JP3187859B2 - マスクのパターンデータ作成方法および製造方法 - Google Patents

マスクのパターンデータ作成方法および製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスクのパターンデー
タ作成方法、製造方法および位相シフトマスク技術に関
し、特に、半導体装置を構成する所定のパターンの原画
となるマスクパターンのレイアウト設計技術に適用して
有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、通常のマスクにおいては、マスク
基板上に形成されるマスクパターンと、設計者が半導体
ウエハ上に形成しようとするパターンとが同一であっ
た。
【０００３】このため、マスクパターンのデータ作成に
際しては、マスク基板上に形成されるマスクパターンの
データに対して、半導体ウエハ上に形成しようとするパ
ターンの幾何学的ルールおよび電気的ルールが満たされ
ているか否かを検図し、その検図の結果に基づいてマス
クパターンのデータを人手や計算機によって修正しなが
ら設計に見合ったマスクパターンのデータを作成してい
た。
【０００４】なお、レイアウト設計技術につては、例え
ば産業図書、昭和５９年発行、「ＭＯＳＬＳＩ設計入
門」Ｐ２１２〜Ｐ２１４に記載がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、半導
体集積回路装置においては、半導体ウエハ上に形成され
る素子や配線等の寸法が縮小される傾向にある。
【０００６】そして、これに伴って半導体ウエハ上に転
写されるパターンの解像度を向上させることが要求され
ている。
【０００７】半導体ウエハ上に転写されるパターンの解
像度を向上させる技術として、例ば位相シフト法があ
る。
【０００８】位相シフト法は、位相シフトマスクを透過
する光に位相差を与えることにより、透過光相互の干渉
を利用して解像度の向上を図る技術である。
【０００９】ところで、位相シフト法の場合、マスク基
板上に形成されるパターンと、半導体ウエハ上に形成し
ようとするパターンとが部分的に異なる場合がある。こ
れを、図３７〜図４２によって説明する。
【００１０】図３７は、半導体ウエハ上に形成しようと
するパターン５０を示している。パターン５０は、パタ
ーン５０ａ〜５０ｄからなり、そのうちのパターン５０
ａ，５０ｄ間およびパターン５０ｂ，５０ｄ間の寸法
は、例えばｉ線では解像できない0.３５μｍ程度の最小
寸法である。
【００１１】今、仮に、図３８に示すように、マスク基
板上に形成されるパターン５１（５１ａ〜５１ｄ）を、
半導体ウエハ上に形成しようとする図３７に示したパタ
ーン５０と同一形状としたとする。
【００１２】そして、図３９に示すように、そのパター
ン５１のうちのパターン５１ａ，５１ｃ上に、それぞれ
位相シフトパターン膜５２ａ，５２ｂを配置したとす
る。
【００１３】この場合、位相シフトパターン膜５２ａ，
５２ｂが配置されているパターン５１ａ，５１ｃを透過
した光と、位相シフトパターン膜５２ａ，５２ｂが配置
されていないパターン５１ｂ，５１ｄを透過した光とは
互いに位相が逆になるので問題は生じない。
【００１４】ところが、パターン５１ｂを透過した光
と、パターン５１ｄを透過した光とは互いの位相が同一
なので、このままではパターン５１ｂとパターン５１ｄ
との間に不要なパターンが転写されることになる。この
問題は、位相シフトパターン膜５２ａ，５２ｂの配置を
変えただけでは、回避することが不可能である。
【００１５】そこで、この場合には、マスク基板上に形
成されるパターン５１を、例えば次のように変更する。
【００１６】すなわち、図４０に示すように、パターン
５１ｂ，５１ｄ間に、これらのパターン５１ｂ，５１ｄ
を接続するような補助パターン５３ａを配置し、図４１
に示すように、互いに平行に走る三本の配線パターン５
４ａ〜５４ｃからなるパターン５４を形成する。
【００１７】そして、図４２に示すように、パターン５
４のうちのパターン５４ａ，５４ｃ上に、それぞれ位相
シフトパターン膜５２ａ，５２ｂを配置するとともに、
パターン５４ｂ上において補助パターン５３ａ（図４０
参照）を配置した位置に位相シフトパターン膜５２ｃを
配置する。
【００１８】このようにすれば、パターン５４ｂを透過
した光のうち位相シフトパターン膜５２ｃの有る領域と
無い領域とで位相差が生じるので、半導体ウエハ上に、
図３７に示したパターン５０を転写することができる。
【００１９】このように位相シフトマスクの場合は、マ
スク基板上に形成されるパターン５４と、半導体ウエハ
上に形成しようとするパターン５０とが部分的に異な
る。
【００２０】ところで、前記したように従来は、マスク
基板上に形成されるパターンと、半導体ウエハ上に形成
しようとするパターンとが等しいことを前提として、マ
スク基板上に形成されるパターンのデータに対して、半
導体ウエハ上に形成しようとしているパターンの幾何学
的ルールや電気的ルール等が満たされるか否かの検図を
行っている。
【００２１】ところが、その従来の検図方法を、位相シ
フトマスクのマスクパターンのデータ作成に適用しよう
とすると、例えば図４２に示したマスク基板上のパター
ン５４ｂは正しいにもかかわらず、短絡と判定されてし
まう。半導体ウエハ上ではこのパターンは、分離されて
いなければならないからである。
【００２２】すなわち、従来は、例えば位相シフトマス
クのように、マスク基板上に形成されるパターンと、半
導体ウエハ上に形成しようとするパターンとが異なる場
合、そのマスクパターンのデータ作成に際して検図がで
きない問題があった。
【００２３】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、位相シフトマスクのパターンデー
タの良否を検査できる技術を提供することにある。
【００２４】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００２６】すなわち、第一の発明は、マスク基板上に
マスクパターンと位相シフトパターンとを有するマスク
のパターンデータを作成する際に、前記パターンデータ
を実パターンのデータを有する実パターンデータ層と、
補助パターンのデータを有する補助パターンデータ層
と、位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパ
ターンデータ層とに分けてレイアウトする工程と、前記
実パターンのみの良否を検査し、その実パターンが良と
なるまで検査および修正を繰り返す第一検査工程と、前
記第一検査工程を経て作成された実パターン、補助パタ
ーンおよび位相シフトパターンの合成パターンによって
基板上に転写されると想定される予想パターンのデータ
