JP2000250198A - フォトマスクの自動欠陥検査装置及び方法 - Google Patents

フォトマスクの自動欠陥検査装置及び方法

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JP2000250198A
JP2000250198A JP2000047853A JP2000047853A JP2000250198A JP 2000250198 A JP2000250198 A JP 2000250198A JP 2000047853 A JP2000047853 A JP 2000047853A JP 2000047853 A JP2000047853 A JP 2000047853A JP 2000250198 A JP2000250198 A JP 2000250198A
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JP2000047853A
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Steffen Schulze
シュルツェ シュテフェン
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Infineon Technologies North America Corp
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 サブ・グラウンドルールのフィーチャを有し
たフォトマスクの自動欠陥検査方法及び装置を提供す
る。 【解決手段】 本発明の方法は、フォトマスク作製用の
デザインデータセットを作製し、デザインデータセット
中のサブ・グラウンドルールフィーチャを検索し、デザ
インデータセットからサブ・グラウンドルールフィーチ
ャを除去して検査データセットを作成し、デザインデー
タセットに従って作製されたフォトマスクを検査データ
セットを使用して検査するステップを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置、よ
り詳細には改良されたフォトマスクの自動欠陥検査装置
及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいては典型的に
はフォトリソグラフィーにより半導体デバイスの表面領
域にパターンが形成される。半導体製造プロセスでは典
型的には、半導体デバイスの表面にフォトレジスト材が
塗布される。フォトレジストは典型的には紫外光による
露光によりパターン化され、レジスト材が架橋される。
この架橋により、ＵＶ露光により架橋されなかったフォ
トレジスト領域を現像溶解するための現像液との反応が
妨げられる。他方、ＵＶ露光によっても架橋が生じない
フォトレジストもある。
【０００３】フォトレジストはフォトマスクを使用して
パターン化される。フォトマスクはフォトリソグラフィ
ー中、所定領域における光の透過を防ぐ遮蔽として機能
する。フォトマスクは典型的には黒色ないし吸光度の高
い材質から形成された層であり、通常はクロム又はクロ
ム合金であり、フォトレジスト上に投影するパターンデ
ザインに従ってパターン化される。吸光層はガラス又は
石英材料等の基板上に形成される。
【０００４】半導体部品のフィーチャ(feature)寸法が
減少するにつれ、フォトマスクの製造及び品質管理のた
めの検査もますます困難になっている。フォトマスクの
欠陥検査能力はある一定の最小フィーチャ寸法に制限さ
れる。この最小フィーチャ寸法が典型的には、フォトマ
スクを使用して形成するフィーチャの基本寸法（グラウ
ンドルール）であり、マスク倍率が１倍の場合で１５０
ｎｍ、４倍の場合で６００ｎｍである）。
【０００５】フォトマスクは１ミクロン以下の寸法の様
々なフィーチャを含むため、フォトマスクの検査には自
動検査装置が使用される。図１において、測定装置１０
は、測定しようとするフォトマスク１６の位置合わせ用
ステージ１４を有する。フォトマスク１６は所定の光強
度においてエネルギー源１８により照射される。光電デ
バイス又はセンサ２０は反射および／又は透過光強度を
測定し、データを記憶装置２２内に保存する。プロセッ
サ２４は、透過および反射強度に従い正確なフィーチャ
寸法を測定するための計算を行うために使用される。プ
ロセッサ２４は、検査用フォトマスクの強度プロファイ
ルと比較するためのデータの組（データセット）を有す
る。フォトマスクの検査には主として２つの検査システ
ムが使用される。１つはダイ・ツー・ダイ(die-to-die)
法である。ダイ・ツー・ダイ法では、フォトマスクのフ
ィーチャを同じフォトマスクの同様なフィーチャと比較
することにより、欠陥があるかどうかを決定する。典型
的には、検査用フォトマスクとマスタフォトマスクに紫
外レーザ光を透過させる。透過及び／又は反射光の光強
度を測定し、２つのフォトマスクのパターンを比較す
