JP4755833B2

JP4755833B2 - 試料欠陥検査及び試料検査方法

Info

Publication number: JP4755833B2
Application number: JP2005010703A
Authority: JP
Inventors: 育直磯村; 徹東條
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2005-01-18
Filing date: 2005-01-18
Publication date: 2011-08-24
Anticipated expiration: 2025-01-18
Also published as: JP2006200944A

Description

本発明は、物体のパターン欠陥を検査する試料検査装置に係わり、特に半導体素子や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を製作するときに使用されるフォトマスク，ウェハ，或いは液晶基板などの極めて小さなパターンの欠陥を検査する試料検査装置及び試料検査方法に関する。

１ギガビット級のＤＲＡＭに代表されるように、大規模集積回路（ＬＳＩ）を構成するパターンは、サブミクロンからナノメータのオーダーになろうとしている。このＬＳＩの製造における歩留まりの低下の大きな原因の一つとして、半導体ウェハ上に超微細パターンをフォトリソグラフィ技術で露光、転写する際に使用されるフォトマスクの欠陥があげられる。特に、半導体ウェハ上に形成されるＬＳＩのパターン寸法の微細化に伴って、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さいものとなっている。このため、このような欠陥を検査する装置の開発が盛んに行われている。

一方、マルチメディア化の進展に伴いＬＣＤは、５００ｍｍ×６００ｍｍ又はこれ以上への液晶基板サイズの大型化と、液晶基板上に形成されるＴＦＴ等のパターンの微細化が進んでいる。従って、極めて小さいパターン欠陥を広範囲に検査することが要求されるようになってきている。このため、このような大面積ＬＣＤのパターン及び大面積ＬＣＤを製作する時に用いられるフォトマスクの欠陥を、短時間で効率的に検査する試料検査装置の開発も急務となってきている。

従来のフォトマスクの欠陥検査装置においては、測定パターンデータと適切なフィルタ処理の施された設計イメージデータ（参照パターンデータ）とを適切なアルゴリズムに従って比較し、一致しない場合には欠陥有りと判定している。しかしながら、この種の装置においては、実際の欠陥と、欠陥ではないものを欠陥と誤判定（疑似欠陥）してしまうものとの区別が難しい。欠陥判定の精度を向上する手法の１つに画素サイズを小さくする方法があるが、画素サイズが小さくなると処理しなければならない総画素数が増大するため、検査時間が長くなってしまうという問題があった。

なお、欠陥を検出した際に、その部分の近傍の設計データを高精度に展開した高精度参照パターンデータを再生成して誤差の再識別を行う方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかし、本発明者らがこのような方法を用いてパターンの欠陥検査を行ったところ、検査精度の十分な向上が得られないケースがあった。
特開２００１−２６６１２６号公報

このように、従来のフォトマスクの欠陥検査装置においては、測定パターンデータと参照パターンデータとの比較により欠陥を検査する際に、検査精度を上げるために被検査領域全面に対して画素サイズを小さくすると、検査時間の増大を招く問題があった。

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、欠陥と疑わしき部分のみの画素サイズを小さくすることによって、検査時間の増大を招くことなく、検査精度の向上をはかり得る試料検査装置及び試料検査方法を提供することにある。

上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を採用している。

即ち、本発明の一態様は、被検査試料のパターン欠陥を検査する試料検査装置において
、短冊状領域に仮想的に分割された被測定試料のパターンを拡大光学系により投影し、所
定の画素サイズで光学的に測定して測定パターンデータを生成する測定パターンデータ生
成部と、設計データに基づいて前記測定パターンデータと比較参照すべき参照パターンデ
ータを生成する参照パターンデータ生成部と、前記測定パターンデータと前記参照パター
ンデータとを比較し、これらの差がしきい値を超えたら欠陥有りと判定する手段と、前記
手段により欠陥有りと判定されたパターン、又は欠陥有りと誤検出され易い光近接効果補
正用パターンに対し、前記拡大光学系の倍率を変更することにより前記画素サイズをより
小さくして、前記欠陥有りと判定されたパターン又は前記光近接効果補正用パターンを含
む前記短冊状領域を連続的に走査することで測定パターンデータを再生成する手段と、前
記再生成した測定パターンデータと前記参照パターンデータとを比較し、これらの差がし
きい値を超えたら欠陥有りと判定する手段と、を具備したことを特徴とする。

