JPH0683027A - 位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0683027A JPH0683027A JP23211592A JP23211592A JPH0683027A JP H0683027 A JPH0683027 A JP H0683027A JP 23211592 A JP23211592 A JP 23211592A JP 23211592 A JP23211592 A JP 23211592A JP H0683027 A JPH0683027 A JP H0683027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- phase shift
- mask
- shift mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的単純な工程で製造でき、かつ、高解像
度のパターン転写が可能な位相シフトマスク及びその製
造方法を得る。 【構成】 マスクパターン６を、光透過部４と位相シフ
ト機能をも持たせた光半透過部５とで構成することによ
り、光透過部４と光半透過部５との境界部近傍を通過し
た光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラ
ストを良好に保持できるようにした位相シフトマスク１
において、光半透過部５を高透過率層５ｂと低透過率層
５ｂとを重ねて構成するとともに、高透過率層５ｂを構
成する材料と低透過率層５ａを構成する材料との組み合
わせを、同一種類のエッチング媒質を用いたエッチング
を施すことができる組み合わせに選定した。
度のパターン転写が可能な位相シフトマスク及びその製
造方法を得る。 【構成】 マスクパターン６を、光透過部４と位相シフ
ト機能をも持たせた光半透過部５とで構成することによ
り、光透過部４と光半透過部５との境界部近傍を通過し
た光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラ
ストを良好に保持できるようにした位相シフトマスク１
において、光半透過部５を高透過率層５ｂと低透過率層
５ｂとを重ねて構成するとともに、高透過率層５ｂを構
成する材料と低透過率層５ａを構成する材料との組み合
わせを、同一種類のエッチング媒質を用いたエッチング
を施すことができる組み合わせに選定した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスクを通過する露光
光間に位相差を与えることにより、転写パターンの解像
度を向上できるようにした位相シフトマスク及びその製
造方法に関する。
光間に位相差を与えることにより、転写パターンの解像
度を向上できるようにした位相シフトマスク及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＬＳＩ製造の際等においては、微
細パターン転写のマスクたるフォトマスクの１つとして
位相シフトマスクが用いられる。この位相シフトマスク
は、マスクを通過する露光光間に位相差を与えることに
より、転写パターンの解像度を向上できるようにしたも
のである。この位相シフトマスクの１つに、特に、単一
のホール、ドット又はライン等の孤立したパターン転写
に適したものとして、特開平４ー１３６８５４号公報に
記載の位相シフトマスクが知られている。
細パターン転写のマスクたるフォトマスクの１つとして
位相シフトマスクが用いられる。この位相シフトマスク
は、マスクを通過する露光光間に位相差を与えることに
より、転写パターンの解像度を向上できるようにしたも
のである。この位相シフトマスクの１つに、特に、単一
のホール、ドット又はライン等の孤立したパターン転写
に適したものとして、特開平４ー１３６８５４号公報に
記載の位相シフトマスクが知られている。
【０００３】この公報記載の位相シフトマスクは、透明
基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄
与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露光に
寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成
し、かつ、この光半透過部を通過する光の位相をシフト
させて該光半透過部を通過した光の位相が上記光透過部
を通過した光の位相に対して実質的に反転する関係にな
るようにすることにより、前記光透過部と光半透過部と
の境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうように
して境界部のコントラストを良好に保持できるようにし
たものである。このタイプの位相シフトマスクは、いわ
ゆるハーフトーン型位相シフトマスクと俗称されてい
る。この位相シフトマスクは、光半透過部が、露光光を
実質的に遮断する遮光機能と光の位相をシフトさせる位
相シフト機能との２つの機能を兼ねることになるので、
遮光膜パターンと位相シフト膜パターンとを別々に形成
する必要がなく、構成が単純で製造も容易であるという
特徴も有している。
基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄
与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露光に
寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成
し、かつ、この光半透過部を通過する光の位相をシフト
させて該光半透過部を通過した光の位相が上記光透過部
を通過した光の位相に対して実質的に反転する関係にな
るようにすることにより、前記光透過部と光半透過部と
の境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうように
して境界部のコントラストを良好に保持できるようにし
たものである。このタイプの位相シフトマスクは、いわ
ゆるハーフトーン型位相シフトマスクと俗称されてい
る。この位相シフトマスクは、光半透過部が、露光光を
実質的に遮断する遮光機能と光の位相をシフトさせる位
相シフト機能との２つの機能を兼ねることになるので、
遮光膜パターンと位相シフト膜パターンとを別々に形成
する必要がなく、構成が単純で製造も容易であるという
特徴も有している。
【０００４】ところで、上述のハーフトーン型位相シフ
トマスクにおける光半透過部は、光透過率及び位相シフ
ト性能の双方について、要求される最適な値を有してい
る必要がある。ここで、光半透過部を一種類の材料によ
って構成した場合には、その厚さを選ぶことによって双