を作成する工程と、前記予想パターンと前記第一検査工
程後の実パターンとを比較し、それらが一致するまで検
査および修正を繰り返す第二検査工程とを有するマスク
のパターンデータ作成方法とするものである。
【００２７】第二の発明は、前記位相シフトパターンデ
ータ層を二以上のデータ層に分けるマスクのパターンデ
ータ作成方法とするものである。
【００２８】
【作用】上記した第一の発明によれば、位相シフトマス
クのパターンデータを実パターンデータ層、補助パター
ンデータ層および位相シフトパターンデータ層に分け、
実パターンのみを検図することにより、従来の検査方法
をそのまま用いて、位相シフトマスクのパターンのレイ
アウト設計によって作成された実パターンの良否を判定
することができる。
【００２９】そして、その検図後の実パターンと、補助
パターンと、位相シフトパターンとの合成パターンを作
成し、その合成パターンによって半導体ウエハ等の上に
形成されると想定される予想パターンを作成し、その予
想パターンと検図後の実パターンとを比較することによ
り、位相シフトマスクの補助パターンおよび位相シフト
パターンの良否を判定することができる。
【００３０】上記した第二の発明によれば、例えば位相
シフトパターンデータ層内のパターンデータを図形演算
処理の違い等によってさらに分離することにより、分離
されたデータ層を独立して処理することができるので、
データ処理を容易にすることができる。
【００３１】
【実施例１】図１は本発明の一実施例であるマスクのパ
ターンデータ作成方法を説明するフロー図、図２はその
パターンデータ作成工程中におけるレイアウト層のデー
タ格納状態を説明する説明図、図３は半導体ウエハ上に
転写しようとするパターンの例を示す要部平面図、図４
はそのパターンデータ作成工程中におけるレイアウト層
のデータ格納状態を説明する説明図、図５および図６は
パターンデータ層に格納された各々のパターンデータの
例を模式的に示す説明図、図７〜図９および図１５は図
３のパターンを形成する場合の予想パターンと実パター
ンとの比較工程を説明する説明図、図１０はマスク基板
上に形成されたマスクパターンの要部平面図、図１１は
図１０のＡ−Ａ線の断面図、図１２および図１６はブロ
ードン処理を説明するための説明図、図１３および図１
７は図３のパターンを形成するためのマスクパターンお
よび位相シフトパターンの要部平面図、図１４は図１３
のＢ−Ｂ線の断面図、図１８は図１７のＣ−Ｃ線の断面
図である。
【００３２】本実施例１のマスクのパターンデータ作成
方法は、例えば位相シフトマスクのパターンデータ作成
方法である。なお、マスクには、レチクルも含むとす
る。
【００３３】図２は、本実施例１の位相シフトマスクの
パターンデータ作成工程中におけるレイアウト層１のデ
ータ格納状態を示している。
【００３４】図２に示すように、レイアウト層１は、複
数のパターンデータ層２〜５に分けられている。
【００３５】なお、この段階では、パターンデータ層２
〜５の一つが、一枚の位相シフトマスクを製造するため
のデータ層になっている。
【００３６】また、例えばパターンデータ層３は、デー
タ処理の必要に応じてパターンデータ層３ａ，３ｂに分
離されている。また、例えばパターンデータ層４も、デ
ータ処理の必要に応じてパターンデータ層４ａ，４ｂに
分離されている。
【００３７】このような状態から本実施例１において
は、例えば以下のようにする。なお、以下の説明では、
半導体ウエハ（図示せず）上に図３に示す配線パターン
６ａ〜６ｄを転写する場合を例として、本実施例１の位
相シフトマスクのパターンデータ作成方法を図１のステ
ップに沿って図３〜図１８により説明する。
【００３８】まず、本実施例１においては、図４に示す
ように、パターンデータ層２，３ａ，３ｂ，４ａ，４
ｂ，５を実パターンデータ層７、補助パターンデータ層
８および位相シフトパターン層９に分けてレイアウトす
る（１０１）。
【００３９】実パターンデータ層７は、半導体ウエハ上
に形成しようとしているパターンと同一形状の実パター
ンのデータが格納されるデータ層である。
【００４０】また、補助パターンデータ層８は、半導体
ウエハには転写されないが、半導体ウエハ上のパターン
を形成する上で必要となる補助パターンのデータが格納
されるデータ層である。
【００４１】さらに、位相シフトパターンデータ層９
は、透過する光に位相差を生じさせるための位相シフト
パターンのデータが格納されるデータ層である。
【００４２】例えば図３に示した配線パターン６ａ〜６
ｄを形成する場合には、実パターンデータ層７ａ、補助
パターンデータ層８ａおよび位相シフトパターンデータ
層９ａに、例えば図５に示すような実パターンＦ1 、補
助パターンＨ1 および位相シフトパターンＳのデータが
それぞれ格納されていることが望ましい。
【００４３】また、本実施例１においては、例えば図４
および図６に示すように、位相シフトパターンデータ層
９ａが、第一、第二位相シフトパターンデータ層９
ａ1 ，９ａ2 に分けられている。
【００４４】その理由は、図６の第一位相シフトパター
ンＳ1 と、第二位相シフトパターンＳ2 とでは、ブロー
ドン量が異なるからである。ブロードン量は、マスク寸
法と図面寸法との差であり、データ上のパターンの拡大
縮小量である。
【００４５】すなわち、第一、第二位相シフトパターン
Ｓ1,Ｓ2 は、それぞれ拡大寸法量または拡大の仕方等が
異なるので、データ層を分け、個々独立して処理可能に
した方が処理し易いからである。
【００４６】例えば第一位相シフトパターンＳ1 は、全
体を等方的に拡大しても良い。しかし、第二位相シフト
パターンＳ2 は、図６の横方向と縦方向とで拡大寸法量
が異なる場合がある。
【００４７】これは、図６の第二位相シフトパターンＳ
2 の横方向の寸法は、マスクパターンとの合わせ余裕を
見越して設定するのに対し、その縦方向の寸法は、図３
に示したパターン６ｂ，６ｄの間の寸法に基づいて設定
するからである。
【００４８】ただし、ブロードンは、実パターンデータ
層７ａからオンラインで引き出された実パターンを第一
位相シフトパターンＳ1 としてレイアウトし、正しい位
相シフトパターンＳを作成した後、その正しい位相シフ
トパターンＳのデータに基づいて位相シフトパターンの
描画データを作成する際にかける方が良い。その方が無
駄を省くことが可能となるからである。
【００４９】このような実パターンデータ層７、補助パ
ターンデータ層８および位相シフトパターンデータ層９
のパターンデータは、個々独立して処理可能になってい
るとともに、合成可能にもなっている。
【００５０】そして、その合成パターン等は、ディスプ
レイ（図示せず）等に表示され、目視可能になってい
る。
【００５１】続いて、実パターンデータ層７の実パター
