JP4686257B2 - マスク製造システム、マスクデータ作成方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば上述したマスクデータ作成方法は、時系列的につながった一連の処理あるいは操作として表現可能である。したがって、マスクデータ作成方法を図1に示すフォトマスク製造システムで実行するために、CPU300内のプロセッサなどが果たす複数の機能を特定するコンピュータプログラム製品で図10に示したマスクデータ作成方法を実現可能である。ここで、コンピュータプログラム製品は、コンピュータシステムに入出力可能な記録媒体あるいは記録装置等をいう。記録媒体としては、メモリ装置、磁気ディスク装置、光ディスク装置、その他のプログラムを記録することができるような装置が含まれる。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明からは妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
322…光近接効果補正部
326…変換部
350…モジュール選択部
404a, 404b, 404c, …, 404n…演算処理モジュール
Claims (6)
- それぞれ論理演算処理及び算術演算処理をする複数の演算処理モジュールと、
前記複数の演算処理モジュールのいずれかを被選択モジュールとして選択するモジュール選択部と、
前記被選択モジュールを用い、複数の半導体集積回路の蓄積データのうち被覆率において半導体集積回路の被処理データと等価な蓄積データの光近接効果補正に採用された補正情報を用いて、前記被処理データを光近接効果補正する光近接効果補正部と、
光近接効果補正された前記被処理データを前記被選択モジュールを用いてマスクデータに変換する変換部と、
前記マスクデータを読み取り、前記半導体集積回路に対応するマスクパターンをマスク基板上に描画する描画装置
とを備え、
前記光近接効果補正後の前記被処理データに含まれるパターンに微小凹凸が生じた場合、前記光近接効果補正部が、前記被選択モジュールを用いて、前記複数の半導体集積回路の蓄積データのうちデザインルール及び微小凹凸の寸法において前記被処理データと等価な蓄積データのワークアラウンド量でワークアラウンド処理を実施することにより前記パターンに生じた微小凹凸を除去することを特徴とするマスク製造システム。 - 複数の演算処理モジュールのいずれかを被選択モジュールとして選択するステップと、
前記被選択モジュールを用い、複数の半導体集積回路の蓄積データのうち被覆率において半導体集積回路の被処理データと等価な蓄積データの光近接効果補正に採用された補正情報を用いて、前記被処理データを光近接効果補正するステップと、
光近接効果補正された前記被処理データを前記被選択モジュールを用いてマスクデータに変換するステップと、
前記光近接効果補正するステップの後、且つ前記マスクデータに変換するステップの前に、前記光近接効果補正後の前記被処理データに含まれるパターンに微小凹凸が生じた場合、前記被選択モジュールを用いて、前記複数の半導体集積回路の蓄積データのうちデザインルール及び微小凹凸の寸法において前記被処理データと等価な蓄積データのワークアラウンド量でワークアラウンド処理を実施することにより前記パターンに生じた微小凹凸を除去するステップ
とを含むことを特徴とするマスクデータ作成方法。 - 前記複数の蓄積データのうちデザインルールにおいて等価な蓄積データで採用された寸法マージンに基づいて、前記被処理データに含まれるレイアウトパターンの結像可能性を前記被選択モジュールを用いて検査するステップを更に含むことを特徴とする請求項2に記載のマスクデータ作成方法。
- 前記補正情報を前記被処理データに追加するステップを更に含むことを特徴とする請求項2又は3に記載のマスクデータ作成方法。
- 前記検査の結果が不合格となったパターンに対して、前記検査の結果が疑似エラーに該当するか否かを前記被選択モジュールを用いて検査するステップを更に含むことを特徴とする請求項3に記載のマスクデータ作成方法。
- 複数の演算処理モジュールのいずれかを被選択モジュールとして選択するステップと、
前記被選択モジュールを用い、複数の半導体集積回路の蓄積データのうち被覆率において半導体集積回路の被処理データと等価な蓄積データの光近接効果補正に採用された補正情報を用いて、前記被処理データを光近接効果補正するステップと、
光近接効果補正された前記被処理データを前記被選択モジュールを用いて描画装置で読み取り可能なマスクデータに変換するステップと、
前記マスクデータに基づいて、前記描画装置で前記半導体集積回路に対応するマスクパターンをマスク基板上に描画し、フォトマスクを製造するステップと、
前記フォトマスクを用いて前記マスクパターンを製品ウェハ上に塗布された製品レジスト膜に投影し、前記製品レジスト膜に前記マスクパターンに対応する製品用レジストパターンを加工するステップと、
前記光近接効果補正するステップの後、且つ前記マスクデータに変換するステップの前に、前記光近接効果補正された前記被処理データに含まれるパターンに微小凹凸が生じた場合、前記被選択モジュールを用いて、前記複数の半導体集積回路の蓄積データのうちデザインルール及び微小凹凸の寸法において前記被処理データと等価な蓄積データのワークアラウンド量でワークアラウンド処理を実施することにより前記パターンに生じた微小凹凸を除去するステップ
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005152830A JP4686257B2 (ja) | 2005-05-25 | 2005-05-25 | マスク製造システム、マスクデータ作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
US11/440,086 US7530049B2 (en) | 2005-05-25 | 2006-05-25 | Mask manufacturing system, mask data creating method and manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005152830A JP4686257B2 (ja) | 2005-05-25 | 2005-05-25 | マスク製造システム、マスクデータ作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006330287A JP2006330287A (ja) | 2006-12-07 |
JP4686257B2 true JP4686257B2 (ja) | 2011-05-25 |
Family
ID=37552038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005152830A Expired - Fee Related JP4686257B2 (ja) | 2005-05-25 | 2005-05-25 | マスク製造システム、マスクデータ作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7530049B2 (ja) |
JP (1) | JP4686257B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4585926B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2010-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターンレイヤーデータ生成装置、それを用いたパターンレイヤーデータ生成システム、半導体パターン表示装置、パターンレイヤーデータ生成方法、及びコンピュータプログラム |