る。第２の方法はダイ・ツー・データベース(die-to-da
tabase)測定法である。プロセッサ２４内には基準デー
タベースコンピュータ（ＲＤＣ）が含まれ、検査用フォ
トマスクとの比較用のディジタル画像を提供する。これ
は、元の回路が正確にフォトマスクに転写されたことを
確認するための最も正確な方法である。レーザビームを
検査用フォトマスクに透過又は該フォトマスクから反射
させ、特定の場所における強度がディジタル画像と比較
される。
【０００６】上記方法はいずれも、狭い寸法のパター
ン、高い光近接効果補正（ＯＰＣ）が行われたパター
ン、位相シフトマスク（ＰＳＭ）等の複雑なレチクルパ
ターンの検査を行うことができる。ＯＰＣでは失われた
光が補償され、正確なパターンを半導体ウェーハ上に形
成することができる。例えば、ＯＰＣを使用しない場
合、光は角部で丸くなる傾向（コーナーラウンディン
グ）があるため、三角形がウェーハ上で楕円に見えるこ
ともあり得る。ＯＰＣはこれを、微小なセリフ（ライ
ン）を角部に付加することにより、コーナーラウンディ
ング又はフィーチャ角部の移動を防ぎ、ウェーハフィー
チャの寸法の正確度を高めている。位相シフトマスクは
フォトマスクを透過する光の位相を変化させ、ウェーハ
上の焦点深度及び解像度を向上させることができる。位
相シフトにより、ウェーハ表面の起伏のライン解像度の
歪みを低減することができる。
【０００７】通常の自動装置では、ある一定の数のグラ
ウンドルール未満（サブ・グラウンドルール）のフィー
チャにより、フォトマスクの検査に失敗を引き起こす場
合がある。サブミクロン単位のフィーチャをシリコンウ
ェーハ上に正しく投影する必要性から、フォトマスク上
にサブ・グラウンドルールのフィーチャが存在する場合
がますます増加すると予想される。
【０００８】１つの例において、トレンチ型ダイナミッ
ク・ランダム・アクセスメモリ（ＤＲＡＭ）設計のため
の能動領域（ＡＡ）の形成において、能動領域マスク
（フォトマスク）が使用される。角部の丸まりによるフ
ィーチャの縮小を打ち消すために、フォトマスク上の設
計フィーチャには非対称的なバイアスが印加される。バ
イアスは、データベースの操作（データベースバイアス
処理）、又はプロセス制御（プロセスバイアス処理）に
よるフィーチャ寸法の縮小又は拡大により行われる。グ
ラウンドルールの減少に従い、これらバイアスは大きく
なる傾向にある。図２にバイアス処理の例を示す。ライ
ン４０のデザインパターンは１７５ｎｍのグラウンドル
ールを有し、長さは１０５０ｎｍにしたい。また、別
の、同じく１０５０ｎｍの長さのライン４２から３５０
ｎｍ離したい。ライン４０と４２の設計長さを達成する
ために、フォトマスク用のデータはライン４０’と４
２’に対しては２００ｎｍのバイアスが与えられる。し
かし、長さを１２５０ｎｍとすると、スペース４４が１
５０ｎｍ、すなわちサブ・グラウンドルールフィーチャ
になる。
【０００９】使用されないセルデザインによっては、上
記バイアスの結果、転写プロセスに使用される個々のフ
ォトマスク上にサブ・グラウンドルールフィーチャがし
ばしば生じる。例えば１５０ｎｍのグラウンドルールの
場合、一定の軸方向の隣接するＡＡフィーチャ間の間隔
は、記憶されたデザイン寸法データにおいては約３００
ｎｍである。一形状当たりの長さバイアスが７５ｎｍ以
上になると、マスク上にサブ・グラウンドルールフィー
チャが生じる（図２参照）。同様の状況は、光近接効果
を補正したデータセットから描かれたマスク内のセリフ
の存在により、及びクロム・オン・グラス（ＣＯＧ）な
いし位相シフトマスク内の補助フィーチャの存在によ
り、起こり得る。
【００１０】図３にはマスクのセリフ５０，５２が示さ
れている。セリフ５０，５２及びライン５３は、それぞ
れライン５４，５６を作るために使用される。その他の
補助フィーチャ、例えば補助フィーチャ５８，６０，６
２を使用して、それぞれ図４に示す構造体６４，６６を
得ることができる。セリフ及び補助フィーチャはしばし
ばフォトマスク上にサブ・グラウンドルールフィーチャ
を生じさせる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】フォトマスク上にこれ
らサブ・グラウンドルールフィーチャが形成されている
と、フォトマスクは欠陥検査できない。従って、フォト
マスク上の必要なサブ・グラウンドルールフィーチャに
よるフォトマスク検査の失敗を防げる欠陥検査装置及び
方法が必要とされている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスク検
査方法によれば、フォトマスクを作るためのデザインデ
ータセットが準備され、デザインデータセット内のサブ
・グラウンドルールフィーチャを検索し、データセット
からサブ・グラウンドルールフィーチャを除去すること
により検査データセットを作成し、デザインデータセッ
トに従い製作されたフォトマスクを検査データセットを
使用して検査する。
【００１３】