ンのデータのみに対して、従来方法と同様にして、幾何
学的ルールおよび電気的ルール等が満足されているか否
かを検図する（１０２）。
【００５２】そして、それが満足されていない場合は、
満足されるまで、実パターンのデータの修正および検図
を繰り返す。
【００５３】なお、検図の結果、不適格な箇所は、上記
したディスプレイ上に表示されるようになっている。
【００５４】また、実パターンの修正によって補助パタ
ーンや位相シフトパターンのデータも修正する必要が生
じた場合は、それらの修正も行う。
【００５５】一方、検図に合格した場合は、その検図お
よび修正工程を経て得られた正しい実パターンのデータ
と、補助パターンのデータと、位相シフトパターンのデ
ータとを合成し、その合成パターンのデータに基づいて
半導体ウエハ上に転写されると予想される予想パターン
のデータを作成する（１０３）。
【００５６】続いて、その予想パターンのデータと、上
記検査および修正工程を経て得られた正しい実パターン
のデータとを比較する（１０４）。
【００５７】ここで、予想パターンのデータと実パター
ンのデータとが一致しなかった場合は、一致するまでパ
ターンデータの修正および検図を繰り返す。
【００５８】例えば図７に示す実パターンＦ1 、補助パ
ターンＨ1 および位相シフトパターンＳのデータが作成
されたとする。すなわち、本来あるべき第二位相シフト
パターンが無い場合である。この場合、次のようなデー
タ処理を行う。
【００５９】まず、例えば実パターンＦ1 と補助パター
ンＨ1 との合成パターンＳＹ2 のデータと、第一位相シ
フトパターンＳ1 と第二位相シフトパターンとの合成パ
ターンＳＹ3 のデータとから合成パターンＳＹ4 のデー
タを作成する。
【００６０】続いて、合成パターンＳＹ4 のデータに基
づいて、同図に示すような予想パターンＥＸ1 のデータ
を作成し、その予想パターンＥＸ1 のデータと実パター
ンＦ1 のデータとを比較する。
【００６１】この場合は、予想パターンＥＸ1 のデータ
と実パターンＦ1 のデータとが一致しないので、補助パ
ターンＨ1 および位相シフトパターンＳのいずれか一方
または両方に誤りがあると判定できる。ここでは、第二
位相シフトパターンに誤りがあるので、それを修正す
る。
【００６２】また、図８に示すように、補助パターンが
無い場合は、位相シフト法の定義に反するので、実パタ
ーン、補助パターンおよび位相シフタパターンの合成パ
ターンのデータも予想パターンのデータも発生させな
い。
【００６３】ここでは、補助パターンおよび第一位相シ
フトパターンのデータに誤りがあるので、それを修正す
る。
【００６４】一方、予想パターンのデータと実パターン
のデータとが一致した場合は、実パターンと補助パター
ンとの合成パターンのデータに基づいてマスクパターン
の描画データを作成するとともに、第一、第二の位相シ
フトパターンの合成パターンに基づいて位相シフトパタ
ーンの描画データを作成する（１０５）。
【００６５】そして、それらの描画データにより、マス
ク基板上にマスクパターンおよび位相シフトパターンを
フォトリソグラフィ技術によってパターン形成し、位相
シフトマスクを製造する（１０６）。
【００６６】例えば図９に示す実パターンＦ1 、補助パ
ターンＨ1 および位相シフトパターンＳのデータが作成
されたとする。すなわち、図５に示した望ましい状態で
ある。この場合は、次のようなデータ処理を行う。
【００６７】まず、実パターンＦ1 と補助パターンＨ1
との合成パターンＳＹ2 のデータと、第一位相シフトパ
ターンＳ1 と第二位相シフトパターンＳ2 との合成パタ
ーンＳＹ5 のデータとから合成パターンＳＹ6 のデータ
を作成する。
【００６８】続いて、合成パターンＳＹ6 のデータに基
づいて作成された予想パターンＥＸ2 のデータと、実パ
ターンＦ1 のデータとを比較する。
【００６９】この場合は、予想パターンＥＸ2 のデータ
と、実パターンＦ1 のデータとが一致するので、補助パ
ターンＨ1 および位相シフトパターンＳのデータが正し
いと判定できる。
【００７０】そこで、実パターンＦ1 と補助パターンＨ
1 との合成パターンＳＹ2 のデータに基づいてマスクパ
ターンの描画データを作成する。
【００７１】そして、その作成されたマスクパターンの
描画データに基づいて、図１０，図１１に示すようなマ
スクパターン１０をフォトリソグラフィ技術等によって
マスク基板１１上に形成する。
【００７２】マスクパターン１０は、斜線で示す遮光領
域１０ａと、透過領域１０ｂとをマスク基板１１上に形
成するパターンである。遮光領域１０ａは、例えばクロ
ム（Ｃｒ）等からなる。また、マスク基板１１は、例え
ば石英等からなる。
【００７３】また、第一、第二位相シフトパターンＳ1
，Ｓ2 の合成パターンＳＹ5 のデータに基づいて位相
シフトパターンの描画データを作成する。
【００７４】位相シフトパターンの描画データを作成す
る際には、図１２に示すように、第一、第二位相シフト
パターンＳ1 ，Ｓ2 のデータに対してそれぞれ異なる量
のブロードンをかけてからそれらのパターンデータを合
成し、その合成パターンＳＹ7 のデータに基づいて位相
シフトパターンの描画データを作成する。
【００７５】そして、作成された位相シフトパターンの
描画データに基づいて、例えば図１３および図１４に示
すような位相シフトパターン膜１２ａをフォトリソグラ
フィ技術等によってマスク基板１１上の所定の位置に形
成し、位相シフトマスク１３を製造する。
【００７６】なお、位相シフトパターン膜１２ａの有無
を反転させてマスク基板１１上に配置することも可能で
ある。
【００７７】また、例えば図１５に示す実パターンＦ1
、補助パターンＨ1 および位相シフトパターンＳのデ
ータが作成された場合も、上記と同様の処理を行うと、
予想パターンＥＸ2 のデータと実パターンＦ1 のデータ
とが一致する。
【００７８】そこで、この場合も、実パターンＦ1 と補
助パターンＨ1との合成パターンＳＹ2 のデータに基づ
いてマスクパターンの描画データを作成する。
【００７９】また、第一、第二位相シフトパターンＳ1
，Ｓ2 の合成パターンＳＹ８のデータに基づいて位相
シフトパターンの描画データを作成する。
【００８０】この場合も位相シフトパターンの描画デー
タを作成する際に、図１６に示すように、第一、第二位
相シフトパターンＳ1 ，Ｓ2 のデータに対してそれぞれ
異なる量のブロードンをかけてからそれらのパターンデ
ータを合成し、その合成パターンＳＹ9 のデータに基づ
いて位相シフトパターンの描画データを作成する。
【００８１】そして、作成されたマスクパターンの描画
データおよび位相シフトパターンの描画データに基づい
て、例えば図１７および図１８に示すようなマスクパタ
ーン１０および位相シフトパターン膜１２ｂをフォトリ
