KR101261155B1 - 마스크 블랭크 및 포토마스크 - Google Patents

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Abstract

FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크(10)로서, 투광성 기판(12)과, 기판(12) 상에 형성된, i선부터 g선에 걸친 파장 영역의 광에 대해 투광성의 투광성 막(14)과, 투광성 막(14) 상에 형성된, 금속과 규소를 포함하는 금속 실리사이드계 재료로 형성된 차광막(16)을 구비하고, 차광막(16)은 웨트 에칭에 의해 패터닝되는 막이며, 투광성 막(14)은 차광막(16)과 에칭 선택성을 갖는 재료의 막이다.

Description

마스크 블랭크 및 포토마스크{MASK BLANK AND PHOTOMASK}
본 발명은, 마스크 블랭크 및 포토마스크에 관한 것이다.
최근, 대형의 FPD 디바이스를 제조하기 위한 포토마스크(FPD용 마스크)의 분야에 있어서, 그레이톤 마스크를 이용하여 마스크 매수를 삭감하는 시도가 이루어지고 있다(비특허 문헌 1). 그레이톤 마스크라는 것은, 투명 기판 상에, 차광부와, 투과부와, 그레이톤부를 갖는 포토마스크이다. 그레이톤부는, 예를 들면 반투광막(하프 투광성 막)을 형성한 반투광성 영역, 또는 그레이톤 패턴을 형성한 반투광성 영역이며, 노광 광의 투과량을 조정하는 기능을 갖는다. 이에 의해, 그레이톤부는 그 영역을 투과하는 광의 투과량을 저감하고 이 영역에 의한 조사량을 저감하여, 이 영역에 대응하는 포토레지스트의 현상 후의 막 감소된 막 두께를 원하는 값으로 제어한다. 또한, 그레이톤 패턴은, 대형 FPD용 노광기의 해상 한계 이하의 미세 차광 패턴 및 미세 투과부를 갖는 패턴이며, 차광막을 패터닝하여 형성된다.
그레이톤 마스크를, 미러 프로젝션 방식이나, 렌즈를 사용한 렌즈 프로젝션 방식의 대형 노광 장치에 탑재하여 사용하는 경우, 그레이톤부를 통과한 노광 광은 전체적으로 노광량이 부족해진다. 그로 인해, 그레이톤부를 통해 노광한 포지티브형 포토레지스트는 막 두께가 얇아질 뿐이고 기판 상에 남는다. 즉, 레지스트는 노광량의 차이에 의해, 통상의 차광부에 대응하는 부분과 그레이톤부에 대응하는 부분에서 현상액에 대한 용해성에 차이가 생긴다. 그로 인해, 현상 후의 레지스트 형상은, 예를 들면 통상의 차광부에 대응하는 부분이 약 1 ㎛, 그레이톤부에 대응하는 부분이 약 0.4 내지 0.5 ㎛, 투과부에 대응하는 부분은 레지스트가 없는 부분으로 된다. 그리고, 레지스트가 없는 부분에서 피가공 기판의 제1 에칭을 행하고, 그레이톤부에 대응하는 얇은 부분의 레지스트를 애싱 등에 의해 제거하고, 이 부분에서 제2 에칭을 행함으로써, 1매의 마스크로 종래의 마스크 2매분의 공정을 행하여, 마스크 매수를 삭감한다.
또한, 종래, LSI를 제조하기 위한 포토마스크(LSI용 마스크)의 분야에 있어서, 금속 실리사이드(몰리브덴 실리사이드 등)의 차광막을 이용하는 것이 제안되어 있다(특허 문헌 1). 특허 문헌 1에 있어서, 이 차광막은, 웨트 에칭에 의한 패터닝에 적합한 재료로서 제안되어 있다.
그 후, 드라이 에칭 기술의 향상에 수반하여, LSI용 마스크의 분야에서는, 높은 패턴 치수 정밀도를 실현하기 위해, 드라이 에칭으로의 패터닝이 일반적으로 되었다. 그리고, 드라이 에칭으로의 패터닝이 가능한 차광막 재료로서, 금속 실리사이드의 차광막이 제안되었다(특허 문헌 2). 또한, 금속 실리사이드의 막 상에 산화된 금속 실리사이드의 막을 형성함으로써, 반사 방지 기능을 갖는 차광막으로 하는 구성이 제안되었다(특허 문헌 3). 이와 같이, 최근 LSI용 마스크에서는, 금속 실리사이드의 막은 드라이 에칭 전용의 막으로서 개발이 진행되고 있고, 웨트 에칭에 적합한 금속 실리사이드계 재료로 이루어지는 막의 개발은 특허 문헌 1 이후 진행되고 있지 않다.
또한, 종래, LSI용 위상 시프트 마스크에 있어서의 위상 시프트량을 정확하게 설정하기 위해, 기판 표면에 에칭 스토퍼층을 형성한 구성이 제안되어 있다(특허 문헌 4, 특허 문헌 5). 특허 문헌 4에 있어서, 위상 시프터용 막은, 산화 실리콘을 주성분으로 하는 막이다. 에칭 스토퍼층은, Al2O3을 필수의 구성 요소로 하고, 이것에 MgO, ZrO, Ta2O3, 또는 HfO를 혼합한 재료로 이루어지는 막이다. 특허 문헌 5에 있어서, 위상 시프터용 막은 도포 글래스의 막이다. 에칭 스토퍼층은, 산화 하프늄을 주체로 하는 막이다.
LSI용 마스크는, 마이크로프로세서, 반도체 메모리, 시스템 LSI 등의 반도체 디바이스를 제조하기 위한 포토마스크로서, 최대 6×6인치 정도로 상대적으로 소형이다. 그로 인해, 스테퍼(숏-스테퍼 노광) 방식에 의한 축소 투영 노광 장치에 탑재되어 사용되는 것이 많다. 또한, LSI용 마스크에서는, 렌즈계에 의한 색 수차 배제 및 그에 의한 해상성 향상의 관점에서, 단색의 노광 광이 사용된다. 최근, LSI용 마스크에서는, 노광 파장으로 결정되는 해상 한계를 타파하기 위해, 노광 파장의 단파장화가 도모되고 있다. 이 단색의 노광 파장의 단파장화는, 초고압 수은등의 g선(436 nm), i선(365 nm), KrF 엑시머 레이저(248 nm), ArF 엑시머 레이저(193 nm)로 진행되어 오고 있다. 또한, LSI용 마스크를 제조하기 위한 소형 마스크 블랭크에 있어서는, 높은 패턴 치수 정밀도가 필요하므로, 드라이 에칭에 의해 박막의 패터닝이 실시된다.
이에 대해, FPD(플랫 패널 디스플레이)용 대형 마스크는, 예를 들면 330 mm × 450 mm 내지 1220 mm × 1400 mm로 상대적으로 대형이다. 그로 인해, 미러 프로젝션(스캐닝 노광 방식에 의한, 등배 투영 노광) 방식이나 렌즈를 사용한 렌즈 프로젝션 방식의 노광 장치에 탑재되어 사용되는 것이 많다. 이들 노광 장치에 있어서는, 코스트면 및 스루풋을 중시하여, 초고압 수은등의 i∼g선의 넓은 대역을 이용한 다색파 노광이 행해진다. 또한, FPD용 대형 마스크를 제조하기 위한 대형 마스크 블랭크에 있어서는, LSI용 마스크와 동일 정도의 매우 높은 패턴 치수 정밀도를 중시하는 것보다도, 오히려 코스트면 및 스루풋을 중시하여, 에칭액(에천트)을 이용한 웨트 에칭에 의해 박막의 패터닝이 실시된다.
여기서, 본원 발명자는 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크(FPD용 마스크 블랭크)의 반투광막이나 차광막으로서, 금속 실리사이드계 재료로 형성된 금속 실리사이드계 막을 이용하는 것을 검토하였다. 금속 실리사이드계 막은, 기판에 대한 밀착성이 좋고, 내약품성이 높다. 또한, 반투광막이나 차광막으로서 다색파 노광의 대역의 노광 광에 대해 양호한 광학 특성을 갖고 있다. 그러나, FPD용 마스크 블랭크에 이용한 경우에는, 이하의 문제점 (1), (2)가 있는 것이 판명되었다.
일본 특허 출원 공개 소62-218585호 공보 일본 특허 공고 평3-66656호 공보 일본 특허 공고 평4-35743호 공보 일본 특허 출원 공개 평5-134386호 공보 일본 특허 출원 공개 평7-36176호 공보
월간 FPD Intelligence, p.31-35, 1999년 5월
(1) 금속 실리사이드계 막을 에칭하기 위한 에칭액에 의해 기판이 데미지를 받을 우려가 있다.
금속 실리사이드계 막용의 에칭액으로서는, 예를 들면 불화 수소 암모늄 등의 수용액이 이용된다. 이 경우, 예를 들면 기판이 글래스 기판이면, 기판 표면에 데미지가 발생하여, 표면 거칠기가 거칠어지거나, 투과율이 저하하는 문제가 있다. 이러한 문제는 금후의 FPD용 대형 마스크 블랭크 및 마스크의 고품질화의 장해로 되는 것을 알 수 있었다.
또한, 기판이 소다 라임 글래스 등의 기판인 경우, 이 문제에 더하여 기판 표면에 백탁이 발생하여 투과율이 더욱 저하하는 문제가 있는 것을 알 수 있었다. 이들 이유는, 금속 실리사이드계 막용의 에칭액(불화 수소 암모늄 등)은, 글래스 기판에 대해 에칭 작용을 갖고 있고, 비교적 긴 시간, 에칭액이 글래스 기판 표면에 접촉하면, 이들 문제가 현재화되기 때문이라고 생각된다. 또한, Cr계 재료를 패터닝할 때에 에칭액으로서 사용되는 질산 제2 세륨 암모늄과 과염소산의 수용액은, 글래스 기판에 대해 에칭 작용을 갖고 있지 않다. 그로 인해, 이러한 문제는 발생되지 않는다.
(2) 충분한 패턴 치수 정밀도가 얻어지지 않을 우려가 있다.
상술한 바와 같이, 최근 LSI 마스크의 분야에 있어서, 금속 실리사이드계 막과 마찬가지의 구성의 막은, 드라이 에칭 전용의 막으로서 개발이 진행되고 있다. 그로 인해, 금속 실리사이드계 막을 웨트 에칭으로 패터닝하는 것에 대해서는 충분한 연구가 진행되고 있지 않다. 따라서, 예를 들면 특허 문헌 2, 3에 개시되어 있는 막을 그대로 FPD용 마스크 블랭크에 이용하였다고 해도, 웨트 에칭에 의해 충분한 패턴 치수 정밀도로 패터닝하는 것은 곤란하다.
예를 들어, 특허 문헌 2, 3에 개시되어 있는 막을 그대로 FPD용 마스크 블랭크의 반투광막이나 차광막으로서 사용하고, 불화 수소 암모늄 등의 수용액에 의한 웨트 에칭을 적용한 경우, 단면 형상이 나빠지는 것이 판명되었다. 또한, 그 결과, 패턴 치수 정밀도는, 예를 들면 크롬계 재료의 막을 패터닝한 경우와 비교하여 저하하게 된다. 그로 인해, 금속 실리사이드계 막을 웨트 에칭으로 패터닝한 경우에는, 충분한 패턴 치수 정밀도가 얻어지지 않을 우려가 있다. 이러한 패턴의 단면 형상의 악화나, 패턴 치수 정밀도의 악화는 패턴 선폭 균일성(CD 정밀도)의 저하로 이어지고, 대형 마스크를 사용하여 FPD 디바이스(액정 표시 장치 등)를 제작하였을 때에, 표시 불균일이 발생하는 원인으로 된다. 그로 인해, 이러한 문제는 금후의 FPD용 대형 마스크 블랭크 및 마스크의 고품질화의 장해로 될 우려가 있다.
그래서, 본 발명은 상기한 과제를 해결할 수 있는 마스크 블랭크 및 포토마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적하에, 본원 발명자는 예의 연구를 행하여, 본원 발명에 이르렀다. 본원 발명은, 이하의 구성을 갖는다.
(구성 1)
FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크로서, 투광성 기판과, 기판 상에 형성된 i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대해 투광성의 투광성 막과, 투광성 막 상에 형성된 반투광막 또는 차광막으로서, 금속과 규소를 포함하는 금속 실리사이드계 재료로 형성된 금속 실리사이드계 막을 포함하고, 금속 실리사이드계 막은, 웨트 에칭에 의해 패터닝되는 막이며, 투광성 막은, 금속 실리사이드계 막과 에칭 선택성을 갖는 재료의 막이다. 금속 실리사이드계 재료라는 것은, 예를 들면 금속 실리사이드, 또는 금속 실리사이드에 첨가 원소를 첨가한 재료이다.
이와 같이 구성하면, 금속 실리사이드계 막을 웨트 에칭하기 위한 에칭액으로부터 기판을 보호할 수 있다. 그로 인해, 에칭액에 의해 기판이 데미지를 받는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이에 의해 상기 (1)의 과제를 해결할 수 있다.
또한, 이와 같은 투광성 막을 형성함으로써, 예를 들면 기판에 영향을 미치는 일 없이, 금속 실리사이드계 막의 오버 에칭을 적절하게 행할 수 있다. 이에 의해, 금속 실리사이드계 막의 단면 형상에 있어서의 끝자락을 적게 할 수 있으므로, 단면 형상이 서서, 양호하게 된다. 그로 인해, 이와 같이 구성하면, 금속 실리사이드계 막의 웨트 에칭에 있어서의 패턴 치수 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 이에 의해, 상기 (2)의 과제를 해결할 수 있다. 또한, 이 마스크 블랭크로부터 작성되는 포토마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제작한 경우에, 표시 불균일의 발생을 억제할 수 있다.
여기서, 투광성 막은, 예를 들면 에칭 스토퍼층으로서의 기능을 갖는 막이다. 이 경우, 투광성 막은, 금속 실리사이드계 막과 에칭 선택성을 갖는 재료로서, 금속 실리사이드계 막을 웨트 에칭하기 위한 에칭액에 대해 실질적으로 에칭되지 않는 재료로 형성된다. 또한, 투광성 막은, 금속 실리사이드계 막의 웨트 에칭시에 일부가 에칭되는 희생층이어도 된다. 이 경우, 투광성 막은, 금속 실리사이드계 막의 오버 에칭을 행한 경우에도 완전히 제거되지 않는 막 두께를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 투광성 막은, 금속 실리사이드계 막보다도 에칭율이 느린 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
이 마스크 블랭크는, 예를 들면 그레이톤 마스크용 마스크 블랭크이다. 이 그레이톤 마스크는, 차광막으로 그레이톤부를 형성하는 타입의 그레이톤 마스크이어도 되고, 반투광막으로 그레이톤부를 형성하는 타입의 그레이톤 마스크이어도 된다.
(구성 2)
투광성 막은, 불화 칼슘, 불화 마그네슘, 산화 주석, 산화 인듐, 산화 인듐-주석, 산화 주석-안티몬, 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 불화 리튬 중으로부터 선택되는 1개 또는 2개 이상을 포함하는 재료로 형성된다. 이들 재료는, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대해 투광성이 높고, 또한 금속 실리사이드계 막을 웨트 에칭하기 위한 에칭액에 대해 실질적으로 에칭되지 않는다. 그로 인해, 이와 같이 구성하면, 투광성 막을 적절하게 형성할 수 있다. 또한, 투광성 막의 재료로서 Al2O3을 이용하는 경우, 투광성 막의 가열에 의해 알루미늄을 충분히 산화시키는 것이 바람직하다. 이에 의해, 투광성 막의 에칭 내성을 높일 수 있다.
(구성 3)
금속 실리사이드계 막은, 몰리브덴과 규소를 포함하는 몰리브덴 실리사이드계 재료로 형성된다. 이와 같이 구성하면, 포토마스크 제조시의 내약품성(내산성)이 높아, 성막시의 결함 발생이 적으므로 바람직하다.
(구성 4)
투광성 막은, 질화 금속막이다. 이와 같이 구성하면, 기판과의 부착성도 좋아, 투광성 막을 적절하게 형성할 수 있다.
(구성 5)
투광성 막은, 질소 및 탄소 중 적어도 한쪽을 첨가 원소로서 첨가한 금속 실리사이드로 형성된다. 이와 같이, 반투광막이나 차광막과 동일한 금속 실리사이드계 재료로 형성하면, 성막하기 쉽고, 반투광막이나 차광막과의 부착성도 좋아지므로 바람직하다. 또한, 이와 같이 구성한 경우, 반투광막 또는 차광막 뿐만 아니라, 투광성 막도 실리사이드계 재료로 형성되게 된다. 이 경우, 투광성 막을, 반투광막 또는 차광막보다 에칭 속도가 느린 실리사이드계 재료로 형성하는 것이 바람직하다.
(구성 6)
투광성 막은, 크롬막 또는 산화 크롬막이다. 이와 같이 구성하면, 투광성 막을 적절하게 형성할 수 있다. 또한, 크롬막(Cr 막)이나 산화 크롬막(CrO 막)은, 후막화하면, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대해 차광성 막으로 된다. 그로 인해, 필요한 투과율이 얻어지도록, 투광성 막을 충분히 박막화할 필요가 있다.
(구성 7)
투광성 막은, 다이아몬드 형상의 탄소막이다. 이와 같이 구성하면, 투광성 막을 적절하게 형성할 수 있다. 또한, 이와 같이 구성한 경우, 투광성 막의 열 전도성을 높일 수 있다. FPD용 마스크 등의 대형의 포토마스크에 있어서는, 노광시에 발생하는 열에 의해 기판에 발생하는 온도 분포의 불균일의 영향이 크다. 그러나, 이와 같이 구성하면, 이 마스크 블랭크로 제작되는 포토마스크에 있어서, 기판면 내에서의 온도 분포를 균일화할 수 있다. 또한, 이에 의해 패턴 전사의 정밀도를 높일 수 있다. 나아가서는, 이에 의해, 이 포토마스크를 이용하여 제작되는 FPD 디바이스의 표시 불균일을 억제할 수 있다.
(구성 8)
구성 1 내지 7 중 어느 하나에 기재된 마스크 블랭크를 이용하여, 금속 실리사이드계 막을, 웨트 에칭에 의해 패터닝하여 제조된 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스를 제조하기 위한 포토 마스크. 이와 같이 구성하면, 구성 1 내지 7과 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상기한 각 구성에 있어서, FPD용 마스크 블랭크 및 마스크로서는, LCD(액정 디스플레이), 플라즈마 디스플레이, 유기 EL(일렉트로 루미네센스) 디스플레이 등의 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크 및 마스크를 예로 들 수 있다.
LCD용 마스크에는, LCD의 제조에 필요한 모든 마스크가 포함되고, 예를 들면 TFT(박막 트랜지스터), 특히 TFT 채널부나 콘택트홀부, 저온 폴리실리콘 TFT, 컬러 필터, 반사판(블랙 매트릭스) 등을 형성하기 위한 마스크가 포함된다. 다른 표시 디바이스 제조용 마스크에는, 유기 EL(일렉트로 루미네센스) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등의 제조에 필요한 모든 마스크가 포함된다.
본 발명에 따르면, 상술한 과제 (1), (2)의 쌍방의 개선을 도모한 마스크 블랭크 및 포토마스크를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 마스크 블랭크(10)의 구성의 제1 예를 도시하는 도면.
도 2는 마스크 블랭크(10)의 구성의 제2 예를 도시하는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 마스크 블랭크
12 : 기판
14 : 투광성 막
16, 20 : 차광막
18 : 반투광막
<실시예>
이하, 본 발명에 관한 실시 형태를, 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 마스크 블랭크(10)의 구성의 제1 예를 도시한다. 마스크 블랭크(10)는, FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크이다. 또한, 마스크 블랭크(10)는, 예를 들면 1변이 330 mm 이상(예를 들면 330 mm × 450 mm ∼ 1220 mm × 1400 mm)인 대형의 마스크 블랭크이다.
마스크 블랭크(10)로 제조되는 FPD용 포토마스크는, 차광막으로 그레이톤부를 형성하는 타입의 그레이톤 마스크이며, 예를 들면 미러 프로젝션(스캐닝 노광 방식에 의한, 등배 투영 노광) 방식이나 렌즈를 사용한 렌즈 프로젝션 방식의 노광 장치에 탑재되어 사용된다. 이 포토마스크는, 예를 들면 i선부터 g선에 걸치는 파장 대역의 광을 이용한 다색파 노광용 포토마스크로서, 예를 들면 1 ㎛ 이하의 그레이톤 패턴을 갖는다.
본 예에 있어서, 마스크 블랭크(10)는 기판(12), 투광성 막(14), 및 차광막(16)을 구비한다. 마스크 블랭크(10)는 차광막(16) 상에 레지스트 막을 더 구비하여도 된다. 또한, 차광막(16) 상에, 반사 방지막을 더 구비하여도 된다. 반사 방지막으로서는, 예를 들면 산화된 금속 실리사이드의 막을 이용할 수 있다. 기판(12)으로서는, 예를 들면 합성 석영, 소다 라임 글래스, 무알칼리 글래스 등의 기판을 이용할 수 있다. 다색파 노광의 노광 광이나 내약품성의 관점 등에서, 합성 석영의 기판이 특히 바람직하다.
투광성 막(14)은, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대해 투광성인 막이다. 투광성 막(14)의 투과율은, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대해, 예를 들면 80 ％ 이상, 보다 바람직하게는 90 ％ 이상이다. 투광성 막(14)의 투과율은, 기판(12)의 투과율보다도 높은 것이 바람직하다. 투과율이 낮은 재료로 투광성 막(14)을 형성하는 경우, 이 투과율을 충족시키는 막 두께로 투광성 막(14)을 형성하는 것이 바람직하다.
투광성 막(14)은, 예를 들면 불화 칼슘, 불화 마그네슘, 산화 주석, 산화 인듐, 산화 인듐-주석, 산화 주석-안티몬, 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 불화 리튬 중으로부터 선택되는 1개 또는 2개 이상을 포함하는 재료로, 기판(12) 상에 형성된다. 이 경우, 투광성 막(14)의 막 두께는, 예를 들면 20∼500 옹스트롬, 보다 바람직하게는 50∼350 옹스트롬이다. 바람직한 재료는, 산화 주석, 산화 인듐-주석, 산화 주석-안티몬, 산화 하프늄이다. 이들 재료는, 포토마스크 제조시에 사용되는 약품에 대해 내약품성이 양호하다.
투광성 막(14)은, 질화 금속막이어도 된다. 질화 금속막으로서는, 예를 들면 SiN막, TaN막, CrN막 등을 이용할 수 있다. 이 경우, 투광성 막(14)의 막 두께는, 예를 들면 SiN막의 경우, 20∼200 옹스트롬, TaN막이나 CrN막의 경우, 20∼50 옹스트롬이다. 또한, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대해 높은 투광성이 얻어지는 점에서, SiN막이 특히 바람직하다.
투광성 막(14)은, 질소 및 탄소 중 적어도 한쪽을 첨가 원소로서 첨가한 금속 실리사이드로 형성되어도 된다. 이 경우, 투광성 막(14)의 막 두께는, 예를 들면 20∼100 옹스트롬, 보다 바람직하게는 20∼50 옹스트롬이다. 이 투광성 막(14)으로서는, 예를 들면 MoSiN막, MoSiC막, MoSiON막, MoSiCO막, 또는 MoSiCON막 등을 이용할 수 있다. 또한, 상기 각 막에 있어서의 몰리브덴(Mo)을 탄탈(Ta), 티탄(Ti), 또는 텅스텐(W) 등으로 치환한 막을 이용하는 것도 고려된다.
투광성 막(14)은, 박막화한 크롬막(Cr 막) 또는 산화 크롬막(CrO 막)이어도 된다. 이 경우, 투광성 막(14)의 막 두께는, 예를 들면 크롬막의 경우, 20∼50 옹스트롬, 산화 크롬막인 경우, 20∼100 옹스트롬이다.
투광성 막(14)은, 다이아몬드 형상의 탄소막이어도 된다. 이 경우, 투광성 막(14)의 막 두께는, 예를 들면 20∼50 옹스트롬이다. 또한, 투광성 막(14)은, 예를 들면 CVD법으로 형성된다. 투광성 막(14)은, 스퍼터링법으로 형성되어도 된다.
차광막(16)은, 금속과 규소를 포함하는 금속 실리사이드계 재료로 형성된 금속 실리사이드계 막으로서, 투광성 막(14) 상에 형성된다. 차광막(16)은, 광학 농도가 3 이상으로 되는 막 두께로 형성된다. 차광막(16)의 두께는, 예를 들면 850∼1800 옹스트롬이다.
금속 실리사이드계 막인 차광막(16)으로서는, 예를 들면 몰리브덴 실리사이드(MoSi), 탄탈 실리사이드(TaSi), 티탄 실리사이드(TiSi), 텅스텐 실리사이드(WSi)나, 이들의 산화물(MoSiO 등), 질화물(MoSiN 등), 또는 산질화물(MoSiON 등)의 막 등을 이용할 수 있다. 또한, 이들 막의 적층막을 이용하여도 된다. 또한, 금속과 규소의 비율은, 적절하게 변경 가능하다. 예를 들어, 몰리브덴 실리사이드계의 금속 실리사이드계 막으로서는, MoSi막[Mo : Si = 50 : 50(원자 ％비)], MoSi2막[Mo : Si = 33 : 67(원자 ％비)], MoSi4막[Mo : Si = 20 : 80(원자 ％비)] 등을 이용할 수 있다.
또한, 차광막(16)은 웨트 에칭에 의해 패터닝되는 막이다. 차광막(16)의 적어도 일부는, 그레이톤 마스크에 있어서의 그레이톤부로 될 부분이며, 대형 FPD용 노광기의 해상 한계 이하의 미세 차광 패턴 및 미세 투과부를 갖는 그레이톤 패턴으로 패터닝된다. 차광막(16)의 웨트 에칭에 이용하는 에칭액으로서는, 예를 들면 불화 수소 암모늄, 불화 암모늄, 규불화 수소산, 불화 붕소산, 불화 수소산 등의 불소 화합물과, 과산화수소, 질산, 황산 등의 산화제를 혼합한 수용액 등을 이용할 수 있다.
여기서, 본 예에 있어서, 투광성 막(14)은 차광막(16)의 웨트 에칭용의 에칭액에 대해 내성을 갖고 있다. 그로 인해, 투광성 막(14)은, 차광막(16)의 웨트 에칭에 의해 제거되지 않고 기판(12) 상에 남는다. 이에 의해, 차광막(16)의 웨트 에칭용의 에칭액으로부터 기판(12)을 적절하게 보호할 수 있다. 또한, 이 에칭액에 의해 기판(12)이 데미지를 받는 것을 방지할 수 있다.
나아가서는, 투광성 막(14)을 형성함으로써, 기판(12)에 영향을 미치는 일 없이, 차광막(16)의 오버 에칭을 적절하게 행할 수 있다. 그로 인해, 본 예에 따르면, 차광막(16)의 웨트 에칭에 있어서의 패턴 치수 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 이에 의해, 마스크 블랭크(10)로부터 작성되는 포토마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제작한 경우에, 표시 불균일의 발생을 억제할 수 있다.
도 2는, 마스크 블랭크(10)의 구성의 제2 예를 도시한다. 본 예에 있어서, 마스크 블랭크(10)로 제조되는 FPD용 포토마스크는, 반투광막으로 그레이톤부를 형성하는 타입의 그레이톤 마스크이다. 마스크 블랭크(10)는, 아래 놓기 타입(선장착 타입)의 마스크 블랭크로서, 기판(12), 투광성 막(14), 반투광막(18) 및 차광막(20)을 구비한다. 마스크 블랭크(10)는 차광막(20) 상에 레지스트 막을 더 구비하여도 된다. 또한, 이하에 설명하는 점을 제외하고, 도 2에 있어서 도 1과 동일한 부호를 붙인 구성은, 도 1에 있어서의 구성과 동일 또는 마찬가지의 것이다.
반투광막(18)은, 막 두께 이외에는 도 1을 이용하여 설명한 차광막(16)과 동일 또는 마찬가지의 금속 실리사이드계 막이다. 반투광막(18)은, 기판(12) 및 투광성 막(14) 상에, 차광막(16)보다 먼저, 차광막(16) 아래에 형성된다. 반투광막(18)의 투과율은, 예를 들면 10∼60 ％이다. 반투광막(18)의 막 두께는, 예를 들면 20∼100 옹스트롬, 보다 바람직하게는 40∼60 옹스트롬이다.
차광막(20)은, 크롬계 재료로 형성된 차광막이다. 차광막(20)은 크롬(Cr)에 산소, 질소, 탄소로부터 선택되는 1개 이상의 첨가 원소를 첨가한 막, 또는 그들의 적층 막이어도 된다. 예를 들어, 차광막(20)은 질화 크롬(CrN), 탄화 크롬(CrC), 및 산질화 크롬(CrON)을 기판(12)측으로부터 차례로 적층시킨 적층막이다.
반투광막(18) 및 차광막(20)은, 각각 다른 에칭액을 이용하여 웨트 에칭에 의해 패터닝된다. 차광막(20)의 웨트 에칭용의 에칭액으로서는, 예를 들면 크롬계의 막을 에칭하기 위한 각종 공지의 에칭액을 이용할 수 있다. 반투광막(18)의 웨트 에칭용의 에칭액으로서는, 도 1을 이용하여 설명한 차광막(16)의 웨트 에칭에 이용하는 에칭액과 동일 또는 마찬가지의 에칭액을 이용할 수 있다. 웨트 에칭에 의해, 반투광막(18)은 패터닝되어, 그레이톤 마스크에 있어서의 그레이톤부로 된다.
본 예에 있어서도, 투광성 막(14)은 반투광막(18)의 웨트 에칭용의 에칭액에 대해 내성을 갖고 있다. 그로 인해, 투광성 막(14)은 반투광막(18)의 웨트 에칭에 의해 제거되지 않고 기판(12) 상에 남는다. 이에 의해, 반투광막(18)의 웨트 에칭용의 에칭액으로부터 기판(12)을 적절하게 보호할 수 있다. 또한, 이 에칭액에 의해 기판(12)이 데미지를 받는 것을 방지할 수 있다.
나아가서는, 투광성 막(14)을 형성함으로써, 기판(12)에 영향을 미치는 일 없이, 반투광막(18)의 오버 에칭을 적절하게 행할 수 있다. 그로 인해, 본 예에 따르면 반투광막(18)의 웨트 에칭에 있어서의 패턴 치수 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 마스크 블랭크(10)로부터 작성되는 포토마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제작한 경우에, 표시 불균일의 발생을 억제할 수 있다.
이하, 실시예를 기초로 하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
(제1 실시예)
대형 글래스 기판[합성 석영(QZ) 10 mm 두께, 사이즈 850 mm × 1200 mm] 상에, 대형 인라인 스퍼터링 장치를 사용하여, 투광성 막, 차광막, 및 반사 방지막의 성막을 행하였다. 성막은, 대형 인라인 스퍼터링 장치 내에 연속하여 배치된 각 스페이스(스퍼터실)에, 산화 하프늄(HfO2) 타깃, 및 몰리브덴 실리사이드(MoSi2) 타깃(Mo : 33 몰 ％, Si : 67 몰 ％)을 각각 배치하고, 우선 최초의 스퍼터실에 있어서, 산화 하프늄 타깃에 대해 Ar 가스를 스퍼터링 가스로 하여 HfO2막의 투광성 막을 100 옹스트롬 성막하였다. 이어서, 다음 스퍼터실에 있어서, MoSi2 타깃에 대해 Ar 가스를 스퍼터링 가스로 하여 MoSi2막의 차광막을 1000 옹스트롬 성막하였다. 또한, Ar 가스 및 O2 가스를 스퍼터링 가스로 하여 MoSi2O막의 반사 방지막을 400 옹스트롬 더 성막하여, FPD용 대형 마스크 블랭크를 제작하였다.
상기에 의해 제작한 마스크 블랭크를 이용하여, 세정 처리(순수, 상온) 후, 공지의 슬릿 코터 장치(일본 특허 출원 공개 제2005-286232호 공보에 기재된 슬릿 코터 장치)를 이용하여 레지스트액을 도포하고, 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 불화 수소 암모늄과 과산화수소를 혼합한 수용액을 에칭액으로서 이용하고, 반사 방지막 및 차광막을 웨트 에칭으로 패터닝하여, FPD용 대형 마스크를 제작하였다. 이 포토마스크는, 5 ㎛ 폭의 통상의 패턴 및 1 ㎛ 폭의 그레이톤 패턴을 갖는다.
이 FPD용 대형 마스크를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰한 바, 어느 마스크 패턴에 대해서도 단면 형상이 좋고, 패턴 치수 정밀도도 양호하였다. 또한, 이 FPD용 대형 마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제작하고, 표시 불균일을 확인한 바, 제작한 FPD 디바이스에는 표시 얼룩은 없는 것을 확인하였다.
또한, 이 FPD용 대형 마스크를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰 및 투과율의 측정을 행하였다. 상기 에칭액에 의한 기판 표면의 에칭 작용에 기인한 것으로 생각되는 기판 표면의 데미지, 표면 거칠기의 거칠음의 발생은 모두 없고, 투과율의 저하도 확인되지 않았다.
또한, 기판을 소다 라임 글래스로 바꾼 것 이외에는 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 기판 표면의 상태를 확인하였다. 상기 에칭액에 의한 글래스 기판 표면의 에칭 작용에 기인한 것으로 생각되는 기판 표면의 데미지, 표면 거칠기의 거칠음, 기판 표면의 백탁의 발생은 모두 없고, 투과율의 저하도 확인되지 않았다.
(제1 비교예)
HfO2막의 투광성 막을 형성하지 않은 것 이외에는 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 제1 비교예에 따른 FPD용 대형 마스크를 제작하였다. 이 FPD용 대형 마스크를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰한 바, 마스크 패턴에 끝자락이 발생하여, 단면 형상이 악화되어 있었다. 그로 인해, 웨트 에칭에 의한 패턴 치수 정밀도는 불충분하였다.
또한, 이 FPD용 대형 마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제작하였다. 이 FPD 디바이스에 있어서는, 패턴 단면 형상이나 패턴 치수 정밀도가 나쁜 것이 원인으로 생각되는 표시 불균일이 발생되는 것이 확인되었다. 또한, 표시 불균일은 1 ㎛ 폭의 그레이톤 패턴에 대응하는 영역에서 특히 발생되어 있었다.
또한, 이 FPD용 대형 마스크를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰 및 투과율의 측정을 행하였다. 상기 에칭액에 의한 글래스 기판 표면의 에칭 작용에 기인한 것으로 생각되는 글래스 기판 표면의 데미지, 표면 거칠기의 거칠음의 발생이 확인되고, 투과율의 저하도 확인되었다.
또한, 기판을 소다 라임 글래스로 바꾼 것 이외에는 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 기판 표면의 상태를 확인하였다. 상기 에칭액에 의한 기판 표면의 에칭 작용에 기인한 것으로 생각되는 글래스 기판 표면의 데미지, 표면 거칠기의 거칠음, 글래스 기판 표면의 백탁의 발생이 확인되고, 투과율의 저하도 확인되었다.
(제2 실시예)
대형 글래스 기판[합성 석영(QZ) 10 mm 두께, 사이즈 850 mm × 1200 mm] 상에, 대형 인라인 스퍼터링 장치를 사용하여, 투광성 막, 반투광막, 및 차광막의 성막을 행하였다. 성막은, 대형 인라인 스퍼터링 장치 내에 연속하여 배치된 각 스페이스(스퍼터실)에, 산화 하프늄(HfO2) 타깃, MoSi2 타깃(Mo : 33 몰 ％, Si : 67 몰 ％), 및 Cr 타깃을 각각 배치하고, 우선 최초의 스퍼터실에 있어서 산화 하프늄 타깃에 대해 Ar 가스를 스퍼터링 가스로 하여 HfO2막의 투광성 막을 100 옹스트롬 성막하였다. 이어서, 다음 스퍼터실에 있어서, MoSi2 타깃에 대해 Ar 가스를 스퍼터링 가스로 하여 MoSi2 타깃의 반투광막을 45 옹스트롬 성막하였다.
이어서, Cr 타깃을 이용하여, 차광막을 성막하였다. 우선, Ar 가스와 N2 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrN막을 150 옹스트롬, 이어서 Ar 가스와 CH4 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrC막을 620 옹스트롬, 이어서 Ar 가스와 NO 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrON막을 250 옹스트롬, 연속 성막하여 FPD용 대형 마스크 블랭크(그레이톤 마스크 블랭크)를 제작하였다.
상기에 의해 제작한 마스크 블랭크를 이용하여, 세정 처리(순수, 상온) 후, 공지의 방법에 의해, 차광막의 패터닝을 행하였다. 이어서, 제1 실시예의 차광막의 패터닝과 마찬가지로 하여, 반투광막을 패터닝하여, FPD용 대형의 그레이톤 마스크를 제작하였다. 패터닝된 반투광막은, 5 ㎛ 폭의 통상의 패턴을 갖는다.
이 FPD용 대형 마스크를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰한 바, 어느 마스크 패턴에 대해서도 단면 형상이 좋고, 패턴 치수 정밀도도 양호하였다. 또한, 이 FPD용 대형 그레이톤 마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제작하고, 표시 불균일을 확인한 바, 제작한 FPD 디바이스에는 표시 불균일은 없는 것을 확인하였다. 또한, 기판의 상태에 대해서도, 제1 실시예와 마찬가지로 양호하였다. 기판을 소다 라임 글래스로 바꾼 경우도 마찬가지이다.
(제3 내지 제7 실시예)
상술한 제1 실시예에 있어서, 투광성 막으로서, 산화 주석-안티몬(SnxSbyOz)막(막 두께 150 옹스트롬)(제3 실시예), 질화 규소(SiN)막(막 두께 170 옹스트롬)(제4 실시예), 질화된 몰리브덴 실리사이드(MoSiN)막(막 두께 45 옹스트롬)(제5 실시예), 산화 크롬(CrO)막(막 두께 80 옹스트롬)(제6 실시예), 다이아몬드 형상의 탄소(다이아몬드 라이크 카본)막(막 두께 20 옹스트롬)(제7 실시예)으로 한 것 이외에는, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 FPD용 대형 마스크 블랭크, 및 FPD용 대형 마스크를 제작하였다.
이 FPD용 대형 마스크를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰한 바, 어느 마스크 패턴에 대해서도 단면 형상이 좋고, 패턴 치수 정밀도도 양호하였다. 또한, 이 FPD용 대형 마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제작하고, 표시 불균일을 확인한 바, 제작한 FPD 디바이스에는 표시 불균일은 없는 것을 확인하였다.
게다가, 이 FPD용 대형 마스크를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰 및 투과율의 측정을 행하였다. 상기 에칭액에 의한 기판 표면의 에칭 작용에 기인한 것으로 생각되는 기판 표면의 데미지, 표면 거칠기의 거칠음의 발생은 모두 없고, 투과율의 저하도 확인되지 않았다. 이는, 기판을 소다 라임 글래스로 바꾼 경우도 마찬가지의 결과가 얻어졌다.
이상, 본 발명을 실시 형태를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시 형태에 기재된 범위에는 한정되지 않는다. 상기 실시 형태에, 다양한 변경 또는 개량을 추가하는 것이 가능한 것이 당업자에 명백하다. 그러한 변경 또는 개량을 추가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있는 것이, 특허청구의 범위의 기재로부터 명백하다.
본 발명은, 예를 들면 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크 및 마스크에 적합하게 적용할 수 있다.

Claims (15)

  1. i선부터 g선에 걸치는 파장 대역의 광을 이용한 다색파 노광용의 포토마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크로서,
    글래스 기판과,
    상기 글래스 기판에 접하여 형성되고, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대한 투과율이 80% 이상인 투광성 막과,
    상기 투광성 막에 접하여 형성된 반투광막이고, 금속과 규소를 포함하는 금속 실리사이드계 재료로 형성된 금속 실리사이드계 막과,
    상기 금속 실리사이드계 막 상에 크롬을 함유하는 재료로 형성된 차광막
    을 포함하고,
    상기 투광성 막은, 불화 칼슘, 불화 마그네슘, 산화 주석, 산화 인듐, 산화 인듐-주석, 산화 주석-안티몬, 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 및 불화 리튬 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하는 재료로 형성된 막인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투광성 막은 막 두께가 20 내지 500 옹스트롬인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 금속 실리사이드계 막은, 몰리브덴과 규소를 포함하는 몰리브덴 실리사이드계 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 금속 실리사이드계 막은, 금속 실리사이드만으로 이루어지는 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 글래스 기판은, 합성 석영으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 금속 실리사이드계 막은, 투과율이 10% 내지 60%인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  7. 제1항에 있어서, 상기 금속 실리사이드계 막은 막 두께가 20 내지 100 옹스트롱인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  8. 제1항의 마스크 블랭크를 이용하여, 상기 차광막과 상기 금속 실리사이드계 막을 패터닝하여 제조된 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스를 제조하기 위한 포토 마스크.
  9. 삭제
  10. 제8항에 있어서,
    상기 투광성 막은 상기 금속 실리사이드계 막이 패터닝에 의해 제거된 글래스 기판 상의 영역에도 잔존하고 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  11. 삭제
  12. FPD 디바이스를 제조하기 위한 i선부터 g선에 걸치는 파장 대역의 광을 이용한 다색파 노광용의 포토 마스크로서,
    글래스 기판과,
    상기 글래스 기판에 접하여 형성되고, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대한 투과율이 80% 이상인 투광성 막과,
    상기 투광성 막에 접하여 형성되고, 금속과 규소를 포함하는 금속 실리사이드계 재료로 이루어지며, 패터닝되어 있는 반투광막과,
    상기 반투광막 상에 형성되고, 크롬을 함유하는 재료로 이루어지며, 패터닝되어 있는 차광막
    을 포함하며,
    상기 투광성 막은, 불화 칼슘, 불화 마그네슘, 산화 주석, 산화 인듐, 산화 인듐-주석, 산화 주석-안티몬, 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 및 불화 리튬 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하는 재료로 형성되며,
    상기 투광성 막은, 상기 반투광막이 패터닝에 의해 제거된 글래스 기판 상의 영역에도 잔존하고 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  13. 제12항에 있어서, 상기 투광성 막은 막 두께가 20 내지 500 옹스트롬인 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  14. 제12항에 있어서, 상기 금속 실리사이드계 막은, 투과율이 10% 내지 60%인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  15. 제12항에 있어서, 상기 금속 실리사이드계 막은, 막 두께가 20 내지 100 옹스트롬인 것을 특징으로 하는 포토마스크
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5219201B2 (ja) * 2008-07-31 2013-06-26 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスク、フォトマスク用ブランク、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法
JP5219200B2 (ja) * 2008-07-31 2013-06-26 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスク、フォトマスク用ブランク、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法
CN101981500B (zh) * 2009-01-14 2012-05-09 国家纳米科学中心 一种金属光学灰度掩模及其制作方法
JP2010175697A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Toppan Printing Co Ltd 濃度分布マスク
TWI422966B (zh) * 2009-07-30 2014-01-11 Hoya Corp 多調式光罩、光罩基底、多調式光罩之製造方法、及圖案轉印方法
KR101921759B1 (ko) * 2011-09-21 2018-11-23 호야 가부시키가이샤 전사용 마스크의 제조 방법
JP6324756B2 (ja) * 2013-03-19 2018-05-16 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法
WO2017038213A1 (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法
KR102093107B1 (ko) * 2015-12-07 2020-03-25 (주)에스앤에스텍 다중 전자빔 리소그래피용 블랭크 마스크 및 포토마스크
JP6119836B2 (ja) * 2015-12-21 2017-04-26 大日本印刷株式会社 フォトマスク
JP6674809B2 (ja) * 2016-03-22 2020-04-01 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクブランクスの洗浄装置、位相シフトマスクブランクスの製造方法
JP7298556B2 (ja) * 2020-06-30 2023-06-27 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
CN115918280A (zh) 2021-04-05 2023-04-04 东芝三菱电机产业系统株式会社 基板单元及电力变换装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0683027A (ja) * 1992-08-31 1994-03-25 Hoya Corp 位相シフトマスク及びその製造方法
KR20000047011A (ko) * 1998-12-31 2000-07-25 윤종용 박막의 사진 식각 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판의 제조 방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS623257A (ja) * 1985-06-28 1987-01-09 Toshiba Corp マスクパタ−ンの形成方法およびこれに使用するマスク基板
JPS62218585A (ja) * 1985-10-31 1987-09-25 Hoya Corp フオトマスクの製造方法
JPS63212937A (ja) * 1987-02-28 1988-09-05 Hoya Corp フオトマスクブランクとフオトマスク
JPH0644146B2 (ja) * 1987-03-03 1994-06-08 三菱電機株式会社 フオトマスク
JPH061367B2 (ja) * 1987-03-03 1994-01-05 三菱電機株式会社 フオトマスク
JP3161474B2 (ja) * 1991-06-20 2001-04-25 凸版印刷株式会社 位相シフトマスク及びその製造方法
JPH0798493A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Toppan Printing Co Ltd 位相シフトマスク及びその製造方法
JPH07110571A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Toppan Printing Co Ltd 光学マスクおよびマスクブランク
JPH07181666A (ja) * 1993-12-22 1995-07-21 Toppan Printing Co Ltd 位相シフトマスク
JPH0876353A (ja) * 1994-09-08 1996-03-22 Nec Corp 位相シフトマスクの製造方法
JP2002189281A (ja) * 2000-12-19 2002-07-05 Hoya Corp グレートーンマスク及びその製造方法
JP2003195479A (ja) * 2001-12-28 2003-07-09 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
US7022436B2 (en) * 2003-01-14 2006-04-04 Asml Netherlands B.V. Embedded etch stop for phase shift masks and planar phase shift masks to reduce topography induced and wave guide effects
JP2005208660A (ja) * 2004-01-22 2005-08-04 Schott Ag 超高透過率の位相シフト型のマスクブランク
KR20050076827A (ko) * 2004-01-22 2005-07-28 쇼오트 아게 초 고투과율 위상편이 마스크 블랭크
EP1584979A1 (en) * 2004-04-08 2005-11-15 Schott AG Mask blank having a protection layer
JP4407815B2 (ja) * 2004-09-10 2010-02-03 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0683027A (ja) * 1992-08-31 1994-03-25 Hoya Corp 位相シフトマスク及びその製造方法
KR20000047011A (ko) * 1998-12-31 2000-07-25 윤종용 박막의 사진 식각 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판의 제조 방법

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Publication number Publication date
JP4919259B2 (ja) 2012-04-18
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KR20110082505A (ko) 2011-07-19

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