JP4419464B2 - ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
ここで、上記ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法について説明する。
図5(a)〜(f)及び図6(g)〜(j)に、上記位相シフトマスクの製造方法を工程順に示すハーフトーン型位相シフトマスクの模式構成部分断面図を示す。
(a)透明基板11上に半透明位相シフト層21及び遮光層31が形成された位相シフトマスク用ブランクス10上に第1レジスト層41を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、有効領域20内に第1レジストパターン41aを、有効領域外の外周部30に第1レジストパターン41bを形成する工程。
(b)第1レジストパターン41a及び41bをマスクにして遮光層31をドライエッチングし、第1レジストパターン41a及び41bを剥離し、有効領域20内に遮光パターン31aを、外周部30に遮光帯31bを形成する工程。
(c)第2レジスト層42を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、外周部30の遮光帯31b上に第2レジストパターン42aを形成する工程。
(d)遮光パターン31aの表面処理を行って、低反射遮光パターン31a’を形成する工程。
(e)低反射遮光パターン31a’をマスクにして半透明位相シフト層21をエッチングする工程。
(f)低反射遮光パターン31a’をドライエッチングで除去し、半透明位相シフトパターン21aを形成する工程。
(g)第2レジストパターン42aを剥離処理する工程。
(a)透明基板11上に半透明位相シフト層21及び遮光層31が形成された位相シフトマスク用ブランクス10上に第1レジスト層41を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、有効領域20内に第1レジストパターン41aを、有効領域外の外周部30に第1レジストパターン41bを形成する工程。
(b)第1レジストパターン41a及び41bをマスクにして遮光層31をドライエッチングし、第1レジストパターン41a及び41bを剥離し、有効領域20内に遮光パターン31aを、外周部30に遮光帯31bを形成する工程。
(c)第2レジスト層42を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、外周部30の遮光帯31b上に第2レジストパターン42aを形成する工程。
(d)遮光パターン31aをマスクにして半透明位相シフト層21をエッチングし、遮光パターン31aの表面処理を行って、低反射遮光パターン31a’を形成する工程。
(e)低反射遮光パターン31a’をドライエッチングし、半透明位相シフトパターン21aを形成する工程。
(f)第2レジストパターン42aを剥離処理する工程。
まず、石英基板等からなる透明基板11上にMoSiON膜からなる半透明位相シフト層21及びクロム膜からなる遮光層31が形成された位相シフトマスク用ブランクス10(図1(a)参照)上に、レジストをスピンナーで塗布し、所定厚の第1レジスト層41を形成する(図1(b)参照)。
光帯31b上に第2レジストパターン42aを形成する(図1(f)参照)。
まず、石英基板等からなる透明基板11上にMoSiON膜からなる半透明位相シフト層21及びクロム膜からなる遮光層31が形成された位相シフトマスク用ブランクス10(図3(a)参照)上に、レジストをスピンナーで塗布し、所定厚の第1レジスト層41を形成する(図3(b)参照)。
5%程度)になっていれば、低反射遮光パターン31a’の表面状態は特に限定されるものではない。
11、111……透明基板
20、120……有効領域
21、121……半透明位相シフト層
21a、21b、121a、121b……半透明位相シフトパターン
30、130……外周部
31、131……遮光層
31a、131a……遮光パターン
31b、131b……遮光帯
31a’ ……低反射遮光パターン
41、141……第1レジスト層
41a、41b、141a、141b……第1レジストパターン
42,142……第2レジスト層
42a、142a……第2レジストパターン
131c、131d……遮光層膜残り
Claims (2)
- 少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
(a)透明基板(11)上に半透明位相シフト層(21)及び遮光層(31)が形成された位相シフトマスク用ブランクス(10)上に第1レジスト層(41)を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、有効領域(20)内に第1レジストパターン(41a)を、有効領域外の外周部(30)に第1レジストパターン(41b)を形成する工程。
(b)第1レジストパターン(41a)及び(41b)をマスクにして遮光層(31)をドライエッチングし、第1レジストパターン(41a)及び(41b)を剥離し、有効領域(20)内に遮光パターン(31a)を、外周部(30)に遮光帯(31b)を形成する工程。
(c)第2レジスト層(42)を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、外周部(30)の遮光帯(31b)上に第2レジストパターン(42a)を形成する工程。
(d)遮光パターン(31a)の表面処理を行って、低反射遮光パターン(31a’)を形成する工程。
(e)低反射遮光パターン(31a’)をマスクにして半透明位相シフト層(21)をドライエッチングする工程。
(f)低反射遮光パターン(31a’)をドライエッチングで除去し、半透明位相シフトパターン(21a)を形成する工程。
(g)第2レジストパターン(42a)を剥離処理する工程。 - 少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
(a)透明基板(11)上に半透明位相シフト層(21)及び遮光層(31)が形成された位相シフトマスク用ブランクス(10)上に第1レジスト層(41)を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、有効領域(20)内に第1レジストパターン(41a)を、有効領域外の外周部(30)に第1レジストパターン(41b)を形成する工程。
(b)第1レジストパターン(41a)及び(41b)をマスクにして遮光層(31)をドライエッチングし、第1レジストパターン(41a)及び(41b)を剥離し、有効領域(20)内に遮光パターン(31a)を、外周部(30)に遮光帯(31b)を形成する工程。
(c)第2レジスト層(42)を形成し、パターン描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、外周部(30)の遮光帯(31b)上に第2レジストパターン(42a)を形成する工程。
(d)遮光パターン(31a)をマスクにして半透明位相シフト層(21)をドライエッチングし、遮光パターン(31a)の表面処理を行って、低反射遮光パターン(31a’)を形成する工程。
(e)低反射遮光パターン(31a’)をドライエッチングし、半透明位相シフトパターン(21a)を形成する工程。
(f)第2レジストパターン(42a)を剥離処理する工程。
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