものを抽出することにより、図３（ａ）（ロ）、図３（ｂ）（ロ）、図３（ｃ）（ロ）の各判定用図形から、図３（ｃ）（ロ）の判定用図形３５４のみを選定することができる。
これにより、ＯＰＣ補正部の大半は除かれる。
これにより選別された箇所について確認を行なうことにより、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタンの箇所を抽出することができる。
【００１５】
尚、ＤＲＣ処理による抽出箇所の確認は、抽出された箇所に図形（例えばＧＤＳデータ）を発生させ、且つ、元のマスク描画データとともに色違いで表示することにより確認できる。
また、擬似欠陥箇所選別処理（Ｓ２４）により得られた箇所についても、その箇所判定用図形を用い、元のマスク描画データとともに色違いで表示することにより確認できる。
【００１６】
このようにして、抽出された微細図形パタンの箇所を、検査機では欠陥としないように、マスキング箇所として登録しておく。（Ｓ１６）
【００１７】
一方、フォトマスクの作製は、以下のように行われる。
先ず、上記マスク描画データを用い、電子ビーム露光装置を用いて、フォトマスク用基板（フォトマスクブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジストに露光描画を行い、潜像を形成する。（Ｓ１２）
次いで、現像処理を行ない、前記潜像に対応したレジストパタンを遮光膜上に形成し、必要に応じて乾燥処理等を施した後、レジストパタンを対エッチングマスクとして遮光膜をエッチングして、遮光膜からなるパタンを形成し、レジストパタン除去、洗浄処理を施して（Ｓ１３）、フォトマスクを得る。（Ｓ１４）
【００１８】
次いで、欠陥検査機にて、元のマスク描画データ（Ｓ１１）を用いて、指定されたマスキング箇所を除き、欠陥検査を行ない（Ｓ１７）、欠陥部を検出する。
（Ｓ１８）
このようにして、フォトマスクパタンの検査により、本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の、微細図形パタンの箇所を欠陥としないで、高検出レベルで欠陥検査を行なうことができる。
尚、本例は１例で、各処理もこれに限定されるものではない。
【００１９】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、フォトマスクの微細化が進む中、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査方法により、ＯＰＣ補正が施された描画され、作製されたフォトマスクを検査する際、データ処理を含め、トータル的に欠陥検査効率の良い検査方法の提供を可能とした。
また、フォトマスクパタンの検査により、本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタンの箇所を、ＯＰＣ補正が施されたマスク描画データから、容易に抽出できる、微細図形パタンの検出方法の提供を可能とし、検査の面ばかりでなく、仕様確認の作業も容易に効率的にできるものとした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフォトマスクパタン欠陥検査方法の実施の形態の１例フロー図
【図２】マスク描画データから擬似欠陥部を選別する擬似欠陥箇所選別処理の１例のフロー図
【図３】図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）は、それぞれ、具体的な図形データに対する処理例を示した図である。
【図４】ＯＰＣ補正を説明するための図
【符号の説明】
３１０、３２０、３３０、３４０ アウトラインデータの図形
３１１、３１２、３１３ マスク描画データの各図形データ
３２１、３２２、３２３、３２４、３２５ マスク描画データの各図形データ
３３１、３３２ マスク描画データの各図形データ
３３０ａ、３４０ａ 辺部
３５１、３５２、３５３、３５４ 判定用図形データ
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定の検査機により、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高機能化と軽薄短小の傾向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳｌには、ますます高集積化、高機能化が求められるようになってきた。
即ち、できるだけチップサイズを小さくして、高機能を実現することがＡＳＩＣ等のＬＳＩには求められている。
上記ＡＳＩＣ等のＬＳＩは、機能、論理設計、回路設計、レイアウト設計等を経て、フォトマスクパタン作製用の図形データ（図形パタンデータあるいはパタンデータとも言う）を作製し、これを用いてフォトマスクを作製した後、フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小投影露光等により転写して、半導体素子作製のプロセスを行うという数々の工程を経て作製されるものである。
フォトマスクは、一般には、上記図形データを用い、電子ビーム露光装置あるいはエキシマ波長等のフォト露光装置を用いて、フォトマスク用基板（フォトマスクブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジストに露光描画を行い、現像、エッチング工程等を経て、作製される。
即ち、ガラス基板の一面に遮光性の金属薄膜を設けたフォトマスク用基板の金属薄膜上に塗布、乾燥された感光性のレジスト上に、露光装置により電離放射線を所定の領域のみに照射して潜像を形成し、感光性のレジストを現像して、電離放射線の照射領域に対応した、所望の形状のレジストパターン得た後、更に、レジストパターンを耐エッチングレジストとして、金属薄膜をレジストパターン形状に加工して、所望の金属薄膜パターンを有するフォトマスクを得る。
尚、フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小投影露光して、その絵柄を転写する場合は、フォトマスクをレチクルマスクとも言う。
また、フォトマスクを単にマスクとも言う。
また、フォトマスクのパタンを形成するための図形データは、種々の図形情報から構成され、Ｘ−Ｙ座標表現されている。
【０００３】
フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小投影露光等により転写する際、光近接効果と呼ばれる露光形状の歪みが発生する。
これは、露光形状のサイズ（ウエハ上の露光サイズ）が、露光光の波長に近づく、あるいは光の波長よりも小さくなったときに、光の回折現象により、フォトマスクのパタンの形状を忠実に露光することができなく、ウエハ上に露光される露光形状に歪みが発生するものである。
フォトマスクのパタン（光を透過させる部分の形状）が図４（ａ）（イ）に示すような形状をしている場合には、ウエハ上に形成されるパタン形状は図４（ａ）（ロ）のようになる。
このため、図４（ａ）（イ）に示すような形状をウエハ上に形成されるパタン形状として得たい場合には、フォトマスクのパタン（光を透過させる部分の形状）を図４（ｂ）（イ）のように補正して、ウエハ上に形成されるパタン形状を図４（ｂ）（ロ）のようにする。
このような光の回折の影響を考慮した補正を、光近接効果補正あるいはＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正と言う。