US7934184B2 (en) * | 2005-11-14 | 2011-04-26 | Takumi Technology Corporation | Integrated circuit design using modified cells |
KR100640434B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2006-11-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 마스크 제작 파일 생성 방법 |
US20080010624A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-10 | Po Huang Lin | Object-oriented layout data model and integrated circuit layout method using the same |
WO2008020265A1 (en) * | 2006-08-16 | 2008-02-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for designing an integrated circuit |
JP4751273B2 (ja) * | 2006-08-17 | 2011-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置 |
JP2008052221A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Toshiba Corp | パターン生成方法及びプログラム |
US7685266B2 (en) * | 2006-09-28 | 2010-03-23 | Intel Corporation | Management of tools that process data to describe a physical layout of a circuit |
KR100780775B1 (ko) * | 2006-11-24 | 2007-11-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 자기 조립 더미 패턴이 삽입된 회로 레이아웃을 이용한반도체 소자 제조 방법 |
JP2008134434A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Toshiba Corp | マスクデータ処理方法、半導体装置の製造方法、及びマスクデータ処理を実行するプログラム |
JP4745256B2 (ja) * | 2007-01-26 | 2011-08-10 | 株式会社東芝 | パターン作成方法、パターン作成・検証プログラム、および半導体装置の製造方法 |
JP5058003B2 (ja) * | 2008-01-25 | 2012-10-24 | 株式会社リコー | フォトマスクデータ検証用半導体セル、半導体チップ、及びフォトマスクデータ検証方法 |
JP5082902B2 (ja) * | 2008-02-07 | 2012-11-28 | 富士通セミコンダクター株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク製造装置及びフォトマスク |
TWI372985B (en) * | 2008-10-27 | 2012-09-21 | Nanya Technology Corp | Matching method of pattern layouts from inverse lithography |
US8191016B2 (en) | 2009-02-23 | 2012-05-29 | Cadence Design Systems, Inc. | System and method for compressed post-OPC data |
JP5572973B2 (ja) * | 2009-03-16 | 2014-08-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | パターン検証方法、検証装置及びプログラム |
US20110047519A1 (en) * | 2009-05-11 | 2011-02-24 | Juan Andres Torres Robles | Layout Content Analysis for Source Mask Optimization Acceleration |
JP5403603B2 (ja) * | 2009-05-28 | 2014-01-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置 |
US8407520B2 (en) * | 2010-04-23 | 2013-03-26 | Ebay Inc. | System and method for definition, creation, management, transmission, and monitoring of errors in SOA environment |
US10365557B2 (en) * | 2013-02-24 | 2019-07-30 | Synopsys, Inc. | Compact OPC model generation using virtual data |
JP2014199625A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 富士通株式会社 | 設計支援装置、設計支援方法及び設計支援プログラム |
US9026955B1 (en) * | 2013-10-11 | 2015-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methodology for pattern correction |
US9411924B2 (en) | 2013-10-11 | 2016-08-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methodology for pattern density optimization |
JP7056254B2 (ja) * | 2017-09-22 | 2022-04-19 | 株式会社Jvcケンウッド | データ生成装置、データ生成方法、及びプログラム |
KR20210030078A (ko) | 2019-09-09 | 2021-03-17 | 삼성전자주식회사 | 광 근접 보정을 수행하는 방법 및 이를 이용한 리소그래피 마스크 제조 방법 |
CN116107154B (zh) * | 2023-04-13 | 2023-09-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0534895A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 製版用画像処理システム |
JP2002055431A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-20 | Hitachi Ltd | マスクデータパターン生成方法 |
