KR100322537B1 - 블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조방법 - Google Patents

블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조방법 Download PDF

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Abstract

블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조방법에 관해 개시되어 있다. 투명기판의 전면에 차광막이 구비되어 있고, 상기 차광막의 전면에 차광역할을 겸하는 상기 차광막 보호용 보호막, 즉 다기능 물질막이 구비되어 있으며, 상기 보호막 상에 감광막 및 차징 방지막이 순차적으로 구비된 블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조 방법이 개시되어 있다. 따라서, 기판의 위상 무 반전 영역과 위상 반전 영역이 형성될 영역을 정상적으로 노출시킬 수 있고, 투명 기판의 상기 위상 반전 영역이 형성될 영역에 홈을 형성하는 과정에서 상기 보호막은 식각용 가스와 반응하여 쉽게 기화되므로 상기 홈의 바닥에 입사되는 광의 투과 및 위상 변화에 장애를 주는 물질층이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 정상적인 광의 투과율 및 위상 변화를 보장할 수 있는 위상 반전 마스크, 특히 레벤슨형 위상 반전 마스크의 형성이 가능해진다.

Description

블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조방법{Blank mask and method for fabricating using the same}
본 발명은 반도체 장치의 제조공정에 사용되는 블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조방법에 관한 것으로써, 위상 반전 마스크용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 교번(alternating) 위상 반전 마스크 제조방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 집적도는 반도체 장치의 제조에 사용되는 노광장치의 해상도(resolution power)와 비례하여 증가된다. 따라서, 노광장치의 해상도를 높이기 위한 많은 연구가 진행되고 있는데, 노광장치의 해상도는 짧은 파장의 광을 사용할수록 증가된다. 따라서, 노광장치의 해상도는 높이기 위해서는 광원의 선택이 중요해진다.
반도체 장치의 집적도에 따라 새로운 노광장치를 준비하는데 막대한 비용이 소요되므로, 기존의 노광장치를 그대로 사용하되, 해상도는 높일 수 있는 방법이 필요하게 되었다. 이러한 방법중의 하나가 기존의 단순한 노광용 마스크 대신 위상 반전 마스크, 예컨대 교번 위상 반전 마스크를 사용하는 것이다.
도 1 내지 도 7을 참조하여, 종래 기술에 의한 교번 위상 반전 마스크 제조방법 및 그 문제점을 설명한다.
도 1을 참조하면, 투명기판(10) 상에 크롬막(12)이 형성되고, 상기크롬막(12) 상에 크롬막(12)의 소정영역을 노출시키는 감광막 패턴(14)이 형성된다. 상기 감광막 패턴(14)을 식각마스크로 사용하여 상기 크롬막(12)의 전면이 식각된다. 그리고 상기 감광막 패턴(14)이 제거된다.
도 2를 참조하면, 상기 식각에 의해, 상기 투명 기판(10) 상에 크롬막 패턴(12a)이 형성되고, 상기 크롬막(12)의 노출된 부분이 제거되어 상기 투명 기판(10)의 제1 영역(A1)의 표면(13)과 제2 영역(A2)의 표면(13a)이 노출된다. 상기 제1 영역(A1)은 위상 무 반전 영역이고, 상기 제2 영역(A2)은 위상 반전 영역이 형성될 영역이다.
도 3을 참조하면, 상기 크롬막 패턴(12a)이 형성된 결과물 상에 상기 투명기판(10)의 제1 영역(A1)과 상기 크롬막 패턴(12a)을 덮되, 상기 제2 영역(A2)은 노노출시키는 감광막 패턴(16)이 형성된다.
도 4를 참조하면, 상기 감광막 패턴(16)을 식각마스크로 사용하여 상기 투명기판(10)의 노출된 영역 즉, 상기 제2 영역(A2)에 홈(18)이 형성된다. 이렇게 하여, 상기 투명기판(10)에 위상 반전 영역이 형성된다. 상기 홈(18)이 형성됨으로써, 상기 투명기판(10)의 제2 영역(A2)의 두께는 상기 제1 영역(A1)의 두께에 비해 얇다.
상기 감광막 패턴(16)을 제거하면, 도 5에 도시된 바와 같이 위상 무 반전 영역인 상기 제1 영역(A1)과 위상 반전 영역인 상기 제2 영역(A2)으로 구성되는 위상 반전 마스크가 형성된다.
그런데, 상기한 바와 같은 종래 기술에 의한 위상 반전 마스크 제조방법은상기 크롬막 패턴(12a)을 형성하는 과정 및 상기 투명 기판(10)에 상기 홈(18)을 형성하는 과정에서 상기 투명 기판(10)의 표면과 상기 홈(18)의 바닥에 상기 투명 기판(10)의 식각을 방해하고, 상기 투명기판(10)의 제2 영역(A2)에 입사되는 광의 투과 및 위상에 방해를 주는 물질층 형성된다.
예를 들어, 도 6을 참조하면, 상기 크롬막 패턴(12a)을 형성하는 과정에서 상기 크롬막(12)의 노출된 표면(13, 13a) 상에 전단계의 잔류물 즉, 감광막 패턴(14)을 형성하는 과정에서 찌꺼기가 남을 수 있다. 상기 잔류물은 상기 크롬막(12)의 노출된 부분을 제거하는 식각공정에 장애물이 된다. 따라서, 상기 크롬막(12)의 노출된 부분을 제거하여 상기 투명기판(10)의 표면(13, 13a)을 노출시키더라도, 상기 투명기판(10)의 노출된 표면(13, 13a) 상에 크롬을 포함하는 결함(미도시)이 형성된다. 이때, 상기 크롬을 포함하는 결함은 레이저를 이용하여 제거하게 되는데(laser repair), 레이저를 흡수한 크롬이 녹아서 승화되어 제거되면서 그 아래의 투명기판(10)에 레이저로부터 흡수한 열을 전달하게 된다. 이 결과, 상기 투명기판(10)의 노출된 표면(13, 13a)이 용융되었다가 다시 응고된다. 이와 같은 물리적 상태 변화에 의해, 상기 투명기판(10)의 노출된 표면(13, 13a) 근처의 물질상태는 다른 부분의 물질상태와 다르게 된다. 즉, 상기 투명 기판(10)의 노출된 부분(13, 13a)은 상기 투명기판(10)에 홈(18)을 형성하는 식각과정에서 식각가스와 반응을 하지 않거나 반응이 느려지게 되어 상기 홈(18)이 완전히 형성된 후에도 초기 상태로 남는 부분(20)이 있게된다. 이 부분(20)은 결함으로 작용하여 위상 반전 영역인 상기 제2 영역(A2)을 통과하는 광의 위상이 달라지게 할 뿐만 아니라그 측면에서 광의 산란이 일으켜 패턴 형성에 장애를 주게 된다.
한편, 도 7을 참조하면, 종래 기술에 의한 위상 반전 마스크 제조방법의 경우, 상기 제2 영역(A2)에 홈(18)이 형성되는 과정에서 상기 홈(18)의 바닥에 불필요한 물질층(22)이 형성된다. 상기 물질층(22)은 크롬(Cr)과 불소(F)의 화합물질층인데, 이러한 물질층(22)은 상기 투명기판(10)의 제2 영역(A2)에 홈(18)을 형성하기 위한 감광막 패턴(16)을 형성하는 과정에서 불가피하게 노출되는 차광막 패턴(12a)과 상기 홈(18)을 형성하는데 사용되는 식각가스의 반응에 의해 형성된다. 상기 물질층(22)으로 인해, 상기 제2 영역(A2)에 입사되는 광의 투과율이 저하되고 투과되는 광의 위상이 정상적인 변화와 다르게 변화된다. 또한, 상기 물질층(22)이 상기 홈(18)을 다 형성하기 전에 형성되는 경우, 식각이 더 이상 진행되지 않으므로 완전한 홈의 형성이 어렵게 되는 문제가 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 해소하기 위한 것으로써, 위상 반전 마스크 특히, 교번(alternating) 위상 반전 마스크를 제조하는 과정에서 기판에 결함이 형성되는 것을 예방할 수 있는 블랭크 마스크를 제공함에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 블랭크 마스크를 이용한 위상 반전 마스크의 제조 방법을 제공함에 있다.
도 1 내지 도 5은 각각 종래 기술에 의한 교번(alternating) 위상 반전 마스크 제조 방법을 단계별로 나타낸 단면도이다.
도 6 및 도 7은 각각 종래 기술에 의한 교번 위상 반전 마스크 제조 방법의 문제점을 나타낸 단면도이다.
도 8 및 도 9는 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 의한 블랭크 마스크의 단면도이다.
도 10 내지 15는 각각 본 발명의 제1 실시예에 의한 교번 위상 반전 마스크 제조 방법을 단계별로 나타낸 단면도이다.
도 16은 도 12 내지 도 15와 함께 본 발명의 제2 실시예에 의한 교번 위상 반전 마스크 제조 방법을 단계별로 나타낸 단면도이다.
도 17은 본 발명의 제1 실시예에 의한 교번 위상 반전 마스크 제조 방법의 다른 결과를 나타낸 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
40:투명 기판. 42:차광막.
44:보호막. 46:감광막.
48, 49:제1 및 제2 영역. 46a, 50:감광막 패턴.
51:홈. 56, 56a:차징 방지막 및 그 패턴.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 입사광에 투명한 기판과 상기 투명 기판의 전면에 형성된 차광막과 상기 차광막의 전면에 형성된 차광 역할을 겸하는 보호막을 구비하는 블랭크 마스크를 제공한다.
여기서, 상기 차광막은 상기 투명기판에 입사되는 광을 광학적으로 완전히 차단할 수 있는 크롬막이다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 크롬막의 두께는 적어도 500Å이상이다.
상기 보호막은 상기 차광막을 보호하기 위한 물질막이나 차광막이기도 하다. 그리고 상기 차광막과 접착성(adhesion)이 좋고 상기 기판 식각용 가스와 반응하여 기화될 수 있는 기화성 물질막이다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 기화성 물질막은 몰리브데늄 실리콘 옥시 나이트라이드막(MoSiON)으로써 그 두께는 200Å∼3,000Å이다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 보호막의 전면에 감광막 및 차징 방지막(layer for preventing charging)이 순차적으로 형성되어 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 기판의 전면에 광학적으로 완전한 차광을 이루는 차광막을 형성하는 단계와 상기 차광막 상에 차광 역할을 겸하는 보호막 패턴을 형성하는 단계와 상기 보호막 패턴이 형성된 결과물을 세정하는 단계와 상기 보호막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 차광막의 노출된 부분을 식각함으로써 상기 기판의 제1 및 제2 영역을 노출시키는 단계 및 상기 기판의 제2 영역을 위상 반전 영역으로 형성하는 단계를 포함하는 위상 반전 마스크 제조 방법을 제공한다.
이 과정에서 상기 기판은 입사광에 대해 투명한 석영(quartz)기판을 사용한다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 차광막은 크롬막으로 형성하되, 적어도 500Å이상의 두께로 형성한다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 제2 영역을 위상 반전 영역으로 형성하는 단계는 상기 제1 및 제2 영역이 노출된 기판의 전면에 감광막을 도포하는 단계와 상기 감광막을 패터닝하여 상기 제2 영역을 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 단계와 상기 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 제2 영역에 홈을 형성하되, 상기 제2 영역의 기판의 두께가 위상 반전 두께가 될 때 까지 형성하는 단계 및 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함한다.
이때, 상기 홈은 상기 기판의 제2 영역을 이방성 건식 식각하여 형성하는데 상기 보호막은 상기 이방성식각에 사용되는 식각가스와 반응하여 기화되는 기화성 물질막으로 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 기화성 물질막은 몰리브데늄 실리콘 옥시 나이트라이드막(MoSiON)으로 형성하되, 200Å∼3,000Å정도의 두께로 형성하는 것이 바람직하며, 상기 이방성 건식식각용 가스로써 CHF3, SF6및 CF4로 이루어진 군중 선택된 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 상기 차광막 및 보호막은 스퍼터 방식으로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 상기 제2 영역을 노출시키는 감광막 패턴을 형성할 때, 상기 제2 영역 둘레의 보호막의 일부도 노출되고 상기 노출된 보호막은 상기 홈을 형성하는 단계에서 완전히 제거하거나 일부만 제거한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 다음과 같은 위상 반전 마스크 제조방법을 더 제공한다.
즉, 기판의 전면에 차광막 및 차광역할을 겸하는 보호막을 순차적으로 형성하는 단계와 상기 보호막의 전면에 감광막을 도포하는 단계와 상기 감광막의 전면에 차징 방지막을 형성하는 단계와 상기 차징 방지막 및 감광막을 순차적으로 패터닝하는 단계와 상기 패터닝된 차징 방지막 및 감광막을 식각마스크로 사용하여 상기 보호막을 패터닝하는 단계와 상기 패터닝된 차징 방지막 및 감광막을 제거하고 그 결과물을 세정하는 단계와 상기 패터닝된 보호막을 식각마스크로 사용하여 상기 차광막의 노출된 부분을 식각함으로써 상기 기판의 제1 및 제2 영역을 노출시키는 단계 및 상기 기판의 제2 영역을 위상 반전 영역으로 형성하는 단계를 포함하는 위상 반전 마스크 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에서 상기 차징 방지막 및 상기 감광막은 전자 빔(E-beam)을 사용하여 패터닝한다.
이와 같이, 본 발명에 의한 블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조방법은 차광막 상에 차광역할을 겸하면서 상기 차광막을 보호할 수 있는 보호막을 구비한다. 즉, 상기 차광막 상에 다기능 물질막을 구비한다. 따라서, 이와 같은 블랭크 마스크를 이용하여 위상 반전 마스크를 제조하는 경우, 기판의 위상 무 반전과 위상 반전 영역이 형성될 부분을 정상적으로 노출시키는 것이 가능하고, 기판의 정해진 영역에 상기 위상 반전 영역을 형성하는 과정에서 상기 위상 반전 영역에 광 투과 또는 위상 반전을 방해하는 물질층이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조방법을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다.
그러나 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 도면에서 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되어진 것이다. 도면상에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
첨부된 도면들 중, 도 8 및 도 9는 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 의한 블랭크 마스크의 단면도이고, 도 10 내지 15는 각각 본 발명의 제1 실시예에 의한 교번 위상 반전 마스크 제조 방법을 단계별로 나타낸 단면도이며, 도 16은 도 12 내지 도 15와 함께 본 발명의 제2 실시예에 의한 교번 위상 반전 마스크 제조 방법을 단계별로 나타낸 단면도이다. 또한, 도 17은 본 발명의 제1 실시예에 의한 교번 위상 반전 마스크 제조 방법의 다른 결과를 나타낸 단면도이다.
먼저, 본 발명의 실시예에 의한 블랭크 마스크를 설명한다.
제1 실시예
도 8을 참조하면, 기판(40)의 전면에 차광막(42)이 존재한다. 상기 기판(40)은 입사되는 광에 대해서 광학적으로 투명한 석영(quartz)기판이다. 그리고 상기 차광막(42)은 크롬막(Cr)이다. 상기 차광막(42)은 상기 기판(40)을 통해서 입사되는 입사광에 대해 광학적으로 완전한 차광 역할을 하는 물질막이다. 이러한 역할을 하기 위한 상기 차광막(42)의 두께는 상기 차광막(42)을 구성하는 물질 및 입사되는 광에 따라 달라진다. 예컨대, 상기 차광막(42)이 크롬막일 때, 광학적으로 완전한 차광을 위해선 입사광에 따라 다를 수 있겠으나, 그 두께는 적어도 500Å 이상이 바람직하다.
계속해서, 상기 차광막(42)의 전면에 보호막(44)이 존재한다. 상기 보호막(44)은 위상 반전 마스크를 제조하는 과정에서 상기 기판(40) 식각용 가스로부터 상기 차광막(42)을 보호하는 역할을 한다. 또한, 상기 보호막(44)은 상기 차광막(42)을 보호하는 역할외에도 보조적으로 차광 역할도 하는 다기능 물질막이다. 이러한 역할을 하는 상기 보호막(44)은 상기 식각가스와 반응하여 기화하는 기화성 물질막이다. 상기 기화성 물질막으로 몰리브데늄 실리콘 옥시 나이트라이드막(MoSiOXNY)이 바람직하다. 이때, 상기 보호막(44)의 두께는 200Å∼3,000Å정도가 바람직하나, 구성하는 물질이 달라지는 경우, 그 두께는 기판(40)과의 식각 선택비, 상기 기판(40)에 형성해야하는 홈의 깊이 및 상기 기판(40)에 입사되는 광의 파장에 따라 달라질 수 있다.
제2 실시예
제2 실시예는 노광 수단으로써 전자 빔(E-beam)을 사용할 때의 블랭크 마스크를 제공한다.
도 9를 참조하면, 투명기판(40)의 전면에 차광막(42) 및 보호막(44)이 순차적으로 형성되어 있고, 상기 보호막(44)의 전면에 감광막(46) 및 차징 방지막(56)이 순차적으로 형성되어 있다. 상기 투명기판(40), 차광막(42) 및 보호막(44)은 제1 실시예와 동일한 부재이다. 그리고 상기 감광막(46)은 포토레지스트막이며, 상기 차징 방지막(56)은 전자 빔을 이용하는 노광공정에서 상기 감광막의 표면에 전하가 차징(charging)되는 것을 방지하기 위한 물질막으로써, 예를 들면 PTAS(polythienylalkanesulfonate)막 또는 PITNS(polyisothianaphthenediylsulfonate)막이다.
다음은 상기 제1 및 제2 실시예에 의한 블랭크 마스크를 이용하는 본 발명의 실시예에 의한 위상 반전 마스크 제조방법을 설명한다.
제1 실시예
도 10을 참조하면, 기판(40) 상에 차광막(42) 및 보호막(44)을 순차적으로 형성한다. 상기 기판(40)은 광학적으로 투명한 석영 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 차광막(42)은 상기 기판(40)에 입사되는 광을 광학적으로 완전히 차광할 수 있는 두께를 갖는 물질막으로써 크롬막(Cr)으로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 차광막(42)은 스퍼터(sputter)방식으로 형성한다. 상기 차광막(42)은 상기 기판(40)에 입사되는 광이 상기 차광막(42)을 투과하더라도 그 세기는 감광막을 감광시킬 수 없을 정도로 낮아지게 하는 물질막이다. 상기 차광막(42)의 두께는 상기 차광막(42)을 구성하는 물질과 상기 기판(40)에 입사되는 광의 파장에 따라 달라진다. 따라서, 상기 차광막(42)을 크롬막으로 형성하는 경우, 그 두께는 적어도 500Å이상이 되게 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 상기 차광막(42)이 크롬막외의 다른 물질로 형성되는 경우 또는 상기 기판(40)에 입사되는 광의 파장이 달라지는 경우 상기 차광막(42)의 두께는 달라질 수 있다. 상기 보호막(44)은 상기 차광막(42)을 보호하는 역할을 한다. 즉, 상기 기판(40)에 위상 반전 영역을 형성하기 위해 홈을 형성하는 과정에서 상기 차광막(42)의 표면이 노출되어 식각가스와 반응하는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 보호막(44)으로 인해, 상기 식각가스와 상기 차광막(42)의 반응이 방지되므로 상기 홈의 바닥에 상기 식각가스와 상기 차광막(42)의 반응으로 인한 불필요한 물질막이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 상기 물질막은 후속 공정에 결함(defect)으로 작용한다. 상기 보호막(44)은 상기 기판(40)에 홈을 형성하기 위해 사용하는 식각가스와 반응하여 기화될 수 있는 기화성 물질막으로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 기화성 물질막은 실리콘(Si)을 포함하는 물질막으로써, 예를 들면 몰리브데늄 실리콘 옥시 나이트라이드막(MoSiOxNy)으로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 보호막(44)의 두께는 상기 식각가스에 대한 상기 보호막(44)과 상기 기판(40) 사이의 식각 선택비에 따라 달라진다. 또한, 상기 기판(40)에 입사되는 광의 파장에 따라 상기 홈이 형성되는 영역의 기판의 두께는 달라진다. 즉, 상기 홈의 깊이는 달라진다. 상기 보호막(44)이 몰리브데늄 실리콘 옥시 나이트라이드막으로 형성되는 경우, 상기 보호막(44)은 200Å∼3,000Å정도의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 몰리브데늄 실리콘 옥시 나이트라이드막은 스퍼터 방식으로 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 상기 보호막(44)을 형성하는 방법은 사용되는 물질에 따라 다를 수 있다.
한편, 상기 보호막(44)은 상기 차광막(42)을 보호하는 것이 주 역할이지만, 보조적으로 차광역할을 할 수도 있다.
예를 들면, KrF를 광원으로 이용하는 경우, 일반적으로 파장이 248㎚인 심자외선(Deep Ultra violet)이 노광용 광으로 사용된다. 이때, 상기 보호막(44)이 몰리브데늄 실리콘 옥시 나이트라이드막으로 형성되고, 그 두께가 1,800Å정도이면 상기 보호막(44)에 입사되는 광중 0.25%∼0.64%정도만 상기 보호막(44)을 투과하게 된다. 이 정도의 투과광에 감광막은 감광되지 않는다. 따라서, 상기 보호막(44)은 광학적으로 상기 차광막(42)과 같은 차광막 역할을 한다고 볼 수 있다. 곧, 상기 보호막(44)은 자체적으로 제2의 차광막으로 사용될 수도 있다. 결과적으로, 상기 보호막(44)이 존재하는 경우, 상기 차광막(42)과 함께 상기 기판(40)의 차광영역의 차광 효과는 더욱 높아진다.
계속해서, 상기 보호막(44)의 전면에 감광막, 예컨대 포토레지스트막(미도시)을 도포한다. 상기 감광막을 패터닝하여 상기 보호막(44) 상에 감광막 패턴(46a)을 형성한다. 상기 감광막 패턴(46a)이 형성됨으로써 상기 감광막 패턴(46a) 사이의 상기 보호막(44) 표면이 노출된다. 상기 기판(40)에서 상기 보호막(44)의 노출된 표면의 아래에 대응하는 부분은 위상 무 반전 영역 또는 위상 반전 영역에 해당되는 부분이다.
도 11은 보호막(44)을 패터닝하여 보호막 패턴(44a)을 형성하는 단계를 나타낸 도면으로써, 구체적으로, 상기 감광막 패턴(46a)을 식각마스크로 사용하여 상기 보호막(44)의 전면을 식각한다. 이 결과, 상기 보호막(44)의 노출된 부분이 제거되어 그 아래의 차광막(42)이 노출되고, 보호막 패턴(44a)이 형성된다.
도 12를 참조하면, 상기 감광막 패턴(46a)을 제거한다. 이어서, 상기 감광막 패턴(46a)이 제거된 결과물을 세정한다. 이 결과, 상기 감광막 패턴(46a) 및 보호막 패턴(44a)을 형성하는 과정에서 상기 차광막(42)의 노출된 부분에 있는 잔류물이 제거되어, 상기 차광막(42)의 노출된 부분의 표면이 깨끗해진다.
도 13을 참조하면, 상기 보호막 패턴(44a)을 식각마스크로 사용하여 상기 차광막(42)의 전면을 식각한다. 상기 식각은 이방성 건식 식각이다. 필요할 경우, 습식식각을 이용할 수도 있다. 상기 식각은 상기 기판(40)이 노출될 때 까지 실시한다. 상기 식각에 의해, 상기 차광막(42)의 노출된 부분이 제거되어 상기 기판(40)의 제1 및 제2 영역(48, 49)이 노출되고, 차광막 패턴(42a)이 형성된다. 상기 차광막(42)의 식각은 상기 차광막(42)의 노출된 부분의 표면이 깨끗한 상태에서 시작되므로, 상기 기판(40)의 노출된 제1 및 제2 영역(48, 49)의 표면에는 상기 차광막(42)을 구성하는 물질, 예컨대 크롬으로 인한 결함이 형성되지 않는다. 대신, 상기 보호막(44)을 구성하는 물질, 예컨대 상기 몰리브데늄 실리콘 옥시 나이트라이드로 인한 결함이 상기 기판(40)의 노출된 제1 및 제2 영역(48, 49)의 표면에 형성될 수도 있다. 그러나, 상기 몰리브데늄 실리콘 옥시 나이트라이드 결함은 집속 이온 빔(Focused Ion Beam, 이하, FIB라 함)을 이용하거나 레이저를 이용함으로써 상기 기판(40)에 손상을 주지 않고 쉽게 제거할 수 있다.
상기 기판(40)의 노출된 제1 영역(48) 및 제2 영역(49)은 각각 위상 무 반전 영역 및 위상 반전 영역이다. 상기 제1 및 제2 영역(48, 49)을 이렇게 규정하는 것은 상대적이다.
예컨대, 본 위상 반전 마스크 제조방법이 완료된 후, 상기 제2 영역(49)을 통과하는 광의 위상을 상기 제1 영역(48)을 통과하는 광의 위상과 비교했을 때 상기 제2 영역(49)을 통과한 광의 위상은 반전된 것이 된다. 그러나, 반대의 경우, 상기 제1 영역(48)을 통과한 광의 위상이 반전된 것이 된다.
이와 같이, 상기 제1 및 제2 영역(48, 49)을 위상 무 반전 영역 또는 위상 반전 영역으로 규정하는 것은 상대적이다. 그런데, 후속공정에서 상기 제2 영역(49)에 홈이 형성되므로 상기 제1 영역(48)을 통과하는 광을 기준 광으로 하고 상기 제2 영역을 통과하는 광을 비교광으로 하여, 상기 제1 영역(48)을 위상 무 반전 영역으로, 상기 제2 영역(49)을 위상 반전 영역으로 규정한다.
도 14를 참조하면, 상기 보호막 패턴(44a) 및 차광막 패턴(42a)이 형성되어 있는 결과물 전면에 감광막(미도시)을 도포한다. 상기 감광막은 포토레지스트막이다. 상기 감광막을 패터닝하여 상기 기판(40)의 제2 영역(49)을 노출시키는 감광막 패턴(50)을 형성한다. 이때, 상기 감광막 패턴(50)을 형성하기 위한 마스크 정렬과정에서 정렬마진 때문에 상기 제2 영역(49) 둘레의 보호막 패턴(44a)의 일부도 노출된다.
도 15를 참조하면, 상기 감광막 패턴(50)을 식각마스크로 사용하여 상기 기판(40)의 전면을 이방성으로 건식 식각한다. 상기 식각에 플루오르(F)기를 갖는 식각가스, 예를 들면 CHF3, SF6및 CF4로 이루어진 군중 선택된 어느 하나를 사용한다. 이외에도, 상기 기판(40)을 녹일 수 있는 이방적 성질을 갖는 가스라면, 상기 이방성 식각용 가스로 사용할 수 있다. 상기 식각에 의해, 상기 기판(40)의 노출된 제2 영역(49)이 식각되어 홈(51)이 형성된다. 상기 제2 영역(49)에 상기 홈(51)이 형성됨으로써, 상기 제2 영역(49)은 위상 반전 영역으로 된다.
상기 제2 영역(49)의 위상 반전 특성은 상기 홈(51)이 형성되고 남은 기판(40)의 두께(T)에 의해 결정된다. 상기 두께(T)에 의해 입사되는 광의 위상이 반전된다. 따라서, 상기 홈(51)의 깊이도 홈(51)이 형성되는 부분의 기판 두께에 의해 결정된다. 또한, 상기한 바와 같이, 상기 홈(51)이 형성되는 깊이는 상기 기판(40)에 입사되는 입사광의 파장 및 상기 기판(40)을 구성하는 물질에 따라 달라진다. 따라서, 그 두께(T)도 달라진다.
예를 들어, 상기 기판(40)의 재질이 석영의 굴절율보다 작은 굴절율을 갖는 투명한 물질인 경우, 상기 기판(40)의 제2 영역(49)의 두께(T)는 도면에 도시한 것보다 더 두꺼워 질 것이다. 반면, 상기 기판(40)의 재질이 석영의 굴절율보다 큰 굴절율을 갖는 물질인 경우 상기 기판(40)의 제2 영역(49)의 두께(T)는 도면에 도시한 것보다 더 얇아질 것이다.
한편, 상기 보호막 패턴(44a)의 노출된 부분은 상기 홈(51)을 형성하는 과정에서 상기 식각 가스와 지속적으로 반응하게 된다. 이때, 상기 식각가스에 대한 상기 보호막(44) 및 상기 기판(40)의 식각선택비에 따라 그 정도가 달라질 수 있지만, 상기 기판(40)에 상기 홈(51)이 완전히 형성될 즈음에 상기 보호막(44)의 노출부분의 두께는 상당히 얇아지게 된다.
다른 한편으로는 도 15에 도시한 바와 같이, 상기 제2 영역(49)에 상기 홈(51)을 형성하는 과정에서 상기 보호막 패턴(44a)의 노출된 부분을 상기 홈(51)을 형성함과 동시에 완전히 제거할 수도 있다. 이러한 과정은 상기 기판(40)에 입사되는 광의 파장을 고려함으로써 정해지는 상기 홈(51)의 깊이와 상기 홈(51)을 형성하는데 사용하는 식각가스에 대한 상기 기판(40) 및 상기 보호막(44)의 식각선택비를 고려하여 상기 보호막(44)을 적정두께로 형성함으로써 가능하다.
예컨대, 상기 기판(40)에 입사되는 입사광의 파장을 고려하여 상기 기판(40)의 제2 영역(49)에 형성해야하는 상기 홈(51)의 깊이가 정해지고 상기 홈(51)을 형성하는데 사용한 식각가스에 대한 상기 보호막(44) 및 기판(40)의 식각 선택비가 1:2인 경우, 상기 홈(51)을 형성함과 동시에 상기 보호막 패턴(44a)의 노출된 부분을 완전히 제거하기 위해선, 상기 보호막(44)을 형성할 때 상기 홈(51)의 깊이의 절반에 해당하는 두께로 형성하면 된다.
상기 홈(51)을 형성하는 과정에서, 상기 보호막 패턴(44a)의 노출된 부분은 상기 홈(51)을 형성하기 위해 사용하는 식각가스와 반응하여 기화된다. 따라서, 상기 홈(51)의 바닥에 종래 기술에 의한 위상 반전 마스크 제조방법에서 처럼 입사되는 광의 투과율을 저하시키고 위상을 비 정상적으로 변화시키는 물질층이 형성되지 않는다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 의한 위상 반전 마스크 제조방법은 위상 무 반전 영역인 제1 영역(48)과 위상 반전 영역인 제2 영역(49)으로 구분되고 상기 제2 영역(49)에 홈(51)이 형성되어 있고, 상기 제1 및 제2 영역(48, 49)사이의 기판(40) 상에 차광막 패턴(42a) 및 보호막 패턴(44a)이 순차적으로 형성되어 있는 위상 반전 마스크를 제공한다.
제2 실시예
제 2 실시예에 의한 위상 반전 마스크 제조방법은 전자 빔(E-beam)을 이용하여 노광하는 경우이다.
도 9를 참조하면, 기판(40)의 전면에 차광막(42) 및 보호막(44)을 순차적으로 형성한다. 상기 차광막(42) 및 보호막(44)은 제1 실시예의 설명에서 기술한 바와 같은 물질막으로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 보호막(44)의 전면에 감광막(46) 및 차징 방지막(56)을 순차적으로 형성한다. 상기 차징 방지막(56)은 다음에 실시할 감광막 패터닝 과정에서 감광막(46)의 표면이 하전되는 것을 방지하기 위한 물질막으로 사용된다.
도 16을 참조하면, 전자 빔(electron beam)을 이용하여 상기 차징 방지막(56) 및 감광막(46)을 순차적으로 패터닝한다. 이 결과, 상기 보호막(44)의 소정영역을 노출시키는 감광막 패턴(46a) 및 차징 방지막 패턴(56a)이 형성된다. 이후, 상기 차징 방지막 패턴(56a) 및 감광막 패턴(46a)을 식각마스크로 사용하여 상기 보호막(44)을 식각하는 공정등 후속 공정은 도 11 내지 도 15 및 도 17에 도시한 제1 실시예에 따라 실시한다. 다만, 상기 차징 방지막 패턴(56a)은 상기 보호막 패턴(44a)을 형성한 후, 상기 감광막 패턴(46a)을 제거하는 과정에서 완전히 제거할 수도 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기 보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 보호막(44)으로 사용되는 기화성 물질로써 상기한 몰리브데늄 실리콘 옥시 나이트라이드막 대신 실리콘(Si)을 함유하는 다른 물질을 사용하는 방법으로 본 발명을변형하여 실시할 수도 있다. 그리고 상기 차광막(42)이나 상기 보호막(44)은 스퍼터방식외의 다른 적층 방식, 예들 들면 CVD(Chemical Vapor Deposition)계열의 물질막 증착 방식을 사용하는 방법으로 본 발명을 변형하여 실시할 수도 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 의한 블랭크 마스크는 도 15 또는 도 17에 도시한 바와 같은 형태의 교번 위상 반전 마스크 형태와 다른 형태의 교번 위상 반전 마스크 제조 방법에 적용할 수 있다. 예들 들면 상기 기판(40)의 상기 제2 영역(49)에 홈(51)을 형성하는 대신 제2 영역(49) 상에 위상 반전층을 형성하는 교번 위상 반전 마스크 제조방법에 적용할 수 있다. 또한, 도 8 및 도 9에 도시한 블랭크 마스크는 교번 위상 반전 마스크 제조 방법외의 다른 위상 반전 마스크 제조방법, 예컨대 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법에도 적용할 수 있다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조 방법은 차광막 상에 차광역할을 겸하는 상기 차광막 보호용 보호막을 구비한다. 즉, 상기 차광막 상에 다기능 물질막을 구비한다. 이와 같은 블랭크 마스크를 이용하여 위상 반전 마스크를 제조하는 경우, 기판의 제1 및 제2 영역을 상기 기판에 손상을 주지 않고 정상적으로 노출시킬 수 있다. 또한, 상기 노출된 제2 영역에 홈을 형성하는 과정에서 노출되는 보호막은 상기 홈 형성용 식각가스와 반응하여 쉽게 기화되므로 상기 홈의 바닥에는 입사되는 광의 투과 및 위상 변화에장애를 주는 물질층이 형성되지 않는다. 따라서 정상적인 광의 투과율 및 위상 변화가 가능한 위상 반전 마스크, 예컨대 교번(alternating) 위상 반전 마스크를 제조할 수 있다.

Claims (20)

  1. 입사광에 투명한 기판;
    상기 투명한 기판의 전면에 형성된 차광막;
    상기 차광막의 전면에 형성된 보호막;
    상기 보호막 상에 형성된 감광막; 및
    상기 감광막 상에 형성된 차징 방지막을 구비하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 차광막은 크롬막이며 그 두께는 적어도 500Å이상인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 보호막은 상기 차광막을 보호하기 위한 물질막으로써 상기 차광막과 접착성(adhesion)이 좋으며 상기 기판 식각용 가스와 반응하여 기화될 수 있는 기화성 물질막인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기화성 물질막은 몰리브데늄 실리콘 옥시 나이트라이드막(MoSiON)으로써 그 두께는 200Å∼3,000Å인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  5. 삭제
  6. 기판의 전면에 광학적으로 완전한 차광을 이루는 차광막을 형성하는 단계;
    상기 차광막 상에 상기 차광막의 소정 영역이 노출되는 보호막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 보호막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 차광막의 노출된 부분을 식각함으로써 상기 기판의 제1 및 제2 영역을 노출시키는 단계; 및
    상기 기판의 제2 영역의 소정 두께를 식각하여 위상 반전 영역으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 차광막은 크롬막으로 형성하되, 적어도 500Å이상의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제2 영역을 위상 반전 영역으로 형성하는 단계는
    상기 제1 및 제2 영역이 노출된 기판의 전면에 감광막을 도포하는 단계;
    상기 감광막을 패터닝하여 상기 제2 영역을 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 제2 영역에 홈을 형성하되, 상기 제2 영역의 기판의 두께가 위상 반전 두께가 될 때 까지 형성하는 단계; 및
    상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 홈은 상기 기판의 제2 영역을 이방성 건식 식각하여 형성하는데 상기 보호막은 상기 이방성식각에 사용되는 식각가스와 반응하여 기화되는 기화성 물질막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기화성 물질막은 몰리브데늄 실리콘 옥시 나이트라이드막(MoSiON)으로 형성하되, 200Å∼3,000Å정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 이방성 건식식각용 가스로 CHF3, SF6및 CF4로 이루어진 군중 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 제2 영역을 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 과정에서 상기 제2 영역 둘레의 보호막의 일부를 노출시키고 상기 노출된 보호막의 일부를 상기 홈을 형성하는 과정에서 제거하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  13. 기판의 전면에 차광막 및 차광역할을 겸하는 보호막을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 보호막의 전면에 감광막을 도포하는 단계;
    상기 감광막의 전면에 차징 방지막을 형성하는 단계;
    상기 차징 방지막 및 감광막을 순차적으로 패터닝하는 단계;
    상기 패터닝된 차징 방지막 및 감광막을 식각마스크로 사용하여 상기 보호막을 패터닝하는 단계;
    상기 패터닝된 차징 방지막 및 감광막을 제거하고 그 결과물을 세정하는 단계;
    상기 패터닝된 보호막을 식각마스크로 사용하여 상기 차광막의 노출된 부분을 식각함으로써 상기 기판의 제1 및 제2 영역을 노출시키는 단계; 및
    상기 기판의 제2 영역을 위상 반전 영역으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 차징 방지막 및 상기 감광막은 전자 빔(E-beam)을 사용하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 차광막은 상기 기판에 입사되는 광을 광학적으로 완전히 차단할 수 있는 두께를 갖는 크롬막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제2 영역을 위상 반전 영역으로 형성하는 단계는
    상기 제1 및 제2 영역이 노출된 기판의 전면에 감광막을 도포하는 단계;
    상기 감광막을 패터닝하여 상기 제2 영역을 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 제2 영역에 홈을 형성하되, 상기 제2 영역의 기판의 두께가 위상 반전 두께가 될 때 까지 형성하는 단계; 및
    상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 보호막은 상기 홈을 형성하는데 사용되는 식각가스와 반응하여 반응하여 기화되는 기화성 물질막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 기화성 물질막은 몰리브데늄 실리콘 옥시 나이트라이드막(MoSiON)으로 형성하되, 200Å∼3,000Å정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 식각가스로 CHF3, SF6및 CF4로 이루어진 군중 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  20. 제13항에 있어서, 상기 제2 영역을 노출시키는 감광막 패턴을 형성할 때, 상기 제2 영역 둘레의 보호막의 일부를 노출시키고 상기 노출된 보호막은 상기 홈을 형성하는 단계에서 완전히 제거하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
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KR1019990026551A KR100322537B1 (ko) 1999-07-02 1999-07-02 블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조방법

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040013728A (ko) * 2002-08-08 2004-02-14 주식회사 피케이엘 레벤슨형 위상반전마스크 제조방법
KR101029162B1 (ko) * 2003-02-03 2011-04-12 호야 가부시키가이샤 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크를 이용한 패턴 전사 방법

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003021659A1 (en) * 2001-09-04 2003-03-13 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for etching metal layers on substrates
KR20040012451A (ko) * 2002-05-14 2004-02-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 포토리소그래픽 레티클을 에칭하는 방법
JP3612525B2 (ja) 2002-06-04 2005-01-19 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜半導体装置の製造方法及びそのレジストパターン形成方法
JP3727911B2 (ja) * 2002-09-25 2005-12-21 株式会社東芝 マスク、マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
US6960413B2 (en) 2003-03-21 2005-11-01 Applied Materials, Inc. Multi-step process for etching photomasks
DE112004000566B4 (de) * 2003-03-31 2016-02-04 Hoya Corp. Verfahren zum Herstellen eines Maskenrohlings und Verfahren zum Herstellen einer Maske
KR101511926B1 (ko) * 2003-04-09 2015-04-13 호야 가부시키가이샤 포토 마스크의 제조방법 및 포토 마스크 블랭크
US7077973B2 (en) 2003-04-18 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Methods for substrate orientation
JP4443873B2 (ja) * 2003-08-15 2010-03-31 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクの製造方法
KR100546365B1 (ko) * 2003-08-18 2006-01-26 삼성전자주식회사 블랭크 포토마스크 및 이를 사용한 포토마스크의 제조방법
US7521000B2 (en) 2003-08-28 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Process for etching photomasks
US7422828B1 (en) 2004-02-06 2008-09-09 Advanced Micro Devices, Inc. Mask CD measurement monitor outside of the pellicle area
TWI375114B (en) 2004-10-22 2012-10-21 Shinetsu Chemical Co Photomask-blank, photomask and fabrication method thereof
US7163888B2 (en) * 2004-11-22 2007-01-16 Motorola, Inc. Direct imprinting of etch barriers using step and flash imprint lithography
KR101334012B1 (ko) * 2005-07-25 2013-12-02 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판의 제조방법, 마스크 블랭크의제조방법 및 마스크의 제조방법
KR101143620B1 (ko) * 2005-12-27 2012-05-09 에스케이하이닉스 주식회사 표면 거칠기를 개선할 수 있는 포토 마스크의 제조방법
JP4823711B2 (ja) * 2006-02-16 2011-11-24 Ｈｏｙａ株式会社 パターン形成方法及び位相シフトマスクの製造方法
US7767365B2 (en) * 2006-08-31 2010-08-03 Micron Technology, Inc. Methods for forming and cleaning photolithography reticles
US7648806B2 (en) * 2007-02-02 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Phase shift mask with two-phase clear feature
JP5658435B2 (ja) * 2009-03-31 2015-01-28 リンテック株式会社 マスクフィルム用部材、それを用いたマスクフィルムの製造方法及び感光性樹脂印刷版の製造方法
JP5479074B2 (ja) * 2009-12-21 2014-04-23 Ｈｏｙａ株式会社 光学素子の製造方法、光学素子
CN101943855B (zh) * 2010-08-11 2016-01-06 上海集成电路研发中心有限公司 移相掩模板结构及其制造方法
JP5719948B2 (ja) * 2014-02-12 2015-05-20 Hoya株式会社 光学素子の製造方法
KR101504557B1 (ko) * 2014-03-23 2015-03-20 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토 마스크
JP5907634B2 (ja) * 2015-03-23 2016-04-26 Hoya株式会社 光学素子の製造方法
WO2017062423A1 (en) * 2015-10-07 2017-04-13 Corning Incorporated Method of laser preparation of a coated substrate to be laser cut
KR102398583B1 (ko) 2015-11-06 2022-05-17 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
KR102624985B1 (ko) * 2016-07-26 2024-01-16 삼성전자주식회사 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 그 제조방법
KR20180041042A (ko) * 2016-10-13 2018-04-23 주식회사 에스앤에스텍 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
JP6716629B2 (ja) * 2017-05-18 2020-07-01 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド 位相反転ブランクマスク及びその製造方法
CN112394614A (zh) * 2019-08-15 2021-02-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜版、掩膜版缺陷修复方法、掩膜版的使用方法以及半导体结构
CN113641078A (zh) * 2021-08-12 2021-11-12 深圳市龙图光电有限公司 凹槽掩模版的制作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0876353A (ja) * 1994-09-08 1996-03-22 Nec Corp 位相シフトマスクの製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4657648A (en) 1981-03-17 1987-04-14 Osamu Nagarekawa Method of manufacturing a mask blank including a modified chromium compound
US5139922A (en) * 1987-04-10 1992-08-18 Matsushita Electronics Corporation Method of making resist pattern
JPH05113655A (ja) 1991-10-23 1993-05-07 Toppan Printing Co Ltd 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク用ブランク
US5348826A (en) * 1992-08-21 1994-09-20 Intel Corporation Reticle with structurally identical inverted phase-shifted features
JP3228354B2 (ja) 1992-09-11 2001-11-12 凸版印刷株式会社 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク並びに位相シフトマスクブランクの製造方法
JP3453435B2 (ja) * 1993-10-08 2003-10-06 大日本印刷株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法
JP3445329B2 (ja) 1993-11-02 2003-09-08 Ｈｏｙａ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク
US5635315A (en) 1995-06-21 1997-06-03 Hoya Corporation Phase shift mask and phase shift mask blank
KR100225661B1 (ko) 1995-07-19 1999-10-15 야마나까 마모루 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법
JPH09304912A (ja) 1996-05-15 1997-11-28 Mitsubishi Electric Corp 位相シフトマスク、位相シフトマスク用ブランクスおよび位相シフトマスクの製造方法
US5935735A (en) 1996-10-24 1999-08-10 Toppan Printing Co., Ltd. Halftone phase shift mask, blank for the same, and methods of manufacturing these
US6020269A (en) * 1998-12-02 2000-02-01 Advanced Micro Devices, Inc. Ultra-thin resist and nitride/oxide hard mask for metal etch
US6569580B2 (en) * 2001-03-13 2003-05-27 Diverging Technologies, Inc. Binary and phase-shift photomasks

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0876353A (ja) * 1994-09-08 1996-03-22 Nec Corp 位相シフトマスクの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040013728A (ko) * 2002-08-08 2004-02-14 주식회사 피케이엘 레벤슨형 위상반전마스크 제조방법
KR101029162B1 (ko) * 2003-02-03 2011-04-12 호야 가부시키가이샤 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크를 이용한 패턴 전사 방법
KR101049624B1 (ko) * 2003-02-03 2011-07-15 호야 가부시키가이샤 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크를 이용한 패턴 전사 방법

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JP2001033940A (ja) 2001-02-09
US6576374B1 (en) 2003-06-10
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US20030194620A1 (en) 2003-10-16

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