尚、図４において、８１０は設計図形データ、８１５は形成パタン、８２０は補正図形データ、８２５は形成パタンである。
【０００４】
このようなＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正が施された描画データ用の図形パタンデータと、図形パタンデータの描画位置情報である図形パタンデータ配置情報とを含むマスク描画データにて、描画され、作製されたフォトマスクについて、所定の検査機により、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査を、微細欠陥を検出する高検出レベルで行なうと、ＯＰＣ補正部が検出され、検出箇所が多くなり、作業レベルに合わなくなる。
このため、通常、ＯＰＣ補正部以外のパタンについては、微細欠陥を検出する高検出レベルで行ない、ＯＰＣ補正部については、これを検出しない低検出レベルを下げ行なわれている。
この場合、欠陥検査装置がＯＰＣ補正部をその形状から自動的に判断できる機能を備えていることを前提としている。
現在、ＫＬＡ社のＫＬＡ３００シリーズにはすでにこの機能がついている。
しかし、ＯＰＣ補正部以外のパタンについては、微細欠陥を検出する高検出レベルで欠陥検査行なうため、テグパタン等の、本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パタンが、欠陥部として検出されてしまう。
欠陥検査機の検出に際し、テグパタン等の、本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パタンと欠陥とが識別できないのである。
この判別を行なうには、手間がかかり、欠陥検査効率が悪くなってしまう。
【０００５】
従来は、このようなＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正が施された描画データ用の図形パタンデータと、図形パタンデータの描画位置情報である図形パタンデータ配置情報とを含むマスク描画データに対し、描画領域全体にわたり、描画される図形パタンのアウトラインデータを得る、アウトライン化処理を施した後、アウトライン化処理により得られたアウトラインデータに対し、アウトライン間の距離チェック（スペースチェックとも言う）や幅チェック（ｗｉｄｔｈチェックとも言う）を行なう、ＤＲＣ（Ｄｅｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）処理を施し、アウトライン間の距離チェックや幅が指定された距離以下にある、アウトラインデータの箇所を抽出し、これにより、テグパタン等の、本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パタンの箇所を特定していた。
しかし、ＤＲＣ処理による抽出では、ＯＰＣ補正部がほとんど検出され、これ以外の本来欠陥部として検出されるべきでない微細パタンを特定するには手間がかかり、大変であった。
即ち、データ処理を含めたトータル的な欠陥検査効率は悪かった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、ＯＰＣ補正が施された描画データ用の図形パタンデータと、図形パタンデータの描画位置情報である図形パタンデータ配置情報とを含むマスク描画データにて、描画され、作製されたフォトマスクについて、所定の検査機により、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査においては、データ処理を含めたトータル的な欠陥検査効率は悪く、問題となっていた。
本発明は、これに対応するもので、フォトマスクの微細化が進む中、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査方法により、ＯＰＣ補正が施され描画され、作製されたフォトマスクを検査する際、データ処理を含め、トータル的に欠陥検査効率の良い検査方法を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のフォトマスクパタン欠陥検査方法は、所定の検査機により、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査方法であって、描画データである図形パタンデータと、図形パタンデータの描画位置情報である図形パタンデータ配置情報とを含み、且つ、描画データである図形パタンデータにＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正が施されている、マスク描画データから、フォトマスクパタンの検査により本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い微細図形パタンで、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタンを、予め抽出しておき、フォトマスクパタンの検査に際し、前記本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パタン箇所については、欠陥としないものであり、前記ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタン箇所の抽出は、順に、（ａ）マスク描画データから、描画領域全体にわたり、描画される図形パタンのアウトラインデータを得る、アウトライン化処理と、（ｂ）アウトライン化処理により得られたアウトラインデータに対し、アウトライン間の距離チェック（スペースチェックとも言う）ないし幅チェック（ｗｉｄｔｈチェックとも言う）を行ない、アウトライン間の距離ないし幅が指定された距離以下にある、アウトラインデータの箇所を、抽出する、ＤＲＣ（Ｄｅｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）処理と、（ｃ）前記ＤＲＣ処理により抽出された各箇所において、アウトライン間の距離チェックないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行である場合には、検出された間隔を形成する対向するアウトライン辺部間に判定用図形データを発生させ、アウトライン間の距離チェックないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行でない場合には、アウトライン間の距離チェックないし幅を示す線分と平行で、その両側に前記アウトラインデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の２つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させ、あるいは、アウトライン間の距離チェックないし幅を示す線分と、該アウトライン間の距離チェックないし幅を示す線分と平行で、その片側に前記アウトラインデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の１つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させ、判定用図形データの、アウトラインデータのアウトライン辺部の辺の長さが、所定値以上であるものを抽出し、その図形の箇所を、検査の際に欠陥としない擬似欠陥部箇所として選別して抽出する擬似欠陥箇所選別処理とを、行なうものであることを特徴とするものである。
【０００８】
