JP4823711B2 - パターン形成方法及び位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明に係るパターン形成方法は、基板上の被覆層を所望のパターンに加工するとともに、基板の被覆層が除去された領域の少なくとも一部に凹部を形成するパターン形成方法において、被覆層を所望のパターンに加工する工程と、所望のパターンに加工された被覆層上にレジスト層を形成する工程と、レジスト層に対し描画データに基づく描画を行って現像しレジストパターンを形成する工程と、所望のパターンに加工された被覆層及びレジストパターンをマスクにして基板に対してエッチング処理を施して基板に凹部を形成する工程とを有し、描画データは、所望のパターンに加工された被覆層における残部を介して隣接する少なくとも2個の凹部に対応するパターンデータを合成して1個のパターンデータとした箇所を含むことを特徴とするものである。
本発明に係るパターン形成方法は、構成1を有するパターン形成方法において、被覆層は、遮光層であることを特徴とするものである。
〔構成3〕
本発明に係るパターン形成方法は、構成1を有するパターン形成方法において、被覆層は、遮光層と半透光層とからなることを特徴とするものである。
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法は、透明基板上の被覆層を所望のパターンに加工するとともに、透明基板の前記被覆層が除去された領域の少なくとも一部に位相シフト部となる凹部を形成する位相シフトマスクの製造方法において、被覆層を前記所望のパターンに加工する工程と、所望のパターンに加工された被覆層上にレジスト層を形成する工程と、レジスト層に対し描画データに基づく描画を行って現像しレジストパターンを形成する工程と、所望のパターンに加工された被覆層及びレジストパターンをマスクにして、透明基板に対してエッチング処理を施して透明基板に凹部を形成する工程とを有し、描画データは、所望のパターンに加工された被覆層における残部を介して隣接する少なくとも2個の凹部に対応するパターンデータを合成して1個のパターンデータとした箇所を含むことを特徴とするものである。
〔構成5〕
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法は、構成4を有する位相シフトマスクの製造方法において、被覆層は、遮光層と半透光層とからなることを特徴とするものである。
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法は、透明基板上の遮光層を所望のパターンに加工するとともに、透明基板の遮光層が除去された領域の少なくとも一部に位相シフト部となる凹部を形成する位相シフトマスクの製造方法において、遮光層を前記所望のパターンの遮光パターンに加工する工程と、遮光パターン上にレジスト層を形成する工程と、レジスト層に対し描画データに基づく描画を行って現像しレジストパターンを形成する工程と、遮光パターン及びレジストパターンをマスクにして透明基板に対してエッチング処理を施してこの透明基板に凹部を形成する工程とを有し、描画データは、遮光パターンにおける遮光部を介して隣接する少なくとも2個の凹部に対応するパターンデータを合成して1個のパターンデータとした箇所を含むことを特徴とするものである。
〔構成7〕
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法は、構成4から構成6のいずれかを有する位相シフトマスクの製造方法において、位相シフトマスクは、主開口部と、主開口部の周辺部分に設けられた、被転写体上のレジストが解像されない微細線幅をもつ補助開口部を有し、凹部は、補助開口部に形成されることを特徴とするものである。
〔構成8〕
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法は、構成4から構成7のいずれかを有する位相シフトマスクの製造方法において、パターンデータの合成は、パターンデータにプラスサイジングを施し、隣り合うパターン同士を連続させ、該連続したパターンのパターンデータにマイナスサイジングを施すことによって行うことを特徴とするものである。
図1は、本発明に係る位相シフトマスクの製造方法の第1の実施の形態によって製造される位相シフトマスクの構成を示す平面図である。
図6は、本発明に係る位相シフトマスクの製造方法の第2の実施の形態を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
以下、本発明に係る位相シフトマスクの製造方法の第1の実施例について説明する。
以下、本発明に係る位相シフトマスクの製造方法の第2の実施例について説明する。
2 遮光層
6 第1のレジスト層
7 第1のレジストパターン
8 遮光パターン
9 第2のレジスト層
10 第2のレジストパターン
Claims (8)
- 基板上の被覆層を所望のパターンに加工するとともに、前記基板の前記被覆層が除去された領域の少なくとも一部に凹部を形成するパターン形成方法において、
前記被覆層を前記所望のパターンに加工する工程と、
前記所望のパターンに加工された被覆層上に、レジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に対し、描画データに基づく描画を行って現像し、レジストパターンを形成する工程と、
前記所望のパターンに加工された被覆層及び前記レジストパターンをマスクにして、前記基板に対してエッチング処理を施して前記基板に前記凹部を形成する工程とを有し、
前記描画データは、前記所望のパターンに加工された被覆層における残部を介して隣接する少なくとも2個の凹部に対応するパターンデータを合成して1個のパターンデータとした箇所を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記被覆層は、遮光層であることを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記被覆層は、遮光層と半透光層とからなることを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 透明基板上の被覆層を所望のパターンに加工するとともに、前記透明基板の前記被覆層が除去された領域の少なくとも一部に位相シフト部となる凹部を形成する位相シフトマスクの製造方法において、
前記被覆層を前記所望のパターンに加工する工程と、
前記所望のパターンに加工された被覆層上に、レジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に対し、描画データに基づく描画を行って現像し、レジストパターンを形成する工程と、
前記所望のパターンに加工された被覆層及び前記レジストパターンをマスクにして、前記透明基板に対してエッチング処理を施して前記透明基板に前記凹部を形成する工程とを有し、
前記描画データは、前記所望のパターンに加工された被覆層における残部を介して隣接する少なくとも2個の凹部に対応するパターンデータを合成して1個のパターンデータとした箇所を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 前記被覆層は、遮光層と半透光層とからなることを特徴とする、請求項4に記載の位相シフトマスクの製造方法。
- 透明基板上の遮光層を所望のパターンに加工するとともに、前記透明基板の前記遮光層が除去された領域の少なくとも一部に位相シフト部となる凹部を形成する位相シフトマスクの製造方法において、
前記遮光層を前記所望のパターンの遮光パターンに加工する工程と、
前記遮光パターン上に、レジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に対し、描画データに基づく描画を行って現像し、レジストパターンを形成する工程と、
前記遮光パターン及び前記レジストパターンをマスクにして、前記透明基板に対してエッチング処理を施してこの透明基板に前記凹部を形成する工程とを有し、
前記描画データは、前記遮光パターンにおける遮光部を介して隣接する少なくとも2個の凹部に対応するパターンデータを合成して1個のパターンデータとした箇所を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 前記位相シフトマスクは、主開口部と、前記主開口部の周辺部分に設けられた、被転写体上のレジストが解像されない微細線幅をもつ補助開口部を有し、
前記凹部は、前記補助開口部に形成されることを特徴とする、請求項4から請求項6のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 前記パターンデータの合成は、前記パターンデータにプラスサイジングを施し、隣り合うパターン同士を連続させ、該連続したパターンのパターンデータにマイナスサイジングを施すことによって行うことを特徴とする、請求項4から請求項7のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法。
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