JPH08123008A - 位相シフトマスクおよびその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクおよびその製造方法Info
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- JPH08123008A JPH08123008A JP25809794A JP25809794A JPH08123008A JP H08123008 A JPH08123008 A JP H08123008A JP 25809794 A JP25809794 A JP 25809794A JP 25809794 A JP25809794 A JP 25809794A JP H08123008 A JPH08123008 A JP H08123008A
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- Japan
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- phase shift
- mask
- shift layer
- layer
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】マスク洗浄に耐えうるハーフトーン型の位相シ
フトマスクおよびその製造方法を提供する。 【構成】透明基板１上に半透明な位相シフト層を設け、
位相シフト層を透過した光の強度がこの透過した光によ
り露光されるフォトレジストの感度以下になるような透
過率を有するハーフトーン型の位相シフトマスク２′に
おいて、マスク最表面に保護膜４を設けることを特徴と
する位相シフトマスク２′で、実施態様としては、位相
シフト層がモリブデンシリサイドの窒化酸化膜からなり
且つ保護膜４が酸化シリコン膜からなっている。また、
透明基板１上に半透明な位相シフト層を設け、フォトリ
ソグラフィー工程を経て位相シフト層をパターニング
し、ハーフトーン型位相シフトマスク２′を形成した
後、最表面に保護膜４を設けることを特徴とする位相シ
フトマスクの製造方法。
フトマスクおよびその製造方法を提供する。 【構成】透明基板１上に半透明な位相シフト層を設け、
位相シフト層を透過した光の強度がこの透過した光によ
り露光されるフォトレジストの感度以下になるような透
過率を有するハーフトーン型の位相シフトマスク２′に
おいて、マスク最表面に保護膜４を設けることを特徴と
する位相シフトマスク２′で、実施態様としては、位相
シフト層がモリブデンシリサイドの窒化酸化膜からなり
且つ保護膜４が酸化シリコン膜からなっている。また、
透明基板１上に半透明な位相シフト層を設け、フォトリ
ソグラフィー工程を経て位相シフト層をパターニング
し、ハーフトーン型位相シフトマスク２′を形成した
後、最表面に保護膜４を設けることを特徴とする位相シ
フトマスクの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の
半導体デバイスの製造の際、ウェハーに回路パターンを
転写するフォトリソグラフィー工程において、ｉ線（波
長３６５ｎｍ）もしくはＫｒＦエキシマレーザー（波長
２４８ｎｍ）等を光源とする位相シフト露光法に使用で
きる位相シフトマスクおよびその製造方法に関するもの
である。
半導体デバイスの製造の際、ウェハーに回路パターンを
転写するフォトリソグラフィー工程において、ｉ線（波
長３６５ｎｍ）もしくはＫｒＦエキシマレーザー（波長
２４８ｎｍ）等を光源とする位相シフト露光法に使用で
きる位相シフトマスクおよびその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来のフォトマスクでは、微細なパター
ンの投影露光に際し、近接したパターンはマスクの光透
過部を透過した光が回折し、干渉し合うこうとによっ
て、パターン境界部での光強度を強め合い、感光して、
ウェーハ上に転写されたパターンが分離解像しないとい
う問題が生じていた。この現象は露光波長に近い微細な
パターンほどその傾向が強く、原理的には従来のフォト
マスクと従来の露光光学系では光の波長以下の微細パタ
ーンを解像することは不可能であった。
ンの投影露光に際し、近接したパターンはマスクの光透
過部を透過した光が回折し、干渉し合うこうとによっ
て、パターン境界部での光強度を強め合い、感光して、
ウェーハ上に転写されたパターンが分離解像しないとい
う問題が生じていた。この現象は露光波長に近い微細な
パターンほどその傾向が強く、原理的には従来のフォト
マスクと従来の露光光学系では光の波長以下の微細パタ
ーンを解像することは不可能であった。
【０００３】そこで、隣接するパターンを透過する投影
光の位相を互いに１８０度とすることにより微細パター
ンの解像力を向上させるという、位相シフト技術を用い
た位相シフトマスクが開発された。すなわち、隣接する
開口部の片側に位相シフト層を設けることにより、透過
光が干渉し合う際、位相が反転しているために境界部の
光強度は相殺し合い、強度はゼロになり、その結果転写
パターンは分離解像する。この関係は焦点の前後でも成
り立っているため、焦点が多少ずれても解像度は従来よ
りも向上し、焦点裕度が改善される。
光の位相を互いに１８０度とすることにより微細パター
ンの解像力を向上させるという、位相シフト技術を用い
た位相シフトマスクが開発された。すなわち、隣接する
開口部の片側に位相シフト層を設けることにより、透過
光が干渉し合う際、位相が反転しているために境界部の