本発明の微細図形パタンの検出方法は、描画データである図形パタンデータと、図形パタンデータの描画位置情報である図形パタンデータ配置情報とを含み、且つ、描画データである図形パタンデータにＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正が施されている、マスク描画データから、フォトマスクパタンの検査により本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い微細図形パタンで、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタンを、予め抽出する、微細図形パタンの検出方法であって、順に、（ａ）マスク描画データから、描画領域全体にわたり、描画される図形パタンのアウトラインデータを得る、アウトライン化処理と、（ｂ）アウトライン化処理により得られたアウトラインデータに対し、アウトライン間の距離チェック（スペースチェックとも言う）ないし幅チェック（ｗｉｄｔｈチェックとも言う）を行ない、アウトライン間の距離ないし幅が指定された距離以下にある、アウトラインデータの箇所を、抽出する、ＤＲＣ（Ｄｅｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）処理と、（ｃ）前記ＤＲＣ処理により抽出された各箇所において、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行である場合には、検出された間隔を形成する対向するアウトライン辺部間に判定用図形データを発生させ、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行でない場合には、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分と平行で、その両側に前記アウトラインデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の２つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させ、あるいは、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分と、該アウトライン間の距離ないし幅を示す線分と平行で、その片側に前記アウトラインデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の１つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させ、判定用図形データの、アウトラインデータのアウトライン辺部の辺の長さが、所定値以上であるものを抽出し、その図形の箇所を抽出し、これにより、テグパタン等の、本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パタンの箇所を選別する、選別処理とを、行なうものであることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】
本発明のマスクパタン欠陥検査方法は、このような構成にすることにより、フォトマスクの微細化が進む中、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査方法により、ＯＰＣ補正が施された描画され、作製されたフォトマスクを検査する際、データ処理を含め、トータル的に欠陥検査効率の良い検査方法の提供を可能とするものである。
即ち、ＯＰＣ補正された箇所以外で、マスク描画データから、本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い、テグパタン等の微細図形パタンの箇所を抽出しておき、欠陥検出の際、欠陥部として検出された箇所の中で、テグパタン等の、微細図形パタン部については、欠陥としないことにより、これを達成している。
【００１０】
本発明の微細図形パタンの検出方法は、このような構成にすることにより、上記本発明の欠陥検査方法を可能とするものである。
また、欠陥検出の際、テグパタン等の、本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パタン部を特定できることにより、デザインルールに合わない、これらの微細パタンについて、フォトマスクメーカは、予め、マスク発注側に、そのパタンの可否を確認することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態例を、図に基づいて説明する。
図１は本発明のフォトマスクパタン欠陥検査方法の実施の形態の１例フロー図で、図２はマスク描画データから擬似欠陥部を選別する擬似欠陥箇所選別処理の１例のフロー図で、図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）は、それぞれ、具体的な図形データに対する処理例を示した図である。
尚、図３（ａ）（イ）、図３（ｂ）（イ）、図３（ｃ）（イ）はアウトラインデータと抽出箇所を示し、図３（ａ）（ロ）、図３（ｂ）（ロ）、図３（ｃ）（ロ）は、マスク描画データの各図形データと判定用図形データを示している。
図３中、３１０、３２０、３３０、３４０はアウトラインデータの図形、３１１、３１２、３１３、３２１、３２２、３２３、３２４、３２５、３３１、３３２はマスク描画データの各図形データ、３３０ａ、３４０ａは辺部、３５１、３５２、３５３、３５４は判定用図形データである。
【００１２】
本発明のフォトマスクパタン欠陥検査方法の実施の形態の１例を、図１に基づいて説明する。
本例は、描画データである図形パタンデータと、図形パタンデータの描画位置情報である図形パタンデータ配置情報とを含み、且つ、描画データである図形パタンデータにＯＰＣ補正が施されている、マスク描画データを用いて電子ビーム露光装置により描画し、プロセス処理を施して、作製されたフォトマスクと、前記マスク描画データとを、所定の検査機により、比較して、欠陥検査する方法である。
そして、フォトマスクパタンの検査により、本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い微細図形パタンで、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタンを、予め抽出しておき、フォトマスクパタンの検査に際し、前記テグパタン等の微細図形パタン箇所については、マスキング処理しておき、その箇所を欠陥としない欠陥検査方法である。
【００１３】
先ず、フォトマスクパタンの検査により、本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタンの箇所を、マスク描画データ（Ｓ１１）から、予め抽出し、抽出された箇所のデータを擬似欠陥部抽出箇所データとする。（Ｓ１５）
ここで、この微細図形パタン箇所の抽出処理の１例を図２に基づいて説明しておく。
尚、これを以って、本発明の微細図形パタンの検出方法の実施の形態の１例とする。
先ず、マスク描画データ（Ｓ２１、Ｓ１１に相当）から、描画領域全体にわたり、描画される図形パタンのアウトラインデータを得る、アウトライン化処理を行なう。（Ｓ２２）
通常、マスク描画データをベクトル線表示にて表し、これより、アウトラインデータを得る。
