JPS6262336B2 - - Google Patents
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- JPS6262336B2 JPS6262336B2 JP11664480A JP11664480A JPS6262336B2 JP S6262336 B2 JPS6262336 B2 JP S6262336B2 JP 11664480 A JP11664480 A JP 11664480A JP 11664480 A JP11664480 A JP 11664480A JP S6262336 B2 JPS6262336 B2 JP S6262336B2
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスクパターンの形成を電子ビーム露
光法によつて行われるフオトマスクに関する。
光法によつて行われるフオトマスクに関する。
半導体集積回路など半導体装置の製造に際し、
透明なガラス基板上に被着させたクロム膜に所要
のマスクパターンを形成したハードマスクと呼ば
れているフオトマスクが広く使用されているが、
近年集積回路も高集積化され、高密度化されて、
フオトマスクのパターンは微細となり、従来の紫
外光線露光法によるマスクパターン形成では精度
上不具合なパターンが多くなつており、最近では
電子ビーム露光法が盛んに用いられる様になつて
きた。
透明なガラス基板上に被着させたクロム膜に所要
のマスクパターンを形成したハードマスクと呼ば
れているフオトマスクが広く使用されているが、
近年集積回路も高集積化され、高密度化されて、
フオトマスクのパターンは微細となり、従来の紫
外光線露光法によるマスクパターン形成では精度
上不具合なパターンが多くなつており、最近では
電子ビーム露光法が盛んに用いられる様になつて
きた。
一方、この様なクロム膜からなるフオトマスク
を被処理体である半導体基板に位置合わせして、
光を使用してマスクパターンを転写する場合に、
光沢ある金属クロムでは光の反射率が高くて、露
光光線を反射し、半導体基板に転写したパターン
精度を悪くする欠点があり、そのために従来より
表面には酸化クロム（Cr2O3）膜を形成して、低
反射性マスクとせしめて使用していることは、周
知の通りである。
を被処理体である半導体基板に位置合わせして、
光を使用してマスクパターンを転写する場合に、
光沢ある金属クロムでは光の反射率が高くて、露
光光線を反射し、半導体基板に転写したパターン
精度を悪くする欠点があり、そのために従来より
表面には酸化クロム（Cr2O3）膜を形成して、低
反射性マスクとせしめて使用していることは、周
知の通りである。
ところが、この様な金属クロム膜上に酸化クロ
ム膜を形成したフオトマスクを半導体基板に転写
する場合には低反射のためパターン精度を良くす
る効果があるが、フオトマスクにマスクパターン
を形成する際に不都合な問題が起つてきた。即
ち、酸化クロム膜を形成したフオトマスク上にレ
ジスト膜を塗布し、電子ビーム露光法により露光
して、マスクパターンを形成すると、パターン周
囲にボケが生じて不鮮明なパターンが形成され
る。第１図はこれを説明するための露光工程を示
した断面図で、ガラス基板１上に金属クロム膜２
と酸化クロム膜３とを被着し、その上にポジ型レ
ジストのPMMA膜４を塗布し、電子ビームを照
射すると、酸化クロム膜は高い誘電率（ｅ＝12）
をもつた誘電体であるからチヤージアツプして、
周りに電界を発生し照射ビームを所要軌道より外
して、照射精度を悪くするいわゆるビームドリフ
トを生ずる。このために、マスクパターン像が不
鮮明となるもので、この様にフオトマスクのパタ
ーンがボケを生ずると、折角電子ビーム露光法を
用いても無意味となり、高精度なフオトマスクを
得ることができなくなる。
ム膜を形成したフオトマスクを半導体基板に転写
する場合には低反射のためパターン精度を良くす
る効果があるが、フオトマスクにマスクパターン
を形成する際に不都合な問題が起つてきた。即
ち、酸化クロム膜を形成したフオトマスク上にレ
ジスト膜を塗布し、電子ビーム露光法により露光
して、マスクパターンを形成すると、パターン周
囲にボケが生じて不鮮明なパターンが形成され
る。第１図はこれを説明するための露光工程を示
した断面図で、ガラス基板１上に金属クロム膜２
と酸化クロム膜３とを被着し、その上にポジ型レ
ジストのPMMA膜４を塗布し、電子ビームを照
射すると、酸化クロム膜は高い誘電率（ｅ＝12）
をもつた誘電体であるからチヤージアツプして、
周りに電界を発生し照射ビームを所要軌道より外
して、照射精度を悪くするいわゆるビームドリフ
トを生ずる。このために、マスクパターン像が不
鮮明となるもので、この様にフオトマスクのパタ
ーンがボケを生ずると、折角電子ビーム露光法を
用いても無意味となり、高精度なフオトマスクを
得ることができなくなる。
本発明はこの様な問題点を除去し、電子ビーム