【発明の実施の形態】フォトマスクを検査する別の方法
においては、フォトマスクを作製するためのデザインデ
ータセットが準備され、デザインセット内の所定の寸法
基準に合致したサブ・グラウンドルールフィーチャを特
定し、特定されたサブ・グラウンドルールフィーチャを
デザインデータセットから除去することにより検査デー
タセットを作成し、デザインデータセットに従い作製さ
れたフォトマスクを検査データセットと比較するための
検査ツールを準備し、特定されたサブ・グラウンドルー
ルフィーチャは検出しないように検査ツールを調節し、
作製されたフォトマスクを検査データセットを使用して
検査するステップを有する。機械可読のプログラム記憶
装置は機械により実行可能な命令プログラムを具現し、
フォトマスク検査ステップを実行し、前記検査ステップ
は、フォトマスクを作成するためのデザインデータセッ
トを作成し、デザインデータセットの中からサブ・グラ
ウンドルールフィーチャを検索し、データセットからサ
ブ・グラウンドルールフィーチャを除去することにより
検査データセットを作成し、デザインデータセットに従
い作成されたフォトマスクを検査データセットを使用し
て検査するステップを有する。
【００１４】機械によりフォトマスク検査用の各ステッ
プを実行できる別の方法では、サブ・グラウンドルール
フィーチャはサブ・グラウンドルールスペースを含み、
サブ・グラウンドルールフィーチャを除去するステップ
はさらにスペースに隣接するデザインデータセット中の
フィーチャを結合することにより検査データセット内の
スペースを除去するステップを含む。フィーチャ結合ス
テップでは、バイアス処理によりフィーチャが結合され
る。フォトマスクはサブ・グラウンドルールラインを含
み、サブ・グラウンドルールフィーチャを除去するステ
ップはさらに、デザインデータセットからサブ・グラウ
ンドルールラインを除去することにより、検査データセ
ットを得るステップを含むことができる。デザインデー
タセットからサブ・グラウンドルールフィーチャを検索
するステップは、所定のフィーチャ寸法基準に従いサブ
・グラウンドルールフィーチャをデザインデータセット
から検索するステップを含むことができる。デザインデ
ータセットに従い作製されたフォトマスクを検査データ
セットを使用して検査するステップは、検査ツールの感
度を調節してサブ・グラウンドルールフィーチャを検出
しないようにするステップを含むことができる。フォト
マスクを作製するためのデザインデータセットを準備す
るステップは、コンピュータ処理されたフォトマスク作
製用ディジタルパターンを準備することができる。
【００１５】さらに別の方法では、検査データを作成す
るステップはさらに、スペースに隣接するデザインデー
タセット中のフィーチャを結合することにより、検査デ
ータセットからスペースを除去するステップ、及び／又
はデザインデータセットからサブ・グラウンドルールラ
インを除去することにより検査データセットを得るステ
ップを含むことができる。デザインデータセットからサ
ブ・グラウンドルールフィーチャを検索するステップ
は、デザインデータセットから所定のフィーチャ寸法基
準に従ってサブ・グラウンドルールフィーチャを検索す
るステップを含むことができる。
【００１６】
【実施例】本発明は半導体製造ツール、より詳細にはフ
ォトマスクの自動欠陥検査のための改善された装置及び
方法に関する。本発明の方法によれば、実際のフォトマ
スクフィーチャとの比較のための基準として使用される
データセットから、サブ・グラウンドルールフィーチャ
が除去される。本発明はまた、この方法を実施するため
の装置を提供する。１つの実施例では、所定の大きさよ
り小さいフィーチャが検出されないように、検出感度が
低減される。これにより、検査の失敗の原因となるサブ
・グラウンドルールフィーチャの検出が防止され、フォ
トマスクの検査が改善される。本発明の有利な効果は、
フォトマスクフィーチャとの比較用の基準として使用さ
れる検査データセット又はデザインデータセットを操作
することにより得られる。データセットを操作すること
によりフィーチャが結合されサブ・グラウンドルールス
ペースが除去され、また、サブ・グラウンドルールの印
刷形状が除去される。
【００１７】図面において同一の参照番号は同一又は類
似の要素を示す。図５には本発明による装置１００のブ
ロック図が示されている。装置１００は光源１０２を含
む。光源１０２は検査用フォトマスク１０４を透過させ
る光を発生する。フォトマスク１０４は半導体デバイス
のフォトリソグラフィーに使用される形状ないしフィー
チャを含んだパターンを有する。
【００１８】フォトマスク１０４からの反射光及び透過
光それぞれの光強度を測定するためにセンサ１０６が使
用される。透過光及び反射光の強度をプロセッサ１０８
により計算することにより、フォトマスク１０４のフォ
トマスクパターンを読み取る。プロセッサ１０８は強度
データ等を記憶するためのメモリ１１０を含む。メモリ
１１０はまた、検査データセット１１２を含む。検査デ
ータセット１１２はフォトマスク１０４上の形成パター
ンと比較するための検査パターンから構成される。検査
データセット１１２は好適には本発明によるデザインデ
ータセット１１３を使用して作成する。メモリ内にはソ
フトウェアアプリケーション１１４が含まれ、検査を行
うためにプロセッサ１０８により実行される。ステージ
装置又は自動移動装置１１６はプロセッサ１０８により
制御され、光源１０２の照射下においてフォトマスク１
０４を移動させる。光源１０２は好適にはレーザ光源、
より好ましくはエキシマレーザ等の紫外光レーザ光源で
ある。又は、レーザ光源を移動させてフォトマスク１０
４を固定することもできる。ソフトウェアアプリーケー
ション１１４は好適には、フォトマスク１０４のディジ
タル画像を含むデータセット１１２とフォトマスク１０
４自体との間で光強度比較を行う。
【００１９】例えば１ミクロン以下のようにグラウンド
ルールが小さい場合、フォトマスク１０４はフォトマス
ク１０４の作製を改善するためにサブ・グラウンドルー
ルフィーチャを有する。これらのフィーチャにはセリ
フ、ライン、スペース等が含まれる。さらに、コーナー
ラウンディングを打ち消すため、フォトマスクフィーチ
ャにバイアスが与えられ、また、フィーチャに上述のよ
うなサブ・グラウンドルール形状を含めることができ
る。
【００２０】本発明によれば、サブ・グラウンドルール
フィーチャはデータセット１１２から除去され、隣接フ
ィーチャにバイアスを与えることによりスペース内にお
いて結合し、検査からスペースを除去する。
【００２１】図６と７には、本発明におけるデザインパ
ターンと検査パターンにおけるサブ・グラウンドルール
フィーチャが示されている。図６はフォトマスク１０４
上においてスペース１５２により分離された２つのセグ
メント１５０を示す。スペース１５２は寸法“ａ”を有
するサブ・グラウンドルールフィーチャである。好適な
実施例では、セグメント１５０と１５２は、デザインデ
ータセット内ではディジタル値として表される。デザイ
ンデータセットは計算機援用設計（ＣＡＤ）ツールを使
用して、又は実際のフォトマスクの強度マップを作成す
ることにより作成される。ディジタル的に処理された
後、デザインデータセットは本発明に従って操作するこ
とができる。図６のサブ・グラウンドルールフィーチャ
を表すデザインデータは好適には基準データ又はデータ
セット１１２（図５）として使用される。図７では、セ
グメント１５０の長さ方向にバイアスをかけることによ
り、セグメント間のスペース１５２を除去している。セ
グメント１５０を結合した後、データはデータセット１
１２内に記憶され、フォトマスク１０４の検査に使用さ
れる。このようにして、スペース１５２がフォトマスク
１０４の検査中に生じても、欠陥は検出されない。これ
は、データセット１１２からスペース１５２が除去され
ているからである。デザインデータセットを準備する際
にはソフトウェアアプリーケーション１１４（図５）内
の検索アルゴリズムを実行して、補助フィーチャ、セリ
フ等のサブ・グラウンドルールフィーチャを検索するこ
とが好ましい。検索はフィーチャの大きさと領域に基づ
いて行い、特定されたフィーチャを自動的にデータセッ
ト１１２から除去することができる。
【００２２】図８と９には、本発明におけるデザインパ
ターンと検査パターンのサブ・グラウンドルールフィー
チャが示されている。図８に示された２つのセグメント
１５４はフォトマスク１０４上においてスペース１５６
とサブ・グラウンドルールラインセグメント１５８によ
り分離されている。セグメント１５８の大きさは“ｂ”
であり、サブ・グラウンドルールフィーチャである。好
適な実施例では、セグメント１５４、スペース１５６、
及びラインセグメント１５８はデザインデータセット内
ではディジタル的に表される。デザインデータセットは
計算機援用設計ツールを使用して、又は実際のフォトマ
スクの強度マップを作成することにより作成される。デ
ィジタル的に処理された後、デザインデータセットは本
発明に従って操作できる。図８のサブ・グラウンドルー
ルフィーチャを表すデザインデータは好適にはデータセ
ット１１２用の基準データ（図５）として使用される。
図９では、セグメント１５４はそのままの位置に置か
れ、ラインセグメント１５８は除去される。データセッ
ト１１２内のデータは、セグメント１５８の除去に対応
して変更される。このようにして、セグメント１５８が
フォトマスク１０４の検査中に発見されても、欠陥は検
出されない。これは、検査に使用するデータセット１１
２からスペース１５２が除去されるからである。デザイ
ンデータセットを準備する際、ソフトウェアアプリーケ
ーション１１４（図５）内の検索アルゴリズムを使用し
て、補助フィーチャやセリフ等のサブ・グラウンドルー
ルフィーチャを検索するのが好適である。検索はフィー
チャの大きさや領域に基づいて行い、特定されたフィー
チャを自動的にデータセット１１２から除去するように
することができる。いったんフィーチャが特定された
ら、データセット１１２を上述のように変更してフォト
マスク１０４の検査を実行することができる。
【００２３】図１０に示した要素は様々な形式のハード
ウェア、ソフトウェア、又はそれらの組み合わせにより
実現可能である。好適には、これら要素はプロセッサ、
メモリ、及び入力／出力インタフェースを有した、適切
にプログラムされた１つ又は複数の汎用ディジタルコン
ピュータ上のソフトウェア形式で実現される。図１０
は、サブ・グラウンドルールフィーチャを有したフォト
マスクを検査するための本発明による装置及び方法のブ
ロック図である。ブロック２０２では、装置１００（図
５）等のフォトマスク検査用装置が準備される。ブロッ
ク２０４では、フォトマスク用のデザインデータセット
が準備ないし作成され、メモリ内に記憶される。ブロッ
ク２０６では、検索アルゴリズムを、好適にはプロセッ
サを使用したソフトウェアアプリーケーションにより実
行し、サブ・グラウンドルールフィーチャを特定する。
検索アルゴリズムはデザインデータセットから、フォト
マスク内の、特に補助フィーチャとして、又はコーナー
ラウンディング効果を阻止するためのバイアス処理の結
果として設けられた、サブ・グラウンドルールフィーチ
ャを検索する。検索は所定の基準、例えばフィーチャの
領域、フィーチャの最小長さ、又はフィーチャ間の距離
（スペース）等を使用して行うことができる。ブロック
２０８では、特定されたフィーチャはプロセッサによ
り、スペースに関してはバイアス処理を施すことにより
結合され、及び／又はラインないし領域に関しては除去
される。ブロック２１０では、変更された設計データに
基づいて検査データセットが作成される。ブロック２１
２では、検査基準を調節して、デザインデータに従い作
成されたフォトマスク上に存在するサブ・グラウンドル
ールフィーチャが、検査ツール（装置１００）により認
識されないようにする。このようにして、フォトマスク
は、サブ・グラウンドルールフィーチャの寸法に近い基
準まで検査可能となる。ブロック２１４では、デザイン
データを使用して作製された実際のフォトマスクを、装
置１００により、本発明に従いサブ・グラウンドルール
フィーチャを除去するよう変更された検査データに基づ
いて検査する。
【図面の簡単な説明】
【図１】公知のフォトマスク検査装置のブロック図であ
る。
【図２】公知技術によるバイアス処理の一例を示す図で
ある。
【図３】公知技術によるセリフの使用を示す図である。
【図４】公知技術による補助フィーチャの使用を示す図
である。
【図５】本発明によるフォトマスク検査装置のブロック
図である。
【図６】デザインデータセットにおけるフォトマスクフ
ィーチャの拡大上面図であり、本発明に従い除去される
サブ・グラウンドルールのスペースを示している。
【図７】本発明において検査データセットを作成するた
めに、フィーチャを結合してスペースを除去した図６の
フォトマスクフィーチャの拡大上面図である。
【図８】デザインデータセットにおけるフォトマスクフ
ィーチャの拡大上面図であり、本発明に従い除去される
サブ・グラウンドルールのラインを示している。
【図９】本発明に従い検査データセットを作成するため
にラインを除去した図８のフォトマスクフィーチャの拡
大上面図である。
【図１０】本発明に従いフォトマスクを検査するための
装置および方法のブロック／流れ図である。
【符号の説明】
１０ 測定装置 １６，１０４ フォトマスク １８ エネルギ源 ４０，４２，５３，５４，５６ ライン ４４，１５２，１５６ スペース ５０，５２ セリフ ５８，６０，６２ 補助フィーチャ ６４，６６ 構造体 １５０，１５４，１５８ セグメント
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 399035836 1730 Ｎｏｒｔｈ Ｆｉｒｓｔ Ｓｔｒｅ ｅｔ、Ｓａｎ Ｊｏｓｅ、ＣＡ、ＵＳＡ (72)発明者 シュテフェン シュルツェ アメリカ合衆国 ニューヨーク ワッピン ガーズ フォールズ ミナ ドライヴ 44

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フォトマスク作製用のデザインデータセ
    ットを準備し、 前記デザインデータセット内のサブ・グラウンドルール
    フィーチャを検索し、 前記データセットからサブ・グラウンドルールフィーチ
    ャを除去することにより検査データセットを作成し、 デザインデータセットに従い作製されたフォトマスク
    を、検査データセットを使用して検査するステップを有
    した、フォトマスクの検査方法。
  2. 【請求項２】 サブ・グラウンドルールフィーチャはサ
    ブ・グラウンドルールスペースを含み、前記サブ・グラ
    ウンドルールフィーチャを除去するステップがさらに、
    デザインデータセットにおいてスペースに隣接するフィ
    ーチャを結合することにより、検査データセット内にお
    けるスペースを除去するステップを有した、請求項１記
    載の方法。
  3. 【請求項３】 フィーチャを結合するステップにおい
    て、バイアス処理によりフィーチャが結合される、請求
    項２記載の方法。
  4. 【請求項４】 フォトマスクはサブ・グラウンドルール
    ラインを含み、サブ・グラウンドルールフィーチャを除
    去するステップがさらに、検査データセットを得るため
    にデザインデータセットからサブ・グラウンドルールラ
    インを除去するステップを有した、請求項１記載の方
    法。
  5. 【請求項５】 デザインデータセット中のサブ・グラウ
    ンドルールフィーチャを検索するステップが、所定のフ
    ィーチャ寸法基準に従ってデザインデータセット中のサ
    ブ・グラウンドルールフィーチャを検索するステップを
    有する、請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 デザインデータセットに従い作製された
    フォトマスクを検査データを使用して検査するステップ
    が、サブ・グラウンドルールフィーチャを検出しないよ
    うにするため、検査ツールの感度を調節するステップを
    有した、請求項１記載の方法。
  7. 【請求項７】 フォトマスク作成用のデザインデータセ
    ットを準備するステップにおいて、コンピュータにより
    処理されたフォトマスク作成用ディジタルパターンが準
    備される、請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】 フォトマスク作製用のデザインデータセ
    ットを準備し、 前記デザインデータセット中、所定の寸法基準に合致す
    るサブ・グラウンドルールフィーチャを特定し、 デザインデータセットから前記特定されたサブ・グラウ
    ンドルールフィーチャを除去することにより検査データ
    セットを作成し、 デザインデータセットに従い作製されたフォトマスクを
    検査データセットと比較するための検査ツールを準備
    し、 検査ツールを、特定されたサブ・グラウンドルールフィ
    ーチャを検出しないように調節し、 作製されたフォトマスクを検査データセットを使用して
    検査するステップを有したフォトマスク検査方法。
  9. 【請求項９】 サブ・グラウンドルールフィーチャが、
    サブ・グラウンドルールスペースを含み、検査データセ
    ットを作成するステップがさらに、デザインデータセッ
    ト中のスペースに隣接するフィーチャを結合することに
    より検査データセットからスペースを除去するステップ
    を含む、請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 フィーチャを結合するステップにおい
    て、バイアス処理によりフィーチャが結合される、請求
    項９記載の方法。
  11. 【請求項１１】 サブ・グラウンドルールフィーチャが
    サブ・グラウンドルールラインを含み、検査データセッ
    トを作成するステップがさらに、デザインデータセット
    からサブ・グラウンドルールラインを除去することによ
    り検査データセットを作成するステップを有した、請求
    項８記載の方法。
  12. 【請求項１２】 デザインデータセットからサブ・グラ
    ウンドルールフィーチャを検索するステップが、所定の
    フィーチャ寸法基準に従ってデザインデータセットから
    サブ・グラウンドルールフィーチャを検索するステップ
    を含む、請求項８記載の方法。
  13. 【請求項１３】 フォトマスク作製用のデザインデータ
    セットを準備するステップにおいて、コンピュータ処理
    されたフォトマスク作製用ディジタルパターンが準備さ
    れる、請求項８記載の方法。
  14. 【請求項１４】 機械可読なプログラム記憶装置であ
    り、前記装置は命令プログラムを有形物として具現して
    おり、前記命令プログラムは機械によりフォトマスクを
    検査するための方法ステップを実行するために実行可能
    であり、前記方法ステップは以下のステップ：フォトマ
    スクを作製するためのデザインデータセットを準備し、 デザインデータセット中のサブ・グラウンドルールフィ
    ーチャを検索し、 データセットからサブ・グラウンドルールフィーチャを
    除去することにより、検査データセットを作成し、 デザインデータセットに従い作製されたフォトマスク
    を、検査データセットを使用して検査するステップを有
    する、プログラム記憶装置。
  15. 【請求項１５】 サブ・グラウンドルールフィーチャは
    サブ・グラウンドルールスペースを含み、サブ・グラウ
    ンドルールフィーチャを除去するステップがさらに、デ
    ザインデータセット中のスペースに隣接するフィーチャ
    を結合することにより検査データセット内においてスペ
    ースを除去するステップを有した、請求項１４記載の方
    法。
  16. 【請求項１６】 フィーチャを結合するステップにおい
    て、バイアス処理によりフィーチャが結合される、請求
    項１５記載の方法。
  17. 【請求項１７】 フォトマスクはサブ・グラウンドルー
    ルラインを含み、サブ・グラウンドルールフィーチャを
    除去するステップがさらに、デザインデータセットから
    サブ・グラウンドルールラインを除去することにより検
    査データセットを準備するステップを有する、請求項１
    ４記載の方法。
  18. 【請求項１８】 デザインデータセット中のサブ・グラ
    ウンドルールフィーチャを検索するステップが、所定の
    フィーチャ寸法基準に従ってサブ・グラウンドルールフ
    ィーチャをデザインデータセット中から検索するステッ
    プを有した、請求項１４記載の方法。
  19. 【請求項１９】デザインデータセットに従い作製された
    フォトマスクを検査デザインデータセットを使用して検
    査するステップがさらに、サブ・グラウンドルールフィ
    ーチャを検出しないようにするために検査ツールの感度
    を調節するステップを有した、請求項１４記載の方法。
  20. 【請求項２０】 フォトマスク作製用デザインデータセ
    ットを準備するステップにおいて、コンピュータ処理さ
    れたフォトマスク作製用ディジタルパターンが準備され
    る、請求項１４記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014515859A (ja) * 2011-04-26 2014-07-03 ケーエルエー−テンカー コーポレイション データベース駆動型のセルツーセルレチクル検査

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002122978A (ja) * 2000-10-18 2002-04-26 Sony Corp マスクデータの検証方法および検証プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN100447774C (zh) * 2001-11-08 2008-12-31 联华电子股份有限公司 多重供应链的网络光掩膜制作出单系统及其方法
TWI291729B (en) 2001-11-22 2007-12-21 Semiconductor Energy Lab A semiconductor fabricating apparatus
US7133737B2 (en) 2001-11-30 2006-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Program for controlling laser apparatus and recording medium for recording program for controlling laser apparatus and capable of being read out by computer
TWI267145B (en) * 2001-11-30 2006-11-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method for a semiconductor device
US7214573B2 (en) 2001-12-11 2007-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device that includes patterning sub-islands
JP2005533283A (ja) 2002-07-12 2005-11-04 ケイデンス デザイン システムズ インコーポレイテッド コンテクスト特定のマスク書込のための方法及びシステム
US7231628B2 (en) 2002-07-12 2007-06-12 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask inspection
US7302672B2 (en) 2002-07-12 2007-11-27 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask writing
US6746879B1 (en) * 2002-10-02 2004-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Guard filter methodology and automation system to avoid scrap due to reticle errors
US7221788B2 (en) * 2003-07-01 2007-05-22 Infineon Technologies Ag Method of inspecting a mask or reticle for detecting a defect, and mask or reticle inspection system
US7450748B2 (en) * 2003-12-02 2008-11-11 International Business Machines Corporation Mask inspection process accounting for mask writer proximity correction
US8818072B2 (en) * 2010-08-25 2014-08-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Rendered database image-to-inspection image optimization for inspection
CN102519968A (zh) * 2011-11-28 2012-06-27 上海华力微电子有限公司 掩膜板缺陷检测装置
KR102052229B1 (ko) * 2012-03-20 2019-12-04 케이엘에이 코포레이션 레티클 열화를 검출하기 위한 반사맵 및 투과맵의 사용
CN104332422A (zh) * 2014-09-01 2015-02-04 上海华力微电子有限公司 一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法
US11209728B2 (en) * 2018-06-27 2021-12-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Mask and method for fabricating the same
CN112946997A (zh) * 2019-11-26 2021-06-11 长鑫存储技术有限公司 一种光罩修正方法及系统
CN114280067B (zh) * 2021-12-28 2024-05-28 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 一种识别mask破片及裂纹的检测装置及检测方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4247203A (en) * 1978-04-03 1981-01-27 Kla Instrument Corporation Automatic photomask inspection system and apparatus
JPS55110904A (en) * 1979-02-20 1980-08-27 Hajime Sangyo Kk Defect detecting device
US4926489A (en) * 1983-03-11 1990-05-15 Kla Instruments Corporation Reticle inspection system
US4659220A (en) * 1984-10-22 1987-04-21 International Business Machines Corporation Optical inspection system for semiconductor wafers
US5298365A (en) * 1990-03-20 1994-03-29 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
JP3187859B2 (ja) * 1991-05-22 2001-07-16 株式会社日立製作所 マスクのパターンデータ作成方法および製造方法
JPH08234413A (ja) * 1995-02-24 1996-09-13 Mitsubishi Electric Corp フォトマスクパターン欠陥検査装置及びフォトマスクパターン欠陥検査方法
US6048649A (en) * 1998-04-30 2000-04-11 International Business Machines Corporation Programmed defect mask with defects smaller than 0.1 μm

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014515859A (ja) * 2011-04-26 2014-07-03 ケーエルエー−テンカー コーポレイション データベース駆動型のセルツーセルレチクル検査
JP2017096943A (ja) * 2011-04-26 2017-06-01 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 検査装置、コンピュータ装置および検査方法

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