次いで、アウトライン化処理により得られたアウトラインデータに対し、アウトライン間の距離チェック（スペースチェックとも言う）ないし幅チェック（ｗｉｄｔｈチェックとも言う）を行ない、アウトライン間の距離ないし幅が指定された距離以下にある、アウトラインデータの箇所を、抽出する、ＤＲＣ処理を行なう。（Ｓ２３）
図形データ内領域を露光する場合か図形データをのぞいた領域を露光する場合か、あるいはレジストがポジであるかネガであるか等により、アウトラインデータのアウトライン間の距離チェック（スペースチェックとも言う）を行なうか、幅チェック（ｗｉｄｔｈチェックとも言う）を行なうかを決める。
ここでは、簡単のため、以下、描画の際に図形データ内領域を露光する場合で、ネガレジストを用いた場合を想定し、アウトラインデータのアウトライン間の距離チェック（スペースチェックとも言う）を行なうものとする。
これにより、抽出された箇所は、線分等により表現される。
例えば、スペースが所定の距離以下である箇所が、座標位置であるアウトラインデータの角部から、角部なし辺部への両矢印部として得られる。
図３（ａ）（イ）は、アウトラインデータの図形３１０の辺部に凹部があり、辺に沿う方向の長さが所定距離以下の場合で、点（角部のこと）Ｐ１１、Ｐ１２間、点Ｐ１３，Ｐ１４間が抽出箇所として得られたものである。
図３（ｂ）（イ）は、ＯＰＣ補正部の形状で、点Ｐ２１，Ｐ２２間が距離が所定距離以下で、抽出箇所として得られたものである。
図３（ｃ）（イ）は、アウトラインデータの図形３３０とアウトラインデータの図形３４０とは互いにずれた位置にあり、間隔が所定距離以下の場合で、
点Ｐ３１からアウトラインデータの図形３４０辺部３４０ａまで、点Ｐ３２からアウトラインデータの図形３３０辺部３３０ａまでが抽出箇所として得られる。
【００１４】
次いで、得られた抽出箇所について、前述のテグパタン等の、微細図形パタンの箇所を抽出する、擬似欠陥部箇所選別処理（Ｓ２４）を、以下のように行なう。
ＤＲＣ処理により抽出された各箇所において、スペースを示す線分と、あるいは前記スペース示す線分と平行で、その両側ないし片側に前記アウトラインデータのアウトライン辺とその両端で交差する線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させる。
そして、判定用図形データの、アウトラインデータのアウトライン辺部の辺の長さが、所定値以上であるものを抽出し、その図形の箇所を、検査の際に欠陥としない擬似欠陥部箇所として選別して抽出する。
例えば、スペースないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行である場合には、検出された間隔を形成する対向するアウトライン辺部間に判定用図形データを発生させ、スペースないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行でない場合には、スペースないし幅を示す線分と平行で、その両側に前記アウトラインデータデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の２つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させ、あるいは、スペースないし幅を示す線分と、スペースないし幅を示す線分と平行で、その片側に前記アウトラインデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の１つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させる。
図３（ａ）（イ）のような抽出箇所の場合、図３（ａ）（ロ）のようになり、図３（ｂ）（イ）のような抽出箇所の場合、図３（ｂ）（ロ）のようになり、図３（ｃ）（イ）のような抽出箇所の場合、図３（ｃ）（ロ）のようになる。
そして、判定用図形データに対し、アウトラインデータのアウトライン辺部の辺の長さが、所定値以上であるものを抽出することにより、図３（ａ）（ロ）、図３（ｂ）（ロ）、図３（ｃ）（ロ）の各判定用図形から、図３（ｃ）（ロ）の判定用図形３５４のみを選定することができる。
これにより、ＯＰＣ補正部の大半は除かれる。
これにより選別された箇所について確認を行なうことにより、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタンの箇所を抽出することができる。
【００１５】
尚、ＤＲＣ処理による抽出箇所の確認は、抽出された箇所に図形（例えばＧＤＳデータ）を発生させ、且つ、元のマスク描画データとともに色違いで表示することにより確認できる。
また、擬似欠陥箇所選別処理（Ｓ２４）により得られた箇所についても、その箇所判定用図形を用い、元のマスク描画データとともに色違いで表示することにより確認できる。
【００１６】
このようにして、抽出された微細図形パタンの箇所を、検査機では欠陥としないように、マスキング箇所として登録しておく。（Ｓ１６）
【００１７】
一方、フォトマスクの作製は、以下のように行われる。
先ず、上記マスク描画データを用い、電子ビーム露光装置を用いて、フォトマスク用基板（フォトマスクブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジストに露光描画を行い、潜像を形成する。（Ｓ１２）
次いで、現像処理を行ない、前記潜像に対応したレジストパタンを遮光膜上に形成し、必要に応じて乾燥処理等を施した後、レジストパタンを対エッチングマスクとして遮光膜をエッチングして、遮光膜からなるパタンを形成し、レジストパタン除去、洗浄処理を施して（Ｓ１３）、フォトマスクを得る。（Ｓ１４）
【００１８】
次いで、欠陥検査機にて、元のマスク描画データ（Ｓ１１）を用いて、指定されたマスキング箇所を除き、欠陥検査を行ない（Ｓ１７）、欠陥部を検出する。
（Ｓ１８）
このようにして、フォトマスクパタンの検査により、本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の、微細図形パタンの箇所を欠陥としないで、高検出レベルで欠陥検査を行なうことができる。
尚、本例は１例で、各処理もこれに限定されるものではない。
【００１９】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、フォトマスクの微細化が進む中、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査方法により、ＯＰＣ補正が施された描画され、作製されたフォトマスクを検査する際、データ処理を含め、トータル的に欠陥検査効率の良い検査方法の提供を可能とした。
また、フォトマスクパタンの検査により、本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタンの箇所を、ＯＰＣ補正が施されたマスク描画データから、容易に抽出できる、微細図形パタンの検出方法の提供を可能とし、検査の面ばかりでなく、仕様確認の作業も容易に効率的にできるものとした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフォトマスクパタン欠陥検査方法の実施の形態の１例フロー図
【図２】マスク描画データから擬似欠陥部を選別する擬似欠陥箇所選別処理の１例のフロー図
【図３】図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）は、それぞれ、具体的な図形データに対する処理例を示した図である。
【図４】ＯＰＣ補正を説明するための図