光強度は相殺し合い、強度はゼロになり、その結果転写
パターンは分離解像する。この関係は焦点の前後でも成
り立っているため、焦点が多少ずれても解像度は従来よ
りも向上し、焦点裕度が改善される。
【０００４】尚、上記のような位相シフト法は米国ＩＢ
ＭのＬｅｖｅｎｓｏｎらによって提唱され、特開昭５８
−１７３７４４号公報や特公昭６２−５０８１１号公報
等に記載されている。
ＭのＬｅｖｅｎｓｏｎらによって提唱され、特開昭５８
−１７３７４４号公報や特公昭６２−５０８１１号公報
等に記載されている。
【０００５】さて、パターンを遮光層で形成した場合に
は、遮光パターンの隣接する開口部の片側に位相シフト
層を設けて位相を反転させる。しかしながら、遮光部で
はない所望の位相シフト量をもつ半透明部がある場合に
も、やはり位相シフト効果により解像度を向上できるこ
とが知られている。
は、遮光パターンの隣接する開口部の片側に位相シフト
層を設けて位相を反転させる。しかしながら、遮光部で
はない所望の位相シフト量をもつ半透明部がある場合に
も、やはり位相シフト効果により解像度を向上できるこ
とが知られている。
【０００６】図３はこの原理に基づく位相シフトマスク
を用いてウェハー面に対して露光した場合を示す。図３
の（ａ）に示すように、マスク面に対して垂直に入射し
た光のうち、露光光（Ｉ）および（III)は光半透過部を
通り振幅が減衰し、かつ位相シフト層を通り位相が反転
するが、露光光（II）は位相が反転しないため、透過光
の振幅は図３の（ｂ）のようになる。そして結局、ウェ
ハー面上に投影された光の強度は図３の（ｃ）のように
なる。
を用いてウェハー面に対して露光した場合を示す。図３
の（ａ）に示すように、マスク面に対して垂直に入射し
た光のうち、露光光（Ｉ）および（III)は光半透過部を
通り振幅が減衰し、かつ位相シフト層を通り位相が反転
するが、露光光（II）は位相が反転しないため、透過光
の振幅は図３の（ｂ）のようになる。そして結局、ウェ
ハー面上に投影された光の強度は図３の（ｃ）のように
なる。
【０００７】ここで、光強度は光の振幅の２乗に比例す
るという関係から、半透明部と透過部との境界領域の光
強度はゼロになるため、投影像中のパターンエッジのコ
ントラストが向上されパターンの解像度が上がる。さら
に、焦点の前後においても同様な効果が維持されるた
め、多少の焦点ズレがあっても解像度が上がり、よって
焦点深度の余裕が向上する効果が得られる。
るという関係から、半透明部と透過部との境界領域の光
強度はゼロになるため、投影像中のパターンエッジのコ
ントラストが向上されパターンの解像度が上がる。さら
に、焦点の前後においても同様な効果が維持されるた
め、多少の焦点ズレがあっても解像度が上がり、よって
焦点深度の余裕が向上する効果が得られる。
【０００８】この技術は従来の遮光マスクと同様の構造
で解像度向上の効果および焦点深度の余裕増大化を達成
しうることが特徴であり、便宜的にハーフトーン型と称
される。尚、この技術は、例えば、三菱電機の吉岡らが
Proc. 1993 IEEE Int.で述べている。
で解像度向上の効果および焦点深度の余裕増大化を達成
しうることが特徴であり、便宜的にハーフトーン型と称
される。尚、この技術は、例えば、三菱電機の吉岡らが
Proc. 1993 IEEE Int.で述べている。
【０００９】しかしながら、前記従来の技術によると、
位相シフト層にモリブデンシリサイドの窒化酸化膜を用
いているため、マスク洗浄等に使用されるアルカリ性の
溶液には耐性が弱く、マスク洗浄工程で位相シフト層が
エッチングされ、所望の位相シフト量が得られない問題
があった。
位相シフト層にモリブデンシリサイドの窒化酸化膜を用
いているため、マスク洗浄等に使用されるアルカリ性の
溶液には耐性が弱く、マスク洗浄工程で位相シフト層が
エッチングされ、所望の位相シフト量が得られない問題
があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記問題点に
鑑みなされたものであり、その目的とするところは、ハ
ーフトーン型の位相シフト層を有する位相シフトマスク
であり、且つ 高精度なパターンを形成することが可能
な位相シフトマスクとそれを容易に安定して得られる製
造方法を提供することにある。
鑑みなされたものであり、その目的とするところは、ハ
ーフトーン型の位相シフト層を有する位相シフトマスク
であり、且つ 高精度なパターンを形成することが可能
な位相シフトマスクとそれを容易に安定して得られる製
造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】透明基板上に半透明な位
相シフト層を設け、前記位相シフト層を透過した光の強
度がこの透過した光により露光されるフォトレジストの
感度以下になるような透過率を有するハーフトーン型位
相シフトマスクにおいて、マスク最表面に保護膜を設け
ることを特徴とする位相シフトマスクである。
相シフト層を設け、前記位相シフト層を透過した光の強
度がこの透過した光により露光されるフォトレジストの
感度以下になるような透過率を有するハーフトーン型位
相シフトマスクにおいて、マスク最表面に保護膜を設け
ることを特徴とする位相シフトマスクである。
【００１２】実施態様としては、位相シフト層がモリブ
デンシリサイドの窒化酸化膜からなり、且つ、保護膜が
酸化シリコン膜からなることを特徴とする上記記載の位
相シフトマスクである。
デンシリサイドの窒化酸化膜からなり、且つ、保護膜が
酸化シリコン膜からなることを特徴とする上記記載の位
相シフトマスクである。
【００１３】また、透明基板上に半透明な位相シフト層
を設け、フォトリソグラフィー工程を経て位相シフト層
をパターニングし、ハーフトーン型位相シフトマスクを
形成した後、マスク最表面に保護膜を設けることを特徴
とする位相シフトマスクの製造方法である。
を設け、フォトリソグラフィー工程を経て位相シフト層
をパターニングし、ハーフトーン型位相シフトマスクを
形成した後、マスク最表面に保護膜を設けることを特徴
とする位相シフトマスクの製造方法である。
【００１４】実施態様としては、位相シフト層がモリブ
デンシリサイドの窒化酸化膜からなり、且つ、保護膜が
酸化シリコン膜からなることを特徴とする上記記載の位
相シフトマスクの製造方法である。
デンシリサイドの窒化酸化膜からなり、且つ、保護膜が
酸化シリコン膜からなることを特徴とする上記記載の位
相シフトマスクの製造方法である。
【００１５】
【作用】本発明においては、位相シフトマスクに保護膜
を設けたため、従来問題であったマスク洗浄時の位相シ
フト層の損傷を防ぐことができる。また、半透明な位相
シフト層のパターニング後に保護膜をマスク表面全面に
設けるため、パターン側面からの損傷を防ぐことができ
る。さらに、全面に保護膜を設けるため、位相差ズレを
起こさない。
を設けたため、従来問題であったマスク洗浄時の位相シ
フト層の損傷を防ぐことができる。また、半透明な位相
シフト層のパターニング後に保護膜をマスク表面全面に
設けるため、パターン側面からの損傷を防ぐことができ
る。さらに、全面に保護膜を設けるため、位相差ズレを
起こさない。
【００１６】
＜実施例１＞図１には本発明の一実施例である位相シフ
トマスクの断面図を示す。
トマスクの断面図を示す。
【００１７】図２（ａ）〜（ｆ）で、本発明の位相シフ
トマスクの製造方法の一実施例を示す。まず図２（ａ）
に示すように、石英ガラスからなる透明基板１上に位相
シフト層２として、モリブデンシリサイド・ターゲット
を用いて、不活性ガスであるアルゴンガスに、酸素、窒
素を混合してＤＣ反応性スパッタリングを行い所定の膜
厚になるように成膜する。この膜厚は、透過光が基板１
を透過した光に対して１８０度の位相差をもつように設
定する必要がある。このときの条件は、位相シフト層２
の屈折率をｎ、露光光源波長をλ、位相シフト層２の膜
厚をｄとすると、 ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ で表される。また、この膜厚で所望の透過率にするた
め、酸素・窒素流量、圧力、放電電力等を変えることに
より、光学定数を変化させている。透過率の設定は、使
用するレジストの感度、感光特性を考慮し、決定する必
要がある。５〜３０％の範囲が効果的である。
トマスクの製造方法の一実施例を示す。まず図２（ａ）
に示すように、石英ガラスからなる透明基板１上に位相
シフト層２として、モリブデンシリサイド・ターゲット
を用いて、不活性ガスであるアルゴンガスに、酸素、窒
素を混合してＤＣ反応性スパッタリングを行い所定の膜
厚になるように成膜する。この膜厚は、透過光が基板１
を透過した光に対して１８０度の位相差をもつように設
定する必要がある。このときの条件は、位相シフト層２
の屈折率をｎ、露光光源波長をλ、位相シフト層２の膜
厚をｄとすると、 ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ で表される。また、この膜厚で所望の透過率にするた
め、酸素・窒素流量、圧力、放電電力等を変えることに
より、光学定数を変化させている。透過率の設定は、使
用するレジストの感度、感光特性を考慮し、決定する必
要がある。５〜３０％の範囲が効果的である。
【００１８】さらに、この上に図２（ｂ）に示すように
電子線描画用レジスト３を塗布する。ついでそこへ、従
来通常的に用いられているところの、電子線による描
画、現像、そしてポストベーク等の工程を経て、レジス
トパターン３’を形成する（同図（ｃ））。
電子線描画用レジスト３を塗布する。ついでそこへ、従
来通常的に用いられているところの、電子線による描
画、現像、そしてポストベーク等の工程を経て、レジス
トパターン３’を形成する（同図（ｃ））。
【００１９】次に、前記レジストパターン３’をエッチ
ングマスクとして、フロン系のガスＣＦ4 と酸素ガスを
用いて反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法で位相シフ
ト層２をパターニングした（同図（ｄ））。
ングマスクとして、フロン系のガスＣＦ4 と酸素ガスを
用いて反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法で位相シフ
ト層２をパターニングした（同図（ｄ））。
【００２０】次に、前記レジストパターン３’を除去し
（同図（ｅ））、最終的に保護膜４である酸化シリコン
膜をＲＦスパッタリング法により最表面に１００ｎｍ程
度成膜することにより位相シフトマスクを製造した（同
図（ｆ））。保護膜の成膜方法は、スパッタリング法に
限らず、蒸着法、スピンコート法等でも良い。また、保
護膜は、アルカリ性溶液に耐性があり、且つ、露光波長
で透明であれば、酸化シリコン膜に限るものではない。
（同図（ｅ））、最終的に保護膜４である酸化シリコン
膜をＲＦスパッタリング法により最表面に１００ｎｍ程
度成膜することにより位相シフトマスクを製造した（同
図（ｆ））。保護膜の成膜方法は、スパッタリング法に
限らず、蒸着法、スピンコート法等でも良い。また、保
護膜は、アルカリ性溶液に耐性があり、且つ、露光波長
で透明であれば、酸化シリコン膜に限るものではない。
【００２１】
【発明の効果】本発明の位相シフトマスクを使用した場
合、マスク洗浄工程にかけても位相シフト層のパターン
欠け、ピンホール等の発生もなく、ＬＳＩ等の製造で行
われるフォトリソグラフィー工程における歩留りが、保
護膜を形成しないマスクに較べて著しく向上した。また
マスク全面に酸化シリコンの透明な保護膜を形成してい
るため、位相シフト特性に何ら影響されることなく、高
精度、高解像度のパターンが再現できた。位相シフト層
にモリブデンシリサイド窒化酸化膜、保護膜に酸化シリ
コン膜を用いたので特にアルカリ耐性が良く、安定した
位相シフトマスクが得られる。位相シフトマスクの製造
方法において、位相シフト層をパターニングした後マス
ク全面に酸化シリコン膜を形成するため、安定して高精
度のマスクが容易に得られる。
合、マスク洗浄工程にかけても位相シフト層のパターン
欠け、ピンホール等の発生もなく、ＬＳＩ等の製造で行
われるフォトリソグラフィー工程における歩留りが、保
護膜を形成しないマスクに較べて著しく向上した。また
マスク全面に酸化シリコンの透明な保護膜を形成してい
るため、位相シフト特性に何ら影響されることなく、高
精度、高解像度のパターンが再現できた。位相シフト層
にモリブデンシリサイド窒化酸化膜、保護膜に酸化シリ
コン膜を用いたので特にアルカリ耐性が良く、安定した
位相シフトマスクが得られる。位相シフトマスクの製造
方法において、位相シフト層をパターニングした後マス
ク全面に酸化シリコン膜を形成するため、安定して高精
度のマスクが容易に得られる。
【００２２】
【図１】本発明にかかわる位相シフトマスクの製造方法
の一実施例により得られた位相シフトマスクを、断面図
を用いて示す説明図である。
の一実施例により得られた位相シフトマスクを、断面図
を用いて示す説明図である。
【図２】本発明にかかわる位相シフトマスクの製造方法
の一実施例を、位相シフトマスクの断面図を用いて示す
説明図である。各製造工程を（ａ）〜（ｆ）の順に示す
説明図である。
の一実施例を、位相シフトマスクの断面図を用いて示す
説明図である。各製造工程を（ａ）〜（ｆ）の順に示す
説明図である。
【図３】従来のハーフトーン型位相シフトマスクの一例
を、断面図を用いて示す説明図である。
を、断面図を用いて示す説明図である。
１…透明基板 ２…位相シフト層 ２’…位相シフトパターン ３…レジスト ３’…レジストパターン ４…保護膜 １１…透明基板（従来） １２…位相シフト層（従来）
Claims (4)
- 【請求項１】透明基板上に半透明な位相シフト層を設
け、前記位相シフト層を透過した光の強度がこの透過し
た光により露光されるフォトレジストの感度以下になる
ような透過率を有するハーフトーン型位相シフトマスク
において、マスク最表面に保護膜を設けることを特徴と
する位相シフトマスク。 - 【請求項２】前記位相シフト層がモリブデンシリサイド
の窒化酸化膜からなり、且つ、保護膜が酸化シリコン膜
からなることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマ
スク。 - 【請求項３】透明基板上に半透明な位相シフト層を設
け、フォトリソグラフィー工程を経て位相シフト層をパ
ターニングし、ハーフトーン型位相シフトマスクを形成
した後マスク最表面に保護膜を設けることを特徴とする
位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項４】前記半透明な位相シフト層がモリブデンシ
リサイドの窒化酸化膜からなり、且つ、保護膜が酸化シ
リコン膜からなることを特徴とする請求項３記載の位相
シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25809794A JPH08123008A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25809794A JPH08123008A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08123008A true JPH08123008A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17315473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25809794A Pending JPH08123008A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08123008A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11258772A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| WO2002069037A2 (en) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | International Business Machines Corporation | Attenuated embedded phase shift photomask blanks |
| JP2006039551A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 位相シフトマスクの修理方法 |