方の条件を同時に満たすようにしなければならないが、
例えば、位相シフト性能の条件を満たす厚さでは透過率
の条件を満たすことができず、逆に、透過率の条件を満
たす厚さでは位相シフト性能の条件を満たすことができ
ないというように、双方の条件を満たすように設定する
ことが必ずしも容易ではない。そこで、光半透過部を、
高透過率層と低透過率層との複数種類の材料からなる複
数層構造にし、低透過率層により主として光透過率を所
定の値に調整し、高透過率層により主として位相シフト
量を調整するようにすることによって、光透過率及び位
相シフト量の双方の値を最適な値に設定することを容易
にすることが考えられている。この場合、上記高透過率
層を構成する材料には酸化シリコンが用いられ、低透過
率層を構成する材料にはクロムが用いられていた。
トマスクにおける光半透過部は、光透過率及び位相シフ
ト性能の双方について、要求される最適な値を有してい
る必要がある。ここで、光半透過部を一種類の材料によ
って構成した場合には、その厚さを選ぶことによって双
方の条件を同時に満たすようにしなければならないが、
例えば、位相シフト性能の条件を満たす厚さでは透過率
の条件を満たすことができず、逆に、透過率の条件を満
たす厚さでは位相シフト性能の条件を満たすことができ
ないというように、双方の条件を満たすように設定する
ことが必ずしも容易ではない。そこで、光半透過部を、
高透過率層と低透過率層との複数種類の材料からなる複
数層構造にし、低透過率層により主として光透過率を所
定の値に調整し、高透過率層により主として位相シフト
量を調整するようにすることによって、光透過率及び位
相シフト量の双方の値を最適な値に設定することを容易
にすることが考えられている。この場合、上記高透過率
層を構成する材料には酸化シリコンが用いられ、低透過
率層を構成する材料にはクロムが用いられていた。
【０００５】また、上記位相シフトマスクは、透明基板
上に高透過率層（酸化シリコン）と低透過率層（クロ
ム）とを重ねて形成して光半透過層を形成した後に、こ
の光半透過層をフォトエッチング法により所定のパター
ンに沿ってその一部を除去することにより、光透過部と
光半透過部とからなるマスクパターンを形成することに
よって製造していた。
上に高透過率層（酸化シリコン）と低透過率層（クロ
ム）とを重ねて形成して光半透過層を形成した後に、こ
の光半透過層をフォトエッチング法により所定のパター
ンに沿ってその一部を除去することにより、光透過部と
光半透過部とからなるマスクパターンを形成することに
よって製造していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の位相シフトマスクには以下の問題点があった。
従来の位相シフトマスクには以下の問題点があった。
【０００７】すなわち、上記高透過率層を構成する材料
に酸化シリコンを用い、低透過率層を構成する材料にク
ロムを用いていることから、マスクパターンを形成する
ためのエッチングを行う際、高透過率層（酸化シリコ
ン）をエッチングするときと、低透過率層（クロム）を
エッチングするときとで、異なる種類のエッチング媒質
を用いる必要があった。例えば、両者をアンダーカット
やサイドエッチングを抑えるためにドライエッチングで
行う場合には、高透過率層（酸化シリコン）のエッチン
グを行うエッチングガスとして、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｓ
Ｆ6 、Ｃ2 Ｆ6 、ＮＦ3 、ＣＦ4 ＋Ｈ2 、ＣＢｒＦ3 等
のフッ化物系のガスを用いる。これに対して、低透過率
層（クロム）をエッチングするときは、ＣＣｌ4 、Ｃｌ
2 等の塩素系ガスを用いる必要がある。これらのエッチ
ングを同一のエッチング装置内で行うと、前のエッチン
グガスが後のエッチングガスに混入してエッチング条件
を乱すおそれがでてくる。また、このおそれを防止する
ために別々のエッチング装置でエッチングを行うにはエ
ッチング装置を余分に用意する必要が生ずるとともに、
基板を一方のエッチング装置から他方のエッチング装置
に移送する手間が必要になり、さらに、その移送の際に
基板にゴミ等の異物が付着してパターン欠陥の原因をつ
くるおそれもでてくるという問題があった。
に酸化シリコンを用い、低透過率層を構成する材料にク
ロムを用いていることから、マスクパターンを形成する
ためのエッチングを行う際、高透過率層（酸化シリコ
ン）をエッチングするときと、低透過率層（クロム）を
エッチングするときとで、異なる種類のエッチング媒質
を用いる必要があった。例えば、両者をアンダーカット
やサイドエッチングを抑えるためにドライエッチングで
行う場合には、高透過率層（酸化シリコン）のエッチン
グを行うエッチングガスとして、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｓ
Ｆ6 、Ｃ2 Ｆ6 、ＮＦ3 、ＣＦ4 ＋Ｈ2 、ＣＢｒＦ3 等
のフッ化物系のガスを用いる。これに対して、低透過率
層（クロム）をエッチングするときは、ＣＣｌ4 、Ｃｌ
2 等の塩素系ガスを用いる必要がある。これらのエッチ
ングを同一のエッチング装置内で行うと、前のエッチン
グガスが後のエッチングガスに混入してエッチング条件
を乱すおそれがでてくる。また、このおそれを防止する
ために別々のエッチング装置でエッチングを行うにはエ
ッチング装置を余分に用意する必要が生ずるとともに、
基板を一方のエッチング装置から他方のエッチング装置
に移送する手間が必要になり、さらに、その移送の際に
基板にゴミ等の異物が付着してパターン欠陥の原因をつ
くるおそれもでてくるという問題があった。
【０００８】本発明は、上述の背景のもとでなされたも
のであり、比較的単純な工程で製造でき、かつ、高解像
度のパターン転写が可能な位相シフトマスク及びその製
造方法を提供することを目的としたものである。
のであり、比較的単純な工程で製造でき、かつ、高解像
度のパターン転写が可能な位相シフトマスク及びその製
造方法を提供することを目的としたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明にかかる位相シフトマスクは、 （１） 微細パターン露光を施すためのマスクであっ
て、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に
露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的
に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部と
で構成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位相を
シフトさせて該光半透過部を通過した光の位相と前記光
透過部を通過した光の位相とを異ならしめることによ
り、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過し
た光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラ
ストを良好に保持できるようにした位相シフトマスクに
おいて、前記光半透過部を高透過率層と低透過率層とを
重ねて構成するとともに、前記高透過率層を構成する材
料と前記低透過率層を構成する材料との組み合わせを、
同一種類のエッチング媒質でエッチングを施すことがで
きる組み合わせに選定したことを特徴とする構成とし
た。
めに、本発明にかかる位相シフトマスクは、 （１） 微細パターン露光を施すためのマスクであっ
て、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に
露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的
に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部と
で構成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位相を
シフトさせて該光半透過部を通過した光の位相と前記光
透過部を通過した光の位相とを異ならしめることによ
り、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過し
た光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラ
ストを良好に保持できるようにした位相シフトマスクに
おいて、前記光半透過部を高透過率層と低透過率層とを
重ねて構成するとともに、前記高透過率層を構成する材
料と前記低透過率層を構成する材料との組み合わせを、
同一種類のエッチング媒質でエッチングを施すことがで
きる組み合わせに選定したことを特徴とする構成とし
た。
【００１０】この構成１の態様として、 （２） 構成１の位相シフトマスクにおいて、前記低透
過率層を金属シリサイドを含む材料で構成したことを特
徴とする構成とした。
過率層を金属シリサイドを含む材料で構成したことを特
徴とする構成とした。
【００１１】また、この構成２の態様として、 （３） 構成２の位相シフトマスクにおいて、前記金属
シリサイドが、モリブデンシリサイド、タンタルシリサ
イド又はタングステンシリサイドのうちの１又は２以上
の物質からなるものであることを特徴とする構成とし
た。
シリサイドが、モリブデンシリサイド、タンタルシリサ
イド又はタングステンシリサイドのうちの１又は２以上
の物質からなるものであることを特徴とする構成とし
た。
【００１２】さらに、本発明にかかる位相シフトマスク
の製造方法は、 （４） 構成１ないし３の位相シフトマスクを製造する
位相シフトマスクの製造方法において、透明基板上に光
透過率の比較的高い材料からなる高透過率層と光透過率
の比較的低い材料からなる低透過率層とを重ねて形成し
て光半透過層を形成する光半透過層形成工程と、前記光
半透過層をフォトエッチング法により所定のパターンに
沿ってその一部を除去することにより、光透過部と光半
透過部とからなるマスクパターンを形成するマスクパタ
ーン形成工程とを有することを特徴とした構成とした。
の製造方法は、 （４） 構成１ないし３の位相シフトマスクを製造する
位相シフトマスクの製造方法において、透明基板上に光
透過率の比較的高い材料からなる高透過率層と光透過率
の比較的低い材料からなる低透過率層とを重ねて形成し
て光半透過層を形成する光半透過層形成工程と、前記光
半透過層をフォトエッチング法により所定のパターンに
沿ってその一部を除去することにより、光透過部と光半
透過部とからなるマスクパターンを形成するマスクパタ
ーン形成工程とを有することを特徴とした構成とした。
【００１３】
【作用】構成１によれば、マスクパターンを形成するた
めのエッチングを行う際、高透過率層をエッチングする
ときと、低透過率層をエッチングするときとで、同一種
類のエッチング媒質を用いることができる。このため、
これらのエッチングを同一のエッチング装置内で行うこ
とができ、エッチング媒質の交換を行ったり、あるい
は、基板をエッチング装置間で移送する必要がなく、工
程を単純にできるとともに、移送時にゴミ等が付着する
おそれもない。
めのエッチングを行う際、高透過率層をエッチングする
ときと、低透過率層をエッチングするときとで、同一種
類のエッチング媒質を用いることができる。このため、
これらのエッチングを同一のエッチング装置内で行うこ
とができ、エッチング媒質の交換を行ったり、あるい
は、基板をエッチング装置間で移送する必要がなく、工
程を単純にできるとともに、移送時にゴミ等が付着する
おそれもない。
【００１４】また、構成２及び３によれば、高透過率層
を構成する材料として、安価で形成が容易な酸化シリコ
ン（ＳＯＧ）を用いることが可能になる。
を構成する材料として、安価で形成が容易な酸化シリコ
ン（ＳＯＧ）を用いることが可能になる。
【００１５】さらに構成４によれば、構成１〜３の位相
シフトマスクを得ることができる。
シフトマスクを得ることができる。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の実施例にかかる位相シフトマ
スクの構成説明図であり、図１（ａ）が本実施例の位相
シフトマスクの断面図、図２（ｂ）が被転写体上の光振
幅分布を示す図、図１（ｃ）が被転写体上の光強度分布
を示す図である。また、図２ないし図５は本実施例の位
相シフトマスクの製造方法の工程説明図である。以下、
これらの図面を参照にしながら本発明の実施例にかかる
位相シフトマスク及びその製造方法を説明する。
スクの構成説明図であり、図１（ａ）が本実施例の位相
シフトマスクの断面図、図２（ｂ）が被転写体上の光振
幅分布を示す図、図１（ｃ）が被転写体上の光強度分布
を示す図である。また、図２ないし図５は本実施例の位
相シフトマスクの製造方法の工程説明図である。以下、
これらの図面を参照にしながら本発明の実施例にかかる
位相シフトマスク及びその製造方法を説明する。
【００１７】図１（ａ）において、符号１は位相シフト
マスクであり、この位相シフトマスク１は、石英ガラス
基板２の一方の側の主表面全面にエッチング停止膜３が
形成され、このエッチング停止膜３の上に光透過部４と
光半透過部５とで構成されるマスクパターン６が形成さ
れたものである。
マスクであり、この位相シフトマスク１は、石英ガラス
