JPH0876353A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
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- JPH0876353A JPH0876353A JP23970194A JP23970194A JPH0876353A JP H0876353 A JPH0876353 A JP H0876353A JP 23970194 A JP23970194 A JP 23970194A JP 23970194 A JP23970194 A JP 23970194A JP H0876353 A JPH0876353 A JP H0876353A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ハーフトーン型位相シフトマスクの製法にお
いて、基板のエッチングを防止して解像特性のずれを防
止する。 【構成】 透明基板１上に、膜厚５０ÅのＣｒからなる
第１の半透明膜２ａと、膜厚１５００ÅのＭｏＳｉＯＮ
からなる第２の半透明膜２ｂを成膜する〔図１
（ａ）〕。感光性樹脂４を塗布し、電子描画する〔図１
（ｂ）〕。現像後、異方性エッチングにより第２の半透
明膜２ｂをエッチングする〔図１（ｃ）〕。ウエット法
により第１の半透明膜２ａをエッチングする〔図１
（ｄ）〕。感光性樹脂４を剥離する〔図１（ｅ）〕。
いて、基板のエッチングを防止して解像特性のずれを防
止する。 【構成】 透明基板１上に、膜厚５０ÅのＣｒからなる
第１の半透明膜２ａと、膜厚１５００ÅのＭｏＳｉＯＮ
からなる第２の半透明膜２ｂを成膜する〔図１
（ａ）〕。感光性樹脂４を塗布し、電子描画する〔図１
（ｂ）〕。現像後、異方性エッチングにより第２の半透
明膜２ｂをエッチングする〔図１（ｃ）〕。ウエット法
により第１の半透明膜２ａをエッチングする〔図１
（ｄ）〕。感光性樹脂４を剥離する〔図１（ｅ）〕。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置製造に用いる
位相シフトマスクの製造方法に関し、特にハーフトーン
型の位相シフトマスクの製造方法に関する。
位相シフトマスクの製造方法に関し、特にハーフトーン
型の位相シフトマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体素子の製造工程において
は、半導体基板上にパターンを形成するために、光リソ
グラフィ技術を用いている。光リソグラフィでは、縮小
投影露光装置によりフォトマスク（透明領域と不透明領
域からなるパターンを有する透明基板であり、縮小率が
１でない場合は特にレチクルとも呼ばれるがここではい
ずれもマスクと呼ぶことにする）のパターンを、半導体
基板上に塗布された感光性樹脂に転写し、現像により感
光性樹脂を所定のパターンに加工する。
は、半導体基板上にパターンを形成するために、光リソ
グラフィ技術を用いている。光リソグラフィでは、縮小
投影露光装置によりフォトマスク（透明領域と不透明領
域からなるパターンを有する透明基板であり、縮小率が
１でない場合は特にレチクルとも呼ばれるがここではい
ずれもマスクと呼ぶことにする）のパターンを、半導体
基板上に塗布された感光性樹脂に転写し、現像により感
光性樹脂を所定のパターンに加工する。
【０００３】従来の光リソグラフィ技術においては、露
光装置のＮＡ（Numerical Aperture；開口数）を高める
ことにより半導体素子パターンの微細化に対応してき
た。しかし、露光装置の高ＮＡ化により解像力は向上す
るものの、逆に焦点深度は減少し、焦点深度の点で更な
る微細化が困難となってきた。そこで、位相シフトマス
ク技術が開発され、実用化されてきている。位相シフト
マスクは、一般にマスクを透過する光の位相を制御し、
結像面での光強度分布を改善する技術である。
光装置のＮＡ（Numerical Aperture；開口数）を高める
ことにより半導体素子パターンの微細化に対応してき
た。しかし、露光装置の高ＮＡ化により解像力は向上す
るものの、逆に焦点深度は減少し、焦点深度の点で更な
る微細化が困難となってきた。そこで、位相シフトマス
ク技術が開発され、実用化されてきている。位相シフト
マスクは、一般にマスクを透過する光の位相を制御し、
結像面での光強度分布を改善する技術である。
【０００４】位相シフトマスク技術としては各種方式の
ものが提案されているが、なかでもコンタクトホールパ
ターンのような孤立パターンに対して有効な、例えば特
開平４−１６２０３９に示されている、ハーフトーン方
式の位相シフトマスクが注目されている。
ものが提案されているが、なかでもコンタクトホールパ
ターンのような孤立パターンに対して有効な、例えば特
開平４−１６２０３９に示されている、ハーフトーン方
式の位相シフトマスクが注目されている。
【０００５】通常のマスクは、石英等の透明基板上にク
ロム（Ｃｒ）からなる遮光膜パターンを設けたものであ
り、一方、ハーフトーン方式と呼ばれる位相シフトマス
クは、透明基板上に酸化クロム等の所定の膜厚の半透明
膜パターンを設けたものである。すなわち、通常マスク
では、透明基板上に、透明領域と不透明領域とが設けら
れ、ハーフトーン方式位相シフトマスクでは、透明領域
と半透明領域とが設けられる。
ロム（Ｃｒ）からなる遮光膜パターンを設けたものであ
り、一方、ハーフトーン方式と呼ばれる位相シフトマス
クは、透明基板上に酸化クロム等の所定の膜厚の半透明
膜パターンを設けたものである。すなわち、通常マスク
では、透明基板上に、透明領域と不透明領域とが設けら
れ、ハーフトーン方式位相シフトマスクでは、透明領域
と半透明領域とが設けられる。
【０００６】そして、位相シフトマスクでは透明領域と
半透明領域を透過する光の位相を互いに１８０度異なる
ようにしている。そのため、結像面上では透明領域と半
透明領域の光が打ち消し合い、プロファイルの急峻な光
強度分布が得られ、従来マスクよりも焦点深度や解像度
を向上させることができる。
半透明領域を透過する光の位相を互いに１８０度異なる
ようにしている。そのため、結像面上では透明領域と半
透明領域の光が打ち消し合い、プロファイルの急峻な光
強度分布が得られ、従来マスクよりも焦点深度や解像度
を向上させることができる。
【０００７】次に、このハーフトーン方式の位相シフト
マスクおよびその製造方法について図面を参照して説明
する。ハーフトーン方式の位相シフトマスクは、位相シ
フト部が透明な位相シフト層と半透明層との２層膜によ
って構成される２層膜方式と、位相シフト層が半透明膜
によって構成される単層膜方式とに大別される。前者に
はまた成膜型と基板掘り下げ型とがある。図４（ａ）、
（ｂ）に示されたものが２層膜方式のものであり、図４
（ｃ）に示されたものが単層膜方式のものである。
マスクおよびその製造方法について図面を参照して説明
する。ハーフトーン方式の位相シフトマスクは、位相シ
フト部が透明な位相シフト層と半透明層との２層膜によ
って構成される２層膜方式と、位相シフト層が半透明膜
によって構成される単層膜方式とに大別される。前者に
はまた成膜型と基板掘り下げ型とがある。図４（ａ）、
（ｂ）に示されたものが２層膜方式のものであり、図４
（ｃ）に示されたものが単層膜方式のものである。
【０００８】図４（ａ）に示すものでは、石英等の透明
基板１上に、２００Å程度の極薄いＣｒ等の半透明膜２
〔Ｃｒは遮光材料であるがここでは通常マスク（透過率
１％程度）と同程度の透過率の膜を遮光膜とし、通常マ
スク以上の透過率の膜を半透明膜とする〕と、ＳｉＯ2
等の透明膜３を有している。
基板１上に、２００Å程度の極薄いＣｒ等の半透明膜２
〔Ｃｒは遮光材料であるがここでは通常マスク（透過率
１％程度）と同程度の透過率の膜を遮光膜とし、通常マ
スク以上の透過率の膜を半透明膜とする〕と、ＳｉＯ2
等の透明膜３を有している。
【０００９】この構造の位相シフトマスクにおいては、
半透明領域の透過率は半透明膜２の膜厚で制御し、位相
シフト量は透明膜３の膜厚で制御する（半透明膜２の膜
厚およびその屈折率により半透膜２だけでも２０〜３０
度程度の位相差が生じるのでこの分を考慮して、全体で
１８０度になるように透明膜３の膜厚を制御する）。よ
って、この構造の露光特性上の利点は、 半透明領域の透過率を広範囲にかつ精度よく制御でき
る、 位相シフト量を精度よく制御できる、点である。
半透明領域の透過率は半透明膜２の膜厚で制御し、位相
シフト量は透明膜３の膜厚で制御する（半透明膜２の膜
厚およびその屈折率により半透膜２だけでも２０〜３０
度程度の位相差が生じるのでこの分を考慮して、全体で
１８０度になるように透明膜３の膜厚を制御する）。よ
って、この構造の露光特性上の利点は、 半透明領域の透過率を広範囲にかつ精度よく制御でき
る、 位相シフト量を精度よく制御できる、点である。
【００１０】次に、この構造のマスクの製造方法につい
て説明する。まず、石英等の透明基板１上に、２００〜
３００Å程度の極薄いＣｒの半透明膜２を成膜し、さら
にこの上にＳＯＧ（spin on glass 法によるＳｉＯ2
膜）等の透明膜を成膜したマスクブランクを作製する。
次に、このマスクブランクに感光成樹脂を塗布し、マス
クパターンを描画し、現像により所定のパターンのマス
クを形成する。そして、ＣＨＦ3 あるいはＣＦ4 ガスを
用いたドライエッチングにより透明膜（ＳｉＯ2）のエ
ッチングを行う。
て説明する。まず、石英等の透明基板１上に、２００〜
３００Å程度の極薄いＣｒの半透明膜２を成膜し、さら
にこの上にＳＯＧ（spin on glass 法によるＳｉＯ2
膜）等の透明膜を成膜したマスクブランクを作製する。
次に、このマスクブランクに感光成樹脂を塗布し、マス
クパターンを描画し、現像により所定のパターンのマス
クを形成する。そして、ＣＨＦ3 あるいはＣＦ4 ガスを
用いたドライエッチングにより透明膜（ＳｉＯ2）のエ
ッチングを行う。
【００１１】このとき、その下の半透明膜（Ｃｒ）がエ
ッチングストッパーとなるため、透明基板１にダメージ
を与えることなく容易にエッチングできる。そして、半
透明膜をウエットエッチングにより除去した後、感光性
樹脂を剥離すれば図４（ａ）に示される位相シフトマス
クが作製される。
ッチングストッパーとなるため、透明基板１にダメージ
を与えることなく容易にエッチングできる。そして、半
透明膜をウエットエッチングにより除去した後、感光性
樹脂を剥離すれば図４（ａ）に示される位相シフトマス
クが作製される。
【００１２】図４（ｂ）には、基板掘り下げ型の位相シ
フトマスクの例が示されており、この型のものでは、同
図に示されるように、透明基板１表面に半透明膜２を設
け、透明基板を掘って位相シフト量を制御する。この構
造のマスクにおいては、マスク寸法精度が高いという利
点がある。すなわち、きわめて薄い半透明膜のパターン
寸法を制御すれば、基板のエッチング時にはこの半透明
膜がマスクとなるため、基板のエッチング部分の寸法の
ばらつきを少なくすることができる。
フトマスクの例が示されており、この型のものでは、同
図に示されるように、透明基板１表面に半透明膜２を設
け、透明基板を掘って位相シフト量を制御する。この構
造のマスクにおいては、マスク寸法精度が高いという利
点がある。すなわち、きわめて薄い半透明膜のパターン
寸法を制御すれば、基板のエッチング時にはこの半透明
膜がマスクとなるため、基板のエッチング部分の寸法の
ばらつきを少なくすることができる。
【００１３】この構造の位相シフトマスクの製造方法
は、まず透明基板１上に極めて薄い（２００〜３００
Å）Ｃｒの半透明膜２を成膜したマスクブランクを作製
する。そして、感光性樹脂を塗布し、マスクパターンの
描画を行い、現像後、半透明膜２のエッチングを行う。
エッチングは、Ｃｌ2 ガスを用いたドライエッチングあ
るいはウェットエッチングにより行うが、半透明膜２は
きわめて薄いので、ウェットエッチングでも十分な精度
で加工できる。そして、透明基板１をＣＨＦ3 あるいは
ＣＦ4 ガスを用いたドライエッチングで位相差が１８０
度生じるように３０００Å程度の深さにエッチングす
る。
は、まず透明基板１上に極めて薄い（２００〜３００
Å）Ｃｒの半透明膜２を成膜したマスクブランクを作製
する。そして、感光性樹脂を塗布し、マスクパターンの
描画を行い、現像後、半透明膜２のエッチングを行う。
エッチングは、Ｃｌ2 ガスを用いたドライエッチングあ
るいはウェットエッチングにより行うが、半透明膜２は
きわめて薄いので、ウェットエッチングでも十分な精度
で加工できる。そして、透明基板１をＣＨＦ3 あるいは
ＣＦ4 ガスを用いたドライエッチングで位相差が１８０
度生じるように３０００Å程度の深さにエッチングす
る。
【００１４】図４（ａ）、（ｂ）に示した２層膜型のハ
ーフトーン方式位相シフトマスクでは、位相シフト量が
屈折率の低い（ＳｉＯ2 で１．５以下）透明膜の厚さに
よって制御されるため、位相シフト部の膜厚が厚くなり
〔ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）を用いる場合で３０００Å以
上〕、露光特性、特に解像特性が悪化するという欠点が
ある。なお、ハーフトーン方式以外の位相シフトマスク
は、すべて位相シフト部が透明膜によって構成されるた
め同様の不具合を持っている。
ーフトーン方式位相シフトマスクでは、位相シフト量が
屈折率の低い（ＳｉＯ2 で１．５以下）透明膜の厚さに
よって制御されるため、位相シフト部の膜厚が厚くなり
〔ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）を用いる場合で３０００Å以
上〕、露光特性、特に解像特性が悪化するという欠点が
ある。なお、ハーフトーン方式以外の位相シフトマスク
は、すべて位相シフト部が透明膜によって構成されるた
め同様の不具合を持っている。
【００１５】一方、単層膜型ハーフトーン方式のマスク
は、図４（ｃ）に示すように、ＣｒＯＮ（酸窒化クロ
ム）あるいはＭｏＳｉＯＮ（酸窒化モリブデンシリサイ
ド）等の１種類の材料の半透明膜２のみで、透過率と位
相差を同時に制御する構造となっている。この構造のマ
スクにおいては、この半透明膜の屈折率が通常２以上と
大きいためその厚さを１５００Å程度と、通常マスクの
遮光膜（１０００Å）の膜厚の１．５倍程度に抑えるこ
とができ、マスクの立体的構造（半透明膜２開口部の断
面形状）が解像特性に与える影響を低く抑えることがで
きる。
は、図４（ｃ）に示すように、ＣｒＯＮ（酸窒化クロ
ム）あるいはＭｏＳｉＯＮ（酸窒化モリブデンシリサイ
ド）等の１種類の材料の半透明膜２のみで、透過率と位
相差を同時に制御する構造となっている。この構造のマ
スクにおいては、この半透明膜の屈折率が通常２以上と
大きいためその厚さを１５００Å程度と、通常マスクの
遮光膜（１０００Å）の膜厚の１．５倍程度に抑えるこ
とができ、マスクの立体的構造（半透明膜２開口部の断
面形状）が解像特性に与える影響を低く抑えることがで
きる。
【００１６】この構造のマスクの製造方法は、まず透明
基板１上にＣｒあるいはＭｏＳｉのスパッタを行い、こ
のときＯ2 （酸素）およびＮ2 （窒素）ガスを加えるこ
とにより、ある一定の組成のＣｒＯＮあるいはＭｏＳｉ
ＯＮを所定の膜厚に成膜して半透明膜２を形成し、マス
クブランクを作製する。そして、通常マスクの場合と同
様に、１回のリソグラフィおよびエッチング工程によ
り、マスクパターンを作製する。
基板１上にＣｒあるいはＭｏＳｉのスパッタを行い、こ
のときＯ2 （酸素）およびＮ2 （窒素）ガスを加えるこ
とにより、ある一定の組成のＣｒＯＮあるいはＭｏＳｉ
ＯＮを所定の膜厚に成膜して半透明膜２を形成し、マス
クブランクを作製する。そして、通常マスクの場合と同
様に、１回のリソグラフィおよびエッチング工程によ
り、マスクパターンを作製する。
【００１７】ここで、Ｃｒ系の膜であればＣｌ2 （塩
素）ガス、ＭｏＳｉ系の材料であればＣ（炭素）および
Ｆ（フッ素）を含むＣＦ4 またはＣＨＦ3 ガスあるいは
ＳＦ6ガスによりエッチングが可能である。このよう
に、この型の位相シフトマスクは通常マスクと同程度の
工程により作製できるという、マスク製造面での利点も
ある。
素）ガス、ＭｏＳｉ系の材料であればＣ（炭素）および
Ｆ（フッ素）を含むＣＦ4 またはＣＨＦ3 ガスあるいは
ＳＦ6ガスによりエッチングが可能である。このよう
に、この型の位相シフトマスクは通常マスクと同程度の
工程により作製できるという、マスク製造面での利点も
ある。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】上述した、図４
（ａ）、（ｂ）に示した構造のマスクにおいては、マス
クが厚膜の構造となるため、その構造に起因する問題が
生じていた。すなわち、これらのマスクでは透明膜３あ
るいは透明基板１を３０００Å以上エッチングしていた
が、一般にこのような厚い膜を垂直に開孔することは困
難で通常段差部分の側壁にテーパーが形成される。とこ
ろが、よく知られているように、この構造のマスクにお
いては、透明膜や透明基板のエッチング形状がテーパー
を持つほど、転写されるパターン寸法は小さくなる。
（ａ）、（ｂ）に示した構造のマスクにおいては、マス
クが厚膜の構造となるため、その構造に起因する問題が
生じていた。すなわち、これらのマスクでは透明膜３あ
るいは透明基板１を３０００Å以上エッチングしていた
が、一般にこのような厚い膜を垂直に開孔することは困
難で通常段差部分の側壁にテーパーが形成される。とこ
ろが、よく知られているように、この構造のマスクにお
いては、透明膜や透明基板のエッチング形状がテーパー
を持つほど、転写されるパターン寸法は小さくなる。
【００１９】一方、図４（ｃ）に示される従来の単層膜
型ハーフトーン位相シフトマスクにおいては、ＭｏＳｉ
ＯＮのように、Ｆを含んだガスのドライエッチングによ
りエッチング可能な材料を用いた場合、感光性樹脂との
選択比は十分とれるためマスク寸法の精度は良好となる
ものの、透明基板１の材料である石英（ＳｉＯ2 ）も同
じくエッチングされるため、マスク製造上の誤差が大き
くなり、本来のハーフトーンマスクの性能が得られてい
なかった。
型ハーフトーン位相シフトマスクにおいては、ＭｏＳｉ
ＯＮのように、Ｆを含んだガスのドライエッチングによ
りエッチング可能な材料を用いた場合、感光性樹脂との
選択比は十分とれるためマスク寸法の精度は良好となる
ものの、透明基板１の材料である石英（ＳｉＯ2 ）も同
じくエッチングされるため、マスク製造上の誤差が大き
くなり、本来のハーフトーンマスクの性能が得られてい
なかった。
【００２０】すなわち、透明基板１が削られると、その
分位相差が当初の設定値である１８０度からずれること
になる（石英の屈折率は約ｎ＝１．４６なので１００Å
エッチングされると位相差のずれは４．６度となる）。
そして、一般によく知られているように、位相シフトマ
スクにおいては、位相差のずれはフォーカス特性（フォ
ーカス位置と転写される寸法の関係）に大きな悪影響を
及ぼすので、位相差の誤差許容範囲は±５度以内とされ
ており、したがって透明基板１のエッチングは数１０Å
以下に抑えることが必要である。
分位相差が当初の設定値である１８０度からずれること
になる（石英の屈折率は約ｎ＝１．４６なので１００Å
エッチングされると位相差のずれは４．６度となる）。
そして、一般によく知られているように、位相シフトマ
スクにおいては、位相差のずれはフォーカス特性（フォ
ーカス位置と転写される寸法の関係）に大きな悪影響を
及ぼすので、位相差の誤差許容範囲は±５度以内とされ
ており、したがって透明基板１のエッチングは数１０Å
以下に抑えることが必要である。
【００２１】なお、例えば特開平４−３５９２５４号公
報には、透過型の位相シフトマスクにおいて位相シフト
層となる透明膜の下層にエッチングストッパーとなる透
明膜を設けることが示されているが、このような製造方
法を、このハーフトーン方式に適用して、透明基板とＭ
ｏＳｉＯＮの半透明膜の間に、エッチングストッパーを
設けても基板エッチング防止の目的は達成されない。
報には、透過型の位相シフトマスクにおいて位相シフト
層となる透明膜の下層にエッチングストッパーとなる透
明膜を設けることが示されているが、このような製造方
法を、このハーフトーン方式に適用して、透明基板とＭ
ｏＳｉＯＮの半透明膜の間に、エッチングストッパーを
設けても基板エッチング防止の目的は達成されない。
【００２２】それは、エッチングストッパーとなる透明
膜は金属酸化物等により形成される膜であるため、ハー
フトーンマスクの半透明膜とのエッチング選択比はとれ
ず、そのためエッチングストッパーは数１０Åエッチン
グされることになり、結局図４（ｃ）の従来例の場合と
同様に透過率および位相差に誤差が生じることになるか
らである。
膜は金属酸化物等により形成される膜であるため、ハー
フトーンマスクの半透明膜とのエッチング選択比はとれ
ず、そのためエッチングストッパーは数１０Åエッチン
グされることになり、結局図４（ｃ）の従来例の場合と
同様に透過率および位相差に誤差が生じることになるか
らである。
【００２３】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであって、その目的とするところは、位相シフト
層を薄膜に形成することのできる単層膜型のハーフトー
ン方式位相シフトマスクにおいて、基板のエッチングを
防止できるようにして高精度でかつ再現性の高いマスク
を提供し得るようにすることである。
たものであって、その目的とするところは、位相シフト
層を薄膜に形成することのできる単層膜型のハーフトー
ン方式位相シフトマスクにおいて、基板のエッチングを
防止できるようにして高精度でかつ再現性の高いマスク
を提供し得るようにすることである。
【００２４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、（１）透明基板上に、透明乃至半
透明の第１の位相シフト層を形成する工程と、（２）前
記第１の位相シフト層上に、この位相シフト層とはエッ
チング性を異にし、かつ、この位相シフト層より十分に
膜厚の厚い半透明の第２の位相シフト層を形成する工程
と〔図１（ａ）、図２（ａ）、図３（ａ）〕、（３）前
記第２の位相シフト層上に、透明領域を形成すべき領域
上に開口を有するエッチングマスクを形成する工程と、
（４）異方性があり、かつ、前記第１の位相シフト層に
対して選択性のあるエッチング法にて第２の位相シフト
層を選択的にエッチングする工程と〔（ｃ）図〕、
（５）前記第（４）の工程の結果露出した前記第１の位
相シフト層を等方性のエッチング法にてエッチングする
工程と〔（ｄ）図〕、を備える位相シフトマスクの製造
方法、が提供される。
め、本発明によれば、（１）透明基板上に、透明乃至半
透明の第１の位相シフト層を形成する工程と、（２）前
記第１の位相シフト層上に、この位相シフト層とはエッ
チング性を異にし、かつ、この位相シフト層より十分に
膜厚の厚い半透明の第２の位相シフト層を形成する工程
と〔図１（ａ）、図２（ａ）、図３（ａ）〕、（３）前
記第２の位相シフト層上に、透明領域を形成すべき領域
上に開口を有するエッチングマスクを形成する工程と、
（４）異方性があり、かつ、前記第１の位相シフト層に
対して選択性のあるエッチング法にて第２の位相シフト
層を選択的にエッチングする工程と〔（ｃ）図〕、
（５）前記第（４）の工程の結果露出した前記第１の位
相シフト層を等方性のエッチング法にてエッチングする
工程と〔（ｄ）図〕、を備える位相シフトマスクの製造
方法、が提供される。
【００２５】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 ［第１の実施例］図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１
の実施例の製造方法を工程順に示した断面図である。ま
ず、図１（ａ）に示すように、石英の透明基板１上にス
パッタ法によりＣｒを５０Å厚に成膜して第１の半透明
膜２ａを形成し、続いて同じくスパッタ法によりＭｏＳ
ｉＯＮを１５００Å厚に成膜して第２の半透明膜２ｂを
形成してマスクブランケットを製作する。ＭｏＳｉＯＮ
は、酸素（Ｏ2 ）ガスおよび窒素（Ｎ2 ）ガスを流しな
がらＭｏＳｉをスパッタして成膜した。
て説明する。 ［第１の実施例］図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１
の実施例の製造方法を工程順に示した断面図である。ま
ず、図１（ａ）に示すように、石英の透明基板１上にス
パッタ法によりＣｒを５０Å厚に成膜して第１の半透明
膜２ａを形成し、続いて同じくスパッタ法によりＭｏＳ
ｉＯＮを１５００Å厚に成膜して第２の半透明膜２ｂを
形成してマスクブランケットを製作する。ＭｏＳｉＯＮ
は、酸素（Ｏ2 ）ガスおよび窒素（Ｎ2 ）ガスを流しな
がらＭｏＳｉをスパッタして成膜した。
【００２６】第２の半透明膜２ｂの材料としては、 通常の光マスクの遮光膜（Ｃｒ）と同程度の膜厚で
８０〜９７％の遮光性があり、かつ、１８０度近くの位
相シフトを与えることができる（すなわち、屈折率：ｎ
＞２）、 ドライエッチングが容易である、の条件を満たして
いることが必要である。この条件を満たすものとして
は、ＭｏＳｉ、ＷＳｉ、ＴｉＳｉの酸化物、窒化物、酸
窒化物等があり、これらは、酸素ガスおよび／または窒
素ガスを供給しつつ、各シリサイドをスパッタすること
により形成することができる。。
８０〜９７％の遮光性があり、かつ、１８０度近くの位
相シフトを与えることができる（すなわち、屈折率：ｎ
＞２）、 ドライエッチングが容易である、の条件を満たして
いることが必要である。この条件を満たすものとして
は、ＭｏＳｉ、ＷＳｉ、ＴｉＳｉの酸化物、窒化物、酸
窒化物等があり、これらは、酸素ガスおよび／または窒
素ガスを供給しつつ、各シリサイドをスパッタすること
により形成することができる。。
【００２７】図１（ａ）に示されるマスクブランクにお
いて、第１の半透明膜２ａおよび第２の半透明膜２ｂか
らなる半透明膜により透過率が所定値なされるとともに
位相シフト量は１８０度になされている。すなわち、透
明基板１の透過率を１００％としたとき、第２の半透明
膜２ｂ／第１の半透明膜２ａ／透明基板１の透過率Ｔは
３〜２０％の範囲に設定され、かつ第１の半透明膜２ａ
および第２の半透明膜２ｂを透過する光と透過しない光
に１８０度の位相差を生じさせている。
いて、第１の半透明膜２ａおよび第２の半透明膜２ｂか
らなる半透明膜により透過率が所定値なされるとともに
位相シフト量は１８０度になされている。すなわち、透
明基板１の透過率を１００％としたとき、第２の半透明
膜２ｂ／第１の半透明膜２ａ／透明基板１の透過率Ｔは
３〜２０％の範囲に設定され、かつ第１の半透明膜２ａ
および第２の半透明膜２ｂを透過する光と透過しない光
に１８０度の位相差を生じさせている。
【００２８】次に、図１（ｂ）に示すように、感光性樹
脂４を塗布し、電子線描画装置によりマスクパターンの
描画を行う。次に、図１（ｃ）に示すように、感光性樹
脂４の現像後、下記条件のドライエッチングにより、第
２の半透明膜２ｂをエッチングする。このとき、第１の
半透明膜２ａはエッチングストッパーとなる。 ガス：ＳＦ6 エッチングパワー：３００Ｗ 圧力：２００ｍＴｏｒｒ ガス流量：３０ｓｃｃｍ
脂４を塗布し、電子線描画装置によりマスクパターンの
描画を行う。次に、図１（ｃ）に示すように、感光性樹
脂４の現像後、下記条件のドライエッチングにより、第
２の半透明膜２ｂをエッチングする。このとき、第１の
半透明膜２ａはエッチングストッパーとなる。 ガス：ＳＦ6 エッチングパワー：３００Ｗ 圧力：２００ｍＴｏｒｒ ガス流量：３０ｓｃｃｍ
【００２９】次に、図１（ｄ）に示すように、硝酸第２
セリウムアンモン水溶液と過塩素酸の混合液を用いたウ
エットエッチングにより第１の半透明膜２ａを除去す
る。そして、最後に感光性樹脂４を剥離すれば、図１
（ｅ）に示すように、本実施例の位相シフトマスクの製
造が完了する。
セリウムアンモン水溶液と過塩素酸の混合液を用いたウ
エットエッチングにより第１の半透明膜２ａを除去す
る。そして、最後に感光性樹脂４を剥離すれば、図１
（ｅ）に示すように、本実施例の位相シフトマスクの製
造が完了する。
【００３０】本実施例においては、第１の半透明膜２ａ
のエッチングの際に、等方性エッチングのためその膜厚
と同程度のサイドエッチングが生じるが、第１の半透明
膜２ａは十分薄くマスク寸法は第２の半透明膜２ｂで実
質的に規定されるため、寸法精度の問題は生じない。
のエッチングの際に、等方性エッチングのためその膜厚
と同程度のサイドエッチングが生じるが、第１の半透明
膜２ａは十分薄くマスク寸法は第２の半透明膜２ｂで実
質的に規定されるため、寸法精度の問題は生じない。
【００３１】［第２の実施例］次に、図２を参照して本
発明の第２の実施例について説明する。図２（ａ）〜
（ｅ）は、本発明の第２の実施例の製造方法を工程順に
示した断面図である。まず、図２（ａ）に示すように、
石英の透明基板１上に、膜厚３００ÅのＣｒＯからなる
第１の半透明膜２ａと、膜厚１０００ÅのＭｏＳｉＯＮ
からなる第２の半透明膜２ｂを順次成膜する。
発明の第２の実施例について説明する。図２（ａ）〜
（ｅ）は、本発明の第２の実施例の製造方法を工程順に
示した断面図である。まず、図２（ａ）に示すように、
石英の透明基板１上に、膜厚３００ÅのＣｒＯからなる
第１の半透明膜２ａと、膜厚１０００ÅのＭｏＳｉＯＮ
からなる第２の半透明膜２ｂを順次成膜する。
【００３２】次に、図２（ｂ）に示すように、感光性樹
脂４を塗布し、マスクパターンの描画を行う。続いて、
図２（ｃ）に示すように、感光性樹脂４を現像した後、
ＳＦ6 を用いて第２の半透明膜２ｂをドライエッチング
する。そして、図３（ｄ）に示すように、第１の半透明
膜をウエットエッチングにより除去し、最後に図２
（ｅ）に示すように、感光性樹脂４を剥離する。この場
合にも、第１の半透明膜２ａは第２の半透明膜に比べ薄
いので、マスク寸法は第２の半透明膜２ｂで決定され、
第１の半透明膜２ａのサイドエッチングはほとんど問題
にならない。しかし、第１の半透明膜２ａを途中まで異
方性のドライ法によりエッチングし最後の部分のみをウ
エット法により除去するようにしてサイドエッチングの
影響を最小限に留めるようにすることもできる。
脂４を塗布し、マスクパターンの描画を行う。続いて、
図２（ｃ）に示すように、感光性樹脂４を現像した後、
ＳＦ6 を用いて第２の半透明膜２ｂをドライエッチング
する。そして、図３（ｄ）に示すように、第１の半透明
膜をウエットエッチングにより除去し、最後に図２
（ｅ）に示すように、感光性樹脂４を剥離する。この場
合にも、第１の半透明膜２ａは第２の半透明膜に比べ薄
いので、マスク寸法は第２の半透明膜２ｂで決定され、
第１の半透明膜２ａのサイドエッチングはほとんど問題
にならない。しかし、第１の半透明膜２ａを途中まで異
方性のドライ法によりエッチングし最後の部分のみをウ
エット法により除去するようにしてサイドエッチングの
影響を最小限に留めるようにすることもできる。
【００３３】本実施例においては、第１の半透明膜２ａ
の透過性が比較的高いので、第１の半透明膜と第２の半
透明膜の厚さを変えることにより（第１の半透明膜を厚
くしたら、合計の位相差が１８０度になるように第２の
半透明膜を薄くする必要がある）、位相シフトマスクの
透過率をある程度の範囲（第１および２の半透明膜それ
ぞれ単独場合の値）で容易に変更できるという利点があ
る。ただし、第１の半透明膜２ａの厚さが厚くなりすぎ
ると、この膜がマスク寸法に影響するようになるので、
第１の半透明膜２ａの膜厚は第２の半透明膜２ｂより薄
くする必要がある。
の透過性が比較的高いので、第１の半透明膜と第２の半
透明膜の厚さを変えることにより（第１の半透明膜を厚
くしたら、合計の位相差が１８０度になるように第２の
半透明膜を薄くする必要がある）、位相シフトマスクの
透過率をある程度の範囲（第１および２の半透明膜それ
ぞれ単独場合の値）で容易に変更できるという利点があ
る。ただし、第１の半透明膜２ａの厚さが厚くなりすぎ
ると、この膜がマスク寸法に影響するようになるので、
第１の半透明膜２ａの膜厚は第２の半透明膜２ｂより薄
くする必要がある。
【００３４】［第３の実施例］次に、図３を参照して本
発明の第３の実施例について説明する。図３（ａ）〜
（ｅ）は、本発明の第３の実施例の製造方法を工程順に
示した断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、
石英の透明基板１上に、２００Å厚のＳｎＯ2 からなる
透明膜３と、１３００Å厚のＭｏＳｉＯＮからなる半透
明膜２とをそれぞれスパッタ法により成膜する。
発明の第３の実施例について説明する。図３（ａ）〜
（ｅ）は、本発明の第３の実施例の製造方法を工程順に
示した断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、
石英の透明基板１上に、２００Å厚のＳｎＯ2 からなる
透明膜３と、１３００Å厚のＭｏＳｉＯＮからなる半透
明膜２とをそれぞれスパッタ法により成膜する。
【００３５】図３（ａ）に示されるマスクブランクにお
いて、透明膜３および半透明膜２からなる半透明膜によ
り透過率が所定値なされるとともに位相シフト量は１８
０度になされている。すなわち、透明基板１の透過率を
１００％としたとき、透明膜３／半透明膜２／透明基板
１の透過率Ｔは３〜２０％の範囲に設定され、かつ透明
膜３および半透明膜２を透過する光と透過しない光に１
８０度の位相差を生じさせている。
いて、透明膜３および半透明膜２からなる半透明膜によ
り透過率が所定値なされるとともに位相シフト量は１８
０度になされている。すなわち、透明基板１の透過率を
１００％としたとき、透明膜３／半透明膜２／透明基板
１の透過率Ｔは３〜２０％の範囲に設定され、かつ透明
膜３および半透明膜２を透過する光と透過しない光に１
８０度の位相差を生じさせている。
【００３６】次に、図３（ｂ）に示すように、感光性樹
脂４を塗布し、電子線描画装置によりマスクパターンの
描画を行う。次いで、図３（ｃ）に示すように、感光性
樹脂４の現像後、ＳＦ6 ガスを用いたドライエッチング
により、半透明膜２をエッチングする。このとき、透明
膜３がエッチングストッパーとなる。続いて、図３
（ｄ）に示すように、ウエットエッチングにより透明膜
３を除去する。そして、最後に、図３（ｅ）に示すよう
に感光性樹脂４を剥離して、位相シフトマスクを製造す
る。
脂４を塗布し、電子線描画装置によりマスクパターンの
描画を行う。次いで、図３（ｃ）に示すように、感光性
樹脂４の現像後、ＳＦ6 ガスを用いたドライエッチング
により、半透明膜２をエッチングする。このとき、透明
膜３がエッチングストッパーとなる。続いて、図３
（ｄ）に示すように、ウエットエッチングにより透明膜
３を除去する。そして、最後に、図３（ｅ）に示すよう
に感光性樹脂４を剥離して、位相シフトマスクを製造す
る。
【００３７】なお、本実施例では透明膜３をエッチング
ストッパーとしているが、同じく透明膜をエッチングス
トッパーとして用いる特開平４−３５９２５４号公報に
示された従来例のものとは基本的に異なっている。すな
わち、この従来例ではエッチングストッパー層は基本的
には基板の一部と見做される層であってそれにより生じ
る位相差および透過率差は問題とならない膜であるのに
対し、本実施例の透明膜は制御された位相差および透過
率差を生じさせる膜として利用している。
ストッパーとしているが、同じく透明膜をエッチングス
トッパーとして用いる特開平４−３５９２５４号公報に
示された従来例のものとは基本的に異なっている。すな
わち、この従来例ではエッチングストッパー層は基本的
には基板の一部と見做される層であってそれにより生じ
る位相差および透過率差は問題とならない膜であるのに
対し、本実施例の透明膜は制御された位相差および透過
率差を生じさせる膜として利用している。
【００３８】そして、従来例ではこのエッチングストッ
パーがエッチングされた場合には基板がエッチングされ
たのと同様の効果が生じて位相差のずれの原因となる
が、本発明の場合にはその後にエッチングストッパー自
体を除去するため、この膜が半透明膜のドライエッチン
グ工程時に多少のエッチングを受けることがあっても、
解像特性が悪影響を受けたりマスク間の特性のばらつき
が大きくなったりすることはない。なお、第１の位相シ
フト層を形成するための材料としては、実施例で説明し
たものの外、ＣｒＯＮ、ＣｒＮ等の半透明膜、、ＩＴＯ
等の透明膜を用いることができる。
パーがエッチングされた場合には基板がエッチングされ
たのと同様の効果が生じて位相差のずれの原因となる
が、本発明の場合にはその後にエッチングストッパー自
体を除去するため、この膜が半透明膜のドライエッチン
グ工程時に多少のエッチングを受けることがあっても、
解像特性が悪影響を受けたりマスク間の特性のばらつき
が大きくなったりすることはない。なお、第１の位相シ
フト層を形成するための材料としては、実施例で説明し
たものの外、ＣｒＯＮ、ＣｒＮ等の半透明膜、、ＩＴＯ
等の透明膜を用いることができる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、半透明
膜をエッチング性の異なる２層の位相シフト層によって
構成し、上層の膜を異方性エッチングによりそして下層
の膜を等方性エッチングにより加工して、単層型（すな
わち、半透明膜により位相シフトを行わせる型）ハーフ
トーン方式の位相シフトマスクを形成するものであるの
で、透明基板がエッチングされることがなくなり、膜厚
の薄い位相シフト層を有するマスクを高い精度でかつ再
現性よく製造することができるようになり、良好な露光
特性の位相シフトマスクを安定して製造することが可能
となる。
膜をエッチング性の異なる２層の位相シフト層によって
構成し、上層の膜を異方性エッチングによりそして下層
の膜を等方性エッチングにより加工して、単層型（すな
わち、半透明膜により位相シフトを行わせる型）ハーフ
トーン方式の位相シフトマスクを形成するものであるの
で、透明基板がエッチングされることがなくなり、膜厚
の薄い位相シフト層を有するマスクを高い精度でかつ再
現性よく製造することができるようになり、良好な露光
特性の位相シフトマスクを安定して製造することが可能
となる。
【図１】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めの工程順断面図。
めの工程順断面図。
【図２】本発明の第２の実施例の製造方法を説明するた
めの工程順断面図。
めの工程順断面図。
【図３】本発明の第３の実施例の製造方法を説明するた
めの工程順断面図。
めの工程順断面図。
【図４】従来のハーフトーン方式位相シフトマスクの断
面図。
面図。
１ 透明基板 ２ 半透明膜 ２ａ 第１の半透明膜 ２ｂ 第２の半透明膜 ３ 透明膜 ４ 感光性樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】 （１）透明基板上に、透明乃至半透明の
第１の位相シフト層を形成する工程と、 （２）前記第１の位相シフト層上に、この位相シフト層
とはエッチング性を異にし、かつ、この位相シフト層よ
り十分に膜厚の厚い半透明の第２の位相シフト層を形成
する工程と、 （３）前記第２の位相シフト層上に、透明領域を形成す
べき領域上に開口を有するエッチングマスクを形成する
工程と、 （４）異方性があり、かつ、前記第１の位相シフト層に
対して選択性のあるエッチング法にて第２の位相シフト
層を選択的にエッチングする工程と、 （５）前記第（４）の工程の結果露出した前記第１の位
相シフト層を等方性エッチング法にてエッチングする工
程と、を備えることを特徴とする位相シフトマスクの製
造方法。 - 【請求項２】 Ｃｒ、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＮ、Ｓｎ
Ｏ2 、ＩＴＯの中のいずれかを被着して前記第１の位相
シフト層を形成することを特徴とする請求項１記載の位
相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記第（２）の工程における第２の位相
シフト層の形成方法が、高融点金属シリサイドを酸素ガ
スおよび／または窒素ガスを供給しつつスパッタするも
のであることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマ
スクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23970194A JPH0876353A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23970194A JPH0876353A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0876353A true JPH0876353A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=17048642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23970194A Pending JPH0876353A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0876353A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1048808A (ja) * | 1996-05-30 | 1998-02-20 | Hoya Corp | フォトマスクの製造方法 |
| JP2000250196A (ja) * | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| EP1116998A2 (en) * | 1999-12-15 | 2001-07-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Blank for halftone phase shift photomask and halftone phase shift photomask |
| JP2001337436A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-12-07 | Dainippon Printing Co Ltd | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス |
| WO2002021210A1 (fr) | 2000-09-04 | 2002-03-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photomasque a decalage de phase pour similigravure et ebauche de photomasque a decalage de phase pour similigravure |
| KR100322537B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2002-03-25 | 윤종용 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조방법 |
| WO2003046659A1 (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Hoya Corporation | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and manufacturing method thereof |
| KR100417007B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-02-05 | 주식회사 피케이엘 | 위상반전마스크 제조방법 |
| US6743553B2 (en) | 2000-12-26 | 2004-06-01 | Hoya Corporation | Halftone phase shift mask and mask blank |
| JP2004157358A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及びそのマスクを用いた半導体装置の製造方法。 |
| EP1497699A1 (en) * | 2002-04-12 | 2005-01-19 | International Business Machines Corporation | Attenuated embedded phase shift photomask blanks |
| US6933084B2 (en) | 2003-03-18 | 2005-08-23 | Photronics, Inc. | Alternating aperture phase shift photomask having light absorption layer |
| US7049034B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-05-23 | Photronics, Inc. | Photomask having an internal substantially transparent etch stop layer |
| US7115341B2 (en) | 2002-02-22 | 2006-10-03 | Hoya Corporation | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and method of producing the same |
| JP2007271720A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
| JP2009217282A (ja) * | 2009-05-15 | 2009-09-24 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| KR20140114797A (ko) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | 호야 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0445446A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-14 | Sony Corp | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH0561183A (ja) * | 1990-11-29 | 1993-03-12 | Toshiba Corp | 露光マスク |
| JPH05257264A (ja) * | 1992-03-14 | 1993-10-08 | Toshiba Corp | 露光用マスク及びその製造方法 |
| JPH0683027A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Hoya Corp | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JPH06118615A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH06175346A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Hoya Corp | 位相シフトマスクの製造方法及び位相シフトマスクブランク |
| JPH06282063A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク |
| JPH07168343A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-07-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
-
1994
- 1994-09-08 JP JP23970194A patent/JPH0876353A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0445446A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-14 | Sony Corp | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH0561183A (ja) * | 1990-11-29 | 1993-03-12 | Toshiba Corp | 露光マスク |
| JPH05257264A (ja) * | 1992-03-14 | 1993-10-08 | Toshiba Corp | 露光用マスク及びその製造方法 |
| JPH0683027A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Hoya Corp | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JPH06118615A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH06175346A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Hoya Corp | 位相シフトマスクの製造方法及び位相シフトマスクブランク |
| JPH06282063A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク |
| JPH07168343A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-07-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1048808A (ja) * | 1996-05-30 | 1998-02-20 | Hoya Corp | フォトマスクの製造方法 |
| JP2000250196A (ja) * | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| US6576374B1 (en) | 1999-07-02 | 2003-06-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mask blank and method of fabricating phase shift mask from the same |
| KR100322537B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2002-03-25 | 윤종용 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조방법 |
| EP1116998A2 (en) * | 1999-12-15 | 2001-07-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Blank for halftone phase shift photomask and halftone phase shift photomask |
| KR100725214B1 (ko) * | 1999-12-15 | 2007-06-07 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 하프톤 위상 시프트 포토 마스크용 블랭크, 및 하프톤위상 시프트 포토 마스크 |
| EP1116998A3 (en) * | 1999-12-15 | 2002-10-23 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Blank for halftone phase shift photomask and halftone phase shift photomask |
| JP4641086B2 (ja) * | 2000-05-25 | 2011-03-02 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクとその製造方法 |
| JP2001337436A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-12-07 | Dainippon Printing Co Ltd | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス |
| WO2002021210A1 (fr) | 2000-09-04 | 2002-03-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photomasque a decalage de phase pour similigravure et ebauche de photomasque a decalage de phase pour similigravure |
| US6869736B2 (en) | 2000-09-04 | 2005-03-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask and blank for halftone phase shift photomask |
| US6743553B2 (en) | 2000-12-26 | 2004-06-01 | Hoya Corporation | Halftone phase shift mask and mask blank |
| DE10164189B4 (de) * | 2000-12-26 | 2011-01-13 | Hoya Corp. | Halbton-Phasenverschiebungsmaske und -maskenrohling |
| WO2003046659A1 (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Hoya Corporation | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and manufacturing method thereof |
| CN100440038C (zh) * | 2001-11-27 | 2008-12-03 | Hoya株式会社 | 半色调型相移掩膜坯料、半色调型相移掩膜及其制造方法 |
| KR100417007B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-02-05 | 주식회사 피케이엘 | 위상반전마스크 제조방법 |
| US7632612B2 (en) | 2002-02-22 | 2009-12-15 | Hoya Corporation | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and method of producing the same |
| US7115341B2 (en) | 2002-02-22 | 2006-10-03 | Hoya Corporation | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and method of producing the same |
| EP1497699A1 (en) * | 2002-04-12 | 2005-01-19 | International Business Machines Corporation | Attenuated embedded phase shift photomask blanks |
| EP1497699A4 (en) * | 2002-04-12 | 2008-07-09 | Ibm | FOTOMASKENROHLINGE WITH A STEAMED EMBEDDED PHASE SHIFT |
| JP2004157358A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及びそのマスクを用いた半導体装置の製造方法。 |
| US6933084B2 (en) | 2003-03-18 | 2005-08-23 | Photronics, Inc. | Alternating aperture phase shift photomask having light absorption layer |
| US7049034B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-05-23 | Photronics, Inc. | Photomask having an internal substantially transparent etch stop layer |
| JP2007271720A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
| JP2009217282A (ja) * | 2009-05-15 | 2009-09-24 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| KR20140114797A (ko) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | 호야 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 |
| JP2014206729A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-10-30 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| JP2018109792A (ja) * | 2013-03-19 | 2018-07-12 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| KR20200086250A (ko) * | 2013-03-19 | 2020-07-16 | 호야 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 |
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