| JP2006507547A (ja) * | 2002-11-25 | 2006-03-02 | トッパン、フォウタマスクス、インク | フォトマスク及びその上に保護層を生成する方法 |
| KR100811404B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2008-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이유브이 노광 공정용 위상반전 마스크 및 그 제조 방법 |
| CN101943855A (zh) * | 2010-08-11 | 2011-01-12 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 移相掩模板结构及其制造方法 |
| JP2011065113A (ja) * | 2009-09-21 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | 位相シフトマスク、その製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| US9223199B2 (en) | 2012-10-22 | 2015-12-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomask and method of forming the same |
| US9417518B2 (en) | 2013-07-03 | 2016-08-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomask and method of manufacturing the same |
-
1994
- 1994-10-24 JP JP25809794A patent/JPH08123008A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11258772A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| WO2002069037A2 (en) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | International Business Machines Corporation | Attenuated embedded phase shift photomask blanks |
| WO2002069037A3 (en) * | 2001-02-26 | 2003-01-09 | Ibm | Attenuated embedded phase shift photomask blanks |
| JP2006507547A (ja) * | 2002-11-25 | 2006-03-02 | トッパン、フォウタマスクス、インク | フォトマスク及びその上に保護層を生成する方法 |
| JP2006039551A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 位相シフトマスクの修理方法 |
| KR100811404B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2008-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이유브이 노광 공정용 위상반전 마스크 및 그 제조 방법 |
| JP2011065113A (ja) * | 2009-09-21 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | 位相シフトマスク、その製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN101943855A (zh) * | 2010-08-11 | 2011-01-12 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 移相掩模板结构及其制造方法 |
| US9223199B2 (en) | 2012-10-22 | 2015-12-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomask and method of forming the same |
| US9766540B2 (en) | 2012-10-22 | 2017-09-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming photomask |
| US9417518B2 (en) | 2013-07-03 | 2016-08-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomask and method of manufacturing the same |
| US10042246B2 (en) | 2013-07-03 | 2018-08-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing photomask |
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