JP2002148779A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Toshiba Corp | マスクパターン補正方法、フォトマスク及びマスクパターン補正方法プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2003107664A (ja) * | 2001-09-29 | 2003-04-09 | Toshiba Corp | マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2004117741A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Sony Corp | 描画データの作成方法 |
JP2005316134A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Toshiba Corp | パターン補正方法、パターン補正システム、パターン補正プログラム、マスクの作成方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2007535014A (ja) * | 2003-07-18 | 2007-11-29 | メンター グラフィックス コーポレイション | 製造を容易にする設計 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3934719B2 (ja) * | 1995-12-22 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | 光近接効果補正方法 |
US6425113B1 (en) * | 2000-06-13 | 2002-07-23 | Leigh C. Anderson | Integrated verification and manufacturability tool |
US6964031B2 (en) * | 2001-09-29 | 2005-11-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask pattern generating method and manufacturing method of semiconductor apparatus |
JP3708873B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2005-10-19 | 株式会社東芝 | パターン補正方法および半導体装置の製造方法 |
JP3914085B2 (ja) | 2002-04-11 | 2007-05-16 | 株式会社東芝 | プロセスパラメータの作成方法、プロセスパラメータの作成システム及び半導体装置の製造方法 |
US6783904B2 (en) * | 2002-05-17 | 2004-08-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | Lithography correction method and device |
US7100134B2 (en) * | 2003-08-18 | 2006-08-29 | Aprio Technologies, Inc. | Method and platform for integrated physical verifications and manufacturing enhancements |
JP4488727B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2010-06-23 | 株式会社東芝 | 設計レイアウト作成方法、設計レイアウト作成システム、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及び設計レイアウト作成プログラム |
JP4357287B2 (ja) * | 2003-12-18 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 修正指針の発生方法、パターン作成方法、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法及びプログラム |
US7794897B2 (en) * | 2004-03-02 | 2010-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask pattern correcting method, mask pattern inspecting method, photo mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method |
-
2005
- 2005-05-25 JP JP2005152830A patent/JP4686257B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-05-25 US US11/440,086 patent/US7530049B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0534895A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 製版用画像処理システム |
JP2002055431A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-20 | Hitachi Ltd | マスクデータパターン生成方法 |
JP2002148779A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Toshiba Corp | マスクパターン補正方法、フォトマスク及びマスクパターン補正方法プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2003107664A (ja) * | 2001-09-29 | 2003-04-09 | Toshiba Corp | マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2004117741A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Sony Corp | 描画データの作成方法 |
JP2007535014A (ja) * | 2003-07-18 | 2007-11-29 | メンター グラフィックス コーポレイション | 製造を容易にする設計 |
JP2005316134A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Toshiba Corp | パターン補正方法、パターン補正システム、パターン補正プログラム、マスクの作成方法、および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7530049B2 (en) | 2009-05-05 |
JP2006330287A (ja) | 2006-12-07 |
US20070124718A1 (en) | 2007-05-31 |
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A621 | Written request for application examination |
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