【符号の説明】
３１０、３２０、３３０、３４０ アウトラインデータの図形
３１１、３１２、３１３ マスク描画データの各図形データ
３２１、３２２、３２３、３２４、３２５ マスク描画データの各図形データ
３３１、３３２ マスク描画データの各図形データ
３３０ａ、３４０ａ 辺部
３５１、３５２、３５３、３５４ 判定用図形データ
Claims (2)
- 所定の検査機により、フォトマスクのパタンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパタンの欠陥部を検出するフォトマスクパタン欠陥検査方法であって、描画データである図形パタンデータと、図形パタンデータの描画位置情報である図形パタンデータ配置情報とを含み、且つ、描画データである図形パタンデータにＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正が施されている、マスク描画データから、フォトマスクパタンの検査により本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い微細図形パタンで、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタンを、予め抽出しておき、フォトマスクパタンの検査に際し、前記本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パタン箇所については、欠陥としないものであり、前記ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタン箇所の抽出は、順に、（ａ）マスク描画データから、描画領域全体にわたり、描画される図形パタンのアウトラインデータを得る、アウトライン化処理と、（ｂ）アウトライン化処理により得られたアウトラインデータに対し、アウトライン間の距離チェックないし幅チェックを行ない、アウトライン間の距離ないし幅が指定された距離以下にある、アウトラインデータの箇所を、抽出する、ＤＲＣ（Ｄｅｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）処理と、（ｃ）前記ＤＲＣ処理により抽出された各箇所において、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行である場合には、検出された間隔を形成する対向するアウトライン辺部間に判定用図形データを発生させ、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行でない場合には、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分と平行で、その両側に前記アウトラインデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の２つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させ、あるいは、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分と、該アウトライン間の距離ないし幅を示す線分と平行で、その片側に前記アウトラインデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の１つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させ、判定用図形データの、アウトラインデータのアウトライン辺部の辺の長さが、所定値以上であるものを抽出し、その図形の箇所を、検査の際に欠陥としない擬似欠陥部箇所として選別して抽出する擬似欠陥箇所選別処理とを、行なうものであることを特徴とするフォトマスクパタン欠陥検査方法。
- 描画データである図形パタンデータと、図形パタンデータの描画位置情報である図形パタンデータ配置情報とを含み、且つ、描画データである図形パタンデータにＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正が施されている、マスク描画データから、フォトマスクパタンの検査により本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い微細図形パタンで、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパタン等の微細図形パタンを、予め抽出する、微細図形パタンの検出方法であって、順に、（ａ）マスク描画データから、描画領域全体にわたり、描画される図形パタンのアウトラインデータを得る、アウトライン化処理と、（ｂ）アウトライン化処理により得られたアウトラインデータに対し、アウトライン間の距離チェックないし幅チェックを行ない、アウトライン間の距離ないし幅が指定された距離以下にある、アウトラインデータの箇所を、抽出する、ＤＲＣ（Ｄｅｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）処理と、（ｃ）前記ＤＲＣ処理により抽出された各箇所において、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行である場合には、検出された間隔を形成する対向するアウトライン辺部間に判定用図形データを発生させ、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分がＸ方向ないしＹ方向に平行でない場合には、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分と平行で、その両側に前記アウトラインデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の２つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させ、あるいは、アウトライン間の距離ないし幅を示す線分と、該アウトライン間の距離ないし幅を示す線分と平行で、その片側に前記アウトラインデータの図形とその両端で交差する所定値長さＬ０の１つの線分と、前記アウトラインデータのアウトライン辺とで構成される図形データを判定用図形データとして発生させ、判定用図形データの、アウトラインデータのアウトライン辺部の辺の長さが、所定値以上であるものを抽出し、その図形の箇所を抽出し、これにより、テグパタン等の、本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パタンの箇所を選別する、選別処理とを、行なうものであることを特徴とする微細図形パタンの検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001059551A JP4736206B2 (ja) | 2001-03-05 | 2001-03-05 | フォトマスクパタン欠陥検査方法および微細図形パタンの検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001059551A JP4736206B2 (ja) | 2001-03-05 | 2001-03-05 | フォトマスクパタン欠陥検査方法および微細図形パタンの検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002258463A JP2002258463A (ja) | 2002-09-11 |
| JP4736206B2 true JP4736206B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=18919096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001059551A Expired - Fee Related JP4736206B2 (ja) | 2001-03-05 | 2001-03-05 | フォトマスクパタン欠陥検査方法および微細図形パタンの検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4736206B2 (ja) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7114144B2 (en) | 2002-11-26 | 2006-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mask pattern inspecting method, inspection apparatus, inspecting data used therein and inspecting data generating method |
| US7149999B2 (en) | 2003-02-25 | 2006-12-12 | The Regents Of The University Of California | Method for correcting a mask design layout |
| JP2005026360A (ja) | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Toshiba Corp | フォトマスクの欠陥検査方法、半導体装置の製造方法、およびフォトマスクの製造方法 |
| JP2006039059A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Toshiba Corp | フォトマスクデータの作成方法およびフォトマスクの製造方法 |
| JP4755833B2 (ja) * | 2005-01-18 | 2011-08-24 | 株式会社東芝 | 試料欠陥検査及び試料検査方法 |
| JP4653515B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2011-03-16 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | マスク製造システム及びマスクパターン補正方法 |
| US7730432B1 (en) | 2005-03-30 | 2010-06-01 | Tela Innovations, Inc. | Method and system for reshaping a transistor gate in an integrated circuit to achieve a target objective |
| US7441211B1 (en) | 2005-05-06 | 2008-10-21 | Blaze Dfm, Inc. | Gate-length biasing for digital circuit optimization |
| US8490043B2 (en) | 2005-05-06 | 2013-07-16 | Tela Innovations, Inc. | Standard cells having transistors annotated for gate-length biasing |
| US9009641B2 (en) | 2006-03-09 | 2015-04-14 | Tela Innovations, Inc. | Circuits with linear finfet structures |
| US9230910B2 (en) | 2006-03-09 | 2016-01-05 | Tela Innovations, Inc. | Oversized contacts and vias in layout defined by linearly constrained topology |
| US8541879B2 (en) | 2007-12-13 | 2013-09-24 | Tela Innovations, Inc. | Super-self-aligned contacts and method for making the same |
| US7932545B2 (en) * | 2006-03-09 | 2011-04-26 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor device and associated layouts including gate electrode level region having arrangement of six linear conductive segments with side-to-side spacing less than 360 nanometers |
| US7956421B2 (en) | 2008-03-13 | 2011-06-07 | Tela Innovations, Inc. | Cross-coupled transistor layouts in restricted gate level layout architecture |
| US8225261B2 (en) | 2006-03-09 | 2012-07-17 | Tela Innovations, Inc. | Methods for defining contact grid in dynamic array architecture |
| US8448102B2 (en) | 2006-03-09 | 2013-05-21 | Tela Innovations, Inc. | Optimizing layout of irregular structures in regular layout context |
| US8839175B2 (en) | 2006-03-09 | 2014-09-16 | Tela Innovations, Inc. | Scalable meta-data objects |
| US8225239B2 (en) | 2006-03-09 | 2012-07-17 | Tela Innovations, Inc. | Methods for defining and utilizing sub-resolution features in linear topology |
| US7943967B2 (en) | 2006-03-09 | 2011-05-17 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor device and associated layouts including diffusion contact placement restriction based on relation to linear conductive segments |
| US8653857B2 (en) | 2006-03-09 | 2014-02-18 | Tela Innovations, Inc. | Circuitry and layouts for XOR and XNOR logic |
| US7763534B2 (en) | 2007-10-26 | 2010-07-27 | Tela Innovations, Inc. | Methods, structures and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits |
| US9035359B2 (en) | 2006-03-09 | 2015-05-19 | Tela Innovations, Inc. | Semiconductor chip including region including linear-shaped conductive structures forming gate electrodes and having electrical connection areas arranged relative to inner region between transistors of different types and associated methods |
| US9563733B2 (en) | 2009-05-06 | 2017-02-07 | Tela Innovations, Inc. | Cell circuit and layout with linear finfet structures |
| US8245180B2 (en) | 2006-03-09 | 2012-08-14 | Tela Innovations, Inc. | Methods for defining and using co-optimized nanopatterns for integrated circuit design and apparatus implementing same |
| US7446352B2 (en) | 2006-03-09 | 2008-11-04 | Tela Innovations, Inc. | Dynamic array architecture |
| US8247846B2 (en) | 2006-03-09 | 2012-08-21 | Tela Innovations, Inc. | Oversized contacts and vias in semiconductor chip defined by linearly constrained topology |
| US8658542B2 (en) | 2006-03-09 | 2014-02-25 | Tela Innovations, Inc. | Coarse grid design methods and structures |
| JP4899652B2 (ja) * | 2006-06-12 | 2012-03-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 露光用マスクの検査装置、検査方法、製造方法および露光用マスク |
| US8286107B2 (en) | 2007-02-20 | 2012-10-09 | Tela Innovations, Inc. | Methods and systems for process compensation technique acceleration |
| US7979829B2 (en) | 2007-02-20 | 2011-07-12 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit cell library with cell-level process compensation technique (PCT) application and associated methods |
| US8667443B2 (en) | 2007-03-05 | 2014-03-04 | Tela Innovations, Inc. | Integrated circuit cell library for multiple patterning |
| US7888705B2 (en) | 2007-08-02 | 2011-02-15 | Tela Innovations, Inc. | Methods for defining dynamic array section with manufacturing assurance halo and apparatus implementing the same |
| JP2008299259A (ja) | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスク欠陥判定方法 |
| US8453094B2 (en) | 2008-01-31 | 2013-05-28 | Tela Innovations, Inc. | Enforcement of semiconductor structure regularity for localized transistors and interconnect |
| US7939443B2 (en) | 2008-03-27 | 2011-05-10 | Tela Innovations, Inc. | Methods for multi-wire routing and apparatus implementing same |
| KR101761530B1 (ko) | 2008-07-16 | 2017-07-25 | 텔라 이노베이션스, 인코포레이티드 | 동적 어레이 아키텍쳐에서의 셀 페이징과 배치를 위한 방법 및 그 구현 |
| US9122832B2 (en) | 2008-08-01 | 2015-09-01 | Tela Innovations, Inc. | Methods for controlling microloading variation in semiconductor wafer layout and fabrication |
| JP5282511B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-09-04 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 光近接効果補正パターンの検証方法及びその検証装置 |
| US8661392B2 (en) | 2009-10-13 | 2014-02-25 | Tela Innovations, Inc. | Methods for cell boundary encroachment and layouts implementing the Same |
| JP5344629B2 (ja) * | 2010-04-30 | 2013-11-20 | レーザーテック株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| US9159627B2 (en) | 2010-11-12 | 2015-10-13 | Tela Innovations, Inc. | Methods for linewidth modification and apparatus implementing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08234413A (ja) * | 1995-02-24 | 1996-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクパターン欠陥検査装置及びフォトマスクパターン欠陥検査方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3275425B2 (ja) * | 1993-03-09 | 2002-04-15 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検出装置およびその方法 |
