JPH03129349A - フォトマスクの製法 - Google Patents
フォトマスクの製法Info
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- JPH03129349A JPH03129349A JP1266301A JP26630189A JPH03129349A JP H03129349 A JPH03129349 A JP H03129349A JP 1266301 A JP1266301 A JP 1266301A JP 26630189 A JP26630189 A JP 26630189A JP H03129349 A JPH03129349 A JP H03129349A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造のフォトリソグラフィ工程に使用
するフォトマスクの製法に関する。
するフォトマスクの製法に関する。
従来からのフォトマスクの製法の一例を第２図を参照し
て説明する。まず、ガラス基板ｉの上面にマスク材とし
てのＣｒ（クロム）２を真空蒸着等により被着して（第
２図（ａ）） 、その上面にフォトレジスト（ポジ型ビ
ームレジスト）３を塗布（第２図ｆｂｌ）Ｌ、そのレジ
スト３の上面から１子ビーム４を照射走査して、マスク
パターンを露光する（第２図（Ｃ１）、そして、この後
そのレジスト３を現像して露光した部分を除去（第２図
ｆｄ）） Ｌ、その後に残ったレジスト３をマスクとし
てエツチングする。この後レジスト３を除去することに
より、フォトマスクを得ていた。
て説明する。まず、ガラス基板ｉの上面にマスク材とし
てのＣｒ（クロム）２を真空蒸着等により被着して（第
２図（ａ）） 、その上面にフォトレジスト（ポジ型ビ
ームレジスト）３を塗布（第２図ｆｂｌ）Ｌ、そのレジ
スト３の上面から１子ビーム４を照射走査して、マスク
パターンを露光する（第２図（Ｃ１）、そして、この後
そのレジスト３を現像して露光した部分を除去（第２図
ｆｄ）） Ｌ、その後に残ったレジスト３をマスクとし
てエツチングする。この後レジスト３を除去することに
より、フォトマスクを得ていた。
しかしながら、この従来のフォトマスクの製法は、フォ
トレジストの塗布工程、現像工程および除去工程が入る
ので、工程数が多く時間がかかっていた。また、サイド
エツチングの問題によってパターン精度もあまり高くな
かった。
トレジストの塗布工程、現像工程および除去工程が入る
ので、工程数が多く時間がかかっていた。また、サイド
エツチングの問題によってパターン精度もあまり高くな
かった。
本発明の目的は、レジストの使用を止めて、上記した問
題を解決したフォトマスクの製法を提供することである
。
題を解決したフォトマスクの製法を提供することである
。
この目的達成のために本発明のフォトマスクの製法は、
透明基板上に遷移金属酸化物をマスク材として被着する
工程と、該マスク材をイオンビームで露光する工程と、
該マスク材をエツチングする工程と、該マスク材を還元
する工程とを具備するようにした。
透明基板上に遷移金属酸化物をマスク材として被着する
工程と、該マスク材をイオンビームで露光する工程と、
該マスク材をエツチングする工程と、該マスク材を還元
する工程とを具備するようにした。
以下、本発明の実施例について説明する。第１図はその
一実施例の製法の工程を示す図である。
一実施例の製法の工程を示す図である。
本実施例では、透明ガラス基板１の上面に、アモルファ
スの遷移金属酸化物（ＣｒＯ２、ｗｏ、、ＶｚＯｓ 、
Ｍｏ○：ｌ 、Ｔ ｉ Ｏｚあるいはそれらの混合物、
またはＴａｚ○、その他）１１を被着する（第１図（ａ
））。この被着は真空蒸着により行う。
スの遷移金属酸化物（ＣｒＯ２、ｗｏ、、ＶｚＯｓ 、
Ｍｏ○：ｌ 、Ｔ ｉ Ｏｚあるいはそれらの混合物、
またはＴａｚ○、その他）１１を被着する（第１図（ａ
））。この被着は真空蒸着により行う。
この場合、電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着叉は閃光蒸着
のいずれの方法も有効であるが、いずれの場合もこのと
きの温度管理（例えば１５０〜２００℃）によって、そ
の遷移金属酸化物をアモルファス化させる。以上により
、厚さ１００〜２００ ｎｍのアモルファス遷移金属酸
化物１１の膜を被着する。
のいずれの方法も有効であるが、いずれの場合もこのと
きの温度管理（例えば１５０〜２００℃）によって、そ
の遷移金属酸化物をアモルファス化させる。以上により
、厚さ１００〜２００ ｎｍのアモルファス遷移金属酸
化物１１の膜を被着する。
次に、トイオンビーム１２を照射走査して、アモルファ
ス遷移金属酸化物１１を所定のマスクパターンに露光す
る（第図（ｂ））。このイオンビーム１２は、ビーム径
を絞り数〜数＋ｋｅＶで加速させたのものであり、電子
ビームに比べて散乱が極めて少ないので、解像度を上げ
ることができる。
ス遷移金属酸化物１１を所定のマスクパターンに露光す
る（第図（ｂ））。このイオンビーム１２は、ビーム径
を絞り数〜数＋ｋｅＶで加速させたのものであり、電子
ビームに比べて散乱が極めて少ないので、解像度を上げ
ることができる。
なお、このイオンビームとしては、例えばＧａ”Ａｒ”
、Ｌｉ’その他を使用する。
、Ｌｉ’その他を使用する。
このイオンビーム１２の照射により、アモルファス遷移
金属酸化物１１は、イオンの質量が大きい（電子に比較
して約１８００倍）ので、イオン衝撃を受けて、あるし
い値照射量で構造が急変する。
金属酸化物１１は、イオンの質量が大きい（電子に比較
して約１８００倍）ので、イオン衝撃を受けて、あるし
い値照射量で構造が急変する。
次に、全体をＮａＯＨ等のアルカリ液によりエツチング
してイオンビーム１２により照射された部分を除去する
。ただし、ＴａｚＯｓやＶｚＯｓ等の遷移金属酸化物１
１については、ＨＦにより行う。なお、このエツチング
処理は熱処理（約６０℃程度）で行うこともできる。
してイオンビーム１２により照射された部分を除去する
。ただし、ＴａｚＯｓやＶｚＯｓ等の遷移金属酸化物１
１については、ＨＦにより行う。なお、このエツチング
処理は熱処理（約６０℃程度）で行うこともできる。
そして最後に、アモルファス遷移金属酸化物１１をＨ２
雰囲気中等で還元して、アモルファス遷移金属物１３に
すると、このアモルファス遷移金属物１３がフォトマス
クとなる。
雰囲気中等で還元して、アモルファス遷移金属物１３に
すると、このアモルファス遷移金属物１３がフォトマス
クとなる。
以上の説明したフォトマスクを製造する方法は、従来必
要であったレジストを使用しないので、そのレジストに
関する工程が必要なくなり、作成特間を大幅に短縮化で
きる。
要であったレジストを使用しないので、そのレジストに
関する工程が必要なくなり、作成特間を大幅に短縮化で
きる。
また、レジストを使用せず、マスク材にイオンビームに
より直接マスクパターンを画描するので、レジスト使用
時におけるサイドエッチ等の問題がなくなり、パターン
精度が向上する。これは、イオンビームの径をサブミク
ロンオーダまで小さくすることによってさらに向上する
。
より直接マスクパターンを画描するので、レジスト使用
時におけるサイドエッチ等の問題がなくなり、パターン
精度が向上する。これは、イオンビームの径をサブミク
ロンオーダまで小さくすることによってさらに向上する
。
以上のように本発明によれば、レジストが不要となるこ
とによってマスク製造工程が簡略化できて製造時間が短
縮化できることに加えて、精度の高いマスクパターンを
製造できるという利点がある。
とによってマスク製造工程が簡略化できて製造時間が短
縮化できることに加えて、精度の高いマスクパターンを
製造できるという利点がある。
第１図は本発明の一実施例のフォトマスクの製造工程の
説明図、第２図は従来のフォトマスクの製造工程の説明
図である。 ｌ・・・ガラス基板、 ・・アモルファス遷移＆Ｈ 酸化物、 ２・・・イオンビーム。
説明図、第２図は従来のフォトマスクの製造工程の説明
図である。 ｌ・・・ガラス基板、 ・・アモルファス遷移＆Ｈ 酸化物、 ２・・・イオンビーム。
Claims (1)
- （１）、透明基板上に遷移金属酸化物をマスク材として
被着する工程と、該マスク材をイオンビームで露光する
工程と、該マスク材をエッチングする工程と、該マスク
材を還元する工程とを具備することを特徴とするフォト
マスクの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266301A JPH03129349A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | フォトマスクの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266301A JPH03129349A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | フォトマスクの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03129349A true JPH03129349A (ja) | 1991-06-03 |
Family
ID=17429037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1266301A Pending JPH03129349A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | フォトマスクの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03129349A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003071356A1 (fr) * | 2002-02-22 | 2003-08-28 | Sony Corporation | Materiau de protection et procede de microfabrication |
| WO2004034391A1 (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-22 | Sony Corporation | 光ディスク用原盤の製造方法及び光ディスクの製造方法 |
| WO2004047096A1 (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-03 | Sony Corporation | 光ディスク製造用原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法 |
| WO2006129565A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Pioneer Corporation | レジスト材料および電子線記録用レジスト材料 |
| JP2008116990A (ja) * | 2005-05-30 | 2008-05-22 | Pioneer Electronic Corp | レジスト材料および電子線記録用レジスト材料 |
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| JP2008198339A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Commissariat A L'energie Atomique | 深穴領域の形成方法及びそれを用いた光記録媒体の製造方法 |
-
1989
- 1989-10-16 JP JP1266301A patent/JPH03129349A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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