JPH05263218A - 電子線レジスト及びその製造方法 - Google Patents
電子線レジスト及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05263218A JPH05263218A JP9201492A JP9201492A JPH05263218A JP H05263218 A JPH05263218 A JP H05263218A JP 9201492 A JP9201492 A JP 9201492A JP 9201492 A JP9201492 A JP 9201492A JP H05263218 A JPH05263218 A JP H05263218A
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- Japan
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- electron beam
- aluminum nitride
- resist
- substrate
- irradiated
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Abstract
(57)【要約】
【構成】基板上にスパッタ法により堆積された窒化アル
ミニウムよるなる電子線レジストとその製造方法。 【効果】ドライエッチング耐性に優れ、しかも所定量以
上の電子線照射により現像液中での溶解速度が急激に低
下する電子ビームレジストを容易に得ることができる。
ミニウムよるなる電子線レジストとその製造方法。 【効果】ドライエッチング耐性に優れ、しかも所定量以
上の電子線照射により現像液中での溶解速度が急激に低
下する電子ビームレジストを容易に得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば電子線を用い
たリソグラフィのための電子線レジストとその製造方法
に関するものである。
たリソグラフィのための電子線レジストとその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板上に電子線を用いたリソグラフィす
る際に用いる電子線レジストとしては、従来ポリメチル
メタアクリレート（ＰＭＭＡ）等の有機物系の電子線レ
ジストが使用されている。
る際に用いる電子線レジストとしては、従来ポリメチル
メタアクリレート（ＰＭＭＡ）等の有機物系の電子線レ
ジストが使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これら有機物
系の電子線レジストは、ドライエッチ耐性が弱く、この
ためドライエッチを行なう際には、他のドライエッチ耐
性のある材料に転写して用いなければならない等の欠点
があった。
系の電子線レジストは、ドライエッチ耐性が弱く、この
ためドライエッチを行なう際には、他のドライエッチ耐
性のある材料に転写して用いなければならない等の欠点
があった。
【０００４】そこで、この発明はドライエッチ耐性の高
い電子線レジストを得る目的で鋭意研究の結果、窒化ア
ルミニウムがドライエッチ耐性が極めて高く、しかも電
子線の照射量によりレジスト現像液に対する溶解度が大
きく変化することを見出した。
い電子線レジストを得る目的で鋭意研究の結果、窒化ア
ルミニウムがドライエッチ耐性が極めて高く、しかも電
子線の照射量によりレジスト現像液に対する溶解度が大
きく変化することを見出した。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記知見に
基づいて、窒化アルミニウムよりなる電子線レジストと
その製造方法を提案するものである。
基づいて、窒化アルミニウムよりなる電子線レジストと
その製造方法を提案するものである。
【０００６】
【作用】即ち、本願発明者らの研究によれば、シリコン
等の基板上に形成された窒化アルミニウム膜に電子線を
照射する場合、電子線の照射量が一定限度を越えると、
窒化アルミニウム膜のレジスト現像液に対する溶解度が
急激に低下するのである。
等の基板上に形成された窒化アルミニウム膜に電子線を
照射する場合、電子線の照射量が一定限度を越えると、
窒化アルミニウム膜のレジスト現像液に対する溶解度が
急激に低下するのである。
【０００７】そこで、基板上に形成された窒化アルミニ
ウム膜に、予め形成されたパターン形状にしたがって所
定量以上の電子線を照射するか、或は適当なマスクを通
して所定量以上の電子線を照射し、次にレジスト現像液
で処理すれば、電子線の照射された部分が残り、基板上
に窒化アルミニウムのパターニングを行なうことができ
る。
ウム膜に、予め形成されたパターン形状にしたがって所
定量以上の電子線を照射するか、或は適当なマスクを通
して所定量以上の電子線を照射し、次にレジスト現像液
で処理すれば、電子線の照射された部分が残り、基板上
に窒化アルミニウムのパターニングを行なうことができ
る。
【０００８】この窒化アルミニウムは、イオン照射を受
けた時のスパッタ率が低く、また塩素やフッ素を含むプ
ラズマにも化学的耐性が高いなどドライエッチ耐性が極
めて高い。それ故、ドライエッチ速度が低く、これをマ
スクとして、被加工材料をエッチング加工することによ
り高精度な加工が行なえる。
けた時のスパッタ率が低く、また塩素やフッ素を含むプ
ラズマにも化学的耐性が高いなどドライエッチ耐性が極
めて高い。それ故、ドライエッチ速度が低く、これをマ
スクとして、被加工材料をエッチング加工することによ
り高精度な加工が行なえる。
【０００９】なお、この場合のレジスト現像液としては
燐酸等の酸、ＡＺレジスト現像液（シップレイ社製）等
のアルカリ溶液を使用することができる。
燐酸等の酸、ＡＺレジスト現像液（シップレイ社製）等
のアルカリ溶液を使用することができる。
【００１０】窒化アルミニウムは、スパッタ法により基
板上に堆積させるのが最も有効な方法である。即ち、ス
パッタ法によれば基板を不必要な高温に晒すことなく、
短時間で任意の材料の基板上に窒化アルミニウムを堆積
させることができる。
板上に堆積させるのが最も有効な方法である。即ち、ス
パッタ法によれば基板を不必要な高温に晒すことなく、
短時間で任意の材料の基板上に窒化アルミニウムを堆積
させることができる。
【００１１】この場合、スパッタターゲットとしては、
アルミニウムを用い、窒素を含むガス中でスパッタを行
えば良い。
アルミニウムを用い、窒素を含むガス中でスパッタを行
えば良い。
【００１２】この場合、窒素ガスの量を制御することに
より、膜質を制御することが可能である。例えば、アル
ミニウムに対する窒素ガスの混合比が低いガス中で基板
上に堆積させて形成された窒化アルミニウム膜は、ＡＺ
現像液でコントラスト良く現像でき、窒素ガス混合比が
高いガス中で基板上に堆積させて形成された窒化アルミ
ニウム膜は燐酸現像液でコントラスト良く現像できる。
より、膜質を制御することが可能である。例えば、アル
ミニウムに対する窒素ガスの混合比が低いガス中で基板
上に堆積させて形成された窒化アルミニウム膜は、ＡＺ
現像液でコントラスト良く現像でき、窒素ガス混合比が
高いガス中で基板上に堆積させて形成された窒化アルミ
ニウム膜は燐酸現像液でコントラスト良く現像できる。
【００１３】なお、この発明に係るレジストには電子線
を用いたリソグラフィ加工の他に、例えば電子サイクロ
トロン共鳴放電により発生するプラズマ（ＥＣＲプラズ
マ）から電子を引き込んで得られた電子線を照射させる
ことにより一度に広い面積を露光させることも可能であ
る。また、これを利用してドライエッチング耐性は弱い
が高感度の有機物系のレジストからのパターン転写が可
能となる。
を用いたリソグラフィ加工の他に、例えば電子サイクロ
トロン共鳴放電により発生するプラズマ（ＥＣＲプラズ
マ）から電子を引き込んで得られた電子線を照射させる
ことにより一度に広い面積を露光させることも可能であ
る。また、これを利用してドライエッチング耐性は弱い
が高感度の有機物系のレジストからのパターン転写が可
能となる。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の実施例を示す。 実施例１ アルミニウムをターゲットに用い、５mTorr のＡｒとＮ
2 の混合ガス（混合比22:3) 中でマグネトロン・スパッ
タ法で基板上に膜厚600 程度の窒化アルミニウム膜を
堆積させた。次にこの膜に20 KeVの電子線を0.06C/cm2
及び0.03C/cm2照射した。更に、水で５倍に希釈したＡ
Ｚ現像液(312MIF)に浸漬した。この時の現像特性、即ち
エッチング特性を図１に示す。
2 の混合ガス（混合比22:3) 中でマグネトロン・スパッ
タ法で基板上に膜厚600 程度の窒化アルミニウム膜を
堆積させた。次にこの膜に20 KeVの電子線を0.06C/cm2
及び0.03C/cm2照射した。更に、水で５倍に希釈したＡ
Ｚ現像液(312MIF)に浸漬した。この時の現像特性、即ち
エッチング特性を図１に示す。
【００１５】図１より明らかなように、この発明に係る
窒化アルミニウムレジスト膜に電子線を照射すると、照
射された部分のＡＺ現像液中でのエッチング速度を遅く
することができる。この例では現像液中にレジスト膜を
３分間程度浸漬すれば、電子線を照射しない部分のみの
窒化アルミニウム膜が選択的に除去され、0.06または0.
12C/cm2 の照射を受けた窒化アルミニウムを残すことが
できる。
窒化アルミニウムレジスト膜に電子線を照射すると、照
射された部分のＡＺ現像液中でのエッチング速度を遅く
することができる。この例では現像液中にレジスト膜を
３分間程度浸漬すれば、電子線を照射しない部分のみの
窒化アルミニウム膜が選択的に除去され、0.06または0.
12C/cm2 の照射を受けた窒化アルミニウムを残すことが
できる。
【００１６】実施例２ 実施例１と同様にして窒化アルミニウム膜を基板上に堆
積させ、次にこの膜に20KeV の電子線を0 〜1C/cm2の範
囲にある所定照射量を照射し、更にこの膜をＡＺ現像液
(312MIF)に３分間浸漬して現像を行った。この時の感度
特性の測定例を図２に示す。
積させ、次にこの膜に20KeV の電子線を0 〜1C/cm2の範
囲にある所定照射量を照射し、更にこの膜をＡＺ現像液
(312MIF)に３分間浸漬して現像を行った。この時の感度
特性の測定例を図２に示す。
【００１７】図２より明らかなように、この実施例では
レジストが20KeV の電子線に対して0.1C/cm2程度の感度
を持っている。このレジストを用いて実際に0.2 μm 幅
のパターンを20KeV の電子線を用いて形成することがで
きた。
レジストが20KeV の電子線に対して0.1C/cm2程度の感度
を持っている。このレジストを用いて実際に0.2 μm 幅
のパターンを20KeV の電子線を用いて形成することがで
きた。
【００１８】実施例３ 厚さ500nm のタングステン基板上に膜厚50nmの窒化アル
ミニウム膜を堆積し、更にその上にＰＭＭＡを500nm の
厚みで塗布して試料を調整した。この試料にマスクを通
してＸ線を照射し、Ｘ線の照射された部分のＰＭＭＡを
除去してパターニングを行う。次に、ＥＣＲエッチング
装置中で上記試料に100Vの正の電圧をかけ、装置内で発
生するＥＣＲプラズマ中の電子線を試料中に照射させる
ことにより、パターン転写する。
ミニウム膜を堆積し、更にその上にＰＭＭＡを500nm の
厚みで塗布して試料を調整した。この試料にマスクを通
してＸ線を照射し、Ｘ線の照射された部分のＰＭＭＡを
除去してパターニングを行う。次に、ＥＣＲエッチング
装置中で上記試料に100Vの正の電圧をかけ、装置内で発
生するＥＣＲプラズマ中の電子線を試料中に照射させる
ことにより、パターン転写する。
【００１９】この試料を、ＡＺ現像液で現像した後、Ｅ
ＣＲエッチング（SF6 5.0sccm 2 ×10-2Pa,2.45GHzマイ
クロ波 500W 、試料に13.56MHz高周波 40Wを印加）を10
分間行って厚さ500nm のタングステン基板に0.2 μm 幅
のパターンを形成することができた。また、窒化アルミ
ニウム膜はドライエッチ耐性が高く、殆どエッチングに
よる変化は観察されなかった。
ＣＲエッチング（SF6 5.0sccm 2 ×10-2Pa,2.45GHzマイ
クロ波 500W 、試料に13.56MHz高周波 40Wを印加）を10
分間行って厚さ500nm のタングステン基板に0.2 μm 幅
のパターンを形成することができた。また、窒化アルミ
ニウム膜はドライエッチ耐性が高く、殆どエッチングに
よる変化は観察されなかった。
【００２０】
【発明の効果】以上要するに、この発明によればドライ
エッチング耐性に優れ、しかも所定量以上の電子線照射
により現像液に対する溶解速度が急激に低下する電子ビ
ームレジストを容易に得ることができる。
エッチング耐性に優れ、しかも所定量以上の電子線照射
により現像液に対する溶解速度が急激に低下する電子ビ
ームレジストを容易に得ることができる。
【図１】この発明に係るレジストのＡＺ現像液中での現
像特性の測定例を示す図
像特性の測定例を示す図
【図２】この発明に係るレジストの20KeV 電子線に対す
る感度特性の測定例を示す図
る感度特性の測定例を示す図
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 // Ｇ０３Ｆ 7/038 ５０５
Claims (2)
- 【請求項１】 窒化アルミニウムよりなることを特徴と
する電子線レジスト - 【請求項２】 基板上に窒化アルミニウムをスパッタ法
により堆積させることを特徴とする電子線レジストの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9201492A JPH0762228B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 電子線レジスト及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9201492A JPH0762228B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 電子線レジスト及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05263218A true JPH05263218A (ja) | 1993-10-12 |
| JPH0762228B2 JPH0762228B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=14042659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9201492A Expired - Lifetime JPH0762228B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 電子線レジスト及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762228B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006129565A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Pioneer Corporation | レジスト材料および電子線記録用レジスト材料 |
| JP2008116990A (ja) * | 2005-05-30 | 2008-05-22 | Pioneer Electronic Corp | レジスト材料および電子線記録用レジスト材料 |
| JP2010152105A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | エッチングレジスト |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP9201492A patent/JPH0762228B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006129565A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Pioneer Corporation | レジスト材料および電子線記録用レジスト材料 |
| JP2008116990A (ja) * | 2005-05-30 | 2008-05-22 | Pioneer Electronic Corp | レジスト材料および電子線記録用レジスト材料 |
| US7713678B2 (en) | 2005-05-30 | 2010-05-11 | Pioneer Corporation | Resist material and electron beam recording resist material |
| JP4696134B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-06-08 | パイオニア株式会社 | レジスト材料および電子線記録用レジスト材料 |
| JP2010152105A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | エッチングレジスト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0762228B2 (ja) | 1995-07-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |