JP4899652B2 - 露光用マスクの検査装置、検査方法、製造方法および露光用マスク - Google Patents
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Description
図1に従来のポジ型レジストによる工程に使用されるハーフトーン型位相シフトマスク(以下、単にハーフトーン型レチクルという)の構造を示す。図1のように、ハーフトーン型レチクルは、合成石英基板1と、合成石英基板1(本発明の透明基板に相当)上に形成されたハーフトーン層2(本発明のハーフトーン部に相当)と、遮光層3(Cr、本発明の遮光部に相当)を有している。
上述のような手順によって製作されたレチクルは、設計データと照合することにより、欠陥検査を受ける。欠陥検査では、レチクル上に設計通りのパターンが形成されているか否かが検査される。
(1)ハーフトーン型レチクルのTri−Tone部にて疑似欠陥が発生し検査不能となる。このため、最適な検査領域を考慮して、検査領域と非検査領域とを設定しなければならない。検査領域および非検査領域を設定する際には、周辺部仕様(周辺部とは、デバイス形成するためウエハプロセスで使用するアライメント領域)または、ハーフトーン形成用の描画データから、CADなどを利用してハーフトーン領域を算出することが考えられる。しかし、いずれにしても人的に領域を判断しているために、領域算出工程や検証工程に膨大な工数などを要してしまう。
(2)レチクル上の半導体装置領域(チップ領域ともいう)のコーナー部分を面取りして形成される斜めパターンで問題が生じる。図4に、斜めパターンの例を示す。図4に示すように、レチクル上のパターンは、半導体装置領域100と、その周辺を取り囲むスクライブ領域101に分かれている。半導体装置領域100には、矩形で示される個々の半導体装置のチップの周囲にハーフトーン層が存在している。一方、スクライブ領域101は、合成石英基板1上に遮光材料(クロム)にて形成される。さらに、図4では、半導体装置領域100のコーナー部分102が面取りされ、レチクル外周部の縦横の各辺に対して略45度方向の斜めパターンが形成される。
2の結果)より周辺部描画データとハーフトーン層を形成するための描画データを作成す
る(S5、S6)。レチクル作製工程(S7)においては、レチクル描画装置を用いて、S4〜S6で作成された描画データでハーフトーンレチクルの作製を行う。
以上の問題を解決するため、本実施形態では、斜め領域の画像を検出する画像検出部を用いて欠陥検査装置を構成する。ここで、斜め領域の画像を検出するとは、従来のような矩形(ストライプ)状の検査領域に代えて、例えば、台形形の2つの斜辺を含む領域を台形の高さ方向(上底と下底とに直交する方向)に走査して画像を検出することをいう。
チ223とを有している。
図12に第1のフローを改善した第2のフローを示す。第2のフローでは、上記の斜め領域を検査する欠陥検査装置によるレチクルの検査が実行される。
の結果)とが検査データに変換される(S9)。
作成されるデータ、図5参照)をハーフトーン領域として欠陥検査装置に入力し、検査領
域を認識させる(S10A)。この処理を検査領域読取処理と呼ぶ。これにより、ハーフトーン層2とガラス部とを2値化してハーフトーン型レチクルの欠陥を検査することが可能となる。
ン形成用の描画データをそのまま利用し検査領域を指定する。このような処理により、検査領域や非検査領域の座標値算出する工程、検査装置への入力工程も必要なくなるので工数削減と効率的な検査を行える。また、ハーフトーン領域をすべて検査領域として指定できるので、デバイスの有効領域が広がり半導体用回路パターン領域を拡大できる。その結果、無駄な領域を排除でき、最終的なチップサイズの縮小が可能となる。
上記実施形態の処理(図12および図13)においては、ハーフトーン描画データから検査領域のデータを生成した(図13のS10A2−S10A4参照)。しかし、本実施形態は、このような処理に限定されるものではない。例えば、検査領域を示すデータを半導体装置の設計データ中の特定レイヤに保持しておいてもよい。図14A−図14Eに、そのような場合の処理例を示す。この処理を実行するレチクル欠陥検査装置(例えば、その制御用計算機)が本発明の第2の部分領域生成部に相当する。
上記実施形態では、遮光層3の領域とハーフトーン層2の領域とが走査方向に対して斜め方向の辺を挟んで存在するレチクルの検査方法および検査装置について説明した。しかし、本発明の実施は、このような構成には限定されず、例えば、遮光層3の領域とハーフトーン層2の領域とが折れ線、あるいは、曲線を挟んで存在するレチクルの検査にも適用できる。その場合に、検査領域は、例えば、ビットマップで指定すればよい。
本実施形態は、以下の態様(付記と呼ぶ)を含む。
(付記1)透明基板上に遮光部とハーフトーン部とを有する露光用マスクの検査装置であり、
前記ハーフトーン部の存在領域を示すハーフトーンパターン領域データを記憶する記憶部と、
前記透明基板との相対移動により前記透明基板の表面上を走査した領域の2値画像を取得するパターン検出部と、
前記ハーフトーンパターン領域データで規定される前記透明基板上の領域にて前記パターン検出部の検出動作を有効とし、前記領域外にて前記パターン検出部の検出動作を無効とする制御部と、を備える露光用マスクの検査装置。(1)
(付記2)前記ハーフトーンパターン領域データは、前記透明基板への1以上の半導体装置パターンの配置を規定する配置データと、前記配置データによって前記透明基板上に配置される前記半導体装置パターンに組み合わせられるハーフトーンパターン部の存在領域を示す部分領域データとを含む付記1に記載の露光用マスクの検査装置。(2)
(付記3)オペレータ操作により前記ハーフトーンパターン領域データ、前記部分領域データおよび前記配置データの少なくとも1つが入力される入力部をさらに備える付記2に記載の露光用マスクの検査装置。(3)
(付記4)前記ハーフトーンパターン部のパターン形状を規定するハーフトーンパターンデータから前記部分領域データを生成する第1の部分領域データ生成部をさらに備える付記2または3に記載の露光用マスクの検査装置。(4)
(付記5)半導体装置の複数の製造工程に対応する複数層の半導体装置パターンが定義される半導体装置設計データ中に前記ハーフトーンパターン部のパターン形状の存在領域を示すデータが含まれている場合に、前記半導体装置設計データから前記部分領域データを生成する第2の部分領域データ生成部をさらに備える付記2から4のいずれかに記載の露光用マスクの検査装置。(5)
(付記6)前記ハーフトーンパターン部のパターン形状を規定するハーフトーンパターンデータから前記部分領域データを生成する第1の部分領域データ生成部と、
半導体装置の複数の製造工程に対応する複数層の半導体装置パターンが定義される半導体装置設計データ中に前記ハーフトーンパターン部のパターン形状の存在領域を示すデータが含まれている場合に、前記半導体装置設計データから前記部分領域データを生成する
第2の部分領域データ生成部と、
前記第1の部分領域データ生成部によって生成された部分領域データと、前記第2の部分領域データ生成部によって生成された部分領域データとを比較する比較部をさらに備える付記2または3に記載の露光用マスクの検査装置。(6)
(付記7)前記パターン検出部は、複数の画像検出部をライン状に配置したライン画像検出部を有し、
前記制御部は、前記ライン画像検出部が前記透明基板との間を相対移動するときに前記ライン状に配置されている画像検出部からの検出信号を組み合わせたライン画像のライン幅を変更するライン幅制御部を有する付記1から6のいずれかに記載の露光用マスクの検査装置。(7)
(付記8)透明基板上に遮光部とハーフトーン部とを有する露光用マスクの検査方法であり、
前記ハーフトーン部の存在領域を示すハーフトーンパターン領域データを記憶した記憶部からハーフトーンパターン領域データを読み出す読み出しステップと、
前記透明基板と相対移動するパターン検出部によって前記透明基板の表面上を走査した領域の2値画像を取得するパターン検出ステップと、
前記ハーフトーンパターン領域データで規定される前記透明基板上の領域にて前記パターン検出部の検出動作を有効とし、前記領域外にて前記パターン検出部の検出動作を無効とする制御ステップと、を実行する露光用マスクの検査方法。(8)
(付記9)
透明基板上に遮光部とハーフトーン部とを有する露光用マスクの製造方法であり、
透明基板に遮光部を形成するステップと、
前記透明基板にハーフトーン部を形成するステップと、
前記ハーフトーン部の存在領域を示すハーフトーンパターン領域データを記憶した記憶部からハーフトーンパターン領域データを読み出す読み出しステップと、
前記透明基板と相対移動するパターン検出部によって前記透明基板の表面上を走査した領域の2値画像を取得するパターン検出ステップと、
前記ハーフトーンパターン領域データで規定される前記透明基板上の領域にて前記パターン検出部の検出動作を有効とし、前記領域外にて前記パターン検出部の検出動作を無効とする制御ステップと、を実行する露光用マスクの製造方法。(9)
(付記10)
透明基板上に遮光部とハーフトーン部とを有し、
前記ハーフトーン部の存在領域を示すハーフトーンパターン領域データを記憶した記憶部からハーフトーンパターン領域データを読み出す読み出しステップと、
前記透明基板との相対移動によって前記透明基板の表面上を走査した領域の2値画像を取得するパターン検出ステップと、
ハーフトーンパターン領域データで規定される前記透明基板上の領域にて前記パターン検出部の検出動作を有効とし、前記領域外にて前記パターン検出部の検出動作を無効とする制御ステップと、を実行して製造される露光用マスク。(10)
(付記11)
前記ハーフトーン部または前記ハーフトーンパターン部の存在領域は、矩形以外の形状を含む付記10に記載の露光用マスク。
2 ハーフトーン層
3 遮光層
4、5 レジスト層
20 制御回路
21 制御レジスタ
22 画素回路
23 画像メモリ
41、51 レジストパターン
100 半導体装置領域
101 スクライブ領域
102 コーナー部分
110 検査領域(を含む矩形)
111 非検査領域
Claims (9)
- 透明基板上に遮光部とハーフトーン部とを有する露光用マスクの検査装置であり、
前記ハーフトーン部の存在領域を示すハーフトーンパターン領域データを記憶する記憶部と、
複数の画像検出部をライン状に配置したライン画像検出部を有し、前記透明基板との相対移動により前記透明基板の表面上を走査した領域の2値画像を取得するパターン検出部と、
有効に動作する前記複数の画像検出部の数を変更するライン幅制御部と、
前記ハーフトーンパターン領域データで規定される前記透明基板上の領域にて前記パターン検出部の検出動作を有効とし、前記領域外にて前記パターン検出部の検出動作を無効とする制御部と、を備える露光用マスクの検査装置。 - 前記ハーフトーン部または前記ハーフトーン部の存在領域は、矩形以外の形状を含む請求項1に記載の露光用マスクの検査装置。
- 前記ハーフトーンパターン領域データは、前記透明基板への1以上の半導体装置パターンの配置を規定する配置データと、前記配置データによって前記透明基板上に配置される前記半導体装置パターンに組み合わせられるハーフトーンパターン部の存在領域を示す部分領域データとを含む請求項1または2に記載の露光用マスクの検査装置。
- オペレータ操作により前記ハーフトーンパターン領域データ、前記部分領域データおよび前記配置データの少なくとも1つが入力される入力部をさらに備える請求項3に記載の露光用マスクの検査装置。
- 前記ハーフトーンパターン部のパターン形状を規定するハーフトーンパターンデータから前記部分領域データを生成する第1の部分領域データ生成部をさらに備える請求項3または4に記載の露光用マスクの検査装置。
- 半導体装置の複数の製造工程に対応する複数層の半導体装置パターンが定義される半導体装置設計データ中に前記ハーフトーンパターン部のパターン形状の存在領域を示すデー
タが含まれている場合に、前記半導体装置設計データから前記部分領域データを生成する第2の部分領域データ生成部をさらに備える請求項3から5のいずれか1項に記載の露光用マスクの検査装置。 - 前記ハーフトーンパターン部のパターン形状を規定するハーフトーンパターンデータから前記部分領域データを生成する第1の部分領域データ生成部と、
半導体装置の複数の製造工程に対応する複数層の半導体装置パターンが定義される半導体装置設計データ中に前記ハーフトーンパターン部のパターン形状の存在領域を示すデータが含まれている場合に、前記半導体装置設計データから前記部分領域データを生成する第2の部分領域データ生成部と、
前記第1の部分領域データ生成部によって生成された部分領域データと、前記第2の部分領域データ生成部によって生成された部分領域データとを比較する比較部をさらに備える請求項3または4に記載の露光用マスクの検査装置。 - 透明基板上に遮光部とハーフトーン部とを有する露光用マスクの検査方法であり、
前記ハーフトーン部の存在領域を示すハーフトーンパターン領域データを記憶した記憶部からハーフトーンパターン領域データを読み出す読み出しステップと、
複数の画像検出部をライン状に配置したライン画像検出部を有するパターン検出部を前記透明基板に対して相対移動させることによって、前記透明基板の表面上を走査した領域の2値画像を取得するパターン検出ステップと、
有効に動作する前記複数の画像検出部の数を変更することで、前記ハーフトーンパターン領域データで規定される前記透明基板上の領域にて前記パターン検出部の検出動作を有効とし、前記領域外にて前記パターン検出部の検出動作を無効とする制御ステップと、を実行する露光用マスクの検査方法。 - 透明基板上に遮光部とハーフトーン部とを有する露光用マスクの製造方法であり、
透明基板に遮光部を形成するステップと、
前記透明基板にハーフトーン部を形成するステップと、
前記ハーフトーン部の存在領域を示すハーフトーンパターン領域データを記憶した記憶部からハーフトーンパターン領域データを読み出す読み出しステップと、
複数の画像検出部をライン状に配置したライン画像検出部を有するパターン検出部を前記透明基板に対して相対移動させることによって、前記透明基板の表面上を走査した領域の2値画像を取得するパターン検出ステップと、
有効に動作する前記複数の画像検出部の数を変更することで、前記ハーフトーンパターン領域データで規定される前記透明基板上の領域にて前記パターン検出部の検出動作を有効とし、前記領域外にて前記パターン検出部の検出動作を無効とする制御ステップと、を実行する露光用マスクの製造方法。
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