JP2000267255A - 位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスク及びその製造方法Info
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Abstract
提供する。 【解決手段】 透明基板上に、半透明膜からなる所定パ
ターンを有し、このパターンの両側壁側に沿う2つの基
板領域をそれぞれ透過する露光光の位相が相互に180
°反転するように、一方の基板領域に凹部を有し、かつ
前記パターンが、その一方の基板領域側と一方の基板領
域自体、及びその他方の基板領域側と他方の基板領域自
体をそれぞれ透過する露光光の位相が180°反転する
ように、2つの基板領域側で厚さを異にすることを特徴
とする位相シフトマスク。
Description
ク及びその製造方法に関し、特に半導体装置の製造に際
してウエハ上に高解像度でパターンを結像させることが
できる位相シフトマスクの構造及びその製造方法に関す
るものである。
ついて詳細に説明する。図3は従来のレベンソン型位相
シフトマスク(露光すべき光の位相をシフトさせる部分
を有するマスク、以下、「レベンソンマスク」と称す
る)の製造工程を示す工程図である。図3において、レ
ベンソンマスクの製造に使用されるブランクマスク(パ
タ−ンのない、クロムのみのマスク)2は、透明基板1
上に遮光膜3を形成した2層構造である。ブランクマス
ク2に使用される透明基板1の材料は主に石英が用いら
れており、遮光膜3の材料は主にクロムが用いられてい
る。ブランクマスク2に適用されるクロム膜厚は通常約
110nmであり、真空蒸着法やスパッタリング法によ
り形成されている。
の加工に必要な保護膜材料には主にEB(Electron-Bea
m)レジストを適用する。レジスト4の膜厚は通常約5
00nmであり、スピンオン法によりブランクマスク2
に塗布される(図3(a))。レジスト4はEB描画と
現像によりパターニングされる。このレジストマスクに
基づき、遮光膜3はドライエッチングによりパターニン
グされる(図3(b))。遮光膜3をエッチングした
後、レジスト4を剥離する(図3(c))。レジスト4
を剥離した後、マスクを洗浄し、レジスト4dを約50
0nmの膜厚で再塗布し、導電膜5を約20nmの膜厚
で塗布(図3(d))し、アライメントEB描画を行う
(図3(e))。導電膜5の水洗除去と現像により、透
明基板1の掘込み領域のレジスト4dを選択的に除去す
る(図3(f))。隣り合う透明パターンを透過する露
光光の位相に対して180度反転する位相に制御できる
深さとなるようにエッチングし、透明基板1の堀込み部
分(凹部)6を形成する(図3(g))。残存したレジ
スト4dを剥離する(図3(h))。以上の工程を経
て、遮光パターン7に隣接する一対の透明パターン(透
明基板)のうち、一方に堀込み部分(凹部)6を形成し
た位相シフトマスク、つまりレベンソンマスクは完成す
る。
べる。図4はレベンソンマスクの原理を説明する説明図
である。レベンソンマスクは、図4に示すように、一方
の露光光透過領域にシフタ(露光光の位相を180°変
化させる部分)を設ける。図4の場合、シフタは透明基
板1の掘込み部分(凹部)6である。シフタのない領域
cを通った光と、シフタのある領域dを通った光とは、
光強度は同じであるが、光の位相が180°ずれてい
る。各透過領域からの光の波は互いに重なりあった裾の
部分で振幅が逆方向となり、打ち消し合うことになる。
この結果、パタ−ン間に光強度の零となる部分ができ、
解像度を向上させることが可能になる。以上の構成の透
明基板掘り込み型レベンソン位相シフトマスクは特開平
2−211450号公報に記載されている。
(写真平板)の微細加工限界は露光光波長に依存する。
しかし、露光光波長が小さいステッパ(露光装置)ほど
非常に高価であり、準備が困難であるため、露光光波長
はそのままにして、安価な手法としての微細加工限界を
超える手段としてレベンソンマスクが適用されている。
しかし露光光波長をそのままで更なる微細加工を行うた
めには、ここで述べたレベンソンマスクでは不十分であ
り、更に解像度向上が可能な新規フォトマスクの適用が
必要となってきた。
に、半透明膜からなる所定パターンを有し、このパター
ンの両側壁側に沿う2つの基板領域をそれぞれ透過する
露光光の位相が相互に180°反転するように、一方の
基板領域に凹部を有し、かつ前記パターンが、その一方
の基板領域側と一方の基板領域自体、及びその他方の基
板領域側と他方の基板領域自体をそれぞれ透過する露光
光の位相が180°反転するように、2つの基板領域側
で厚さを異にすることを特徴とする位相シフトマスクを
提供する。
所定パターンを有し、このパターンの両側壁側に沿う2
つの基板領域をそれぞれ透過する露光光の位相が相互に
180°反転するように、一方の基板領域に凹部を有
し、かつ前記パターンが、その2つの基板領域側とこれ
らに対応する各基板領域自体とをそれぞれ透過する露光
光の位相が対応関係同士で相互に180°反転するよう
に、2つの基板領域側で厚さを異にしているので、厚さ
が異なる両側の半透明膜を透過する露光光は、光の位相
が隣接する基板領域のそれに対し180°ずれ、従って
互いに重なりあった裾の部分の振幅が逆方向となって打
ち消し合い、更に解像度を向上させることができるわけ
である。
透明基板上に半透明膜の所定パターンを形成し、その半
透明膜のパターンの(パターンの長手方向に直交する断
面の)両側壁側に沿う2つの基板領域(透明基板)を透
明パターンとしている。そして2つの基板領域のうち、
一方にはその基板領域を堀込んで露光光の位相を180
°反転させる凹部を、いわゆる“シフタ”として形成す
る。ここで凹部の深さCは、露光光の位相を180°反
転させるために、 C=λ/2 (n1−1) 但し、λ:露光光波長、n1:半透明膜の屈折率 とされる。
く凹部を形成した一方の基板領域側を、その一方の基板
領域側と一方の基板領域自体を透過する露光光の位相が
相互に180°反転する膜厚に、他方の透明基板側を、
その他方の基板領域側と他方の基板領域自体を透過する
露光光の位相を相互に180°反転する膜厚にそれぞれ
構成される。すなわち、他方の基板領域側の膜厚a(図
3参照、以下同様)は、他方の基板領域を透過する露光
光との位相差が180°にするために、 a=λ/2 (n1−1) 但し、λ:露光光波長、n1:半透明膜の屈折率 に設定され、一方、凹部を形成した一方の基板領域側の
膜厚bは、他方の基板領域を透過する露光光との位相差
を180°にするために、 b=2a に設定されるのが好ましい。また、半透明膜の線幅d、
eは、 f:g=h:i になるように設定されるのが好ましい。
透過率を10%以下とするのが好ましく、具体的にはシ
リサイドやクロムなどの金属に窒素や酸素を適量含有さ
せて透過率を上げ、吸収係数(K)を下げて使用するの
がより好ましい。シリサイドとしてはモリブデンシリサ
イドのほかに、タングステンシリサイド(WSiON、
N又はOで調整)、ジルコン(ZnSiON、N又はO
で調整)、クロムフロライド(CrFO、Oのみで調
整)などが使用できる。
ライムガラス、低膨張ガラス、などで構成され、好まし
くは露光波長300nm以下の領域で透過率が90%以
上得られる石英で構成される。
上に半透明膜及び遮光膜をこの順に成膜し、次いで厚膜
部分と薄膜部分とからなるレジスト膜のパターンを形成
する工程と、前記レジスト膜のパターンの両側壁側に沿
う2つの遮光膜領域をエッチングするとともに、露出し
た半透明膜をそれぞれエッチングして2つの基板領域を
形成する工程と、前記レジスト膜の薄膜部分を除去して
下地の遮光膜をエッチングし、露出した半透明膜を浅く
エッチングして、エッチングされた半透明膜とこの半透
明膜の側壁側に沿う一方の基板領域とを透過する露光光
の位相が相互に180°反転するような厚さにする工程
と、得られた透明基板上にレジスト膜のパターンを形成
し、所定パターンを有する半透明膜の両側壁側に沿う他
方の基板領域を露出させる工程と、この他方の基板領域
と、一方の基板領域及び半透明膜のパターンのエッチン
グしていない部分とを透過する露光光の位相が相互に1
80°反転するように露出した他方の基板領域をエッチ
ングして凹部を形成し、請求項1に記載の位相シフトマ
スクを得る工程とからなる位相シフトマスクの製造方法
を提供する。
フトマスクの作動原理を図1を用いて説明する。本発明
に係る位相シフトマスクは、フォトマスク内の露光光透
過領域に配置されている、遮光パターンを介して隣り合
う透明基板(基板領域)を透過する露光光の位相が、一
方の透明基板を透過する露光光の位相に対して他方のそ
れでは180°反転するように、一方の透明基板を掘込
んで凹部を形成したレベンソンマスクの遮光パターンを
特定の半透明膜としたものである。すなわち、本発明の
位相シフトマスクは、図1に示すように、隣接する2つ
の透明基板(基板領域)の一方を掘込んだレベンソンマ
スクの遮光パターン(図3の7)を、厚膜部(領域)1
3と薄膜部(領域)11とからなる2段構造の半透明膜
とする。厚膜部13はシフタである透明基板15の掘込
み凹部12に対して光の位相が180°ずれている。各
部からの光の波は互いに重なりあった部分で振幅が逆方
向となり、打ち消し合うことになる。その結果、光強度
が零に近くなる部分ができ、解像度を更に向上させるこ
とが可能になる。また、薄膜部11は他方の透明基板1
4に対して光の位相が180°ずれている。各部からの
光の波は互いに重なりあった部分で振幅が逆方向とな
り、打ち消し合うことになる。その結果、光強度が零に
近くなる部分ができ、解像度を更に向上させることが可
能になる。
て、本発明について詳細に説明する。図2は、本発明の
1つの実施の形態である位相シフトマスクの製造工程を
示す工程図である。図2において、まず、透明基板1上
にスパッタや真空蒸着などにより半透明膜2を成膜し、
その上に遮光膜3を成膜し、更にレジスト4を塗布する
(図2(a))。なお、半透明膜2としては、露光光の
透過率が10%以下(フォトレジストのゴーストパター
ンを発生させない透過率値)で、かつ露光光の位相を1
80°反転させることが可能なモリブデンシリサイドな
どの材質を適用する。遮光膜3としては、露光光の透過
率が0.5%以下(露光光を完全に遮光できる)である
クロムなどの材質を適用する。レジスト4としては、半
透明膜2と遮光膜3のエッチングの際に、エッチング耐
性の優れた、例えばPMMA(ポリメタクリル酸メチ
ル)のような材料が通常使用される。
スト薄膜領域と無レジスト領域の3領域に分けてレジス
トをパターニングする(図2(b))。描画工程におい
て、半透明膜2を透過する露光光の位相が0度となる領
域(レジスト厚膜領域)は未描画である。半透明膜2を
透過する露光光の位相が180°反転する領域(レジス
ト薄膜領域)は1回描画であり、レジスト膜厚は遮光膜
3と半透明膜2のドライエッチング時にレジストピンホ
ールが発生しない膜厚以上とし、厚膜領域と薄膜領域と
のレジスト段差以下とする。透過領域はレジストを完全
に除去できる必要電荷量に設定し、電子ビームを照射す
る。レジスト4はポジ型とネガ型とがあり、図2に示し
たものはポジ型レジストを適用した場合であり、電子ビ
ームの当たらなかった部分が現像工程でレジストパター
ンとして残り、電子ビームの当たった部分は現像液に溶
解し、遮光膜3が部分的に露出する。
ッチングする(図2(c))。まず、露出した遮光膜3
をドライエッチングする。ドライエッチングは平行平板
式反応性イオンエッチング(RIE)法を適用する。遮
光膜3がクロム膜の場合、エッチングガスはCCl
4(テトラクロロメタン)とO2(酸素)、あるいは、C
H2Cl2(ジクロロメタン)とO2(酸素)を流量比2
5sccm:75sccmに制御して使用する。RFパ
ワーは200W(500W以内)、圧力は0.25To
rr(33.25Pa)、放電周波数は13.56MH
zである。半透明膜がモリブデンシリサイド膜の場合、
クロム膜とモリブデンシリサイド膜とのエッチング選択
比は30以上であり、十分である。レジスト4はエッチ
ングに対する保護膜として働き、レジストに覆われてい
ない部分の遮光膜3のみが除去され、半透明膜2が部分
的に露出する。クロム膜のドライエッチングに塩素系ガ
スを適用した場合、レジスト4のドライエッチング耐性
は十分である。
ングする。ドライエッチングは平行平板式反応性イオン
エッチング(RIE)法を適用する。半透明膜3がモリ
ブデンシリサイド膜の場合、エッチングガスはCF
4(テトラフルオロメタン)とO2(酸素)とN2を流量
比100sccm:5sccm:18sccmに制御し
て使用する。RFパワーは100W(500W以内)、
圧力は0.015Torr(2Pa)、放電周波数は1
3.56MHzである。透明基板1が石英の場合、モリ
ブデンシリサイド膜と石英基板とのエッチング選択比は
30以上であり、十分である。レジスト4はエッチング
に対する保護膜として働き、レジストに覆われていない
部分の半透明膜3のみが除去され、石英の透明基板1が
部分的に露出する。モリブデンシリサイド膜のドライエ
ッチングにテトラフルオロメタンガスを適用した場合、
レジスト4のドライエッチング耐性は十分である。
全面アッシングすることで、薄い方のレジスト層を除去
し、厚い方のレジスト層を膜減りした厚さのまま維持し
ておき、下地の遮光膜をドライエッチングし、露出した
半透明膜を、隣接する透明基板を透過する露光光の位相
に対して180°反転する位相に制御できる膜厚の薄膜
部11となるようにドライエッチングする(図2
(d))。残存するレジスト4を剥離し、同様のレジス
ト4eを新たに約500nmの膜厚で再塗布し、導電膜
5を約20nmの膜厚で塗布し、アライメントEB描画
を行う(図2(e))。導電膜5の水洗除去と現像によ
り透明基板の掘込み凹部12のレジスト4を選択的に除
去する(図2(f))。露出した透明基板を隣接する半
透明膜13を透過する露光光の位相に対して180°反
転する位相に制御できる深さの凹部12となるようにエ
ッチングする(図2(g))。残存したレジスト4を剥
離した後、更に残った遮光膜3を除去する(図2
(h))。このように透明基板1上に、薄膜部11と厚
膜部13からなる半透明膜を形成し、かつ厚膜部13側
の透明基板15に堀込み凹部12を形成した位相シフト
マスクによりレベンソンマスクの解像度を更に向上させ
ることができる。
遮光パターンに代わって二段構造(厚膜部と薄膜部)の
半透明膜で構成されているので、従来のレベンソンマス
クに対して、半透明膜の位相シフト効果分だけ更に高解
像度のフォトレジスト形状を得ることができる。
る説明図である。
スクの製造工程を示す工程図である。
製造工程を示す工程図である。
図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 透明基板上に、半透明膜からなる所定パ
ターンを有し、このパターンの両側壁側に沿う2つの基
板領域をそれぞれ透過する露光光の位相が相互に180
°反転するように、一方の基板領域に凹部を有し、 かつ前記パターンが、その一方の基板領域側と一方の基
板領域自体、及びその他方の基板領域側と他方の基板領
域自体をそれぞれ透過する露光光の位相が180°反転
するように、2つの基板領域側で厚さを異にすることを
特徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項2】 凹部を有する一方の基板領域側のパター
ンは、その膜厚が凹部を有しない他方の基板領域側のそ
れの2倍である請求項1の位相シフトマスク。 - 【請求項3】 半透明膜は、その露光光の透過率が10
%以下の膜で構成されてなる請求項1の位相シフトマス
ク。 - 【請求項4】 半透明膜は、窒素又は酸素を含有させた
シリサイド又はクロム膜である請求項1の位相シフトマ
スク。 - 【請求項5】 透明基板上に半透明膜及び遮光膜をこの
順に成膜し、次いで厚膜部分と薄膜部分とからなるレジ
スト膜のパターンを形成する工程と、 前記レジスト膜のパターンの両側壁側に沿う2つの遮光
膜領域をエッチングするとともに、露出した半透明膜を
それぞれエッチングして2つの基板領域を形成する工程
と、 前記レジスト膜の薄膜部分を除去して下地の遮光膜をエ
ッチングし、露出した半透明膜を浅くエッチングして、
エッチングされた半透明膜とこの半透明膜の側壁側に沿
う一方の基板領域とを透過する露光光の位相が相互に1
80°反転するような厚さにする工程と、 得られた透明基板上にレジスト膜のパターンを形成し、
所定パターンを有する半透明膜の両側壁側に沿う他方の
基板領域を露出させる工程と、 この他方の基板領域と、一方の基板領域及び半透明膜の
パターンのエッチングしていない部分とを透過する露光
光の位相が相互に180°反転するように露出した他方
の基板領域をエッチングして凹部を形成し、請求項1に
記載の位相シフトマスクを得る工程とからなる位相シフ
トマスクの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7543599A JP3531666B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
TW089101643A TW454255B (en) | 1999-03-19 | 2000-01-31 | Phase-shifting mask and process for manufacturing the same |
US09/501,572 US6326107B1 (en) | 1999-03-19 | 2000-02-10 | Phase shift mask and process for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7543599A JP3531666B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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ID=13576160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7543599A Expired - Lifetime JP3531666B2 (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6326107B1 (ja) |
JP (1) | JP3531666B2 (ja) |
TW (1) | TW454255B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005257962A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP2005345920A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
JP2006106253A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 位相シフトマスクおよびその位相シフトマスクの製造方法 |
US7060398B2 (en) | 2001-12-26 | 2006-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask, method for producing the same, and method for forming pattern using the photomask |
JP2006209126A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Applied Materials Inc | フォトマスク製作に適したモリブデン層をエッチングするための方法 |
JP7489821B2 (ja) | 2020-04-28 | 2024-05-24 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスクの製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004003341B4 (de) * | 2004-01-22 | 2006-12-21 | Infineon Technologies Ag | Halbtonphasenmaske mit mehreren Transmissionen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US7064078B2 (en) * | 2004-01-30 | 2006-06-20 | Applied Materials | Techniques for the use of amorphous carbon (APF) for various etch and litho integration scheme |
US7829471B2 (en) * | 2005-07-29 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask |
KR20150028109A (ko) * | 2013-09-05 | 2015-03-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광용 마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한 표시패널의 제조방법 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02211450A (ja) | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Fujitsu Ltd | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
US5536604A (en) * | 1992-07-17 | 1996-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure mask |
JP2904170B2 (ja) * | 1996-12-27 | 1999-06-14 | 日本電気株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクの欠陥修正方法 |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP7543599A patent/JP3531666B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-01-31 TW TW089101643A patent/TW454255B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-02-10 US US09/501,572 patent/US6326107B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7060398B2 (en) | 2001-12-26 | 2006-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask, method for producing the same, and method for forming pattern using the photomask |
CN100373258C (zh) * | 2001-12-26 | 2008-03-05 | 松下电器产业株式会社 | 光掩模、光掩模的制成方法以及使用该光掩模的图案形成方法 |
US7378198B2 (en) | 2001-12-26 | 2008-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask |
US7449285B2 (en) | 2001-12-26 | 2008-11-11 | Panasonic Corporation | Method for forming pattern |
US7501213B2 (en) | 2001-12-26 | 2009-03-10 | Panasonic Corporation | Method for forming generating mask data |
JP2005257962A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 |
KR100825175B1 (ko) * | 2004-03-11 | 2008-04-24 | 샤프 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법 |
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