露光法を用いて高精度なフオトマスクを形成し、
且つこのフオトマスクを使用し、光によつて被処
理体に精度の良いマスクパターンを転写せしめる
ことを目的とし、このことは本発明によればガラ
ス基板上に被着された金属クロム膜上に半透明導
電膜を形成し、その上にホトレジスト膜を塗布
し、電子ビームにより所要域を露光処理し、現
像、定着、乾燥することによつてレジストマスク
パターンを形成し、これをマスクとして半透明導
電膜、続いて金属クロム膜の所要域をエツチング
除去した後レジストマスクを除去することを特徴
とする電子ビームによるフオトマスクパターンの
形成法によつて達成される。
露光法を用いて高精度なフオトマスクを形成し、
且つこのフオトマスクを使用し、光によつて被処
理体に精度の良いマスクパターンを転写せしめる
ことを目的とし、このことは本発明によればガラ
ス基板上に被着された金属クロム膜上に半透明導
電膜を形成し、その上にホトレジスト膜を塗布
し、電子ビームにより所要域を露光処理し、現
像、定着、乾燥することによつてレジストマスク
パターンを形成し、これをマスクとして半透明導
電膜、続いて金属クロム膜の所要域をエツチング
除去した後レジストマスクを除去することを特徴
とする電子ビームによるフオトマスクパターンの
形成法によつて達成される。
即ち本発明によれば、上面に積層する半透明導
電膜としては例えば酸化インヂウム（In2O3）膜を
形成するもので、酸化インヂウム膜は電気伝導度
が良くて、半透明の膜質である。従つて電子ビー
ム露光の際に電荷は蓄積されることはなく、形成
されたフオトマスクパターンは鮮明となり、これ
によつて半導体基板上に光によつてマスクパター
ンを転写する場合にも半透明導電膜によつて反射
は生ぜず、高い精度の転写パターンをうることが
出来る。即ちこの場合半透明膜とはある周波数を
もつた光が入射すると、透過するが膜内での光相
互の干渉と吸収のため位相ずれを生じたりして反
射を妨害し、反射率を低くする性質をもつている
膜のことで、酸化インジウムの他に、酸化錫
（SnO2）なども半透明で導電性をもつた膜に属す
る。
電膜としては例えば酸化インヂウム（In2O3）膜を
形成するもので、酸化インヂウム膜は電気伝導度
が良くて、半透明の膜質である。従つて電子ビー
ム露光の際に電荷は蓄積されることはなく、形成
されたフオトマスクパターンは鮮明となり、これ
によつて半導体基板上に光によつてマスクパター
ンを転写する場合にも半透明導電膜によつて反射
は生ぜず、高い精度の転写パターンをうることが
出来る。即ちこの場合半透明膜とはある周波数を
もつた光が入射すると、透過するが膜内での光相
互の干渉と吸収のため位相ずれを生じたりして反
射を妨害し、反射率を低くする性質をもつている
膜のことで、酸化インジウムの他に、酸化錫
（SnO2）なども半透明で導電性をもつた膜に属す
る。
次に金属クロム膜上に酸化インヂウム膜を積層
する実施例によりフオトマスクの形成方法を説明
すると、第２図ないし第５図にその工程順断面図
を示している。第２図はガラス基板１上にスパツ
タ法を用いて膜厚500〜1000Åの金属クロム２を
被着し、その表面に有機インヂウム液を粘度を調
整してスピンコーターで塗布し、これを300〜500
℃の温度で20〜60分熱処理を行なつて200〜500Å
の膜厚をもつた酸化インヂウム膜５を形成した断
面図である。酸化インヂウム膜の膜厚により熱処
理条件は変つてくるが、他にスパツタ法によつて
同膜厚の酸化インヂウム膜を形成することもでき
る。
する実施例によりフオトマスクの形成方法を説明
すると、第２図ないし第５図にその工程順断面図
を示している。第２図はガラス基板１上にスパツ
タ法を用いて膜厚500〜1000Åの金属クロム２を
被着し、その表面に有機インヂウム液を粘度を調
整してスピンコーターで塗布し、これを300〜500
℃の温度で20〜60分熱処理を行なつて200〜500Å
の膜厚をもつた酸化インヂウム膜５を形成した断
面図である。酸化インヂウム膜の膜厚により熱処
理条件は変つてくるが、他にスパツタ法によつて
同膜厚の酸化インヂウム膜を形成することもでき
る。
次いで、第３図に示す様にPMMA膜からなる
ポジ型レジスト膜４を数1000Åの膜厚に塗布し、
その上から電子ビームをスキヤンニングして所要
域を照射する。この場合は表面の酸化インヂウム
が導電体であるから、酸化インヂウム５や金属ク
ロム２を通つてチヤージは散逸するから電界はで
きないで、高精度にスキヤンニングすることがで
きる。その時の電子ビームの照射エネルギーは
10-4クーロン／cm2程度が適当である。尚、ポジ型
レジスト膜の代りに、PGMAのようなネガ型レジ
スト膜を用いてもよいが、その際は当然露光エネ
ルギーは異る。この様に露光処理した後、現像・
定着・乾燥し、100℃30分間熱処理してレジスト
膜４を硬化させると、第４図に示す様にポジ型レ
ジスト膜の場合には露光域が除去された高精度の
レジストマスク４が形成される。
ポジ型レジスト膜４を数1000Åの膜厚に塗布し、
その上から電子ビームをスキヤンニングして所要
域を照射する。この場合は表面の酸化インヂウム
が導電体であるから、酸化インヂウム５や金属ク
ロム２を通つてチヤージは散逸するから電界はで
きないで、高精度にスキヤンニングすることがで
きる。その時の電子ビームの照射エネルギーは
10-4クーロン／cm2程度が適当である。尚、ポジ型
レジスト膜の代りに、PGMAのようなネガ型レジ
スト膜を用いてもよいが、その際は当然露光エネ
ルギーは異る。この様に露光処理した後、現像・
定着・乾燥し、100℃30分間熱処理してレジスト
膜４を硬化させると、第４図に示す様にポジ型レ
ジスト膜の場合には露光域が除去された高精度の
レジストマスク４が形成される。
次いで、塩酸10％溶液に浸漬して、酸化インヂ
ウム膜５をエツチング除去し、更に硝酸第２セリ
ウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液又は過マン
ガン酸カリと苛性ソーダとの混合水溶液に浸漬し
て金属クロムをエツチング除去し、その後に酸素
ガス中のプラズマ処理によりレジストマスク４を
除去すると第５図に示す様な精度の良いマスクパ
ターンをもつたフオトマスクが形成される。
ウム膜５をエツチング除去し、更に硝酸第２セリ
ウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液又は過マン
ガン酸カリと苛性ソーダとの混合水溶液に浸漬し
て金属クロムをエツチング除去し、その後に酸素
ガス中のプラズマ処理によりレジストマスク４を
除去すると第５図に示す様な精度の良いマスクパ
ターンをもつたフオトマスクが形成される。
かようにして形成されたフオトマスクを用い、
被処理体である半導体基板上に塗布したレジスト
膜に光を使用して転写をすれば、該フオトマスク
は表面にCr2O3膜を形成した従来のフオトマスク
と同様に酸化インヂウム膜が半透明で低反射性で
あるから、転写パターン精度を良くすることがで
きる。
被処理体である半導体基板上に塗布したレジスト
膜に光を使用して転写をすれば、該フオトマスク
は表面にCr2O3膜を形成した従来のフオトマスク
と同様に酸化インヂウム膜が半透明で低反射性で
あるから、転写パターン精度を良くすることがで
きる。
以上は酸化インヂウム膜の実施例で説明した
が、酸化錫など他の半透明導電膜も同様であり、
この様に本発明はフオトマスクのパターンを電子
ビーム露光法により高精度に形成すると共に、こ
れを用いて被処理体のパターン精度を良くするこ
とができるので、半導体装置の高集積化に役立
ち、且つ歩留や信頼性向上に著しく寄与するもの
である。
が、酸化錫など他の半透明導電膜も同様であり、
この様に本発明はフオトマスクのパターンを電子
ビーム露光法により高精度に形成すると共に、こ
れを用いて被処理体のパターン精度を良くするこ
とができるので、半導体装置の高集積化に役立
ち、且つ歩留や信頼性向上に著しく寄与するもの
である。
第１図は従来の問題点を示す工程断面図、第２
図ないし第５図は本発明のフオトマスクの形成工
程順図である。 図中、１はガラス基板、２は金属クロム膜、３
は酸化クロム膜、４はポジ型レジスト膜
（PMMA）、５は酸化インヂウム膜を示してい
る。
図ないし第５図は本発明のフオトマスクの形成工
程順図である。 図中、１はガラス基板、２は金属クロム膜、３
は酸化クロム膜、４はポジ型レジスト膜
（PMMA）、５は酸化インヂウム膜を示してい
る。
Claims (1)
- １ ガラス基板上に被着された金属クロム膜上に
半透明導電膜を形成し、その上にレジスト膜を塗
布し、電子ビームにより所要域を露光処理し、現
像、定着、乾燥することによつてレジストマスク
パターンを形成し、これをマスクとして半透明導
電膜、続いて金属クロム膜の所要域をエツチング
除去した後レジストマスクを除去することを特徴
とする電子ビームによるフオトマスクパターンの
形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11664480A JPS5741638A (en) | 1980-08-25 | 1980-08-25 | Photomask for electron beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11664480A JPS5741638A (en) | 1980-08-25 | 1980-08-25 | Photomask for electron beam |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5741638A JPS5741638A (en) | 1982-03-08 |
| JPS6262336B2 true JPS6262336B2 (ja) | 1987-12-25 |
Family
ID=14692311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11664480A Granted JPS5741638A (en) | 1980-08-25 | 1980-08-25 | Photomask for electron beam |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5741638A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02103046A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-16 | Toshiba Corp | 半導体製造用マスクの製作方法及びハードマスクブランク載置台 |
| KR100546365B1 (ko) * | 2003-08-18 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 블랭크 포토마스크 및 이를 사용한 포토마스크의 제조방법 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5113577A (ja) * | 1974-06-19 | 1976-02-03 | Western Electric Co | |
| JPS5352073A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-12 | Hoya Denshi Kk | Photomask for ic |
| JPS53129637A (en) * | 1977-04-19 | 1978-11-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mask for photoetching |
| JPS5446479A (en) * | 1977-09-20 | 1979-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Negative plate for photo mask |
| JPS5451831A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photomask material |
| JPS5451832A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photomask material |
| JPS5596951A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Mitsubishi Electric Corp | Negative for photomask |
-
1980
- 1980-08-25 JP JP11664480A patent/JPS5741638A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5113577A (ja) * | 1974-06-19 | 1976-02-03 | Western Electric Co | |
| JPS5352073A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-12 | Hoya Denshi Kk | Photomask for ic |
| JPS53129637A (en) * | 1977-04-19 | 1978-11-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mask for photoetching |
| JPS5446479A (en) * | 1977-09-20 | 1979-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Negative plate for photo mask |
| JPS5451831A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photomask material |
| JPS5451832A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photomask material |
| JPS5596951A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Mitsubishi Electric Corp | Negative for photomask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5741638A (en) | 1982-03-08 |
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