JPH07181666A - 位相シフトマスク - Google Patents
位相シフトマスクInfo
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- JPH07181666A JPH07181666A JP32423093A JP32423093A JPH07181666A JP H07181666 A JPH07181666 A JP H07181666A JP 32423093 A JP32423093 A JP 32423093A JP 32423093 A JP32423093 A JP 32423093A JP H07181666 A JPH07181666 A JP H07181666A
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- JP
- Japan
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- layer
- phase shifter
- etching
- light
- shift mask
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】透明基板の片面に、遮光性パターン膜もしくは
半透明性パターン膜と、位相シフター層パターンとを有
するか、または位相シフター層を兼ねる半遮光性パター
ン膜を、少なくとも有する位相シフトマスクにおいて、
透明基板と前記の位相シフター層との間に、薄膜ダイヤ
モンドのエッチング停止層が介在することを特徴とする
位相シフトマスク。 【効果】本発明の位相シフトマスクは、エッチング停止
層に薄膜ダイヤモンドを採用したので、ドライエッチン
グ耐性が特に強く、位相シフター層を確実にエッチング
できるとともに、自立的にエッチングを停止することが
できるのであり、高品質の位相シフトマスクとなる。ま
た、薄膜ダイヤモンドは、化学的に安定で、耐湿性に優
れるので、本発明の位相シフトマスクは、環境による劣
化が少なく、長寿命なものとなる。
半透明性パターン膜と、位相シフター層パターンとを有
するか、または位相シフター層を兼ねる半遮光性パター
ン膜を、少なくとも有する位相シフトマスクにおいて、
透明基板と前記の位相シフター層との間に、薄膜ダイヤ
モンドのエッチング停止層が介在することを特徴とする
位相シフトマスク。 【効果】本発明の位相シフトマスクは、エッチング停止
層に薄膜ダイヤモンドを採用したので、ドライエッチン
グ耐性が特に強く、位相シフター層を確実にエッチング
できるとともに、自立的にエッチングを停止することが
できるのであり、高品質の位相シフトマスクとなる。ま
た、薄膜ダイヤモンドは、化学的に安定で、耐湿性に優
れるので、本発明の位相シフトマスクは、環境による劣
化が少なく、長寿命なものとなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路や高密
度精密部品の製造に用いられるマスクに係わり、特に微
細なパターンの形成を可能にする位相シフトマスクに関
するものである。
度精密部品の製造に用いられるマスクに係わり、特に微
細なパターンの形成を可能にする位相シフトマスクに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体集積回路
は、シリコンウエハ等の被加工基板上にフォトレジスト
を塗布し、ステッパー露光機により所望のパターンを露
光した後、現像、エッチング等を行なうフォトリソグラ
フィ工程を繰り返すことにより製造されている。
は、シリコンウエハ等の被加工基板上にフォトレジスト
を塗布し、ステッパー露光機により所望のパターンを露
光した後、現像、エッチング等を行なうフォトリソグラ
フィ工程を繰り返すことにより製造されている。
【０００３】このようなフォトリソグラフィ工程に使用
されるレチクルマスクとよばれるマスクは、半導体集積
回路の高集積化に伴ってますます高精度を要求される傾
向にある。例えば、代表的なＬＳＩであるＤＲＡＭを例
にとると、６４ＭビットＤＲＡＭでは、デバイスパター
ンの線幅が０．３〜０．４μｍ程度であり、これまでの
レチクルマスクを用いたステッパー露光方式では、レジ
ストパターンの解像限界となる。そこで、位相シフトマ
スクというものが提案されている。この位相シフトマス
クは、マスクを透過する光の位相を操作することによ
り、投影像の分解能およびコントラストを向上させるも
のである。
されるレチクルマスクとよばれるマスクは、半導体集積
回路の高集積化に伴ってますます高精度を要求される傾
向にある。例えば、代表的なＬＳＩであるＤＲＡＭを例
にとると、６４ＭビットＤＲＡＭでは、デバイスパター
ンの線幅が０．３〜０．４μｍ程度であり、これまでの
レチクルマスクを用いたステッパー露光方式では、レジ
ストパターンの解像限界となる。そこで、位相シフトマ
スクというものが提案されている。この位相シフトマス
クは、マスクを透過する光の位相を操作することによ
り、投影像の分解能およびコントラストを向上させるも
のである。
【０００４】位相シフトマスクによる透過光を図面にし
たがって簡単に説明する。図５は、位相シフトマスクを
用いたフォトリソグラフィであるが、レチクルマスク７
上の隣接する光透過部の一方に位相を反転（位相差１８
０°）させるための透過膜からなる位相シフター層２が
設けられている。したがって位相シフター層２を透過し
た光は、隣接パターンの間で互いに逆位相になるため、
パターンの境界部で光強度が零になり、隣接するパター
ンを明瞭に分離することができる。このように、位相シ
フトマスクにあっては、従来は分離できなかったパター
ンも分離可能となり、解像度を向上させることができる
ものである。
たがって簡単に説明する。図５は、位相シフトマスクを
用いたフォトリソグラフィであるが、レチクルマスク７
上の隣接する光透過部の一方に位相を反転（位相差１８
０°）させるための透過膜からなる位相シフター層２が
設けられている。したがって位相シフター層２を透過し
た光は、隣接パターンの間で互いに逆位相になるため、
パターンの境界部で光強度が零になり、隣接するパター
ンを明瞭に分離することができる。このように、位相シ
フトマスクにあっては、従来は分離できなかったパター
ンも分離可能となり、解像度を向上させることができる
ものである。
【０００５】しかしながら、位相シフトマスクを製造す
るときは、前記の位相シフター層の膜厚の制御を精確に
行なわなければならない。特に、合成石英からなる透明
基板と位相シフター層とが、同材質のＳｉＯ2 系の材料
からなる場合、位相シフター層のパターンエッチングが
完了した後、その下にある透明基板までエッチングして
しまい、その結果、正確な位相シフター層の膜厚制御が
できなくなる傾向がある。膜厚制御が不正確であると、
位相差１８０°の位相反転ができず、精度の高いパター
ン露光ができなくなるものであった。
るときは、前記の位相シフター層の膜厚の制御を精確に
行なわなければならない。特に、合成石英からなる透明
基板と位相シフター層とが、同材質のＳｉＯ2 系の材料
からなる場合、位相シフター層のパターンエッチングが
完了した後、その下にある透明基板までエッチングして
しまい、その結果、正確な位相シフター層の膜厚制御が
できなくなる傾向がある。膜厚制御が不正確であると、
位相差１８０°の位相反転ができず、精度の高いパター
ン露光ができなくなるものであった。
【０００６】この防止策として従来より透明基板と位相
シフター層の間にエッチング停止層を介在させることが
提案されている。このエッチング停止層の材料として
は、タンタル、モリブデン、タングステン、アルミナ、
酸化ジルコニウム等が従来あげられているが、このよう
な材料では、必ずしも満足のいくようにエッチングを停
止させることが容易でない。とりわけ、位相シフター膜
のエッチングに、ＣＦ4、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＨＦ3 ＋Ｏ2 等
の反応性ガスを用いるドライエッチング法を採用すると
きに、この傾向が大きい。
シフター層の間にエッチング停止層を介在させることが
提案されている。このエッチング停止層の材料として
は、タンタル、モリブデン、タングステン、アルミナ、
酸化ジルコニウム等が従来あげられているが、このよう
な材料では、必ずしも満足のいくようにエッチングを停
止させることが容易でない。とりわけ、位相シフター膜
のエッチングに、ＣＦ4、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＨＦ3 ＋Ｏ2 等
の反応性ガスを用いるドライエッチング法を採用すると
きに、この傾向が大きい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な従来技術の問題点を踏まえ、エッチング停止層として
ドライエッチング耐性が強く、位相シフター層を確実に
エッチングできるとともに、自発的にエッチングを停止
することができ、高品質の位相シフトマスクとすること
のできる位相シフトマスクを、提供しようとするもので
ある。
な従来技術の問題点を踏まえ、エッチング停止層として
ドライエッチング耐性が強く、位相シフター層を確実に
エッチングできるとともに、自発的にエッチングを停止
することができ、高品質の位相シフトマスクとすること
のできる位相シフトマスクを、提供しようとするもので
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、透
明基板の片面に、遮光性パターン膜もしくは半透明パタ
ーン膜膜と、位相シフター層パターンとを有するか、ま
たは位相シフター層を兼ねる半遮光性パターン膜を、少
なくとも有する位相シフトマスクにおいて、透明基板と
前記の位相シフター層との間に、薄膜ダイヤモンドのエ
ッチング停止層が介在することを特徴とする位相シフト
マスクである。
明基板の片面に、遮光性パターン膜もしくは半透明パタ
ーン膜膜と、位相シフター層パターンとを有するか、ま
たは位相シフター層を兼ねる半遮光性パターン膜を、少
なくとも有する位相シフトマスクにおいて、透明基板と
前記の位相シフター層との間に、薄膜ダイヤモンドのエ
ッチング停止層が介在することを特徴とする位相シフト
マスクである。
【０００９】以下に本発明の位相シフトマスクの様々な
実施形態について述べる。図１の例は、透明基板１の上
に一様に薄膜ダイヤモンドのエッチング停止層２を形成
し、その上に位相シフター層３を設けて、遮光性パター
ン膜４を配置したものである。図１の形態は、俗に下シ
フター型と呼ばれるもので、図１の光透過部ａと光透過
部ｂにおける位相シフター層３の有る無しにより、解像
度の向上がなされる。特に光透過部ｂにおいて、エッチ
ング停止層２は大気と接触し、湿気に曝されることにな
るが、薄膜ダイヤモンドは湿気に強いので、問題が生じ
ない。
実施形態について述べる。図１の例は、透明基板１の上
に一様に薄膜ダイヤモンドのエッチング停止層２を形成
し、その上に位相シフター層３を設けて、遮光性パター
ン膜４を配置したものである。図１の形態は、俗に下シ
フター型と呼ばれるもので、図１の光透過部ａと光透過
部ｂにおける位相シフター層３の有る無しにより、解像
度の向上がなされる。特に光透過部ｂにおいて、エッチ
ング停止層２は大気と接触し、湿気に曝されることにな
るが、薄膜ダイヤモンドは湿気に強いので、問題が生じ
ない。
【００１０】図２の例は、位相シフター層３と遮光性パ
ターン膜４の位置が、図１の例と逆転しているものであ
り、遮光性パターン膜４を形成した後、薄膜ダイヤモン
ドのエッチング停止層２を形成し、その上に位相シフタ
ー層３を積層したものである。この例は、位相シフター
層３が遮光性パターン膜４の上にあるので、上シフター
型と呼んでいる。
ターン膜４の位置が、図１の例と逆転しているものであ
り、遮光性パターン膜４を形成した後、薄膜ダイヤモン
ドのエッチング停止層２を形成し、その上に位相シフタ
ー層３を積層したものである。この例は、位相シフター
層３が遮光性パターン膜４の上にあるので、上シフター
型と呼んでいる。
【００１１】また図３に示すように、露光に用いる光に
ついての透過率を１〜３０％とした半透明性パターン膜
５を、遮光性パターン膜４の代わりに用いる形態もあ
る。さらに図４に示すように、位相シフター層を兼ねる
半遮光性パターン膜６を、エッチング停止層２の上に形
成して、位相シフトマスクとする形態もありえる。いず
れの形態であっても、透明基板と前記の位相シフター層
との間に、薄膜ダイヤモンドのエッチング停止層が介在
するものである。
ついての透過率を１〜３０％とした半透明性パターン膜
５を、遮光性パターン膜４の代わりに用いる形態もあ
る。さらに図４に示すように、位相シフター層を兼ねる
半遮光性パターン膜６を、エッチング停止層２の上に形
成して、位相シフトマスクとする形態もありえる。いず
れの形態であっても、透明基板と前記の位相シフター層
との間に、薄膜ダイヤモンドのエッチング停止層が介在
するものである。
【００１２】ここで、各層について述べると、位相シフ
ター層３の厚みｄは、シフター層を形成する材料の屈折
率をｎ、露光波長をλとして、ｄ＝λ／２（ｎ−１）に
て与えられる値であり、ＳｉＯ2 を位相シフター層３に
用いた場合は、およそ４００ｎｍである。遮光膜４、半
透明膜５または半遮光性パターン６の厚みは、用いる材
料と要求される遮光率によって異なってくるが、１０〜
２００ｎｍ程度である。材料としては、クロム、酸化ク
ロム、酸化鉄、窒化クロム、タングステン、タンタル、
モリブデンシリサイド等があげられ、単層もしくは複数
層で用いることができる。
ター層３の厚みｄは、シフター層を形成する材料の屈折
率をｎ、露光波長をλとして、ｄ＝λ／２（ｎ−１）に
て与えられる値であり、ＳｉＯ2 を位相シフター層３に
用いた場合は、およそ４００ｎｍである。遮光膜４、半
透明膜５または半遮光性パターン６の厚みは、用いる材
料と要求される遮光率によって異なってくるが、１０〜
２００ｎｍ程度である。材料としては、クロム、酸化ク
ロム、酸化鉄、窒化クロム、タングステン、タンタル、
モリブデンシリサイド等があげられ、単層もしくは複数
層で用いることができる。
【００１３】エッチング停止層２の厚みは、５〜５００
ｎｍ程度がその範囲となるが、生産性を考えると、５〜
５０ｎｍが好ましい。その成膜方法は、熱フィラメント
援用の化学的気相蒸着法（以下ＣＶＤ法という）、マイ
クロ波プラズマＣＶＤ法、イオンビーム蒸着法などがあ
る。
ｎｍ程度がその範囲となるが、生産性を考えると、５〜
５０ｎｍが好ましい。その成膜方法は、熱フィラメント
援用の化学的気相蒸着法（以下ＣＶＤ法という）、マイ
クロ波プラズマＣＶＤ法、イオンビーム蒸着法などがあ
る。
【００１４】熱フィラメント援用のＣＶＤ法は、メタン
（ＣＨ4)を原料とし、蒸着すべき基板の近傍にタングス
テンフィラメントを置いて、フィラメント自体は２００
０℃程度に通でん加熱し基板表面を７００〜１０００℃
に加熱しながら気相蒸着を行ない、薄膜ダイヤモンドを
得る方法である。マイクロ波プラズマＣＶＤ法は、蒸着
すべき基板にマイクロ波を照射し、基板付近に反応性ガ
スのプラズマを生起させながら気相蒸着を行なう方法で
ある。これら二つの方法では、直流電界を印加し電子を
基板に照射することを援用すると、良い結果が得られる
ことがある。
（ＣＨ4)を原料とし、蒸着すべき基板の近傍にタングス
テンフィラメントを置いて、フィラメント自体は２００
０℃程度に通でん加熱し基板表面を７００〜１０００℃
に加熱しながら気相蒸着を行ない、薄膜ダイヤモンドを
得る方法である。マイクロ波プラズマＣＶＤ法は、蒸着
すべき基板にマイクロ波を照射し、基板付近に反応性ガ
スのプラズマを生起させながら気相蒸着を行なう方法で
ある。これら二つの方法では、直流電界を印加し電子を
基板に照射することを援用すると、良い結果が得られる
ことがある。
【００１５】また、イオンビーム蒸着法は、蒸着面をイ
オンビームで励起しながら蒸着する方法であり、スパッ
タ蒸着法ではターゲットにグラファイトを用いて薄膜ダ
イヤモンドを得る方法が、例えば本出願人から、特開平
1-287272号公報として提案されている。以上のような手
段で本発明に用いる薄膜ダイヤモンドのエッチング停止
層２を得ることができる。
オンビームで励起しながら蒸着する方法であり、スパッ
タ蒸着法ではターゲットにグラファイトを用いて薄膜ダ
イヤモンドを得る方法が、例えば本出願人から、特開平
1-287272号公報として提案されている。以上のような手
段で本発明に用いる薄膜ダイヤモンドのエッチング停止
層２を得ることができる。
【００１６】
【作用】本発明の位相シフトマスクは、エッチング停止
層に薄膜ダイヤモンドを採用したので、ドライエッチン
グ耐性が特に強く、位相シフター層を確実にエッチング
できるとともに、自立的にエッチングを停止することが
できるのであり、高品質の位相シフトマスクとなる。ま
た、薄膜ダイヤモンドは、化学的に安定で、耐湿性に優
れるので、本発明の位相シフトマスクは、環境による劣
化が少なく、長寿命なものとなる。
層に薄膜ダイヤモンドを採用したので、ドライエッチン
グ耐性が特に強く、位相シフター層を確実にエッチング
できるとともに、自立的にエッチングを停止することが
できるのであり、高品質の位相シフトマスクとなる。ま
た、薄膜ダイヤモンドは、化学的に安定で、耐湿性に優
れるので、本発明の位相シフトマスクは、環境による劣
化が少なく、長寿命なものとなる。
【００１７】
＜実施例１＞光学研磨した合成石英ガラス板（厚さ６．
３５ｍｍ）を透明基板として、その上に１００ｎｍ厚の
薄膜ダイヤモンドのエッチング停止層を成膜した。成膜
条件は、下記の熱フィラメントＣＶＤ法である。 反応性ガス ：ＣＨ4 〜Ｈ2 （体積比１：２００） 基板表面温度：７００〜９５０℃ 圧力 ：２０〜４０Torr ガス流量 ：５００SCCM 成長速度 ：１７ｎｍ／分 フィラメントと透明基板との距離：１０ｍｍ
３５ｍｍ）を透明基板として、その上に１００ｎｍ厚の
薄膜ダイヤモンドのエッチング停止層を成膜した。成膜
条件は、下記の熱フィラメントＣＶＤ法である。 反応性ガス ：ＣＨ4 〜Ｈ2 （体積比１：２００） 基板表面温度：７００〜９５０℃ 圧力 ：２０〜４０Torr ガス流量 ：５００SCCM 成長速度 ：１７ｎｍ／分 フィラメントと透明基板との距離：１０ｍｍ
【００１８】このエッチング停止層の上に、二酸化ケイ
素からなる位相シフたー層を０．４０６μｍ厚に蒸着し
て形成したあと、酸化クロム〜クロムからなる１２０ｎ
ｍ厚の遮光膜を成膜した。次いでソマール工業（株）製
電子ビームレジスト商品名「ＳＥＬ−Ｎ」をスピンコー
ト法により塗布し乾燥加熱して、厚さ０．５μｍ程度の
レジスト層を形成した。続いて、電子ビーム露光装置に
て所定パターンを描画し、現像して、電子ビームを照射
した部分のレジスト層を残した。
素からなる位相シフたー層を０．４０６μｍ厚に蒸着し
て形成したあと、酸化クロム〜クロムからなる１２０ｎ
ｍ厚の遮光膜を成膜した。次いでソマール工業（株）製
電子ビームレジスト商品名「ＳＥＬ−Ｎ」をスピンコー
ト法により塗布し乾燥加熱して、厚さ０．５μｍ程度の
レジスト層を形成した。続いて、電子ビーム露光装置に
て所定パターンを描画し、現像して、電子ビームを照射
した部分のレジスト層を残した。
【００１９】現像して残存しているレジスト層の加熱処
理とプラズマデスカム処理を行ない、ＣＣｌ4 を用いる
反応性イオンエッチング法によりレジスト層が覆ってい
ない遮光膜をエッチング除去して、所望形状の遮光性パ
ターン膜とした。このときのレジスト層は、リンスによ
り溶解除去した。
理とプラズマデスカム処理を行ない、ＣＣｌ4 を用いる
反応性イオンエッチング法によりレジスト層が覆ってい
ない遮光膜をエッチング除去して、所望形状の遮光性パ
ターン膜とした。このときのレジスト層は、リンスによ
り溶解除去した。
【００２０】次いで、再び電子ビームレジスト商品名
「ＳＥＬ−Ｎ」をスピンコート法により塗布し、全面形
成したレジスト膜に電子ビーム露光装置にて位相シフタ
ー層を残すべき部位に電子ビームを照射して、所定の現
像液にて現像し、位相シフター層を形成すべき部分にパ
ターン状のレジスト膜を残した。続いて現像して残存し
ているレジスト層の加熱処理とプラズマデスカム処理を
行ない、常法によりＣＦ4 を用いる反応性イオンエッチ
ング法によりレジスト層が覆っていない位相シフター層
をエッチング除去して、所定の位置にのみ位相シフター
層を残存させた。最後に、レジスト膜をリンス除去する
ことにより、図１に示す下シフター型の位相シフトマス
クが得られた。得られた位相シフトマスクは、エッチン
グ停止層で、ドライエッチングが停止しており、位相シ
フター層の形状の良好で膜厚も均一なものであった。
「ＳＥＬ−Ｎ」をスピンコート法により塗布し、全面形
成したレジスト膜に電子ビーム露光装置にて位相シフタ
ー層を残すべき部位に電子ビームを照射して、所定の現
像液にて現像し、位相シフター層を形成すべき部分にパ
ターン状のレジスト膜を残した。続いて現像して残存し
ているレジスト層の加熱処理とプラズマデスカム処理を
行ない、常法によりＣＦ4 を用いる反応性イオンエッチ
ング法によりレジスト層が覆っていない位相シフター層
をエッチング除去して、所定の位置にのみ位相シフター
層を残存させた。最後に、レジスト膜をリンス除去する
ことにより、図１に示す下シフター型の位相シフトマス
クが得られた。得られた位相シフトマスクは、エッチン
グ停止層で、ドライエッチングが停止しており、位相シ
フター層の形状の良好で膜厚も均一なものであった。
【００２１】＜実施例２＞薄膜ダイヤモンドの成膜方法
として、下記条件のイオンビーム蒸着法を用いた以外
は、実施例１と同様にして、図２に示す上シフター型の
位相シフトマスクを得た。 イオンソース ：アルゴンガス イオンビーム電流密度：４０μＡ／cm2 イオンビーム加速電圧：５００Ｖ ターゲット ：グラファイト（純度99.999％） 装置内真空度 ：２×１０-3パスカル 得られた位相シフトマスクは、実施例１と同様、エッチ
ング停止層で、位相シフター層のエッチングが停止して
おり、位相シフター層の形状の良好で膜厚も均一なもの
であった。
として、下記条件のイオンビーム蒸着法を用いた以外
は、実施例１と同様にして、図２に示す上シフター型の
位相シフトマスクを得た。 イオンソース ：アルゴンガス イオンビーム電流密度：４０μＡ／cm2 イオンビーム加速電圧：５００Ｖ ターゲット ：グラファイト（純度99.999％） 装置内真空度 ：２×１０-3パスカル 得られた位相シフトマスクは、実施例１と同様、エッチ
ング停止層で、位相シフター層のエッチングが停止して
おり、位相シフター層の形状の良好で膜厚も均一なもの
であった。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明の位相シフトマス
クは、エッチング停止層に薄膜ダイヤモンドを採用した
ので、ドライエッチング耐性が特に強く、位相シフター
層を確実にエッチングできるとともに、自立的にエッチ
ングを停止することができるのであり、高品質の位相シ
フトマスクとなる。また、薄膜ダイヤモンドは、化学的
に安定で、耐湿性に優れるので、本発明の位相シフトマ
スクは、環境による劣化が少なく、長寿命なものとな
る。
クは、エッチング停止層に薄膜ダイヤモンドを採用した
ので、ドライエッチング耐性が特に強く、位相シフター
層を確実にエッチングできるとともに、自立的にエッチ
ングを停止することができるのであり、高品質の位相シ
フトマスクとなる。また、薄膜ダイヤモンドは、化学的
に安定で、耐湿性に優れるので、本発明の位相シフトマ
スクは、環境による劣化が少なく、長寿命なものとな
る。
【００２３】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の位相シフトマスクの一実施例を示す説
明図。
明図。
【図２】本発明の位相シフトマスクの他の実施例を示す
説明図。
説明図。
【図３】本発明の位相シフトマスクのその他の実施例を
示す説明図。
示す説明図。
【図４】本発明の位相シフトマスクのその他の実施例を
示す説明図。
示す説明図。
【図５】本発明の位相シフトマスクの透過光の様子を示
す説明図。
す説明図。
１ 透明基板 ２ エッチング停止層 ３ 位相シフター層 ４ 遮光性パターン膜 ５ 半透明性パターン膜 ６ 半遮光性パターン膜 ７ レチクルマスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板の片面に、遮光性パターン膜もし
くは半透明性パターン膜と、位相シフター層パターンと
を有するか、または位相シフター層を兼ねる半遮光性パ
ターン膜を、少なくとも有する位相シフトマスクにおい
て、透明基板と前記の位相シフター層との間に、薄膜ダ
イヤモンドのエッチング停止層が介在することを特徴と
する位相シフトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32423093A JPH07181666A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 位相シフトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32423093A JPH07181666A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 位相シフトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07181666A true JPH07181666A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18163496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32423093A Pending JPH07181666A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 位相シフトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07181666A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713231B1 (en) | 2000-02-17 | 2004-03-30 | Renesas Technology Corporation | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
| JP2007271720A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
| JP2012027508A (ja) * | 2011-11-09 | 2012-02-09 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP32423093A patent/JPH07181666A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713231B1 (en) | 2000-02-17 | 2004-03-30 | Renesas Technology Corporation | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
| US7172853B2 (en) | 2000-02-17 | 2007-02-06 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
| JP2007271720A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
| JP2012027508A (ja) * | 2011-11-09 | 2012-02-09 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
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