ソグラフィ技術等によってマスク基板１１上に形成し、
位相シフトマスク１３を製造する。
【００８２】なお、位相シフトパターン膜１２ｂの有無
を反転させてマスク基板１１上に配置することも可能で
ある。
【００８３】このように本実施例１によれば、以下の効
果を得ることが可能となる。
【００８４】(1).位相シフトマスクのレイアウト層１を
実パターンデータ層７、補助パターンデータ層８および
位相シフトパターンデータ層９に分離し、実パターンの
データのみの良否を検図することにより、位相シフトマ
スクのパターンデータのうちの実パターンのデータの良
否を従来の検査方法をそのまま用いて判定することがで
きる。
【００８５】そして、その検図後の実パターンと、補助
パターンと、位相シフトパターンとの合成パターンのデ
ータを作成し、その合成パターンによって半導体ウエハ
上に形成されると予想される予想パターンのデータを作
成し、その予想パターンのデータと検図後の実パターン
のデータとを比較することにより、位相シフトマスクの
補助パターンおよび位相シフトパターンのデータの良否
を判定することができる。
【００８６】したがって、位相シフトマスクのパターン
データの良否を検査することが可能となる。
【００８７】(2).上記(1) により、位相シフトマスク１
３のパターンデータの信頼性を向上させることが可能と
なる。
【００８８】(3).パターンデータ層内のパターンデータ
を、例えばブロードン等のような図形演算処理の違いに
よってさらに分離することにより、分離されたデータを
独立して処理することができるので、データ処理を容易
にすることができ、計算機等による自動処理を促進させ
ることが可能となる。
【００８９】
【実施例２】図１９は本発明の他の実施例であるマスク
のパターンデータ作成方法を説明するための半導体ウエ
ハ上に転写しようとするパターンの要部平面図、図２０
〜図２４は図１９のパターンを形成する場合の予想パタ
ーンと実パターンとの比較工程を説明するための説明
図、図２５は図１９のパターンを形成するためのマスク
パターンおよび位相シフトパターンの要部平面図、図２
６は図２５のＤ−Ｄ線の断面図である。
【００９０】本実施例２においては、例えば半導体ウエ
ハ上に図１９に示す配線パターン６ｅ，６ｆを転写する
場合を例として、マスクのパターンデータ作成方法を図
１のステップに沿って図１９〜図２６により説明する。
【００９１】ただし、本実施例２においては、配線パタ
ーン６ｅ，６ｆが、例えばｉ線で充分解像可能な線幅１
μｍ程度のパターンであり、配線パターン６ｅ，６ｆの
間隔が、例えば0.３５μｍ程とする。
【００９２】なお、この場合は、補助パターンが無くて
も良いので、本実施例２においては、補助パターンが無
い場合の例について説明する。
【００９３】また、本実施例２においては、図１のステ
ップ１０１からステップ１０２まで、前記実施例１と同
様なので、図１のステップ１０３から説明する。
【００９４】例えば図２０に示す実パターンＦ2 および
位相シフトパターンＳ3 のデータが作成されたとする。
すなわち、位相シフトパターンＳ3 に欠けがある場合で
ある。この場合、次のようなデータ処理を行う。
【００９５】まず、前記実施例１と同様に、実パターン
Ｆ2 および位相シフトパターンＳ3の合成パターンＳＹ1
0のデータに基づいて作成された予想パターンＥＸ3 の
データと、実パターンＦ2 のデータとを比較する（１０
３，１０４）。
【００９６】この場合は、予想パターンＥＸ3 のデータ
と実パターンＦ2 のデータとが一致しないので、位相シ
フトパターンＳ3 に誤りがあると判定できる。そこで、
ここでは、位相シフトパターンＳ3 を修正する。
【００９７】また、例えば図２１に示す実パターンＦ2
および位相シフトパターンＳ4 のデータが作成されたと
する。すなわち、実パターンＦ2と全く同一の位相シフ
トパターンＳ4 が作成された場合である。
【００９８】この場合は、位相シフト法の定義に反する
ので、予想パターンを発生させない。また、図２２に示
すように、位相シフトパターンが全く無い場合も位相シ
フト法の定義に反するので、予想パターンを発生させな
い。これらの場合には、位相シフトパターンを修正す
る。
【００９９】一方、例えば図２３または図２４に示す実
パターンＦ2 および位相シフトパターンＳ5 のデータが
作成され場合は、予想パターンＥＸ4 のデータと、実パ
ターンＦ2 のデータとを比較すると一致するので、位相
シフトパターンＳ5 は正しいと判定できる（１０３，１
０４）。
【０１００】そこで、この場合は、実パターンＦ2 のデ
ータに基づいて、マスクパターンの描画データを作成
し、かつ、位相シフトパターンＳ5 のデータに基づいて
位相シフトパターンの描画データを作成する（１０
５）。
【０１０１】なお、位相シフトパターンの描画データを
作成する際には、前記実施例１と同様、位相シフトパタ
ーンＳ5 のデータに対して所定量のブロードンをかけ
る。
【０１０２】そして、作成されたマスクパターンの描画
データおよび位相シフトパターンの描画データに基づい
て、例えば図２５および図２６に示すようなマスクパタ
ーン１０および位相シフトパターン膜１２ｃをフォトリ
ソグラフィ技術等によってマスク基板１１上に形成し、
位相シフトマスク１３を製造する（１０６）。
【０１０３】なお、位相シフトパターン膜１２ｃの有無
を反転させてマスク基板１１上に配置することも可能で
ある。
【０１０４】以上、本実施例２によれば、前記実施例１
と同様の効果を得ることが可能となる。
【０１０５】
【実施例３】図２７は本発明の他の実施例であるマスク
のパターンデータ作成方法を説明するための半導体ウエ
ハ上に転写しようとするパターンの要部平面図、図２８
〜図３０は図２７のパターンを形成する場合の予想パタ
ーンと実パターンとの比較工程を説明するための説明
図、図３１および図３４は図２７のパターンを形成する
ためのマスクパターンおよび位相シフトパターンの要部
平面図、図３２は図３１のＥ−Ｅ線の断面図、図３５は
図３４のＫ−Ｋ線の断面図である。
【０１０６】本実施例３においては、例えば半導体ウエ
ハ上に図２７に示す接続孔パターン１４を転写する場合
を例として、マスクのパターンデータ作成方法を図１の
ステップに沿って図２７〜図３５により説明する。
【０１０７】なお、本実施例３においては、図１のステ
ップ１０１からステップ１０２まで、前記実施例１と同
様なので、図１のステップ１０３から説明する。
【０１０８】例えば図２８に示す実パターンＦ3 、補助
パターンＨ2 および位相シフトパターンＳ6 のデータが
作成されたとする。すなわち、位相シフトパターンＳ6
の一部に欠けがある場合である。
【０１０９】この場合は、位相シフト法の定義に反する
ので、予想パターンを発生させない。また、例えば図２
９に示すように、位相シフトパターンが全く無い場合も
位相シフト法の定義に反するので、予想パターンを発生
させない。そこで、これらの場合は、位相シフトパター
ンを修正する。
【０１１０】一方、例えば図３０に示す実パターンＦ3
、補助パターンＨ2 および位相シフトパターンＳ6 の
データが作成されたとする。
【０１１１】この場合は、予想パターンＥＸ5 のデータ
と、実パターンＦ2 のデータとを比較すると一致するの
で、補助パターンＨ2 および位相シフトパターンＳ6 ，
Ｓ7は正しいと判定できる（１０３，１０４）。
【０１１２】そこで、この場合は、実パターンＦ3 と補
助パターンＨ2との合成パターンのデータに基づいてマ
スクパターンの描画データを作成し、かつ、位相シフト
パターンＳ7 のデータに基づいて位相シフトパターンの
描画データを作成する（１０５）。
【０１１３】なお、位相シフトパターンの描画データを
作成する際には、前記実施例１と同様、位相シフトパタ
ーンＳ7 のデータに対して所定量のブロードンをかけ
る。
【０１１４】そして、作成されたマスクパターンの描画
データおよび位相シフトパターンの描画データに基づい
て、例えば図３１および図３２に示すようなマスクパタ
ーン１０および位相シフトパターン膜１２ｄをフォトリ
ソグラフィ技術等によってマスク基板１１上に形成し、
位相シフトマスク１３を製造する（１０６）。
【０１１５】なお、位相シフトパターン膜１２ｄの有無
を反転させてマスク基板１１上に配置することも可能で
ある。
【０１１６】また、例えば図３３に示す実パターンＦ3
、補助パターンＨ2 および位相シフトパターンＳ8 の
データが作成された場合も、予想パターンＥＸ5 のデー
タと、実パターンＦ2 のデータとを比較すると一致する
（１０３，１０４）。
【０１１７】そこで、この場合も、実パターンＦ3 と補
助パターンＨ2 との合成パターンのデータに基づいてマ
スクパターンの描画データを作成し、かつ、位相シフト
パターンＳ8 のデータに基づいて位相シフトパターンの
描画データを作成する（１０５）。
【０１１８】そして、作成されたマスクパターンの描画
データおよび位相シフトパターンの描画データに基づい
て、図３４および図３５に示すようなマスクパターン１
０および位相シフトパターン膜１２ｅをフォトリソグラ
フィ技術等によってマスク基板１１上に形成し、位相シ
フトマスク１３を製造する（１０６）。
【０１１９】なお、位相シフトパターン膜１２ｅの有無
を反転させてマスク基板１１上に配置することも可能で
ある。
【０１２０】このように本実施例３においても前記実施
例１と同様の効果を得ることが可能となる。
【０１２１】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１〜３に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１２２】例えば前記実施例１〜３においては、予想
パターンのデータと実パターンのデータとの比較検査に
より、それらが一致しないと判定された場合、補助パタ
ーンまたは位相シフトパターンのデータを修正した後、
再び予想パターンのデータを作成し、その予想パターン
のデータと実パターンのデータとを比較検査する場合に
ついて説明したが、これに限定されるものではなく種々
変更可能であり、例えば次のようにしても良い。
【０１２３】すなわち、図３６に示すように、予想パタ
ーンのデータと実パターンのデータとが一致しないと判
定された場合、実パターンのデータを修正するか否か
（１０４ａ）の判定を行う。
【０１２４】そして、実パターンのデータを修正する必
要がある場合には、実パターンのデータを修正し、ステ
ップ１０１の工程に戻る。
【０１２５】一方、実パターンのデータを修正する必要
がない場合には、補助パターンまたは位相シフトパター
ンのデータを修正し、ステップ１０３の工程に戻る。
【０１２６】この場合、予想パターンのデータと実パタ
ーンのデータとの比較検査を行った後に、実パターンの
データを変更する場合が生じてもそれに対応することが
可能となる。
【０１２７】また、例えば次のようにしても良い。すな
わち、予想パターンのデータと実パターンのデータとが
一致しないと判定された場合、補助パターンまたは位相
シフトパターンのデータを修正した後、実パターンのデ
ータのみを検査する。
【０１２８】そして、実パターンのデータに誤りが発見
された場合は、それを修正する。一方、実パターンのデ
ータに誤りがなければ、再び予想パターンを作成し、そ
の予想パターンのデータと実パターンのデータとを比較
検査する。
【０１２９】この場合、予想パターンのデータと実パタ
ーンのデータとの比較検査後の修正の際に、例えば誤っ
て実パターンを変えてしまった場合でもその誤りを検出
できるので、パターンデータの信頼性をさらに向上させ
ることが可能となる。
【０１３０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【０１３１】(1).すなわち、上記した第一の発明によれ
ば、位相シフトマスクのパターンデータを実パターンデ
ータ層、補助パターンデータ層および位相シフトパター
ンデータ層に分け、実パターンのみを検図することによ
り、位相シフトマスクのパターンデータの作成中に、位
相シフトマスクのパターンデータのうちの実パターンの
良否を従来の検査方法をそのまま用いて判定することが
できる。
【０１３２】そして、その検図後の実パターンと、補助
パターンと、位相シフトパターンとの合成パターンを作
成し、その合成パターンによって半導体ウエハ等の上に
形成されると想定される予想パターンを作成し、その予
想パターンと検図後の実パターンとを比較することによ
り、位相シフトマスクの補助パターンおよび位相シフト
パターンの良否を判定することができる。
【０１３３】すなわち、位相シフトマスクのパターンデ
ータの良否を検査することが可能となる。このため、位
相シフトマスクのパターンデータの信頼性を向上させる
ことが可能となる。
【０１３４】(2).上記した第二の発明によれば、例えば
位相シフトパターンデータ層内のパターンデータを図形
演算処理の違い等によってさらに分離することにより、
分離されたデータ層を独立して処理することができるの
で、データ処理を容易にすることができ、計算機等によ
る自動処理を促進させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるマスクのパターンデー
タ作成方法を説明するフロー図である。
【図２】そのパターンデータ作成工程中におけるレイア
ウト層のデータ格納状態を説明する説明図である。
【図３】半導体ウエハ上に転写しようとするパターンの
例を示す要部平面図である。
【図４】そのパターンデータ作成工程中におけるレイア
ウト層のデータ格納状態を説明する説明図である。
【図５】パターンデータ層に格納された各々のパターン
の例を模式的に示す説明図である。
【図６】パターンデータ層に格納された各々のパターン
の例を模式的に示す説明図である。
【図７】図３のパターンを形成する場合の予想パターン
と実パターンとの比較工程を説明する説明図である。
【図８】図３のパターンを形成する場合の予想パターン
と実パターンとの比較工程を説明する説明図である。
【図９】図３のパターンを形成する場合の予想パターン
と実パターンとの比較工程を説明する説明図である。
【図１０】マスク基板上に形成されたマスクパターンの
要部平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ線の断面図である。
【図１２】ブロードン処理を説明するための説明図であ
る。
【図１３】マスク基板上に形成されたマスクパターンお
よび位相シフトパターンの要部平面図である。
【図１４】図１３のＢ−Ｂ線の断面図である。
【図１５】図３のパターンを形成する場合の予想パター
ンと実パターンとの比較工程を説明する説明図である。
【図１６】ブロードン処理を説明するための説明図であ
る。
【図１７】マスク基板上に形成されたマスクパターンお
よび位相シフトパターンの要部平面図である。
【図１８】図１７のＣ−Ｃ線の断面図である。
【図１９】本発明の他の実施例であるマスクのパターン
データ作成方法を説明するための半導体ウエハ上に転写
しようとするパターンの要部平面図である。
【図２０】図１９のパターンのデータを形成する場合の
予想パターンと実パターンとの比較工程を説明する説明
図である。
【図２１】図１９のパターンのデータを形成する場合の
予想パターンと実パターンとの比較工程を説明する説明
図である。
【図２２】図１９のパターンのデータを形成する場合の
予想パターンと実パターンとの比較工程を説明する説明
図である。
【図２３】図１９のパターンのデータを形成する場合の
予想パターンと実パターンとの比較工程を説明する説明
図である。
【図２４】図１９のパターンのデータを形成する場合の
予想パターンと実パターンとの比較工程を説明する説明
図である。
【図２５】図１９のパターンを形成するためのマスクパ
ターンおよび位相シフトパターンの要部平面図である。
【図２６】図２５のＤ−Ｄ線の断面図である。
【図２７】本発明の他の実施例であるマスクのパターン
データ作成方法を説明するための半導体ウエハ上に転写
しようとするパターンの要部平面図である。
【図２８】図２７のパターンのデータを形成する場合の
予想パターンと実パターンとの比較工程を説明するため
の説明図である。
【図２９】図２７のパターンのデータを形成する場合の
予想パターンと実パターンとの比較工程を説明するため
の説明図である。
【図３０】図２７のパターンのデータを形成する場合の
予想パターンと実パターンとの比較工程を説明するため
の説明図である。
【図３１】図２７のパターンを形成するためのマスクパ
ターンおよび位相シフトパターンの要部平面図である。
【図３２】図３２のＥ−Ｅ線の断面図である。
【図３３】図２７のパターンのデータを形成する場合の
予想パターンと実パターンとの比較工程を説明するため
の説明図である。
【図３４】図２７のパターンを形成するためのマスクパ
ターンおよび位相シフトパターンの要部平面図である。
【図３５】図３４のＫ−Ｋ線の断面図である。
【図３６】本発明の他の実施例であるマスクのパターン
データ作成方法を説明するフロー図である。
【図３７】従来の位相シフトマスク上のマスクパターン
と半導体ウエハ上に形成しようとするパターンとが異な
ることを説明するための説明図である。
【図３８】従来の位相シフトマスク上のマスクパターン
と半導体ウエハ上に形成しようとするパターンとが異な
ることを説明するための説明図である。
【図３９】従来の位相シフトマスク上のマスクパターン
と半導体ウエハ上に形成しようとするパターンとが異な
ることを説明するための説明図である。
【図４０】従来の位相シフトマスク上のマスクパターン
と半導体ウエハ上に形成しようとするパターンとが異な
ることを説明するための説明図である。
【図４１】従来の位相シフトマスク上のマスクパターン
と半導体ウエハ上に形成しようとするパターンとが異な
ることを説明するための説明図である。
【図４２】従来の位相シフトマスク上のマスクパターン
と半導体ウエハ上に形成しようとするパターンとが異な
ることを説明するための説明図である。
【符号の説明】
１ レイアウト層 ２ パターンデータ層 ３ パターンデータ層 ３ａ パターンデータ層 ３ｂ パターンデータ層 ４ パターンデータ層 ４ａ パターンデータ層 ４ｂ パターンデータ層 ５ パターンデータ層 ６ａ 配線パターン ６ｂ 配線パターン ６ｃ 配線パターン ６ｄ 配線パターン ６ｅ 配線パターン ６ｆ 配線パターン ７ 実パターンデータ層 ７ａ 実パターンデータ層 ８ 補助パターンデータ層 ８ａ 補助パターンデータ層 ９ 位相シフトパターンデータ層 ９ａ 位相シフトパターンデータ層 ９ａ1 第一位相シフトパターンデータ層 ９ａ2 第二位相シフトパターンデータ層 １０ マスクパターン １０ａ 遮光領域 １０ｂ 透過領域 １１ マスク基板 １２ａ 位相シフトパターン膜 １２ｂ 位相シフトパターン膜 １２ｃ 位相シフトパターン膜 １２ｄ 位相シフトパターン膜 １２ｅ 位相シフトパターン膜 １３ 位相シフトマスク １４ 接続孔パターン ＳＹ2 合成パターン ＳＹ3 合成パターン ＳＹ4 合成パターン ＳＹ5 合成パターン ＳＹ6 合成パターン ＳＹ7 合成パターン ＳＹ8 合成パターン ＳＹ9 合成パターン ＳＹ10 合成パターン Ｆ1 実パターン Ｆ2 実パターン Ｆ3 実パターン Ｈ1 補助パターン Ｈ2 補助パターン Ｓ 位相シフトパターン Ｓ1 第一位相シフトパターン Ｓ2 第二位相シフトパターン Ｓ3 位相シフトパターン Ｓ4 位相シフトパターン Ｓ5 位相シフトパターン Ｓ6 位相シフトパターン Ｓ7 位相シフトパターン Ｓ8 位相シフトパターン ＥＸ1 予想パターン ＥＸ2 予想パターン ＥＸ3 予想パターン ＥＸ4 予想パターン ＥＸ5 予想パターン ５０ パターン ５０ａ パターン ５０ｂ パターン ５０ｃ パターン ５０ｄ パターン ５１ パターン ５１ａ パターン ５１ｂ パターン ５１ｃ パターン ５１ｄ パターン ５２ａ 位相シフトパターン膜 ５２ｂ 位相シフトパターン膜 ５２ｃ 位相シフトパターン膜 ５３ａ 補助パターン ５４ パターン ５４ａ パターン ５４ｂ パターン ５４ｃ パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 政道 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日 立製作所デバイス開発センタ内 (56)参考文献 特開 平３−89346（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16

Claims (17)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マスク基板上にマスクパターンおよび位
    相シフトパターンを有するマスクのパターンデータを作
    成するマスクのパターンデータ作成方法であって、半導体ウエハに転写されるパターンに対応する開口また
    は遮光パターンである実パターンおよび前記実パターン
    による半導体ウエハへの転写を補助する開口または遮光
    パターンである補助パターンを配置した前記マスクパタ
    ーンと、前記マスクパターンに応じてマスクを透過する
    光に位相差を生じさせるための位相シフトパターンとを
    レイアウトする工程を有し、 前記マスクパターンと前記位相シフトパターンとをレイ
    アウトする工程において、 前記パターンデータを前記実
    パターンのデータを有する実パターンデータ層と、前記
    補助パターンのデータを有する補助パターンデータ層
    と、前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフ
    トパターンデータ層とに分けて格納し、 前記実パターンのデータ、前記補助パターンのデータお
    よび前記位相シフトパターンのデータから半導体ウエハ
    上に転写されると想定される予想パターンのデータを作
    成し、 前記予想パターンと前記実パターンとを比較することに
    よりマスクの検査を行う ことを特徴とするマスクのパタ
    ーンデータ作成方法。
  2. 【請求項２】 前記位相シフトパターンデータ層を二以
    上のデータ層に分けることを特徴とする請求項１記載の
    マスクのパターンデータ作成方法。
  3. 【請求項３】 マスク基板上にマスクパターンおよび位
    相シフトパターンを有するマスクのパターンデータを作
    成するマスクのパターンデータ作成方法であって、 半導体ウエハに転写されるパターンに対応する開口また
    は遮光パターンである実パターンおよび前記半導体ウエ
    ハに転写されるパターンとは対応しない補助的な開口ま
    たは遮光パターンである補助パターンを配置した前記マ
    スクパターンと、前記マスクパターンに応じてマスクを
    透過する光に位相差を生じさせるための位相シフトパタ
    ーンとをレイアウトする工程を有し、 前記マスクパターンと前記位相シフトパターンとをレイ
    アウトする工程におい て、 前記パターンデータを前記実
    パターンのデータを有する実パターンデータ層と、前記
    補助パターンのデータを有する補助パターンデータ層
    と、前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフ
    トパターンデータ層とに分けて格納し、 前記実パターンのデータの良否を検査し、その実パター
    ンのデータが良となるまで検査および修正を行う第一検
    査工程と、前記第一検査工程を経て作成された実パター
    ンのデータ、補助パターンのデータおよび位相シフトパ
    ターンのデータの合成によって半導体ウエハ上に転写さ
    れると想定される予想パターンのデータを作成する工程
    と、前記予想パターンと前記第一検査工程後の実パター
    ンとを比較し、それらが一致するまで検査および修正を
    行う第二検査工程とを有することを特徴とするマスクの
    パターンデータ作成方法。
  4. 【請求項４】 前記位相シフトパターンデータ層を二以
    上のデータ層に分けることを特徴とする請求項３記載の
    マスクのパターンデータ作成方法。
  5. 【請求項５】 マスク基板上にマスクパターンおよび位
    相シフトパターンを有するマスクの製造方法であって、 半導体ウエハに転写されるパターンに対応する開口また
    は遮光パターンである実パターンおよび前記半導体ウエ
    ハに転写されるパターンとは対応しない補助的な開口ま
    たは遮光パターンである補助パターンを配置した前記マ
    スクパターンと、前記マスクパターンに応じてマスクを
    透過する光に位相差を生じさせるための位相シフトパタ
    ーンとをレイアウトする工程を有し、 前記マスクパターンと前記位相シフトパターンとをレイ
    アウトする工程において、 パターンデータを前記実パタ
    ーンのデータを有する実パターンデータ層と、前記補助
    パターンのデータを有する補助パターンデータ層と、前
    記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパタ
    ーンデータ層とに分けて格納し、 前記実パターンのデータの良否を検査し、その実パター
    ンのデータが良となるまで検査および修正を行う第一検
    査工程と、前記第一検査工程を経て作成された実パター
    ンのデータ、補助パターンのデータおよび位相シフトパ
    ターンのデータの合成によって半導体ウエハ上に転写さ
    れると想定される予想パターンのデータを作成する工程
    と、前記予想パターンと前記第一検査工程後の実パター
    ンとを比較し、それらが一致するまで検査および修正を
    行う第二検査工程とを有し、 前記第二検査工程を経て作成された実パターンのデータ
    および補助パターンのデータを合成した合成パターンの
    データからマスクパターンの描画データを作成する工程
    と、前記第二検査工程を経て作成された位相シフトパタ
    ーンのデータに基づいて位相シフトパターンの描画デー
    タを作成する工程と、前記マスクパターンの描画データ
    に基づいてマスク基板上にマスクパターンを形成し、か
    つ、前記位相シフトパターンの描画データに基づいてマ
    スク基板上に位相シフトパターンを形成する工程とを有
    することを特徴とするマスクの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記位相シフトパターンデータ層を二以
    上のデータ層に分けることを特徴とする請求項５記載の
    マスクの製造方法。
  7. 【請求項７】 半導体ウエハに転写されるパターンに対
    応する開口または遮光パターンである実パターンをレイ
    アウトする工程と、 前記実パターンによる半導体ウエハへの転写を補助する
    開口または遮光パターンである補助パターンをレイアウ
    トする工程と、 前記実パターンおよび補助パターンに応じてマスクを透
    過する光に位相差を生じさせるための位相シフトパター
    ンをレイアウトする工程とを有し、 前記実パターン、前記補助パターンおよび前記位相シフ
    トパターンをレイアウトする工程において、前記実パタ
    ーンのデータ、前記補助パターンのデータおよび前記位
    相シフトパターンのデータは独立して処理可能に格納さ
    れ、 前記実パターンのデータ、前記補助パターンのデータお
    よび前記位相シフトパターンのデータから半導体ウエハ
    上に転写されると想定される予想パターンのデータを作
    成し、前記予想パターンと前記実パターンとを比較する
    ことによりマスクパターンの検査を行うことを特徴とす
    るマスクのパターンデータ作成方法。
  8. 【請求項８】 半導体ウエハに転写されるパターンに対
    応する開口または遮光パターンである実パターンのデー
    タと、パターンの半導体ウエハへの転写を補助するため
    に前記実パターンに付加される開口又は遮光パターンで
    ある補助パターンのデータと、前記実パターンおよび前
    記補助パターンに応じてマスクを透過する光に位相差を
    生じさせるための位相シフトパターンのデータとを独立
    して処理可能に格納し、 前記実パターンのデータと、前記補助パターンのデータ
    および前記位相シフト パターンのデータとを 合成して半
    導体ウエハ上に転写されると想定される予想パターンの
    データを作成する工程と、 前記予想パターンのデータと前記実パターンのデータと
    を比較することにより、マスクの検査を行う工程とを有
    することを特徴とするマスクのパターンデータ作成方
    法。
  9. 【請求項９】 前記マスクのパターンデータ作成方法
    は、さらに、前記補助パターンをレイアウトし、得られ
    た前記補助パターンのデータを補助パターンデータ層に
    格納する工程を有することを特徴とする請求項８記載の
    マスクのパターンデータ作成方法。
  10. 【請求項１０】 前記マスクのパターンデータ作成方法
    は、さらに、前記位相シフトパターンをレイアウトし、
    得られた前記位相シフトパターンのデータを位相シフト
    パターンデータ層に格納する工程を有することを特徴と
    する請求項８または９記載のマスクのパターンデータ作
    成方法。
  11. 【請求項１１】 前記マスクのパターンデータ作成方法
    は、さらに、前記実パターンをレイアウトし、得られた
    前記実パターンのデータを実パターンデータ層に格納す
    る工程と、前記実パターンのデータを検査する工程とを
    有することを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項
    記載のマスクのパターンデータ作成方法。
  12. 【請求項１２】 前記マスクのパターンデータ作成方法
    は、さらに、前記実パターンのデータと前記補助パター
    ンのデータとに基づきマスク基板上に形成されるマスク
    パターンの描画データを作成する工程と、前記位相シフ
    トパターンのデータに基づき位相シフトパターンの描画
    データを作成する工程とを有することを特徴とする請求
    項７〜１１のいずれか１項に記載のマスクのパターンデ
    ータ作成方法。
  13. 【請求項１３】 前記検査は、前記実パターンのデータ
    に対して電気的ルールが満足されているか否かを検図す
    るものであることを特徴とする請求項７または１１記載
    のマスクのパターンデータ作成方法。
  14. 【請求項１４】 前記位相シフトパターンのデータは、
    二以上のデータ層に分けて格納されていることを特徴と
    する請求項７〜１３のいずれか１項に記載のマスクのパ
    ターンデータ作成方法。
  15. 【請求項１５】 請求項７〜１４のいずれか１項に記載
    のマスクのパターンデータ作成方法によって作成された
    パターンデータに基づき、位相シフトマスクを製造する
    ことを特徴とするマスクの製造方法。
  16. 【請求項１６】 マスク基板上にマスクパターンおよび
    位相シフトパターンを有するマスクの製造方法であっ
    て、 半導体ウエハに転写されるパターンに対応する開口また
    は遮光パターンである実パターンおよびパターンの半導
    体ウエハへの転写を補助するために前記実パターンに付
    加される開口または遮光パターンである補助パターンを
    配置した前記マスクパターンと、前記マスクパターンに
    応じてマスクを透過する光に位相差を生じさせるための
    位相シフトパターンとをレイアウトする工程を有し、 前記マスクパターンと前記位相シフトパターンとをレイ
    アウトする工程において、パターンデータを前記実パタ
    ーンのデータを有する実パターンデータ層と、前記補助
    パターンのデータを有する補助パターンデータ層と、前
    記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパタ
    ーンデータ層とに分けて格納し、 前記実パターンのデータ、前記補助パターンのデータお
    よび前記位相シフトパターンのデータより半導体ウエハ
    上に転写されると想定される予想パターンのデータを作
    成する工程と、前記予想パターンと前記実パターンとを
    比較することにより検査を行う検査工程と、 前記検査工程を経て作成された実パターンのデータおよ
    び補助パターンのデータを合成した合成パターンのデー
    タからマスクパターンの描画データを作成する工程と、
    前記検査工程を経て作成された位相シフトパターンのデ
    ータに基づいて位相シフトパターンの描画データを作成
    する工程と、前記マスクパターンの描画データに基づい
    てマスク基板上にマスクパターンを形成し、かつ、前記
    位相シフトパターンの描画データに基づいてマスク基板
    上に位相シフトパターンを形成する工程とを有すること
    を特徴とするマスクの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記位相シフトパターンデータ層を二
    以上のデータ層に分けることを特徴とする請求項１６記
    載のマスクの製造方法。
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