また、本発明の別の一態様は、被検査試料のパターン欠陥を検査する試料検査装置にお
いて、短冊状領域に仮想的に分割された被測定試料のパターンを拡大光学系により投影し
、所定の画素サイズで光学的に測定して測定パターンデータを生成する測定パターンデー
タ生成部と、設計パターンに基づいて前記測定パターンデータと比較参照すべき参照パタ
ーンデータを生成する参照パターンデータ生成部と、前記測定パターンデータと前記参照
パターンデータとを比較し、これらの差がしきい値を超えたら欠陥有りと判定する手段と
、前記手段により欠陥有りと判定されたパターン、又は欠陥有りと誤検出され易い光近接
効果補正用パターンに対し、前記拡大光学系の倍率を変更することにより前記画素サイズ
をより小さくして、前記欠陥有りと判定されたパターン又は前記光近接効果補正用パター
ンを含む前記短冊状領域を連続的に走査することで測定パターンデータを再生成すると共
に、前記画素サイズをより小さくして参照パターンデータを再生成する手段と、前記再生
成した測定パターンデータと前記再生成した参照パターンデータとを比較し、これらの差
がしきい値を超えたら欠陥有りと判定する手段と、を具備したことを特徴とする。

また、本発明の別の一態様は、被検査試料のパターン欠陥を検査する試料検査方法にお
いて、短冊状領域に仮想的に分割された被測定試料のパターンを拡大光学系により投影し
、所定の画素サイズで光学的に測定して測定パターンデータを生成する工程と、設計デー
タに基づいて前記測定パターンデータと比較参照すべき参照パターンデータを生成する工
程と、前記測定パターンデータと前記参照パターンデータとを比較し、これらの差がしき
い値を超えたら欠陥有りと判定する工程と、前記欠陥有りと判定された場合、又は欠陥が
誤検出され易い光近接効果補正用パターンと判定された場合、該パターン部分について前
記拡大光学系の倍率変更により前記画素サイズをより小さくして前記短冊状領域を連続的
に走査することで測定パターンデータを再生成し、再生成した測定パターンデータと前記
参照パターンデータとを比較し、これらの差がしきい値を超えたら欠陥有りと判定する工
程と、を含むことを特徴とする。

また、本発明の別の一態様は、被検査試料のパターン欠陥を検査する試料検査装置にお
いて、短冊状領域に仮想的に分割された被測定試料のパターンを拡大光学系により投影し
、所定の画素サイズで光学的に測定して測定パターンデータを生成する工程と、設計パタ
ーンに基づいて前記測定パターンデータと比較参照すべき参照パターンデータを生成する
工程と、前記測定パターンデータと前記参照パターンデータとを比較し、これらの差がし
きい値を超えたら欠陥有りと判定する工程と、前記欠陥有りと判定された場合、又は欠陥
有りと誤検出され易い光近接効果補正用パターンと判定された場合、該パターン部分につ
いて前記拡大光学系の倍率変更により前記画素サイズをより小さくして前記短冊状領域を
連続的に走査することで測定パターンデータを再生成すると共に、前記画素サイズをより
小さくして参照パターンデータを再生成し、再生成した測定パターンデータと参照パター
ンデータとを比較し、これらの差がしきい値を超えたら欠陥有りと判定する工程と、を含
むことを特徴とする。

本発明によれば、欠陥と判定、又は欠陥と誤検出され易いパターンと判定された場合、該パターン部分について画素のサイズをより小さくした測定パターンデータを再生成し、再生成した測定パターンデータと参照パターンデータとを比較判定することにより、全体としては比較的大きい画素サイズで効率良い検査を行いながら、特定の箇所に関して小さい画素サイズで高精度の検査を行うことができる。即ち、欠陥と疑わしき部分のみの画素サイズを小さくすることによって、検査時間の増大を招くことなく、検査精度の向上をはかることができる。

以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わるフォトマスクの欠陥検査装置を示す概略構成図である。

この装置では、フォトマスク１１に形成されたパターンの存在する被検査領域が、図２に示されるような幅Ｗの短冊状の検査ストライプに仮想的に分割され、更にその分割された検査ストライプが連続的に走査されるように、ＸＹθテーブル１２の動作が制御されて検査が実行されることを前提としている。

フォトマスク１１は、水平方向及び回転方向に移動可能に設けられたＸＹθテーブル１２上に載置され、フォトマスク１１に形成されたパターンには適切な光源１３によって光が照射される。フォトマスク１１を透過した光は拡大光学系１４を介して、フォトダイオードアレイ１５に入射する。このとき、拡大光学系１４が制御され、フォトダイオードアレイ１５上には、図２に示されるような仮想的に分割されたパターンの短冊状領域の一部が拡大された光学像として結像される。

フォトダイオードアレイ１５上に結像されたパターンの像は、フォトダイオードアレイ１５によって光電変換され、更にセンサ回路１６によってＡ／Ｄ変換される。これらの光源１３，拡大光学系１４，フォトダイオードアレイ１５，センサ回路１６から高倍率の検査光学系が構成されている。

ＸＹθテーブル１２は、計算機２０の制御の下にテーブル制御回路２２により駆動される。そして、テーブル１２の移動位置はレーザ測長システム１８により測定され、位置回路２６に供給されるものとなっている。また、テーブル１２上のフォトマスク１１は、オートローダ制御回路２１により駆動されるオートローダ１７から搬送されるものとなっている。

センサ回路１６から出力された測定パターンデータは、位置回路２６から出力されたＸＹθテーブル１２上におけるフォトマスク１１の位置を示すデータと共に比較回路２５に送られる。

一方、フォトマスク１１のパターン形成時に用いた設計データは、磁気ディスク３１から制御計算機２０を通して展開回路２３に読み出される。展開回路２３では、読み出された設計データが２値ないしは多値のイメージデータに変換され、このイメージデータが参照回路２４に送られる。参照回路２４は、送られてきた図形のイメージデータに適切なフィルタ処理を施す。これはセンサ回路１６から得られた測定パターンデータは、拡大光学系１４の解像特性やフォトダイオードアレイ１５のアパーチャ効果等によってフィルタが作用した状態にあるため、設計側のイメージデータにもフィルタ処理を施して、測定パターンデータに合わせるためである。

そして、比較回路２５は、測定パターンデータと適切なフィルタ処理の施された設計イメージデータ（参照パターンデータ）とを適切なアルゴリズムに従って比較し、一致しない場合には欠陥有りと判定している。また、図中の３２は磁気テープ装置、３３はフロッピー（登録商標）ディスク、３４はＣＲＴ、３５はパターンモニタ、３６はプリンタを示している。

ここまでの基本構成は従来装置と同様であるが、本実施形態ではこれに加え、画素サイズ切り替え回路２８を有している。この画素サイズ切り替え回路２８では、比較回路２５が欠陥を検出した際に、当該部分のより高分解能（画素サイズを細かくするという意味での）画像を発生させるために、展開回路２３及び参照回路２４並びに拡大光学系１４の倍率変更を実施する機能を有する。

近年、パターンの微細化と共に、光近接効果補正用のパターン（以下ＯＰＣパターン）が多用される傾向にある。このＯＰＣパターンには様々な形状のものがあるが、例えば図３に示すような１次元のＯＰＣパターンが配置されている場合等には、段差部分（図中に破線円で示す）で本来欠陥ではないものを欠陥と誤判定しやすい。しかし、１画素のサイズを小さくすればこのような微細な段差形状等でも誤判定する確率は格段に低減される。これは、図４（ａ）に示すように通常画素サイズで、０．５画素の段差であっても、画素サイズを半分にすれば図４（ｂ）に示すように１画素の段差となり、形状判断が容易になるからである。

ところが、画素サイズを半分にした場合には、検査すべき領域面積が同一であれば、４倍（２×２）の画素数を処理しなければならなくなるわけで、検査時間の増大を招いてしまう。そこで本実施形態では、単純に画素サイズを小さくするのではなく、画素サイズ切り替え回路２８を用い、欠陥と検出されたパターン又は欠陥と検出され易いパターンのみを画素サイズを小さくして測定する。

本実施形態の動作を、図５のフローチャートを参照して説明する。

まず、あるストライプの検査が実行されて（ステップＳ１）、欠陥の有無が判定される（ステップＳ２）。欠陥を検出しなければ、次のストライプに進むことは従来と同様である（ステップＳ３）。

Ｓ２で欠陥を検出した場合には、その検査ストライプの内、当該部分について画素サイズをほぼ半分にした高分解能の設計データ像と測定データ画像を再生成ならびに再取得する（ステップＳ４）。ここで、画素サイズをほぼ半分としているのは、光学系の倍率を厳密に半分にすることは困難だからである。また、半分ではなくて１／３や１／４にすればより高精度な画像が得られることは言うまでもない。

このようにして再生成された高分解能の画像同士を再度比較して本当に欠陥なのか疑似欠陥なのかの判定を行う（ステップＳ５）。ここでも欠陥と判定されたものは、欠陥として登録される（ステップＳ６）。但し、ここで欠陥でないと判定されたものについても第２種欠陥として、履歴は残すようにしておいた方が望ましい（ステップＳ７）。なお、高分解能での比較処理は、検査ストライプ毎に行っても、マスク全面の検査が終わってからまとめてやってもどちらでもよい。

このように本実施形態によれば、欠陥と判定又は欠陥と誤検出され易いパターンと判定された場合、該パターン部分について画素のサイズをより小さくした測定パターンデータ及び参照パターンデータを再生成し、再生成した各パターンデータを比較判定することにより、全体としては比較的大きい画素サイズで効率良い検査を行いながら、特定の箇所に関して小さい画素サイズで欠陥の検査を行うようにしている。従って、欠陥と疑わしき部分のみの画素サイズを小さくすることができ、検査時間の増大を招くことなく、検査精度の向上をはかることができる。

また、通常画素と高分解能画像での２段階比較になっているため、通常画素サイズ時には、予め厳しい感度設定にしておくことも可能となり、装置の有効利用及びトータルでの検査時間短縮も可能となる。

（第２の実施形態）
第１の実施形態では、参照パターンデータと測定パターンデータの両方において、高分解能の画像を再取得することを説明したが、本実施形態では、測定パターンデータのみ高分解能画像を再生成することを説明する。

前記図３に示すようなパターン形状では、通常のパターンと画素サイズ以下の段差等のパターン（ＯＰＣ）とでは、パターンの解像特性が異なり、参照パターンデータと測定パターンデータとで相違が大きくなることがある。このようなパターンでは、ＯＰＣ部分とそうでない部分とをパターンマッチング等で判別して別処理することにより、参照パターンデータと測定パターンデータとの一致度を上げることができる。しかし、ＯＰＣ形状を判断するためには、通常画素サイズでは困難な場合もあり、画素サイズを小さくすることでより正確にパターン形状の認識が可能となる。

なお、本実施形態では、測定パターンデータ側を高分解能化することで参照パターンデータとの一致度を向上させることを説明したが、これに加えて、参照パターンデータ側の画素分解能を上げることで測定パターンデータ側との一致度を向上させることも可能である。

ここで、生成されたパターンデータにＯＰＣ部分により誤差が生じる度合は、参照パターンデータよりも測定パターンデータの方が大きい。従って、欠陥と誤検出され易いパターンに関し、画素サイズを小さくして測定パターンデータを再生成することは極めて有効である。一方、欠陥と誤検出され易いパターンに関し、画素サイズを小さくして参照パターンデータを再生成しても、誤差の大きい測定パターンデータに関してデータの再生成を行わないのでは大きな効果は期待できない。即ち、測定パターンデータに関してのみ画素サイズを小さくするのは有効であるが、参照パターンデータに関してのみ画素サイズを小さくしても必ずしも有効とは言えないのである。

（第３の実施形態）
図６に示すようなライン＆スペースパターン等の線幅異常を検査する場合等に、参照パターンデータ側の量子化誤差が大きいと線幅異常の検出に限界があり、欠陥を検出可能な比較判定しきい値にすると疑似欠陥も検出してしまう。そこで、線幅異常による欠陥を検出した場合には、参照パターンデータ側の誤差起因である場合も考えられるので、展開回路２３で例えば画素サイズが半分の高分解能の画像を再生成する。その後、参照回路２４で４画素分を１画素に再合成することにより、通常画素サイズで出力させる。

このようにすることで、より厳密な線幅の設計データを生成することが可能となり、線幅異常の検査感度向上に寄与することができる。ここで、高分解能の画像のまま比較処理することも可能であるが、半分の画素サイズで比較処理する場合、比較する画素数が４倍になるため、比較処理時間が増大してしまう可能性があるが、比較処理する前に通常の画素サイズに戻すことで比較処理時間の短縮をはかることができる。

一方、検査する前に、疑似欠陥の出やすいＯＰＣ等の形状情報や段差サイズが予め分かっている場合には、展開回路出力のデータから画像認識でこの形状を抽出することは容易である。従って、ＯＰＣパターンと判断した部分については、通常分解能の処理を行うことなく、初めから高分解能の処理を行うようにしてもよい。これにより、更なる効率化をはかることができる。

また、ＯＰＣパターンのような複雑な図形データを表現するためには一般に、設計パターン上で、単位面積当たりの図係数が飛躍的に増大するものである。そこで、単位面積当たりの図形数にしきい値を設けて、これを超える部分については、自動的にＯＰＣパターンと判断して、画素分解能を上げた処理とすることも有効である。

図７は、このようなＯＰＣ検出回路を設けた例を示すブロック図である。展開回路２３の出力（参照パターンデータ）からＯＰＣパターンを検出するための検出回路５１が設けられている。そして、この検出回路５１でＯＰＣが検出されたら、画素のサイズをより小さくした参照パターンデータを再生成するようになっている。

また、センサ回路１６の出力（測定パターンデータ）からＯＰＣパターンを検出するための検出回路５２を設けるようにしてもよい。ＯＰＣパターンには、通常のパターンには存在しない微小段差がある。従って、検出回路５２により測定パターンデータから微小段差の有無を検出し、微小段差がある場合は、画素のサイズをより小さくした測定パターンデータを再生成すればよい。

なお、画素サイズを小さくするのは、第１の実施形態と同様に前記画素サイズ切り替え回路２８の制御の下に行うことができる。また、誤検出され易いパターンの位置が予め分かっている場合、そのパターン位置をオペレータがキーボード等で入力するようにしてもよい。

（第４実施形態）
ここまでは、高分解能の参照パターンデータを再生成する手段は、通常画素サイズで処理する回路を流用することとしてきたが、高分解能での処理と通常画素での処理を両方可能にするため、回路がオーバースペックになってしまう場合が考えられる。

そこで本実施形態では、図８に示すように、高分解能処理する回路５３，５４を専用に持つことにする。即ち、通常の展開回路２３及び参照回路２４とは別に、高分解能の展開回路５３及び参照回路５４が設けられている。高分解能処理をする領域は、検査ストライプ分持つ必要はなく、２０４８画素程度処理できればよいので、通常処理系より簡素化することが可能である。従って、展開回路２３及び参照回路２４をオーバースペックに構成することなく、簡易な構成の高分解能展開回路５３及び高分解能参照回路５４を設けるのみで、高分解能での処理と通常画素での処理を行うことができる。

但しこの場合、比較回路２５の前段に通常の参照回路２４からの入力と高分解能参照回路５４からの入力との切り替え回路５５が新たに必要となる。この切り替え回路５５の切り替えは、画素サイズ切り替え回路２８からの信号に同期して行えばよい。

（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では被検査試料としてフォトマスクの例を説明したが、これに限らず半導体ウェハや液晶基板のパターン欠陥検査に適用することができる。また、拡大光学系の構成や倍率等の条件は、仕様に応じて適宜変更可能である。さらに、高精度データを再生成する際の画素サイズは１／２に限るものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。

その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。

第１の実施形態に係わるフォトマスクの欠陥検査装置を示す概略構成図。フォトマスクの検査ストライプを示す説明図。ＯＰＣパターンの例を示す図。画素サイズを半分にした時の画像を説明する図。第１の実施形態の動作を説明するためのフローチャート。ライン＆スペースパターンの例を説明する図。第３の実施形態を説明するためのもので、ＯＰＣ検出回路を設けた例を示すブロック図。第４の実施形態を説明するためのもので、高分解能処理する展開回路及び参照回路を設けた例を示すブロック図。

符号の説明

１１…フォトマスク（被検査試料）
１２…ＸＹθテーブル
１３…光源
１４…拡大光学系
１５…フォトダイオードアレイ
１６…センサ回路
１７…オートローダ
１８…レーザ測長システム
２０…計算機
２１…オートローダ制御回路
２２…テーブル制御回路
２３…展開回路
２４…参照回路
２５…比較回路
２６…位置回路
２８…画素サイズ切り替え回路
３１…磁気ディスク装置
５１，５２…ＯＰＣ検出回路
５３…高分解能展開回路
５４…高分解能参照回路
５５…切り替え回路

Claims

短冊状領域に仮想的に分割された被測定試料のパターンを拡大光学系により投影し、所
定の画素サイズで光学的に測定して測定パターンデータを生成する測定パターンデータ生
成部と、
設計データに基づいて前記測定パターンデータと比較参照すべき参照パターンデータを
生成する参照パターンデータ生成部と、
前記測定パターンデータと前記参照パターンデータとを比較し、これらの差がしきい値
を超えたら欠陥有りと判定する手段と、
前記手段により欠陥有りと判定されたパターン、又は欠陥有りと誤検出され易い光近接
効果補正用パターンに対し、前記拡大光学系の倍率を変更することにより前記画素サイズ
をより小さくして、前記欠陥有りと判定されたパターン又は前記光近接効果補正用パター
ンを含む前記短冊状領域を連続的に走査することで測定パターンデータを再生成する手段
と、
前記再生成した測定パターンデータと前記参照パターンデータとを比較し、これらの差
がしきい値を超えたら欠陥有りと判定する手段と、
を具備したことを特徴とする試料検査装置。
短冊状領域に仮想的に分割された被測定試料のパターンを拡大光学系により投影し、所
定の画素サイズで光学的に測定して測定パターンデータを生成する測定パターンデータ生
成部と、
設計パターンに基づいて前記測定パターンデータと比較参照すべき参照パターンデータ
を生成する参照パターンデータ生成部と、
前記測定パターンデータと前記参照パターンデータとを比較し、これらの差がしきい値
を超えたら欠陥有りと判定する手段と、
前記手段により欠陥有りと判定されたパターン、又は欠陥有りと誤検出され易い光近接
効果補正用パターンに対し、前記拡大光学系の倍率を変更することにより前記画素サイズ
をより小さくして、前記欠陥有りと判定されたパターン又は前記光近接効果補正用パター
ンを含む前記短冊状領域を連続的に走査することで測定パターンデータを再生成すると共
に、前記画素サイズをより小さくして参照パターンデータを再生成する手段と、
前記再生成した測定パターンデータと前記再生成した参照パターンデータとを比較し、
これらの差がしきい値を超えたら欠陥有りと判定する手段と、
を具備したことを特徴とする試料検査装置。
前記パターンデータを再生成する手段において、前記画素サイズを通常サイズのほぼ半
分にすることを特徴とする請求項１又は２記載の試料検査装置。
前記誤検出され易い光近接効果補正用パターンを前記測定パターンデータから自動検出
する手段を備えたことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の試料検査装置。
前記自動検出する手段は、前記測定パターンデータ内の微小段差の有無を検出し、微小
段差を有する場合に誤検出され易い光近接効果補正用パターンとして検出するものである
ことを特徴とする請求項４記載の試料検査装置。
前記誤検出され易い光近接効果補正用パターンを前記参照パターンデータから自動検出
する手段を備えたことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の試料検査装置。
前記自動検出する手段は、前記設計データに存在する単位面積当たりの図形数が予め指
定されたしきい値を超えた場合に、誤検出され易い光近接効果補正用パターンとして検出
するものであることを特徴とする請求項６記載の試料検査装置。
前記誤検出され易い光近接効果補正用パターンを入力する手段を備えたことを特徴とす
る請求項１〜３の何れかに記載の試料検査装置。
前記参照パターンデータを再生成する手段は、前記参照パターンデータ生成部とは別に
設けられていることを特徴とする請求項２記載の試料検査装置。
短冊状領域に仮想的に分割された被測定試料のパターンを拡大光学系により投影し、所
定の画素サイズで光学的に測定して測定パターンデータを生成する工程と、
設計データに基づいて前記測定パターンデータと比較参照すべき参照パターンデータを
生成する工程と、
前記測定パターンデータと前記参照パターンデータとを比較し、これらの差がしきい値
を超えたら欠陥有りと判定する工程と、
前記欠陥有りと判定された場合、又は欠陥が誤検出され易い光近接効果補正用パターン
と判定された場合、該パターン部分について前記拡大光学系の倍率変更により前記画素サ
イズをより小さくして前記短冊状領域を連続的に走査することで測定パターンデータを再
生成し、再生成した測定パターンデータと前記参照パターンデータとを比較し、これらの
差がしきい値を超えたら欠陥有りと判定する工程と、
を含むことを特徴とする試料検査方法。
短冊状領域に仮想的に分割された被測定試料のパターンを拡大光学系により投影し、所
定の画素サイズで光学的に測定して測定パターンデータを生成する工程と、
設計パターンに基づいて前記測定パターンデータと比較参照すべき参照パターンデータ
を生成する工程と、
前記測定パターンデータと前記参照パターンデータとを比較し、これらの差がしきい値
を超えたら欠陥有りと判定する工程と、
前記欠陥有りと判定された場合、又は欠陥有りと誤検出され易い光近接効果補正用パタ
ーンと判定された場合、該パターン部分について前記拡大光学系の倍率変更により前記画
素サイズをより小さくして前記短冊状領域を連続的に走査することで測定パターンデータ
を再生成すると共に、前記画素サイズをより小さくして参照パターンデータを生成し、再
生成した測定パターンデータと参照パターンデータとを比較し、これらの差がしきい値を
超えたら欠陥有りと判定する工程と、
を含むことを特徴とする試料検査方法。