| JP3366686B2 (ja) * | 1993-06-01 | 2003-01-14 | 松下電器産業株式会社 | 光露光用マスクの検査方法 |
| JPH07261372A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | パターン検証方法および検証装置 |
| JPH10187778A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-21 | Fujitsu Ltd | レイアウト図形検証方法及びレイアウト図形検証装置 |
| JP2001014362A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Fujitsu Ltd | 図形検証方法、図形検証装置、及び記録媒体 |
-
2001
- 2001-03-05 JP JP2001059551A patent/JP4736206B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08234413A (ja) * | 1995-02-24 | 1996-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクパターン欠陥検査装置及びフォトマスクパターン欠陥検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002258463A (ja) | 2002-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4736206B2 (ja) | フォトマスクパタン欠陥検査方法および微細図形パタンの検出方法 | |
| US6968527B2 (en) | High yield reticle with proximity effect halos | |
| US8151220B2 (en) | Methods for simulating reticle layout data, inspecting reticle layout data, and generating a process for inspecting reticle layout data | |
| JP4904034B2 (ja) | レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体 | |
| JP4758427B2 (ja) | シミュレーション・プログラムのための入力生成、あるいは、レチクルのシミュレート画像生成のためのコンピュータに実装された方法 | |
| EP1425787B1 (en) | System and method for identfying dummy features on a mask layer | |
| JP2004530143A (ja) | 走査電子顕微鏡におけるプロセス効果および画像化効果をモデリングする装置および方法 | |
| JPH1083069A (ja) | 半導体装置を製造する方法 | |
| US7745069B2 (en) | Structure and methodology for fabrication and inspection of photomasks | |
| US7735055B2 (en) | Method of creating photo mask data, method of photo mask manufacturing, and method of manufacturing semiconductor device | |
| CN104317159A (zh) | 一种掩膜图形缺陷的检测方法及系统 | |
| JP2000250198A (ja) | フォトマスクの自動欠陥検査装置及び方法 | |
| US7665060B2 (en) | Approximating wafer intensity change to provide fast mask defect scoring | |
| US6413688B2 (en) | Plate pattern forming method and its inspecting method | |
| US7930654B2 (en) | System and method of correcting errors in SEM-measurements | |
| JP2005026360A (ja) | フォトマスクの欠陥検査方法、半導体装置の製造方法、およびフォトマスクの製造方法 | |
| US7995199B2 (en) | Method for detection of oversized sub-resolution assist features | |
| JP4562934B2 (ja) | フォトマスクデータのｏｐｃ補正処理の検証方法 | |
| US8233695B2 (en) | Generating image inspection data from subtracted corner-processed design data | |
| US6560767B2 (en) | Process for making photomask pattern data and photomask | |
| US6844118B2 (en) | Method and layout for high density reticle | |
| JP3470369B2 (ja) | 半導体装置の回路パターン設計方法及び直接描画装置 | |
| JP4900045B2 (ja) | フォトマスクの遮光帯作成方法及び遮光帯データ作成装置 | |
| JP4429518B2 (ja) | 描画状態表示装置とフォトマスク描画装置 | |
| Zurbrick et al. | Phase-enhanced DUV inspection of alternating phase-shift reticles |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070912 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101111 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110405 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110418 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4736206 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |