JPS6140099B2 - - Google Patents
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- JPS6140099B2 JPS6140099B2 JP1051980A JP1051980A JPS6140099B2 JP S6140099 B2 JPS6140099 B2 JP S6140099B2 JP 1051980 A JP1051980 A JP 1051980A JP 1051980 A JP1051980 A JP 1051980A JP S6140099 B2 JPS6140099 B2 JP S6140099B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フオトマスクの製造法に関するもの
であり、さらに詳しくは着色透明なフオトマスク
用ブランク板の電子線による微細パターン形成方
法に関するものである。
であり、さらに詳しくは着色透明なフオトマスク
用ブランク板の電子線による微細パターン形成方
法に関するものである。
従来、半導体、IC、LSI等の製造に用いられて
きたフオトマスクには、銀乳剤を用いたエマルジ
ヨンマスクと、一般にハードマスクといわれる耐
久性に優れたクロムマスク、低反射クロムマス
ク、両面低反射クロムマスク、酸化クロムマス
ク、シリコンマスク、酸化鉄マスク等があり、中
でもシリコンマスク、酸化鉄マスクは紫外線に対
しては遮断性を有する一方、可視光に対しては透
過性を有する為、半導体素子基材であるシリコン
ウエハー上に既に形成された微細画像に、マスク
画像を容易かつ正確に位置合せできるという利点
がある。さらに、特にシリコンマスクは薄膜の強
度、耐薬品性ともにクロムマスク以上であるとい
う利点を有している。
きたフオトマスクには、銀乳剤を用いたエマルジ
ヨンマスクと、一般にハードマスクといわれる耐
久性に優れたクロムマスク、低反射クロムマス
ク、両面低反射クロムマスク、酸化クロムマス
ク、シリコンマスク、酸化鉄マスク等があり、中
でもシリコンマスク、酸化鉄マスクは紫外線に対
しては遮断性を有する一方、可視光に対しては透
過性を有する為、半導体素子基材であるシリコン
ウエハー上に既に形成された微細画像に、マスク
画像を容易かつ正確に位置合せできるという利点
がある。さらに、特にシリコンマスクは薄膜の強
度、耐薬品性ともにクロムマスク以上であるとい
う利点を有している。
しかしながら、シリコンマスクを得るためのパ
ターン形成方法は、第１図に示す如く、透明なガ
ラス基板１上にシリコン薄膜２を設けたフオトマ
スク用ブランク板（第１図ａ）上に有機化合物を
主体とするフオトレジスト又は電子線レジストを
スピンナー等の方法により塗布してレジスト膜３
を形成し（第１図ｂ）、適切な温度でプリベーキ
ングを行つた後、所望のパターン通りに紫外線又
は電子線４により露光又は照射し（第１図ｃ）、
次に現像液により現像し、リンス液でリンスし、
乾燥してパターン化したレジスト膜５を得る（第
１図ｄ）。次に所定の温度でポストベーキングし
た後、露出したシリコン薄膜膜を化学的にエツチ
ングして、パターン化したシリコン薄膜６を得て
（第１図ｅ）、最後にレジスト膜５を剥膜して、パ
ターン化したシリコンマスク７を得る（第１図
ｆ）という方法を用いていた。
ターン形成方法は、第１図に示す如く、透明なガ
ラス基板１上にシリコン薄膜２を設けたフオトマ
スク用ブランク板（第１図ａ）上に有機化合物を
主体とするフオトレジスト又は電子線レジストを
スピンナー等の方法により塗布してレジスト膜３
を形成し（第１図ｂ）、適切な温度でプリベーキ
ングを行つた後、所望のパターン通りに紫外線又
は電子線４により露光又は照射し（第１図ｃ）、
次に現像液により現像し、リンス液でリンスし、
乾燥してパターン化したレジスト膜５を得る（第
１図ｄ）。次に所定の温度でポストベーキングし
た後、露出したシリコン薄膜膜を化学的にエツチ
ングして、パターン化したシリコン薄膜６を得て
（第１図ｅ）、最後にレジスト膜５を剥膜して、パ
ターン化したシリコンマスク７を得る（第１図
ｆ）という方法を用いていた。
上記の如きレジストによる従来のパターン形成
方法は、塗布にスピンナーを用いる為、均一な薄
膜を形成することが難しく、レジスト膜自体が非
常に損傷を受け易く、取り扱いには非常な注意を
必要とした。又、現像液のポストベーキングによ
りパターンのエツジ部分にダレを生じ易く、ポジ
レジストの場合にはブランク板との密着性が悪
く、サイドエツチが大きくなり易いという欠点が
あつた。またネガレジストの場合には、現像液に
ヒゲ状の残渣が生じ易いという欠点があつた。
方法は、塗布にスピンナーを用いる為、均一な薄
膜を形成することが難しく、レジスト膜自体が非
常に損傷を受け易く、取り扱いには非常な注意を
必要とした。又、現像液のポストベーキングによ
りパターンのエツジ部分にダレを生じ易く、ポジ
レジストの場合にはブランク板との密着性が悪
く、サイドエツチが大きくなり易いという欠点が
あつた。またネガレジストの場合には、現像液に
ヒゲ状の残渣が生じ易いという欠点があつた。
以上の如く、レジストを使用した従来のパター
ン形成方法は工程が長く煩雑であり、レジストと
いう中間画像を形成する工程を含む為に、解像力
の低下は免れ得なかつた。
ン形成方法は工程が長く煩雑であり、レジストと
いう中間画像を形成する工程を含む為に、解像力
の低下は免れ得なかつた。
本発明者等は上記したようなレジストを使用し
た従来のパターン形成方法の欠点を解消したレジ
ストを全く用いずしてシリコンマスクを高精度且
つ容易に作製し得る方法につき研究の結果、シリ
コンとシリコン酸化物の混合液が電子線に感応性
を有し、かつ電子線でパターン照射後にドライエ
ツチングを行うと、電子線照射部分と未照射部分
のドライエツチングに対するエツチング速度の差
により、照射部分が残存しネガ型のレジストパタ
ーンが形成されるであることを見い出し、かかる
知見にもとづいて本発明を完成したものである。
た従来のパターン形成方法の欠点を解消したレジ
ストを全く用いずしてシリコンマスクを高精度且
つ容易に作製し得る方法につき研究の結果、シリ
コンとシリコン酸化物の混合液が電子線に感応性
を有し、かつ電子線でパターン照射後にドライエ
ツチングを行うと、電子線照射部分と未照射部分
のドライエツチングに対するエツチング速度の差
により、照射部分が残存しネガ型のレジストパタ
ーンが形成されるであることを見い出し、かかる
知見にもとづいて本発明を完成したものである。
即ち、本発明の要旨は透明基板上にシリコンと
シリコン酸化物との混合物を主成分とする薄膜を
形成せしめた着色透明なフオトマスク用ブランク
板の上記薄膜に電子線をパターン照射した後、電
子線未照射部分の上記薄膜をドライエツチングで
除去することを特徴とするフオトマスクの製造法
である。
シリコン酸化物との混合物を主成分とする薄膜を
形成せしめた着色透明なフオトマスク用ブランク
板の上記薄膜に電子線をパターン照射した後、電
子線未照射部分の上記薄膜をドライエツチングで
除去することを特徴とするフオトマスクの製造法
である。
本発明におけるパターン形成機構は明らかでは
ないが、電子線エネルギーによつて照射部分のシ
リコンとシリコン酸化物の結晶性度合が変化し、
ドライエツチングに対するエツチング速度の差が
生じて部分的にエツチングされパターン形成され
るものと思料される。
ないが、電子線エネルギーによつて照射部分のシ
リコンとシリコン酸化物の結晶性度合が変化し、
ドライエツチングに対するエツチング速度の差が
生じて部分的にエツチングされパターン形成され
るものと思料される。
従つて、シリコンとシリコン酸化物の混合物の
結晶性度合を変化せしめるに充分なエネルギーを
有するならば、必ずしも電子線エネルギーに限定
されず、他の高エネルギー線である放射線又はレ
ーザー光線等によるパターン形成も可能である。
結晶性度合を変化せしめるに充分なエネルギーを
有するならば、必ずしも電子線エネルギーに限定
されず、他の高エネルギー線である放射線又はレ
ーザー光線等によるパターン形成も可能である。
以下、本発明のフオトマスクの製造法について
図面を参照しつつ詳細に説明する。
図面を参照しつつ詳細に説明する。
第２図は本発明のフオトマスクの製造法の各工
程を例示するものであり、第２図ａの如きガラス
等の透明基板１上に設けたシリコンとシリコン酸
化物との混合物を主成分とする薄膜２を形成せし
めた着色透明なフオトマスク用ブランク板に対し
て、第２図ｂの如く電子線照射装置にて電子線８
をパターン照射する。本発明で用いるフオトマス
ク用ブランク板としては蒸着又はスパツタリング
又はイオンプレーテイング等通常の薄膜形成方法
により形成したシリコンとシリコン酸化物との混
合物を主成分とする薄膜が使用できるが、電子線
に対する感度は上記薄膜の作成条件により大きく
異るのでその装置、方法に適した上記薄膜の作成
条件を見つける必要がある。
程を例示するものであり、第２図ａの如きガラス
等の透明基板１上に設けたシリコンとシリコン酸
化物との混合物を主成分とする薄膜２を形成せし
めた着色透明なフオトマスク用ブランク板に対し
て、第２図ｂの如く電子線照射装置にて電子線８
をパターン照射する。本発明で用いるフオトマス
ク用ブランク板としては蒸着又はスパツタリング
又はイオンプレーテイング等通常の薄膜形成方法
により形成したシリコンとシリコン酸化物との混
合物を主成分とする薄膜が使用できるが、電子線
に対する感度は上記薄膜の作成条件により大きく
異るのでその装置、方法に適した上記薄膜の作成
条件を見つける必要がある。
上記シリコンとシリコン酸化物との混合物を主
成分とする薄膜においてはシリコン１に対してシ
リコン酸化物（SiOx；ｘ＝０〜２）が重量比で
５以下であることが好ましい。
成分とする薄膜においてはシリコン１に対してシ
リコン酸化物（SiOx；ｘ＝０〜２）が重量比で
５以下であることが好ましい。
更に又上記シリコンとシリコン酸化物との混合
物を主成分とする薄膜をガラス基板上に直接に設
けた場合には、該薄膜の電気抵抗値が大きいため
に、電子線でパターニング時に電荷蓄積を起こし
て、画像の歪みを引き起こすことが多い。それゆ
え電荷蓄積による画像の歪みを防止するために、
ガラス基板上に導電性の薄膜層を１層設け、その
上にシリコンとシリコン酸化物との混合物を主成
分とする薄膜を設けるのが望ましい。この場合の
導電性薄膜層としては、電荷蓄積を防止するに充
分な導電性を有し、かつフオトマスクとしての使
用時に、紫外光や遠紫外光に対し充分な透明性を
有し、かつ充分な耐久性と耐薬品性を有している
ならば、種々の金層又は金属酸化物が使用可能で
ある。例えば、金属としてはCr，Ta，Ti，Ｗ，
Mo等の数10Åの薄膜、金属酸化物としては酸化
クロム、酸化インジウム、酸化スズ等の数10Åの
薄膜が用いられる。又、上記シリコンとシリコン
酸化物との混合物を主成分とする薄膜中に不純物
を混入させて該薄膜に直接導電性を付与させても
よい。ただし、この場合シリコン酸化物は重量比
1/1000以下であることが好ましく、不純物として
は、第族及び第族のＢ，Ｎ，Ｐ，Sbなどの
元素が使用でき、不純物混入方法としては蒸着又
はスパツタリング材料中にそれらを含ませる方法
などどのような方法でも良い。これらの混入量は
上記混合物に対して10-5〜10重量％程度であるこ
とが望ましい。
物を主成分とする薄膜をガラス基板上に直接に設
けた場合には、該薄膜の電気抵抗値が大きいため
に、電子線でパターニング時に電荷蓄積を起こし
て、画像の歪みを引き起こすことが多い。それゆ
え電荷蓄積による画像の歪みを防止するために、
ガラス基板上に導電性の薄膜層を１層設け、その
上にシリコンとシリコン酸化物との混合物を主成
分とする薄膜を設けるのが望ましい。この場合の
導電性薄膜層としては、電荷蓄積を防止するに充
分な導電性を有し、かつフオトマスクとしての使
用時に、紫外光や遠紫外光に対し充分な透明性を
有し、かつ充分な耐久性と耐薬品性を有している
ならば、種々の金層又は金属酸化物が使用可能で
ある。例えば、金属としてはCr，Ta，Ti，Ｗ，
Mo等の数10Åの薄膜、金属酸化物としては酸化
クロム、酸化インジウム、酸化スズ等の数10Åの
薄膜が用いられる。又、上記シリコンとシリコン
酸化物との混合物を主成分とする薄膜中に不純物
を混入させて該薄膜に直接導電性を付与させても
よい。ただし、この場合シリコン酸化物は重量比
1/1000以下であることが好ましく、不純物として
は、第族及び第族のＢ，Ｎ，Ｐ，Sbなどの
元素が使用でき、不純物混入方法としては蒸着又
はスパツタリング材料中にそれらを含ませる方法
などどのような方法でも良い。これらの混入量は
上記混合物に対して10-5〜10重量％程度であるこ
とが望ましい。
本発明において用い得る電子線照射装置として
は、電子線径0.1〜1.0μｍの集束電子線を用いコ
ンピユータでパターン走査する装置、又は金属薄
膜で拡大パターンを作り、電子レンズで縮少し一
括転写する装置とがあり、シリコンとシリコン酸
化物との混合物を主成分とする薄膜作成条件によ
り若干異なるが、電子線照射置10-1〜10-6クーロ
ン／cm2の範囲で用いられ得る。
は、電子線径0.1〜1.0μｍの集束電子線を用いコ
ンピユータでパターン走査する装置、又は金属薄
膜で拡大パターンを作り、電子レンズで縮少し一
括転写する装置とがあり、シリコンとシリコン酸
化物との混合物を主成分とする薄膜作成条件によ
り若干異なるが、電子線照射置10-1〜10-6クーロ
ン／cm2の範囲で用いられ得る。
次に第２図ｃに示す如く、電子線照射したフオ
トマスク用ブランク板を電子線照射装置より取出
し、ドライエツチング装置でエツチングすること
により、シリコンとシリコン酸化物との混合物を
主成分とする薄膜の電子線未照射部分をエツチン
グ除去して電子線照射部分のパターン化したシリ
コンとシリコン酸化物との混合物を主成分とする
薄膜６のみを残して、フオトマスク７を得る。
トマスク用ブランク板を電子線照射装置より取出
し、ドライエツチング装置でエツチングすること
により、シリコンとシリコン酸化物との混合物を
主成分とする薄膜の電子線未照射部分をエツチン
グ除去して電子線照射部分のパターン化したシリ
コンとシリコン酸化物との混合物を主成分とする
薄膜６のみを残して、フオトマスク７を得る。
シリコンとシリコン酸化物との混合物を主成分
とする薄膜をエツチングする際のドライエツチン
グプロセスとしては、プラズマエツチング、反応
性イオンエツチング等が使用可能である。
とする薄膜をエツチングする際のドライエツチン
グプロセスとしては、プラズマエツチング、反応
性イオンエツチング等が使用可能である。
プラズマエツチングは、シリコンのエツチング
が全て使用可能であり、CF4，CHClF2，
CCl2F2，CCl2FCClF2等のフレオンガス及びフレ
オンガスとO2ガスの混合ガスが特に有効であ
る。
が全て使用可能であり、CF4，CHClF2，
CCl2F2，CCl2FCClF2等のフレオンガス及びフレ
オンガスとO2ガスの混合ガスが特に有効であ
る。
プラズマエツチングに用いる装置は、円筒型で
も平行平板型でも良く、ベルジヤー、ガス導入
管、ベルジヤー内でプラズマを発生させる為の高
周波発生装置、及び真空ポンプからなつているも
のである。
も平行平板型でも良く、ベルジヤー、ガス導入
管、ベルジヤー内でプラズマを発生させる為の高
周波発生装置、及び真空ポンプからなつているも
のである。
本発明によるパターニング方法を用いた時のシ
リコンとシリコン酸化物との混合物を主成分とす
る薄膜の感度は、ドライエツチング時のガスの種
類及び組成比によつて若干異なるが、１例とし
て、CF4とO2ガスの混合ガスによるプラズマエツ
チングを用いると、CF4とO2の混合比が55対30の
時が最も好ましい条件であつた。
リコンとシリコン酸化物との混合物を主成分とす
る薄膜の感度は、ドライエツチング時のガスの種
類及び組成比によつて若干異なるが、１例とし
て、CF4とO2ガスの混合ガスによるプラズマエツ
チングを用いると、CF4とO2の混合比が55対30の
時が最も好ましい条件であつた。
反応性イオンエツチングに用いる装置は、平行
平板型でありエツチングガス等はプラズマエツチ
ングと同じガスが使用可能である。
平板型でありエツチングガス等はプラズマエツチ
ングと同じガスが使用可能である。
本発明によれば、従来の有機化合物を主体とす
るフオトレジスト又は電子線レジストによるシリ
コンマスクのパターン形成方法の如きレジスト塗
布、プリベーク、ポストベーク、レジスト剥離の
工程が全く不要で全プロセスをドライで行い得る
ため、シリコンマスクのパターン形成が極めて短
時間でかつ容易になり、フオトマスクの生産性が
著しく向上し、かつ工程簡略化により従来の工程
で生じた欠陥が除外されるという利点を有する。
るフオトレジスト又は電子線レジストによるシリ
コンマスクのパターン形成方法の如きレジスト塗
布、プリベーク、ポストベーク、レジスト剥離の
工程が全く不要で全プロセスをドライで行い得る
ため、シリコンマスクのパターン形成が極めて短
時間でかつ容易になり、フオトマスクの生産性が
著しく向上し、かつ工程簡略化により従来の工程
で生じた欠陥が除外されるという利点を有する。
さらに又本発明によれば、従来の如き有機化合
物を主体とする電子線レジストを使用せずに電子
線でパターンを形成するために、いわゆる後重合
効果がなく均一な寸法のパターン形成が可能であ
り、プラズマによるクリーニング工程も不要であ
る。又、レジストという中間画像を形成せず、か
つ従来の如きレジストとシリコン薄膜との密着不
良によるサイドエツチが全くないため、極めて精
密なフオトマスク・パターンを短時間に形成する
ことが可能である。
物を主体とする電子線レジストを使用せずに電子
線でパターンを形成するために、いわゆる後重合
効果がなく均一な寸法のパターン形成が可能であ
り、プラズマによるクリーニング工程も不要であ
る。又、レジストという中間画像を形成せず、か
つ従来の如きレジストとシリコン薄膜との密着不
良によるサイドエツチが全くないため、極めて精
密なフオトマスク・パターンを短時間に形成する
ことが可能である。
以下、実施例を挙げてさらに具体的に説明す
る。
る。
実施例 １
充分研磨された透明なガラス基板上に、電子ビ
ーム蒸着法により、シリコンとシリコン酸化物の
混合物を主成分とする薄膜（シリコン：シリコン
酸化物＝１：３（重量比））を3000Åの厚さに付
着せしめた。蒸着時の真空度は１×10-4mmHgで
あり、蒸発源とガラス基板との距離は50cm、蒸着
速度は2000Å／hrであつた。
ーム蒸着法により、シリコンとシリコン酸化物の
混合物を主成分とする薄膜（シリコン：シリコン
酸化物＝１：３（重量比））を3000Åの厚さに付
着せしめた。蒸着時の真空度は１×10-4mmHgで
あり、蒸発源とガラス基板との距離は50cm、蒸着
速度は2000Å／hrであつた。
次に上記の方法で得られたフオトマスク・ブラ
ンク板に対してエリオニクス社製電子線照射装置
を用いて、加速電圧20KV、電子線径0.25μｍ、
照射置１×10-3クーロン／cm2でパターン照射を行
つた。
ンク板に対してエリオニクス社製電子線照射装置
を用いて、加速電圧20KV、電子線径0.25μｍ、
照射置１×10-3クーロン／cm2でパターン照射を行
つた。
次にパターン照射したブランク板を、平行平板
型反応性イオンエツチング装置によりドライエツ
チングを行つた。使用したエツチングガスはCF4
とO2の55対30の混合ガスで、圧力300ｍtorrであ
る。13.56MHzの高周波を電力200Wで用い10分間
エツチングを行い、パターン最小線巾１μｍの平
行線パターンを有するフオトマスクを得た。
型反応性イオンエツチング装置によりドライエツ
チングを行つた。使用したエツチングガスはCF4
とO2の55対30の混合ガスで、圧力300ｍtorrであ
る。13.56MHzの高周波を電力200Wで用い10分間
エツチングを行い、パターン最小線巾１μｍの平
行線パターンを有するフオトマスクを得た。
このフオトマスクは充分な紫外線遮光性とシー
スルー性を有し、濃硫酸1000c.c.と重クロム酸カリ
ウム100ｇとからなるマスク洗浄液に対して良好
な耐性を示し、更にクロムマスク以上の機械的強
度を示した。
スルー性を有し、濃硫酸1000c.c.と重クロム酸カリ
ウム100ｇとからなるマスク洗浄液に対して良好
な耐性を示し、更にクロムマスク以上の機械的強
度を示した。
実施例 ２
充分研磨された透明な石英ガラス基板上に高周
波スパツタリングによりクロム薄膜を20Åの厚さ
に付着せしめ、次に上記クロム薄膜上にシリコン
とシリコン酸化物との混合物と主成分とする薄膜
（シリコン：シリコン酸化物＝１：３（重量比））
を3000Å付着せしめてシリコンマスクブランク板
を形成した。スパツタリングにはいずれもArガ
スを用い、クロム・スパツタリング時のガス圧
は、１×10-3mmHg、シリコン・スパツタリング
時は４×10-2mmHgで、基板とターゲツト間の距
離は５cmであり、スパツタ速度はクロム20Å／
min、シリコン1000Å／hrである。
波スパツタリングによりクロム薄膜を20Åの厚さ
に付着せしめ、次に上記クロム薄膜上にシリコン
とシリコン酸化物との混合物と主成分とする薄膜
（シリコン：シリコン酸化物＝１：３（重量比））
を3000Å付着せしめてシリコンマスクブランク板
を形成した。スパツタリングにはいずれもArガ
スを用い、クロム・スパツタリング時のガス圧
は、１×10-3mmHg、シリコン・スパツタリング
時は４×10-2mmHgで、基板とターゲツト間の距
離は５cmであり、スパツタ速度はクロム20Å／
min、シリコン1000Å／hrである。
次に上記フオトマスク・ブランク板を電子線照
射装置にて、加速電圧20KV、電子線径0.25μ
ｍ、照射電荷量８×10-5クローン／cm2にてパター
ン照射した。
射装置にて、加速電圧20KV、電子線径0.25μ
ｍ、照射電荷量８×10-5クローン／cm2にてパター
ン照射した。
次に上記パターン照射したブランク板を、プラ
ズマエツチング装置によりドライエツチングを行
つた。使用したエツチングガスはCCl2F2とO2の
３対１の混合ガスで、圧力50ｍtorrである。
13.56MHzの高周波を電力300Wで用い20分間現像
を行い、パターン最小線巾１μｍの平行線パター
ンを有するフオトマスクを得た。
ズマエツチング装置によりドライエツチングを行
つた。使用したエツチングガスはCCl2F2とO2の
３対１の混合ガスで、圧力50ｍtorrである。
13.56MHzの高周波を電力300Wで用い20分間現像
を行い、パターン最小線巾１μｍの平行線パター
ンを有するフオトマスクを得た。
上記フオトマスクは充分な紫外線遮光性とシー
スルー性を有し、このフオトマスクにより遠紫外
光源を用いて、ウエハー上に塗布したポリメチル
メタクリレート膜に0.5μｍのパターンを焼き付
けることが可能であつた。
スルー性を有し、このフオトマスクにより遠紫外
光源を用いて、ウエハー上に塗布したポリメチル
メタクリレート膜に0.5μｍのパターンを焼き付
けることが可能であつた。
第１図はａないしｆは従来のパターン形成方法
によるシリコンマスクの製造工程を示す断面模式
図であり、第２図ａないしｃは本発明のパターン
形成方法によるシリコンマスクの製造工程を示す
断面模式図である。 １……透明基板、２……シリコン薄膜、３……
レジスト膜、４……紫外線又は電子線、５……パ
ターン化したレジスト膜、６……パターン化した
シリコンとシリコン酸化物との混合物を主成分と
する膜、７……シリコンマスク、８……電子線。
によるシリコンマスクの製造工程を示す断面模式
図であり、第２図ａないしｃは本発明のパターン
形成方法によるシリコンマスクの製造工程を示す
断面模式図である。 １……透明基板、２……シリコン薄膜、３……
レジスト膜、４……紫外線又は電子線、５……パ
ターン化したレジスト膜、６……パターン化した
シリコンとシリコン酸化物との混合物を主成分と
する膜、７……シリコンマスク、８……電子線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上にシリコンとシリコン酸化物との
混合物を主成分とする薄膜を形成せしめた着色透
明なフオトマスク用ブランク板の上記薄膜に電子
線をパターン照射した後、前記薄膜の電子線未照
射部分をドライエツチングで除去することを特徴
とするフオトマスクの製造法。 ２ 前記シリコンとシリコン酸化物との混合物を
主成分とする薄膜を設ける前に、透明基板上に導
電性薄膜を設けておく特許請求の範囲第１項の記
載のフオトマスクの製造法。 ３ 前記シリコンとシリコン酸化物との混合物を
主成分とする薄膜中に導電性不純物を含む特許請
求の範囲第１項記載のフオトマスクの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051980A JPS56107245A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Manufacture of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051980A JPS56107245A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Manufacture of photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56107245A JPS56107245A (en) | 1981-08-26 |
| JPS6140099B2 true JPS6140099B2 (ja) | 1986-09-08 |
Family
ID=11752473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1051980A Granted JPS56107245A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Manufacture of photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56107245A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4440841A (en) * | 1981-02-28 | 1984-04-03 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Photomask and photomask blank |
-
1980
- 1980-01-31 JP JP1051980A patent/JPS56107245A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56107245A (en) | 1981-08-26 |
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