基板２の一方の側の主表面全面にエッチング停止膜３が
形成され、このエッチング停止膜３の上に光透過部４と
光半透過部５とで構成されるマスクパターン６が形成さ
れたものである。
【００１８】エッチング停止膜３は、酸化スズアンチモ
ン（Ｓｎx Ｓｂy Ｏz ）からなり、膜厚は１５０オング
ストロームである。
ン（Ｓｎx Ｓｂy Ｏz ）からなり、膜厚は１５０オング
ストロームである。
【００１９】光透過部４はエッチング停止膜３の上にな
にも物質を配置されない部分であり、実質的に露光に寄
与する強度の光を通過させる部分である。また、光半透
過部５はエッチング停止膜３の上に低透過率層５ａを形
成し、この低透過率層５ａの上に高透過率層５ｂを形成
したもので、実質的に露光に寄与しない強度の光を通過
させるとともに、通過する光の位相を１８０°シフトさ
せる位相シフト機能を担う部分である。この実施例で
は、低透過率層４ａを膜厚２００オングストロームのＭ
ｏＳｉ膜で構成し、透過率を１５％とした。また、高透
過率層４ｂを膜厚３４００オングストロームのＳＯＧ
（スピン・オン・グラス（酸化シリコン））で構成し
た。
にも物質を配置されない部分であり、実質的に露光に寄
与する強度の光を通過させる部分である。また、光半透
過部５はエッチング停止膜３の上に低透過率層５ａを形
成し、この低透過率層５ａの上に高透過率層５ｂを形成
したもので、実質的に露光に寄与しない強度の光を通過
させるとともに、通過する光の位相を１８０°シフトさ
せる位相シフト機能を担う部分である。この実施例で
は、低透過率層４ａを膜厚２００オングストロームのＭ
ｏＳｉ膜で構成し、透過率を１５％とした。また、高透
過率層４ｂを膜厚３４００オングストロームのＳＯＧ
（スピン・オン・グラス（酸化シリコン））で構成し
た。
【００２０】図１（ｂ）は、上述の位相シフトマスクを
マスクとして被転写体にパターン転写を行った場合の被
転写体上の光振幅分布であり、図１（ｃ）は、被転写体
上の光強度分布である。これらの図から明らかなよう
に、露光用の光Ｌ0 は、位相シフトマスク１を通過する
と、光半透過部５を通過した光Ｌ1 と光透過部４を通過
した光Ｌ2 になるが、光半透過部５を通過した光Ｌ1 は
光透過部４を通過した光Ｌ2 に対して位相が反転されて
いるとともに、その振幅も露光に寄与しない程度に減衰
されている。このため、図１（ｃ）に示されているよう
に、被転写体上の光強度は、光透過部４の転写領域はほ
ぼ露光に寄与できる強度を有し、一方、光半透過部５の
転写領域は露光に寄与しない弱い強度を有するととも
に、光透過部４の転写領域と光半透過部５の転写領域と
の境界部では光が打ち消しあってほぼ強度がゼロとなる
分布になっている。したがって、転写パターンの境界が
極めてはっきりし、コントラストの高い露光が可能とな
る。
マスクとして被転写体にパターン転写を行った場合の被
転写体上の光振幅分布であり、図１（ｃ）は、被転写体
上の光強度分布である。これらの図から明らかなよう
に、露光用の光Ｌ0 は、位相シフトマスク１を通過する
と、光半透過部５を通過した光Ｌ1 と光透過部４を通過
した光Ｌ2 になるが、光半透過部５を通過した光Ｌ1 は
光透過部４を通過した光Ｌ2 に対して位相が反転されて
いるとともに、その振幅も露光に寄与しない程度に減衰
されている。このため、図１（ｃ）に示されているよう
に、被転写体上の光強度は、光透過部４の転写領域はほ
ぼ露光に寄与できる強度を有し、一方、光半透過部５の
転写領域は露光に寄与しない弱い強度を有するととも
に、光透過部４の転写領域と光半透過部５の転写領域と
の境界部では光が打ち消しあってほぼ強度がゼロとなる
分布になっている。したがって、転写パターンの境界が
極めてはっきりし、コントラストの高い露光が可能とな
る。
【００２１】次に、図２ないし図５を参照にしながら、
この実施例の位相シフトマスクの製造方法を説明する。
この実施例の位相シフトマスクの製造方法を説明する。
【００２２】光透過層形成工程 まず、主表面を鏡面研磨した石英ガラスからなる透明基
板２の一方の面の全面上に、酸化スズ−アンチモン（Ｓ
ｎx Ｓｂy Ｏz ）をスパッタリング法により膜厚１５０
オングストロームに成膜してエッチング停止膜３を形成
した。
板２の一方の面の全面上に、酸化スズ−アンチモン（Ｓ
ｎx Ｓｂy Ｏz ）をスパッタリング法により膜厚１５０
オングストロームに成膜してエッチング停止膜３を形成
した。
【００２３】次に、エッチング停止膜３の全面上に、Ｍ
ｏＳｉをスパッタリング法により膜厚２００オングスト
ロームに成膜して低透過率層用膜１５ａを形成した。
ｏＳｉをスパッタリング法により膜厚２００オングスト
ロームに成膜して低透過率層用膜１５ａを形成した。
【００２４】次に、低透過率層用膜１５ａ上にＳＩＯ2
系被覆膜形成用塗布液（アライドシグナル社製のアキュ
グラス＃３１１スピンオングラス（商品名））を滴下
し、スピンコート法により全面に拡げ、その後、焼成し
てバインダーの有機化合物を揮発させて、厚さ３４００
オングストロームのＳＯＧ（スピン・オン・グラス）か
らなる高透過率層用膜１５ｂを形成した。これにより、
低透過率層用膜１５ａと高透過率層用膜１５ｂとが重ね
て形成された光半透過層１５を形成した（以上、図２参
照）。
系被覆膜形成用塗布液（アライドシグナル社製のアキュ
グラス＃３１１スピンオングラス（商品名））を滴下
し、スピンコート法により全面に拡げ、その後、焼成し
てバインダーの有機化合物を揮発させて、厚さ３４００
オングストロームのＳＯＧ（スピン・オン・グラス）か
らなる高透過率層用膜１５ｂを形成した。これにより、
低透過率層用膜１５ａと高透過率層用膜１５ｂとが重ね
て形成された光半透過層１５を形成した（以上、図２参
照）。
【００２５】マスクパターン形成工程 次に、高透過率層用膜１５ｂの上にポジ型電子線レジス
ト（ＺＥＰー５２０（日本ゼオン社の商品名））を塗布
し、乾燥させた後、レジストに所望のパターンの電子線
露光を施し、現像液で現像することにより、レジストパ
ターン７を形成した（図３参照）。
ト（ＺＥＰー５２０（日本ゼオン社の商品名））を塗布
し、乾燥させた後、レジストに所望のパターンの電子線
露光を施し、現像液で現像することにより、レジストパ
ターン７を形成した（図３参照）。
【００２６】次に、レジストパターン７をマスクにして
光半透過層１５にドライエッチングを施した（図４参
照）後、残存レジストを熱濃硫酸で除去してマスクパタ
ーン６を形成した（図５参照）。この場合のドライエッ
チングは、反応性イオンエッチング方式（ＲＩＥ）の平
行平板型ドライエッチング装置を用いて次のようにして
行った。すなわち、光半透過層１５は、ＳＯＧからなる
高透過率層用膜１５ｂと、これと異なる材料であるＭｏ
Ｓｉからなる低透過率層用膜１５ａとが重ねて構成され
たものである。これらの材料はともにＣＦ4 とＯ2 との
混合ガスからなるエッチングガスによってエッチング可
能であるが、他のエッチング条件が異なる。そこで、高
透過率層用膜１５ｂをエッチングするときは、ガス圧を
０．１Ｔｏｒｒ、高周波出力を２００Ｗ、放電時間を１
５分間に設定し、一方、低透過率層用膜１５ａをエッチ
ングするときは、ガス圧を０．３Ｔｏｒｒ、高周波出力
を１２０Ｗ、放電時間を２分間に設定して行った。な
お、エッチング停止膜３は上記ドライエッチングに対し
て強い耐性を有しているので、石英基板１を損なうこと
なく低透過率層用膜１５ａのエッチングを十分に行うこ
とができた。
光半透過層１５にドライエッチングを施した（図４参
照）後、残存レジストを熱濃硫酸で除去してマスクパタ
ーン６を形成した（図５参照）。この場合のドライエッ
チングは、反応性イオンエッチング方式（ＲＩＥ）の平
行平板型ドライエッチング装置を用いて次のようにして
行った。すなわち、光半透過層１５は、ＳＯＧからなる
高透過率層用膜１５ｂと、これと異なる材料であるＭｏ
Ｓｉからなる低透過率層用膜１５ａとが重ねて構成され
たものである。これらの材料はともにＣＦ4 とＯ2 との
混合ガスからなるエッチングガスによってエッチング可
能であるが、他のエッチング条件が異なる。そこで、高
透過率層用膜１５ｂをエッチングするときは、ガス圧を
０．１Ｔｏｒｒ、高周波出力を２００Ｗ、放電時間を１
５分間に設定し、一方、低透過率層用膜１５ａをエッチ
ングするときは、ガス圧を０．３Ｔｏｒｒ、高周波出力
を１２０Ｗ、放電時間を２分間に設定して行った。な
お、エッチング停止膜３は上記ドライエッチングに対し
て強い耐性を有しているので、石英基板１を損なうこと
なく低透過率層用膜１５ａのエッチングを十分に行うこ
とができた。
【００２７】上述の実施例によれば、マスクパターン６
を形成するためのエッチングを行う際、高透過率層用膜
１５ｂをエッチングするときと、低透過率層用膜１５ａ
をエッチングするときとで、同一種類のエッチングガス
を用いているので、これらのエッチングを同一のエッチ
ング装置内で行うことができ、エッチングガスの交換を
行ったり、あるいは、基板をエッチング装置間で移送す
る必要がなく、工程を単純にできるとともに、移送時に
ゴミ等が付着するようなおそれも除去できた。
を形成するためのエッチングを行う際、高透過率層用膜
１５ｂをエッチングするときと、低透過率層用膜１５ａ
をエッチングするときとで、同一種類のエッチングガス
を用いているので、これらのエッチングを同一のエッチ
ング装置内で行うことができ、エッチングガスの交換を
行ったり、あるいは、基板をエッチング装置間で移送す
る必要がなく、工程を単純にできるとともに、移送時に
ゴミ等が付着するようなおそれも除去できた。
【００２８】また、低透過率層５ａをＭｏＳｉで構成し
たことから、透過率層５ｂを、同一のエッチングガスで
エッチングできる材料として安価で形成が容易なＳＯＧ
（酸化シリコン）を用いることができた。
たことから、透過率層５ｂを、同一のエッチングガスで
エッチングできる材料として安価で形成が容易なＳＯＧ
（酸化シリコン）を用いることができた。
【００２９】さらに、低透過率層５ａを導電性を備えた
ＭｏＳｉで構成し、また、エッチング停止膜３を導電性
を備えた酸化スズアンチモンで構成したことから、レジ
ストパターンを電子線露光する際の帯電を効果的に防止
でき、帯電に起因するパターン欠陥の発生を抑えること
ができた。
ＭｏＳｉで構成し、また、エッチング停止膜３を導電性
を備えた酸化スズアンチモンで構成したことから、レジ
ストパターンを電子線露光する際の帯電を効果的に防止
でき、帯電に起因するパターン欠陥の発生を抑えること
ができた。
【００３０】（変型例）図６は上述の実施例の変型例の
位相シフトマスクの断面図、図７ないし図１０は変型例
の位相シフトマスクの製造方法の工程説明図である。図
６に示されるように、この変型例の位相シフトマスク
は、上述の実施例における低透過率層５ａと高透過率層
５ｂとを上記実施例の場合に対して上・下逆に重ねて形
成したほかは、基板の材料、各膜の材料、膜厚その他の
構成が全く同じものであるので、同一の構成には同一の
符号を付してその説明を省略する。したがって、この変
型例の位相シフトマスクを製造する工程も、図７ないし
図１０から明らかなように、上述の実施例の製造工程に
おける低透過率層用膜１５ａと高透過率層用膜１５ｂと
の形成工程を上記実施例の場合に対して順序を逆にし、
また、マスクパターン６を形成するエッチングの工程も
これに対応させるようにすればよいので、説明を省略す
る。この変型例によっても上述の実施例と同様の利点を
得ることができた。
位相シフトマスクの断面図、図７ないし図１０は変型例
の位相シフトマスクの製造方法の工程説明図である。図
６に示されるように、この変型例の位相シフトマスク
は、上述の実施例における低透過率層５ａと高透過率層
５ｂとを上記実施例の場合に対して上・下逆に重ねて形
成したほかは、基板の材料、各膜の材料、膜厚その他の
構成が全く同じものであるので、同一の構成には同一の
符号を付してその説明を省略する。したがって、この変
型例の位相シフトマスクを製造する工程も、図７ないし
図１０から明らかなように、上述の実施例の製造工程に
おける低透過率層用膜１５ａと高透過率層用膜１５ｂと
の形成工程を上記実施例の場合に対して順序を逆にし、
また、マスクパターン６を形成するエッチングの工程も
これに対応させるようにすればよいので、説明を省略す
る。この変型例によっても上述の実施例と同様の利点を
得ることができた。
【００３１】なお、上記実施例では、ＭｏＳｉによって
低透過率層を構成した例を掲げたが、これは、化学量論
的に不安定なＭｏx Ｓｉy 、Ｔａx Ｓｉy 、Ｗx Ｓｉy
のうちの１又は２以上を含むもの、あるいは、これらに
チッ素及び／又は酸素を含有させたものを用いてもよ
い。また、高透過率層をＳＯＧによって形成した例を掲
げたが、これは、ＳｉＯ2 をスパッタリング法等の薄膜
形成法によって形成するようにしてもよい。
低透過率層を構成した例を掲げたが、これは、化学量論
的に不安定なＭｏx Ｓｉy 、Ｔａx Ｓｉy 、Ｗx Ｓｉy
のうちの１又は２以上を含むもの、あるいは、これらに
チッ素及び／又は酸素を含有させたものを用いてもよ
い。また、高透過率層をＳＯＧによって形成した例を掲
げたが、これは、ＳｉＯ2 をスパッタリング法等の薄膜
形成法によって形成するようにしてもよい。
【００３２】さらに、低透過率層の透過率は、被転写体
の露光感度によるが、通常１〜５０％程度の範囲に設定
される。この様な透過率は、低透過率層を上記実施例の
場合のように、ＭｏＳｉで構成した場合には、その膜厚
を５０〜４００オングストロームにすればよい。
の露光感度によるが、通常１〜５０％程度の範囲に設定
される。この様な透過率は、低透過率層を上記実施例の
場合のように、ＭｏＳｉで構成した場合には、その膜厚
を５０〜４００オングストロームにすればよい。
【００３３】また、マスクパターン形成の際のドライエ
ッチングに用いるエッチングガスとしては、上記実施例
の場合のほかに、ＣＨＦ3 、Ｃ2 Ｆ6 、ＳＦ6 のいずれ
か一種又はこれらにＯ2 ガスを加えた混合ガスを用いて
もよい。
ッチングに用いるエッチングガスとしては、上記実施例
の場合のほかに、ＣＨＦ3 、Ｃ2 Ｆ6 、ＳＦ6 のいずれ
か一種又はこれらにＯ2 ガスを加えた混合ガスを用いて
もよい。
【００３４】さらに、エッチング停止膜３は、必ずしも
設ける必要はないが、基板の保護の観点から設けること
が望ましい。この場合、エッチング停止膜３としては、
上記実施例でかかげたもののほかに、Ａｌ2 Ｏ3 にＳｎ
Ｏ2 をドープしたものや、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 もし
くはＭｇＯ等を用いてもよい。
設ける必要はないが、基板の保護の観点から設けること
が望ましい。この場合、エッチング停止膜３としては、
上記実施例でかかげたもののほかに、Ａｌ2 Ｏ3 にＳｎ
Ｏ2 をドープしたものや、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 もし
くはＭｇＯ等を用いてもよい。
【００３５】また、透明基板としては、石英ガラス以外
に、ソーダライムガラス、アルミノボロシリケートガラ
ス、ボロシリケートガラス等の他のガラスを用いてもよ
い。
に、ソーダライムガラス、アルミノボロシリケートガラ
ス、ボロシリケートガラス等の他のガラスを用いてもよ
い。
【００３６】さらに、上記実施例ではレジストパターン
を形成する際に、電子線露光による場合を例にかかげた
が、これは他の露光方法であってもよい。その場合に
は、その露光方法に応じたレジストを用いることは勿論
である。
を形成する際に、電子線露光による場合を例にかかげた
が、これは他の露光方法であってもよい。その場合に
は、その露光方法に応じたレジストを用いることは勿論
である。
【００３７】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明は、マス
クパターンを、光透過部と位相シフト機能をも持たせた
光半透過部とで構成することにより、光透過部と光半透
過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあう
ようにして境界部のコントラストを良好に保持できるよ
うにした位相シフトマスクにおいて、光半透過部を高透
過率層と低透過率層とを重ねて構成するとともに、高透
過率層を構成する材料と低透過率層を構成する材料との
組み合わせを、同一種類のエッチング媒質を用いたエッ
チングを施すことができる組み合わせに選定したもの
で、これにより、比較的単純な工程で製造でき、かつ、
高解像度のパターン転写が可能な位相シフトマスク及び
その製造方法を得ているものである。
クパターンを、光透過部と位相シフト機能をも持たせた
光半透過部とで構成することにより、光透過部と光半透
過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあう
ようにして境界部のコントラストを良好に保持できるよ
うにした位相シフトマスクにおいて、光半透過部を高透
過率層と低透過率層とを重ねて構成するとともに、高透
過率層を構成する材料と低透過率層を構成する材料との
組み合わせを、同一種類のエッチング媒質を用いたエッ
チングを施すことができる組み合わせに選定したもの
で、これにより、比較的単純な工程で製造でき、かつ、
高解像度のパターン転写が可能な位相シフトマスク及び
その製造方法を得ているものである。
【図１】本発明の実施例にかかる位相シフトマスクの構
成説明図である。
成説明図である。
【図２】本発明の実施例にかかる位相シフトマスクの製
造方法の工程説明図である。
造方法の工程説明図である。
【図３】本発明の実施例にかかる位相シフトマスクの製
造方法の工程説明図である。
造方法の工程説明図である。
【図４】本発明の実施例にかかる位相シフトマスクの製
造方法の工程説明図である。
造方法の工程説明図である。
【図５】本発明の実施例にかかる位相シフトマスクの製
造方法の工程説明図である。
造方法の工程説明図である。
【図６】本発明の実施例の変型例にかかる位相シフトマ
スクの断面図である。
スクの断面図である。
【図７】本発明の実施例の変型例にかかる位相シフトマ
スクの製造方法の工程説明図である。
スクの製造方法の工程説明図である。
【図８】本発明の実施例の変型例にかかる位相シフトマ
スクの製造方法の工程説明図である。
スクの製造方法の工程説明図である。
【図９】本発明の実施例の変型例にかかる位相シフトマ
スクの製造方法の工程説明図である。
スクの製造方法の工程説明図である。
【図１０】本発明の実施例にかかる変型例位相シフトマ
スクの製造方法の工程説明図である。
スクの製造方法の工程説明図である。
１…位相シフトマスク、２…石英基板、３…エッチング
停止膜、４…光透過部、５…光半透過部、５ａ…低透過
率層、５ｂ…高透過率層、６…マスクパターン、７…レ
ジストパターン、１５…光半透過層、１５ａ…低透過率
層用膜、１５ｂ…高透過率層用膜。
停止膜、４…光透過部、５…光半透過部、５ａ…低透過
率層、５ｂ…高透過率層、６…マスクパターン、７…レ
ジストパターン、１５…光半透過層、１５ａ…低透過率
層用膜、１５ｂ…高透過率層用膜。
【手続補正書】
【提出日】平成４年１１月２０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】さらに、本発明にかかる位相シフトマスク
の製造方法は、 （４） 構成１ないし３の位相シフトマスクを製造する
位相シフトマスクの製造方法において、透明基板上に高
透過率層と低透過率層とを重ねて形成して光半透過層を
形成する光半透過層形成工程と、前記光半透過層をフォ
トエッチング法により所定のパターンに沿ってその一部
を除去することにより、光透過部と光半透過部とからな
るマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と
を有することを特徴とした構成とした。
の製造方法は、 （４） 構成１ないし３の位相シフトマスクを製造する
位相シフトマスクの製造方法において、透明基板上に高
透過率層と低透過率層とを重ねて形成して光半透過層を
形成する光半透過層形成工程と、前記光半透過層をフォ
トエッチング法により所定のパターンに沿ってその一部
を除去することにより、光透過部と光半透過部とからな
るマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と
を有することを特徴とした構成とした。
Claims (4)
- 【請求項１】 微細パターン露光を施すためのマスクで
あって、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質
的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実
質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過
部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位
相をシフトさせて該光半透過部を通過した光の位相と前
記光透過部を通過した光の位相とを異ならしめることに
より、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過
した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコント
ラストを良好に保持できるようにした位相シフトマスク
において、 前記光半透過部を高透過率層と低透過率層とを重ねて構
成するとともに、前記高透過率層を構成する材料と前記
低透過率層を構成する材料との組み合わせを、同一種類
のエッチング媒質でエッチングを施すことができる組み
合わせに選定したことを特徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項２】 請求項１に記載の位相シフトマスクにお
いて、 前記低透過率層を金属シリサイドを含む材料で構成した
ことを特徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項３】 請求項２に記載の位相シフトマスクにお
いて、 前記金属シリサイドが、モリブデンシリサイド、タンタ
ルシリサイド又はタングステンシリサイドのうちの１又
は２以上の物質からなるものであることを特徴とする位
相シフトマスク。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の位
相シフトマスクを製造する位相シフトマスクの製造方法
において、 透明基板上に光透過率の比較的高い材料からなる高透過
率層と光透過率の比較的低い材料からなる低透過率層と
を重ねて形成して光半透過層を形成する光半透過層形成
工程と、 前記光半透過層をフォトエッチング法により所定のパタ
ーンに沿ってその一部を除去することにより、光透過部
と光半透過部とからなるマスクパターンを形成するマス
クパターン形成工程とを有することを特徴とした位相シ
フトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23211592A JP3034704B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23211592A JP3034704B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0683027A true JPH0683027A (ja) | 1994-03-25 |
| JP3034704B2 JP3034704B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=16934246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23211592A Expired - Fee Related JP3034704B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3034704B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0876353A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-22 | Nec Corp | 位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH0968790A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Nec Corp | フォトマスク |
| JP2002296758A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP2002296757A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びマスクブランク |
| JP2002296756A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| US6599667B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-07-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask and blank for halftone phase shift photomask |
| JP2007171520A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Hoya Corp | マスクブランク及びマスク |
| JP2007271720A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
| JP2011107735A (ja) * | 2011-03-11 | 2011-06-02 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23211592A patent/JP3034704B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0876353A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-22 | Nec Corp | 位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH0968790A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Nec Corp | フォトマスク |
| US6599667B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-07-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask and blank for halftone phase shift photomask |
| JP2002296758A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP2002296757A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びマスクブランク |
| JP2002296756A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP2007171520A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Hoya Corp | マスクブランク及びマスク |
| JP2007271720A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
| KR101261155B1 (ko) * | 2006-03-30 | 2013-06-24 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 및 포토마스크 |
| JP2011107735A (ja) * | 2011-03-11 | 2011-06-02 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3034704B2 (ja) | 2000-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3411613B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク | |
| JPH07168343A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
| US6207333B1 (en) | Mask with attenuating phase-shift and opaque regions | |
| JP2837803B2 (ja) | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク | |
| JP4468093B2 (ja) | 階調フォトマスクの製造方法 | |
| JPH0683027A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| US5851704A (en) | Method and apparatus for the fabrication of semiconductor photomask | |
| JPH0876353A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH06123961A (ja) | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク並びに位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP3272790B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法及び位相シフトマスクブランク | |
| JPH08123010A (ja) | 位相シフトマスクおよびそれに用いるマスクブランク | |
| JPH10198017A (ja) | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランク | |
| JP3249203B2 (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JP2000010255A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH06250375A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
| JP2003121978A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH07209849A (ja) | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス | |
| JP2001174976A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク | |
| JPH0950112A (ja) | 位相シフトマスク | |
| JP2837807B2 (ja) | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク | |
| JP3760927B2 (ja) | パターン転写方法 | |
| JPH0777795A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP4099836B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びその製造方法及びハーフトーン型位相シフトマスク | |
| JP3172527B2 (ja) | 位相シフトマスク、位相シフトマスクブランク及び位相シフト部材形成用ターゲット | |
| JP3669631B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080218 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090218 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100218 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100218 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110218 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120218 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |