JPH10198017A

JPH10198017A - 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランク

Info

Publication number: JPH10198017A
Application number: JP254497A
Authority: JP
Inventors: Takashi Haraguchi; 崇原口; Tadashi Matsuo; 正松尾; Kinji Okubo; 欽司大久保
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1997-01-10
Filing date: 1997-01-10
Publication date: 1998-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】広い波長域に亘って透光性に優れ、且つ、位
相シフトフォトマスクの位相差制御を容易にし、位相差
の精度を向上し得る位相シフトフォトマスク及び位相シ
フトフォトマスク用ブランクを提供することを目的とす
る。【解決手段】透明なガラス基板１上にガラス基板１及
び位相シフト層３よりもエッチング速度の小さいジルコ
ニウム化合物薄膜からなる位相差調整層２と位相シフト
層３を形成した位相シフトフォトマスク用ブランク４を
作製し、位相シフト層３上にレジストパターン５を形成
し、レジストパターン５をマスクにしてドライエッチン
グを行い、位相シフトパターン３ａ及び位相差調整層２
に掘り込み部６を形成して位相シフトフォトマスクを作
製する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
ス中のフォトリソグラフィ工程において高精度な微細パ
ターンを形成する際の露光転写用フォトマスク及びこの
フォトマスクを製造するためのフォトマスクブランクに
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のフォトマスクでは、微細なパター
ンの投影露光に際し、近接したパターンはマスクの光透
過部を通過した光が回折し、干渉し合うことによって、
パターン境界部での光強度を強め合いフォトレジストが
感光するため、ウェハー上に転写されたパターンが分離
解像しないという問題が生じていた。この現象は露光波
長に近い微細なパターンほどその傾向が強く、原理的に
は従来のフォトマスクと従来の露光光学系では光の波長
以下の微細パターンを解像することは不可能であった。

【０００３】そこで、隣接するパターンを透過する投影
光の位相差を互いに１８０度とすることにより微細パタ
ーンの解像力を向上させるという、位相シフト技術を用
いた位相シフトマスクが開発された。

【０００４】位相シフト法は、マスクパターンの一部に
位相シフト領域を設けることにより、透過する光の位相
を１８０度シフトさせる構造としたものである。透過光
が回折し干渉し合う際に位相が反転しているために境界
部の光強度は弱め合い、結果転写パターンは分離解像す
る。この関係は焦点の前後でも成り立っているため、焦
点が多少ずれていても解像度は従来法よりも向上し、焦
点裕度が改善される。シフタの厚さｄはパターン転写に
用いる光の波長をλ、シフタ材料の屈折率をｎとすれ
ば、ｄ＝λ／（２（ｎ−１）で表わさせるように設定す
ればよい。

【０００５】位相シフトマスクは、実際のＬＳＩパター
ンにおける様々な形状のパターンに対応するために、空
間周波数変調型やエッジ強調型，多段位相透過率制御型
などの構造が提案されている。中でも特にレベンソン型
やハーフトーン型は現在多くの利用がなされている。

【０００６】レベンソン型位相シフトマスクはＩＢＭの
Ｌｅｖｅｎｓｏｎらによって提唱された典型的なマスク
構造であり、同じ形のパターンが繰り返し配置されてい
る場合には１個おきのパターンにシフタを配置するタイ
プである。特開昭５８ー１７３７４４号公報や特公昭６
２ー５０８１１号公報に記載されている。パターンを遮
光層で形成する場合は、遮光パターンに隣接する開孔部
の片側に位相シフト部を設けて位相反転させるが、遮光
層が完全な遮光性を持たず、かつこの半透明遮光層によ
って位相が反転される場合にも、同様な解像度向上効果
が得られ、この場合は特に孤立パターンの解像度向上に
有効である。

【０００７】また、ハーフトーン型位相シフトマスクは
図４に示すように、ガラス基板３１上の半透明膜に開口
パターンを設け、かつ、このパターンを透過する光と半
透明膜を透過する光とを逆位相にしている。半透明部３
２はそこを透過する光をレジストが感光する強度より低
い値に抑えることにより実質上遮光領域として作用す
る。しかしパターンのエッジ付近では逆位相の光が打ち
消しあい、半透明遮光パターンと透過部との境界の光強
度は０になる。このことからパターンエッジのコントラ
ストが向上し、その結果パターンの解像度は向上する。
さらに、焦点の前後においても同様な効果が維持される
ため、多少の焦点ズレがあっても解像度が上がり、よっ
て焦点裕度が向上する効果が得られる。

【０００８】しかしながら、シフター上置きやシフター
下置きタイプのレベンソン型位相シフトフォトマスク、
またはハーフトーン型位相シフトフォトマスクでは位相
シフト層における深さ方向のエッチング制御が課題とな
っていた。即ち、位相シフト層のエッチング量の停止の
タイミングが早すぎる場合には所望の位相差を得ること
が出来ず、また位相シフト層のエッチング完了後もエッ
チングが継続された場合には基板であるガラスがエッチ
ングされてしまい位相差は１８０度よりも大きくなる。
そのためウエハ転写時の解像性及び正確な転写性が得ら
れなくなってしまう。

【０００９】位相シフトフォトマスクのエッチングは加
工精度の点などから、異方性エッチングをする必要があ
り、このためドライエッチングが使用される。また、エ
ッチングには、ＣＨＦ₃やＣＦ₄、ＳＦ₆、Ｃ₂Ｆ₆等
のフッ素系ガス及びその混合ガスによるＲＩＥ（Ｒｅａ
ｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）が一般的である
が、特にこのフッ素系ガスを用いた場合のガラス基板の
エッチング速度は大きく、位相差制御は容易でないとい
う問題点があった。

【００１０】一方でこれら課題の解決法の１つとして、
位相シフト層のエッチングを自動的に停止するためにエ
ッチングストッパーを用い、エッチングを位相シフト層
の終点で停止させる方法がある。しかしながら、たとえ
エッチングストッパーを用いたとしても、レベンソン型
におけるＳＯＧや、ハーフトーン型における半透明膜な
どの位相シフト層の成膜時における膜厚制御が正確に行
われていない場合には位相差は大きく誤差を生じること
になる。このため従来位相シフト層の光学定数（屈折
率、消衰係数）や膜厚制御に厳しい精度を要求されると
いうことも課題であった。また、ｉ線（波長：３６５ｎ
ｍ）露光で用いられているＳｎＯ₂やＩＴＯといったエ
ッチングストッパーも露光光源がＫｒＦエキシマレーザ
ー（波長：２４８ｎｍ）等のＤｅｅｐＵＶ領域になる
と透過率減衰が大きく実用上困難であるといったことも
問題点として指摘されていた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
問題点に着目してなされたもので、広い波長域に亘って
透光性に優れ、且つ、位相シフトフォトマスクの位相差
制御を容易にし、位相シフトフォトマスクとしての位相
差の精度を向上し得る位相シフトフォトマスク及び位相
シフトフォトマスク用ブランクを提供することを目的と
する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、まず請求項１では、ガラス基板上に位相シ
フトパターンを設けた位相シフトフォトマスクにおい
て、ガラス基板表面上もしくは位相シフト層の下層に、
ガラス基板及び位相シフト層よりもエッチング速度の小
さい位相差調整層を設けていることを特徴とする位相シ
フトフォトマスクとしたものである。

【００１３】また、請求項２では、前記位相差調整層
が、酸化ジルコニウム膜、窒化ジルコニウム膜及び酸化
窒化ジルコニウム膜からなる群から選択されたジルコニ
ウム化合物薄膜からなることを特徴とする位相シフトフ
ォトマスクとしたものである。

【００１４】また、請求項３では、露光光に対する透
過光の位相差の微調整が前記位相差調整層のエッチング
量によってなされていることを特徴とする位相シフトフ
ォトマスクとしたものである。

【００１５】また、請求項４では、ガラス基板上に位相
差調整層と位相シフト層を設けてなる位相シフトフォト
マスク用ブランクにおいて、ガラス基板表面上もしくは
位相シフト層の下層に、ガラス基板及び位相シフト層よ
りもエッチング速度の小さい位相差調整層を設けている
ことを特徴とする位相シフトフォトマスク用ブランクと
したものである。

【００１６】また、請求項５では、ガラス基板上に位相
差調整層と遮光層を設けてなる位相シフトフォトマスク
用ブランクにおいて、ガラス基板表面上もしくは位相シ
フト層の下層に、ガラス基板及び位相シフト層よりもエ
ッチング速度の小さい位相差調整層を設けていることを
特徴とする位相シフトフォトマスク用ブランクとしたも
のである。

【００１７】さらにまた、請求項６では、請求項４又は
請求項５記載の位相シフトフォトマスク用ブランクにお
いて、前記位相差調整層が、酸化ジルコニウム膜、窒化
ジルコニウム膜及び酸化窒化ジルコニウム膜からなる群
から選択されたジルコニウム化合物薄膜からなることを
特徴とする位相シフトフォトマスク用ブランクとしたも
のである。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の位相シフトフォトマスク
は、透明なガラス基板上に酸化ジルコニウムなどのジル
コニウム化合物薄膜よりなる位相差調整層を設け、さら
に前記位相差調整層上に遮光パターン又は位相シフトパ
ターン（ハーフトーン型では半透明膜、レベンソン型で
は透明膜）を設けたものである。ガラス基板上に設けた
ジルコニウム化合物薄膜のフッ素系ガスに対するエッチ
ング速度が遅いため、このジルコニウム化合物薄膜のエ
ッチング量を制御することが容易であり、位相シフトフ
ォトマスクとしての位相差の精度を向上させることがで
きる。

【００１９】図１、図２及び図３は本発明に係る位相シ
フトフォトマスクの製造工程の一例を示す図であり、キ
ャリアガスとしてハロゲンガスを用い、ジルコニウムタ
ーゲットを使用したスパッタリングによって窒素
（Ｎ₂）、酸素（Ｏ₂）を含む反応性ガス雰囲気中で成
膜されたジルコニウム化合物薄膜よりなる位相差調整層
上に、位相シフトパターン及び遮光パターンを有する構
造となっている。

【００２０】ハーフトーン型位相シフトフォトマスクで
は、図１に示すように、まず透明なガラス基板１上にＺ
ｒＯ等のジルコニウム化合物薄膜からなる位相差調整層
２をスパッタリング法などにより一様な厚さで成膜す
る。その後、位相差調整層２上にＭｏＳｉやＷＳｉ、Ｔ
ａＳｉ、ＺｒＳｉ、Ｃｒ等で透過率５〜１５％の位相シ
フト層３を成膜して、ハーフトーン型位相シフトフォト
マスク用ブランクを作製する（図１（ａ）参照）。ここ
で、位相シフト層３は単層でも多層でもかまわない。こ
のとき位相シフト層３の膜厚は、入射光に対する位相の
シフト量が１８０度以下となるような膜厚、すなわちパ
ターン転写に用いる光の波長をλ、位相シフト層３の屈
折率をｎとすれば、ｄ＜λ／（２（ｎ−１））で表させ
るように設定すればよい。

【００２１】さらに、位相シフト層３上にレジストを塗
布し、リソグラフィプロセスによりレジストパターン５
を形成する（図１（ｂ）参照）。さらに、レジストパタ
ーン５をマスクにしてドライエッチングにより位相シフ
トパターン３ａ及び位相差調整層２に掘り込み部６を形
成して、レジストパターン５を剥離処理して本発明の位
相シフトフォトマスク（ハーフトーン型）を作製する
（図１（ｃ）参照）。このときのドライエッチングプロ
セスは、一般的なＣＨＦ₃やＣＦ₄、ＳＦ₆、Ｃ₂Ｆ₆
等のフッ素系ガス及びその混合ガスを用いた系で行う。
ここで、位相シフト層３がエッチングされて位相シフト
パターン３ａが形成された後、下層の位相差調整層２に
掘り込み部５を形成する際、位相差調整層２のエッチン
グ速度が小さいため、エッチングは徐々に進行するの
で、位相差調整層２のエッチング量を制御することは比
較的容易であり、位相シフトフォトマスクの位相差を精
度良く調整することができる。

【００２２】レベンソン型（ここではシフター上置き型
を示す）では、図２に示すように、ガラス基板１１上に
ＺｒＯ等のジルコニウム化合物薄膜よりなる位相差調整
層１２をスパッタリング法などにより一様な厚さで成膜
し、位相差調整層１２上にクロムや窒化クロム、酸化ク
ロム等からなる遮光層１３を形成した位相シフトフォト
マスク用ブランク１４を作製し（図２（ａ）参照）、さ
らに、リソグラフィプロセスにより遮光層１３をパター
ニング処理して遮光パターン１３ａを形成する（図２
（ｂ）参照）。

【００２３】次に、遮光パターン１３ａ及び位相差調整
層１２の上にＳｉＯ₂等を主成分とする位相シフト層１
５を設ける。この位相シフト層１５の膜厚は、上記同様
位相のシフト量が１８０度以下となるような膜厚であれ
ばよい。

【００２４】その後、位相シフト層１５上にレジストを
塗布し、リソグラフィプロセスによりレジストパターン
１６を形成する（図２（ｃ）参照）。

【００２５】次に、レジストパターン１６をマスクにし
てドライエッチングにより位相シフトパターン１５ａ及
び位相差調整層１２に掘り込み部１７を形成する（図２
（ｄ）参照）。

【００２６】次に、レジストパターン１６を剥離処理し
て本発明の位相シフトフォトマスク（シフター上置き
型）が得られる（図２（ｅ）参照）。ここでも上記同
様、位相シフト層１５がエッチングされて位相シフトパ
ターン１５ａが形成された後、下層の位相差調整層１２
に掘り込み部１７を形成する際、位相差調整層１２のエ
ッチング速度が小さいため、エッチングは徐々に進行す
るので、位相差調整層１２のエッチング量を制御するこ
とは比較的容易であり、位相シフトフォトマスクの位相
差を精度良く調整することができる。これは、図３に示
すシフター下置き型の様な他の形態の位相シフトフォト
マスクにも適用できる。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の位相シフトフォトマスクの実
施例について、図１〜図３に従ってより具体的に説明す
る。＜実施例１＞まず、透明な石英ガラス基板からなるガラ
ス基板１上に、ＤＣスパッタリング装置を用いて、チャ
ンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガス及び酸素ガス（Ｏ₂）
ガス、窒素ガス（Ｎ₂）を導入し、ジルコニウムターゲ
ットを反応性スパッタさせて、酸化窒化ジルコニウム膜
よりなる位相差調整層２を形成した。このときの位相差
調整層２の膜厚は５〜２００ｎｍ程度とする。また、ガ
ラス基板１はＫｒＦエキシマレーザーなど短波長露光用
として石英ガラスを使用したが、それ以外にも用途に合
わせて低膨張ガラス、青板ガラス、白板ガラス、ＣａＦ
₂等の基板を用いてもよい。

【００２８】位相差調整層２の成膜条件：電流制御：１ＡＡｒ流量：２０ＳＣＣＭ０₂流量：２ＳＣＣＭＮ₂流量：３ＳＣＣＭ成膜された酸化窒化ジルコニウム膜からなる位相差調整
層２の屈折率ｎはｋｒＦエキシマレーザ光の波長（２４
８ｎｍ）で１．８５、消衰係数ｋは０．００５であっ
た。

【００２９】次に、位相差調整層２上にモリブデンシリ
サイドの酸化窒化膜（ＭｏＳｉＯＮ膜）からなる位相シ
フト層３をスパッタリング法により一様な膜厚で成膜
し、位相シフトマスク用ブランク４を作製した（図１
（ａ）参照）。この時の、位相シフト層３の屈折率ｎは
１．９７、消衰係数ｋは０．４０であった。

【００３０】次に、位相シフト層３上にレジストを塗布
し、リソグラフィプロセスによりレジストパターン５を
形成した（図１（ｂ）参照）。

【００３１】次に、ドライエッチングＲＩＥ装置により
ＣＦ₄とＯ₂の混合ガスを用いてレジストパターン５を
マスクにしてエッチングを行い、位相シフトパターン３
ａ及び位相差調整層２に掘り込み部６を形成して、レジ
ストパターン４を剥離処理して本発明の位相シフトフォ
トマスク（ハーフトーン型）が得られた（図１（ｃ）参
照）。酸化窒化ジルコニウム膜よりなる位相差調整層２
のエッチング速度は、位相シフト層３に比べて１０倍以
上遅いので、位相差調整層２の掘り込み部６の深さ制御
精度は向上する。

【００３２】ここで、位相シフト層３の膜厚が１２４Å
であれば位相差は１７５度であり、位相差調整層２の掘
り込み部６のエッチング量は位相差５度分すなわち４０
Åであればよい。このとき、全体としての透過率が７．
２３％、反射率１１．３４％、位相差１７９．９６度の
位相シフトフォトマスクが得られた。また、位相シフト
層３の膜厚が１２０７Åであれば位相差は１７０度であ
り、位相差調整層２の掘り込み部６のエッチング量は位
相差１０度分すなわち８１Åであればよい。このときに
は、全体としての透過率が７．８５％、反射率１１．１
７％、位相差１７９．９５度の位相シフトフォトマスク
が得られた。位相シフト層３の成膜に際して膜厚等に誤
差が生じた場合には、位相差調整層２の掘り込み部６の
エッチング量によって適宜調節を行うことができる。

【００３３】＜実施例２＞まず、透明な石英ガラス基板
からなるガラス基板１１上に、実施例１と同様な成膜条
件で酸化窒化ジルコニウム膜からなる位相差調整層１２
を形成し、さらに酸化クロムからなる遮光層１３を形成
した位相シフトフォトマスク用ブランク１４を作製した
（図２（ａ）参照）。位相差調整層２の屈折率ｎはｋｒ
Ｆエキシマレーザ光の波長（２４８ｎｍ）で１．８５、
消衰係数ｋは０．００５であった。

【００３４】次に、位相シフト層１２上の遮光層１３を
リソグラフィプロセスによりパターニング処理し、遮光
パターン１３ａを形成した（図２（ｂ）参照）。

【００３５】次に、位相差調整層１２及び遮光パターン
１３ａ上にＳＯＧを塗布して透明膜からなる位相シフト
層１５を形成した。このときの位相シフト層１５の膜厚
は、露光光に対する位相差が１８０度以下になるように
設定する。すなわち、位相シフト層１５の屈折率をｎ、
露光波長をλ、位相シフト層の膜厚をｄとすれば、ｄ＝
λ／２（ｎ−１）で与えられる値以下の膜厚とする。本
実施例では、位相シフト層の屈折率ｎが露光波長２４８
ｎｍにおいて１．４８であるので位相シフト層１５の膜
厚は２５８３Å以下で形成する。次に、位相シフト層１
５上にレジストを塗布し、リソグラフィプロセスにより
レジストパターン１６を形成した（図２（ｃ）参照）。

【００３６】次に、実施例１と同様な方法で、レジスト
パターン１６をマスクにしてドライエッチングを行い、
位相シフトパターン１５ａ及び位相差調整層１２に掘り
込み部１７を形成した（図２（ｄ）参照）。掘り込み部
１７の掘り込み量は位相シフト層と合わせた位相シフト
マスク全体の位相差が１８０度となる分だけ掘り込む。

【００３７】次に、レジストパターン１６を剥離処理し
て、本発明の位相シフトフォトマスク（シフター上置き
型）が得られた（図２（ｅ）参照）。

【００３８】＜実施例３＞まず、透明な石英ガラス基板
からなるガラス基板２１上に、実施例１と同様な成膜条
件で酸化窒化ジルコニウム膜からなる位相差調整層２２
とＳＯＧを塗布して形成した位相シフト層２３を順次形
成し、位相シフトフォトマスク用ブランク２４を作製し
た（図３（ａ）参照）。位相差調整層２２の屈折率ｎは
ｋｒＦエキシマレーザ光の波長（２４８ｎｍ）で１．８
５、消衰係数ｋは０．００５であった。さらに、位相シ
フト層２３の屈折率ｎは１．４８であった。

【００３９】次に、位相シフトフォトマスク用ブランク
２４上にスパッタリング法により酸化クロム膜を形成
し、リソグラフィプロセスにより遮光パターン２５を形
成した（図２（ｂ）参照）。

【００４０】次に、遮光パターン２５が形成された位相
シフト層２３上にレジストを塗布し、リソグラフィプロ
セスによりレジストパターン２６を形成した（図３
（ｃ）参照）。

【００４１】次に、レジストパターン２６及び遮光パタ
ーン２５をマスクにして、実施例１と同様な方法で、ド
ライエッチングを行い、位相シフト層２３に貫通パター
ンを、位相差調整層２２に掘り込み部２７を形成した
（図３（ｄ）参照）。

【００４２】次に、レジストパターン２６を剥離処理し
て、本発明の位相シフトフォトマスク（シフター下置き
型）が得られた（図３（ｅ）参照）。

【００４３】

【発明の効果】本発明の位相シフトフォトマスクでは、
ガラス基板と位相シフト層の間に酸化窒化ジルコニウム
等のジルコニウム化合物薄膜からなる位相差調整層を設
けることにより、広い波長域に亘って高透過性を示すと
ともに、フッ素系ガスを用いたときのエッチング速度が
極めて遅いため、このジルコニウム化合物薄膜よりなる
位相差調整層の掘り込み部の深さ制御が容易であり、位
相シフトフォトマスクとしての位相差の精度を向上させ
ることができる。また、このジルコニウム化合物薄膜の
エッチング量を変えてやることにより、位相シフト層の
膜厚や屈折率のズレによる位相差の誤差を補正するこが
容易にできる。このことから、位相差調整層を位相シフ
ト層の下層に設けることにより、位相シフトフォトマス
クの位相差の精度が高まり、パターンエッジのコントラ
ストやパターンの解像度を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明の位相シフトフォトマスク用
ブランクの一実施例の構成を示す断面図である。（ｂ）
は、本発明の位相シフトフォトマスク（ハーフトーン
型）の一実施例の製造工程を示す断面図である。（ｃ）
は、本発明の位相シフトフォトマスク（ハーフトーン
型）一実施例の構成を示す断面図である。

【図２】（ａ）は、本発明の位相シフトフォトマスク用
ブランクの他の実施例の構成を示す断面図である。
（ｂ）〜（ｄ）は、本発明の位相シフトフォトマスク
（シフター上置き型）の一実施例の製造工程を示す断面
図である。（ｅ）は、本発明の位相シフトフォトマスク
（シフター上置き型）の一実施例の構成を示す断面図で
ある。

【図３】（ａ）は、本発明の位相シフトフォトマスク用
ブランクの一実施例の構成を示す断面図である。（ｂ）
〜（ｄ）は、本発明の位相シフトフォトマスク（シフタ
ー下置き型）の一実施例の製造工程を示す断面図であ
る。（ｅ）は、本発明の位相シフトフォトマスク（シフ
ター下置き型）の一実施例の構成を示す断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は、位相シフトフォトマスクの
原理を示す説明図である。

【符号の説明】

１、１１、２１……ガラス基板２、１２、２２……位相差調整層３、１５、２３……位相シフト層３ａ、１５ａ……位相シフトパターン４、１４、２４……位相シフトマスク用ブランク５、１６、２６……レジストパターン６、１７、２７……掘り込み部１３……遮光層１３ａ、２５……遮光パターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラス基板上に位相シフトパターンを設け
た位相シフトフォトマスクにおいて、ガラス基板表面上
もしくは位相シフト層の下層に、ガラス基板及び位相シ
フト層よりもエッチング速度の小さい位相差調整層を設
けていることを特徴とする位相シフトフォトマスク。
【請求項２】前記位相差調整層が、酸化ジルコニウム
膜、窒化ジルコニウム膜及び酸化窒化ジルコニウム膜か
らなる群から選択されたジルコニウム化合物薄膜からな
ることを特徴とする請求項１記載の位相シフトフォトマ
スク。
【請求項３】露光光に対する透過光の位相差の微調整が
前記位相差調整層のエッチング量によってなされている
ことを特徴とする請求項１または２記載の位相シフトフ
ォトマスク。
【請求項４】ガラス基板上に位相差調整層と位相シフト
層を設けてなる位相シフトフォトマスク用ブランクにお
いて、ガラス基板表面上もしくは位相シフト層の下層
に、ガラス基板及び位相シフト層よりもエッチング速度
の小さい位相差調整層を設けていることを特徴とする位
相シフトフォトマスク用ブランク。
【請求項５】ガラス基板上に位相差調整層と遮光層を設
けてなる位相シフトフォトマスク用ブランクにおいて、
ガラス基板表面上もしくは位相シフト層の下層に、ガラ
ス基板及び位相シフト層よりもエッチング速度の小さい
位相差調整層を設けていることを特徴とする位相シフト
フォトマスク用ブランク。
【請求項６】請求項４又は請求項５記載の位相シフトフ
ォトマスク用ブランクにおいて、前記位相差調整層が、
酸化ジルコニウム膜、窒化ジルコニウム膜及び酸化窒化
ジルコニウム膜からなる群から選択されたジルコニウム
化合物薄膜からなることを特徴とする位相シフトフォト
マスク用ブランク。